DIODE

TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS NASIONAL
DIODA IDEAL
Karakteristik arus – tegangan

Gambar 1. Dioda ideal: (a) simbol rangkaian dioda; (b) karakteristik i – v; (c)
rangkaian ekivalen arah ‘reverse’; (d) rangkaian ekivalen arah ‘forward’
DIODA IDEAL
Karakteristik arus – tegangan

Gambar 1(a) adalah simbol dari dioda; gambar 1(b) adalah

karakteristik arus – tegangan.
Terminal positif dari dioda disebut anoda dan terminal negatif
disebut katoda.
Jika tegangan negatif dipasangkan pada dioda, tidak ada arus
yang mengalir; dioda seperti hubung terbuka (gambar 1(c)). Keadaan
ini disebut ‘reverse biased’.
Jika tegangan positif dipasangkan pada dioda, tidak ada
penurunan tegangan pada dioda; dioda seperti hubung singkat
(gambar 1(d)). Keadaan ini disebut ‘forward biased’.
Untuk membatasi arus pada dioda, diperlukan rangkaian luar
seperti pada gambar 2.
 Operasi fisik dari dioda
• Konsep dasar semikonduktor
– Dioda semikonduktor adalah sebuah pn junction yang terdiri dari
semikonduktor jenis –n dan semikonduktor jenis –p.
– Daerah p dan n adalah bagian dari kristal silikon yang sama yang
mempunyai doping yang berbeda.
– pn junction juga merupakan elemen dasar dari transistor bipolar dan
transistor efek medan (FET)

Struktur fisik sederhana dari dioda junction

4
 pn junction dalam kondisi hubung terbuka

(a) Dioda dalam keadaan hubung terbuka (b) Distribusi potensial

sepanjang sumbu tegak lurus dengan junction

Tanda ‘+’ pada bahan jenis –p menunjukkan pembawa mayoritas ‘holes’.

Muatan ‘holes’ dinetralkan oleh muatan negatif dari atom akseptor.
Tanda ‘-’ pada bahan jenis –n menunjukkan pembawa mayoritas
‘elektron’.
Muatan ‘elektron’ dinetralkan oleh muatan positif.
5
• Arus difusi ID
– Konsentrasi holes yang tinggi di daerah p dan yang rendah di daerah n
menyebabkan holes merembas melalui ‘junction’ dari sisi p ke sisi n.
– Sebaliknya, elektron merembas dari sisi n ke sisi p.
– Jumlah kedua arus ini membentuk arus difusi ID dengan arah dari sisi p
ke sisi n.

• Daerah deplesi
– Holes yang merembas melalui junction ke daerah n akan ber-
rekombinasi dengan mayoritas elektron di daerah n, sehingga holes ini
menghilang demikian juga sebagian elektron bebas pada daerah n
juga menghilang.
– Sebagian dari muatan positif tidak lagi dinetralkan oleh elektron
bebas. Muatan ini disebut ‘uncovered’
– Rekombinasi terjadi di dekat junction, sehingga ada daerah dekat
junction yang kekurangan elektron bebas (depleted of free electrons)
dan mengandung muatan positif yang ‘uncovered’

6
• Daerah deplesi
– Elektron yang merembas melalui junction ke daerah p akan ber-
rekombinasi dengan mayoritas holes di daerah p, sehingga elektron ini
menghilang demikian juga sebagian holes bebas pada daerah p juga
menghilang.
– Sebagian dari muatan negatif tidak lagi dinetralkan oleh holes.
Muatan ini disebut ‘uncovered’
– Rekombinasi terjadi di dekat junction, sehingga ada daerah dekat
junction pada daerah p yang kekurangan holes (depleted of holes) dan
mengandung muatan negatif yang ‘uncovered
– Dari penjelasan di atas, daerah deplesi pembawa (carrier-depletion
region) atau daerah deplesi akan terdapat di kedua sisi junction, pada
sisi n bermuatan positif dan di sisi p bermuatan negatif.
– Muatan pada ke dua sisi daerah deplesi akan menyebabkan adanya
medan listrik pada daerah deplesi, sehingga ada perbedaan tegangan
pada daerah deplesi, dengan tegangan positif pada sisi n dan
tegangan negatif pada sisi p.
– Perbedaan tegangan pada daerah deplesi merupakan penghalang
(‘barrier’) yang harus diatasi oleh holes untuk berdifusi ke daerah n
dan elektron berdifusi ke daerah p.
– Makin besar tegangan penghalang, makin kecil jumlah pembawa yang
dapat mengatasi ‘barrier’ sehingga makin kecil arus difusi.
– Arus difusi tergantung pada perbedaan tegangan V 0 pada daerah
deplesi.
7
• Arus drift IS dan keseimbangan
– Selain komponen arus difusi ID, terdapat juga komponen arus
drift yang disebabkan oleh pembawa minoritas.
– Ada dua komponen arus drift, yaitu elektron yang bergerak dari
bahan p ke bahan n dan holes yang bergerak dari bahan n ke
bahan p.
– Arah arus drift IS dari sisi n ke sisi p pada junction.
– Karena arus drift disebabkan oleh pembawa minoritas yang
dihasilkan secara termal, harganya sangat tergantung pada
suhu, tetapi tidak tergantung pada harga tegangan pada daerah
deplesi.
– Pada kondisi hubung terbuka: ID = IS

