Nama : Abil Firda Ismail Adim Siqi

NIM : 151810201059

Pada semikonduktor junction membahas mengenai kesetimbangan termal sudah membahas

mengenai difusi dan drift pada zona deplesi sudah stabil. Sekarang kita akan ganggu
kesetimbangan tersebut dengan menerapkan bi voltage atau sinar lampu PN junction. Kita akan
melihat efek PN junction yang disinari seperti pada sel surya. Pertama, kita akan bereksperimen
PN junction pada kondisi gelap dan menerapkan arus maju pada alat, yang berarti akan terjadi
kita memiliki lebih banyak tegangan positif pada wilayah P daripada wilayah N. zona deplesi
yang ada diarea akan terisi medan listrik dan juga merupakan area yang memiliki resistivitas dan
penerapan ekternal bias akan terbentuk kondisi yang tidak biasa pada medan listrik pada area
deplesi yang diindikasikan sebagai arah panah berwarna hijau. Yang bertindak kebalikan pada
panah hijau yang mengakibatkan semakin kecil dan terkena bias maju. Ini berarti bahwa difusi
lebih dominan daripada drift. Kamu dapat mengamati ini dengan mudah pada arus density
gradient menjadi lebih besar yang berakibatkan arus density diffusion menjadi lebih besar secara
signifikan yang diidentifikasikan semakin besar medannya. Pada area lain medan listrik e
berkurang yang berarti arus density yang berhubungan pada drift semakin kecil. NOTE efek dari
meningkatnya fluks pada diffusion yang lebih besar daripada perubahan pada drift, yang berarti
meningkatkan arus bersih pada zona deplesi. Lebih banyak electron yang terdifusi dari area N ke
P dari pada drift dari area P ke N, lebih banyak hole yang diffusion dari area P ke N daripada
area N ke P. ini berarti dengan menerapkan bias maju pada PN junction pada keadaan gelap
mengurangi net current through the electric circuits kontak pada kabel dan sirkuit elektrik yang
berisi konduktivitas metal yang tinggi pada energy mengisi electron yang bergerak, yang berarti
electron bergerak pada rangkaian dari area P menuju area N. pada area N, electron diinjeksikan
lagi. Menerapkan bias maju pada PN junction dapat diilustrasikan pada band diagram pada PN
junction. Bias maju mengurangi medan listrik pada zona deplesi, ini menghasilkan pengurangan
pada slope menyebrang pada zona deplesi pada pita konduksi dan pita valensi. PN Junction tidak
bersifat setimbang lagi. Dan energy Fermi, ini menghasilkan memisahnya energy Fermi pada
zona deplesi yang disebut koazi Fermi level , pada tingkat atas merepresentasikan populasi
electron dan pada tingkat bawah mempresentasikan populasi dari hole. Pada kesetimbangan
mendistribusikan fungsi Fermi dirac. Namun dengan menerapkan bias maju akan menyebabkan
ketidaksetimbangan dan menyebabkan populasi electron dan hole menjadi kompleks. Energy gap
dari koazi Fermi level adalah “qV” q adalah electron yang mengisi pada hole sedangkan V
merepresentasikan bias maju pada PN junction

Ketika sebuah dioda terhubung dalam kondisi Reverse Bias, tegangan positif diterapkan pada
material tipe-N dan tegangan negatif diterapkan pada material tipe-P. Tegangan positif yang
diterapkan pada material tipe-N menarik elektron ke arah elektrode positif dan menjauhi
persimpangan, sedangkan lubang di ujung tipe-P juga tertarik menjauh dari persimpangan
menuju elektroda negatif. Hasil bersihnya adalah bahwa lapisan deplesi tumbuh lebih luas karena
kurangnya elektron dan lubang dan menyajikan jalur impedansi tinggi, hampir sebuah isolator.
Hasilnya adalah bahwa penghalang potensial tinggi diciptakan sehingga mencegah arus mengalir
melalui bahan semikonduktor.
Peningkatan lapisan Deplesi pada saat Bias Mundur

Kondisi ini mewakili nilai resistansi tinggi ke persimpangan PN dan praktis arus nol mengalir
melalui dioda sambungan dengan peningkatan tegangan bias. Namun, arus bocor yang sangat
kecil mengalir melalui persimpangan yang dapat diukur dalam mikro ampere, (μA).