8
• Tegangan pada junction

 N AND 
V0  VT ln 
 n2 
 i 
NA = konsentrasi doping pada sisi p
ND = konsentrasi doping pada sisi n
VT = tegangan termal
ni = konsentrasi instrisik semiconductor

Jadi tegangan pada junction tergantung dari konsentrasi doping dan

suhu.

Pada suhu kamar, biasanya tegangan ini antara 0,6 V – 0,8 V.

9
• Lebar daerah deplesi
– Daerah deplesi pada kedua sisi junction tergantung pada jumlah
muatan (konsentrasi doping) pada kedua sisi.
– Daerah deplesi akan lebih lebar pada sisi yang mempunyai doping lebih
kecil.
qxpANA = qxnAND

xn N A

x p ND

2 s  1 1 
Wdep  xn  x p    V0
q  N A ND 

xp dan xn: lebar deplesi pada sisi p dan n

A: luas penampang junction
NA dan ND: konsentrasi doping pada sisi p dan n
εs = permivity elektrik dari silicon = 11,7 ε0 = 1,04 x 10-12 F/cm

Harga Wdep berkisar antara 0,1 μm – 1 μm

10
pn junction di bawah kondisi ‘reverse bias’

- Arus luar I mengalir dari bahan n ke bahan p

- Elektron meninggalkan bahan n dan holes meninggalkan bahan p.
- Elektron bebas yang meninggalkan bahan n menyebabkan
meningkatnya ‘uncovered’ muatan positif.
- Holes yang meninggalkan bahan p menyebabkan meningkatnya
‘uncovered’ muatan negatif.
11
pn junction di bawah kondisi ‘reverse bias’

– Arus balik I akan menyebabkan meningkatnya lebar daerah

deplesi dan juga muatan pada daerah deplesi.
– Akibatnya tegangan pada junction meningkat – artinya
tegangan penghalang meningkat – arus ID menurun.
– Arus IS tidak tergantung dari tegangan penghalang, jadi arus IS
tetap.
– Pada keadaan seimbang: IS – ID = I, dan tegangan sama V0 sama
dengan tegangan VR
– Pada keadaan steady ID kecil sekali sehingga I ≈ IS

12
pn junction pada daerah breakdown

- Arus I > IS pada arah balik.

- Melalui jalur luar, sumber arus akan memindahkan holes pada bahan p ke
bahan n, dan memindahkan elektron dari bahan n ke bahan p.
- Akibatnya makin banyak muatan ‘bound’ yang ‘uncovered’, sehingga daerah
deplesi makin lebar dan tegangan penghalang makin tinggi yang mengakibatkan
arus difusi makin kecil atau mendekati nol.
- Keadaan steady tidak tercapai karena arus I > IS
- Proses ini akan menyebabkan daerah deplesi makin lebar sampai terbentuk
tegangan junction yang cukup tinggi.
- Ada mekanisme baru diperlukan untuk mencatu muatan pembawa yang
diperlukan untuk menunjang arus I.
13
• Ada 2 mekanisme breakdown
– Effect Zener, VZ < 5 V.
• Terjadi bila medan listrik pada lapisan deplesi meninggat
pada titik di mana medan ini akan mematahkan ikatan
kovalen dan menghasilkan pasangan elektron – holes.
• Elektron akan tertarik pada sisi n dan holes akan tertarik ke
sisi p.
• Elektron dan holes ini menyebabkan arus balik pada junction
yang menunjang arus luar.
• Jika efek Zener terjadi, banyak muatan pembawa akan
dihasilkan, tanpa ada penambahan tegangan junction.
• Jadi arus balik pada daerah breakdown akan ditentukan oleh
rangkaian luar, sedangkan tegangan pada terminal dioda
akan tetap mendekati tegangan breakdown VZ

14
– Efek avalanche
• Terjadi ketika pembawa minoritas yang melewati daerah
deplesi karena pengaruh medan listrik mempunyai energi
kinetik yang dapat memecahkan ikatan kovalen pada atom
yang ditabraknya.
• Pembawa yang terbentuk pada proses ini mempunyai energi
yang tinggi yang dapat menyebabkan proses ionisasi
berlanjut.
• Proses avalanche disebabkan oleh rangkaian luar, dengan
perubahan penurunan tegangan junction yang bisa
diabaikan.
– Breakdown pada pn junction tidak bersifat merusak dengan
syarat disipasi daya tidak melebihi dari batas yang ditentukan.
– Disipasi daya maksimum menentukan harga maksimum arus
balik.
15
pn junction dalam kondisi ‘forward bias’

- Arus luar mencatu pembawa mayoritas pada ke dua sisi; holes ke bahan p
dan elektron ke bahan n.
- Pembawa mayoritas ini menetralkan muatan ‘uncovered’, sehingga
jumlah muatan di daerah deplesi berkurang, akibatnya daerah deplesi
menjadi lebih sempit dan tegangan penghalang menurun
- Makin banyak holes yang mengalir dari bahan p ke bahan n dan makin
banyak elektron mengalir dari bahan n ke bahan p
- Arus difusi meningkat sampai mencapai keseimbangan:
ID – I S = I
16
 Jenis dioda khusus

1. Schottky-Barrier Diode (SBD)

Terdiri dari metal yang ditempelkan ke semikonduktor yang
mempunyai dopping jenis n. Metal – semiconductor junction
mempunyai sifat seperti dioda dengan metal sebagai anoda
dan semikonduktor sebagai katoda. Karakteristik i – v SBD
sama dengan karakteristik dioda biasa dengan beberapa
pengecualian;
– SBD dapat di-switch (on – off) lebih cepat dari dioda biasa.
– SBD mempunyai penurunan tegangan lebih kecil daripada
dioda biasa (0,3 – 0,5 V)
SBD dapat dibuat dari gallium arsenide (GaAs) dan banyak
ditemukan dalam rancangan TTL (transistor-transistor logic)

17
2. Varactor yaitu dioda khusus yang dipakai sebagai kapasitor
dengan tegangan yang bervariasi.

3. Photodiodes adalah sebuah dioda yang bagian junctionnya

dibuka, Jika dalam keadaan reverse-biased junction ini disinari
akan menghasilkan arus yang disebut photocurrent. Arus ini
sebanding dengan intensitas cahaya. Dioda ini digunakan untuk
mengubah sinyal optik ke sinyal listrik.
Dioda ini merupakan komponen yang penting dalam rangkaian
optoelektronik atau photonic.
Bila tidak diberi reverse bias, photodiode berfungsi sebagai solar
cell.

18
4. Light-Emitting Diode (LED) mengubah arus forward menjadi
cahaya. Proses rekombinasi di pn junction mengeluarkan cahaya
yang sebanding dengan arus forward.
LED banyak sekali dipakai sebagai alat peraga pada peralatan
laboratorium dan peralatan elektronik. Selain itu LED dapat juga
dirancang untuk menghasilkan cahaya yang koheren dengan
lebar bidang yang sangat sempit. Dioda seperti ini disebut dioda
laser.
Kombinasi antara LED dan photodiode disebut optoisolator.
Penggunaan optoisolator memberikan isolasi antara rangkaian
listrik yang terhubung dengan masukannya dan rangkaian yang
terhubung dengan keluarannya, sehingga dapat mengurangi
interferensi pada transmisi sinyal dalam sistem.

19
 Dioda Zener
• Dioda yang dibuat
untuk bekerja pada
daerah breakdown

• Digunakan sebagai
regulator tegangan
Kurva Karakteristik Dioda Zener
 LED
• Pada saat dioda diberi panjar maju elektron
melewati junction dan akan jatuh kedalam
hole. Pada saat rekombinasi tersebut ada
energi yang dipancarkan dalam bentuk
cahaya.

• Dengan menggunakan bahan pembuatan

Led dari material yang berbeda
(mis:gallium, arsenide, phospor) dapat
dibuat LED yang memancarkan cahaya
berwarna hijau, kuning, merah,infra merah
dll.

• Fungsi: display peralatan, mesin hitung,

sistem alarm, dll
 Photodiode
• Dioda yang berfungsi
mengkonversi cahaya menjadi arus
listrik

• Jika cahaya mengenai junction dari

photodiode yang dipanjar mundur,
akan dihasilkan pasangan elektron
dan lubang pada lapisan
pengosongan. Makin kuat cahaya
makin banyak jumlah pembawa
makin besar arus reserve

• Aplikasi: pengukur cahaya (mis:

pada kamera), smoke detector,
remote control receiver,dll
 Varactor
• Varactor (varicaps): dioda yang
bersifat seperti kapasitor variabel
• P dan n seperti pelat pada
kapsitor dan lapisan
pengosongan seperti dielektrik.
• Ketika dioda panjar mundur lebar
lapisan pengosongan semakin
lebar dengan semakin besarnya
tegangan reverse, kapasitansi
semakin kecil. Kapasitansi
dikontrol oleh tegangan
• Aplikasi: tuning frekuensi pada
televisi dan radio

• .
 Rectifier Dioda
• Rangkaian penyearah (rectifier): merubah arus
AC menjadi DC
- Rangkaian penyerah ½ gelombang (half wave
rectifier)
- Rangkaian penyearah gelombang penuh (full
wave rectifier)
- Rangkaian penyearah jembatan (bridge
rectifier)