Satu titik terakhir, jika tegangan bias terbalik yang diterapkan Vr ke dioda dinaikkan ke nilai
yang cukup tinggi, ini akan menyebabkan persimpangan PN dioda menjadi terlalu panas dan
gagal karena efek longsoran di sekitar persimpangan. Ini dapat menyebabkan diode menjadi
korsleting dan akan menghasilkan aliran arus sirkuit maksimum, dan ini ditunjukkan sebagai
kemiringan ke bawah di balik kurva karakteristik statis di bawah ini.

Karakteristik Mundur dari kurva untuk Dioda Junction

Kadang-kadang efek longsoran salju ini memiliki aplikasi praktis dalam rangkaian penstabil
tegangan dimana resistor pembatas seri digunakan dengan dioda untuk membatasi arus
pemutusan terbalik ini ke nilai maksimum yang telah ditetapkan sehingga menghasilkan output
tegangan tetap di seluruh dioda. Jenis-jenis dioda ini umumnya dikenal sebagai Dioda Zener dan
dibahas dalam tutorial nanti.
Pada Bias Maju pada kondisi gelap, PN Junction dapat memproduksi arus yang sangat besar
sedangkan pada Bias Mundur menghasilkan arus yang sangat kecil. Pada diode saat bias maju
menghasilkan konduktivitas tinggi sedangkan pada bias mundur menghasilkan konduktivitas
rendah.
2.8: The solar cell under illumination
Apa yang terjadi pada tegangan di bawah penerangan? Anda belajar tentang peran halaman
persimpangan p-n bahwa perbedaan tegangan antara dua kontak sama dengan pemisahan energi
quasi-Fermi. Oleh karena itu, untuk mengetahui apa yang dilakukan tegangan di bawah
iluminasi, kita perlu melihat bagaimana photogeneration elektron dan lubang bertindak pada
energi quasi-Fermi.Energi quasi-Fermi adalah energi elektron dan lubang ponsel, masing-
masing, tersedia untuk sirkuit eksternal.Perhatikan bahwa kita melihat situasi steady-state, di
mana cahaya bersinar terus-menerus di sel surya dan di mana pembawa photisenerasi ke tepi
band secara terus menerus. Kami melihat pada halaman produksi tegangan bahwa thermalisasi
terjadi begitu cepat sehingga operator relaks ke tepi pita konduksi jauh sebelum mereka
mencapai kontak. Oleh karena itu, itu adalah operator termal yang menentukan tingkat quasi-
Fermi. Untuk alasan ini, tidak masalah untuk tegangan apakah elektron energik dibawa oleh bias
yang diterapkan dalam kegelapan atau dengan fotogenerasi di bawah penerangan. * Ini
menyiratkan bahwa tingkat kuasi-Femri, dan dengan mereka tegangan, berperilaku di bawah
iluminasi cara yang sama seperti dalam gelap. Silahkan lihat gambar di bawah ini
 Bagaimana kita menjabarkan performa dari sel surya atau seberapa banyak sel surya
mengkonversi energy bebas menjadi energy listrik?
Doping pada type P, mayoritas pembawa muatannya adalah hole. Sedangkan doping pada type
N, mayoritas pembawa muatannya adalah electron. Penggabungan Antara type P dan type N
menyebabkan PN Junction, juga terdapat 2 perbedaan magnetisasi dalam mengkontrol pembawa
muatan dalam semikonduktor difusi dan drift. Diffusion dikontrol oleh densitas gradient
sedangkan drift dikontrol oleh medan listrik, atau bias membuat PN Junction atau penerapan
luar. Pada PN Junction difusi dari mayoritas pembawa muatan ke antarmuka PN membuat
muatan bebas atau zona deplesi pada antarmuka PN. Pada keadaan gelap, di kesetimbangan
suhu,drift minoritas pembawa muatan dan difusi, mayoritas pembawa muatan sehingga tidak
stabil. Jika kita menerapkan bias mundur pada PN Junction pada keadaan gelap, zona deplesi
menjadi lebih lebar. Difusi pada mayoritas pembawa muatan ditekan hanya arus yang kecil
mengalir pada drift dari minoritas pembawa muatan yang terbentuk. Jika kita menerapkan Bias
Maju pada PN Junction pada keadaan gelap. Zona deplesi akan semakin sempit. Difusi pada
mayoritas pembawa muatan, PN Junction menjadi lebih konduktif dan dapat meningkatkan arus.
Jika berada dibawah sinar matahari, densitas dari minoritas pembawa muatan mulai meningkat
dan drift mulai semakin besar dan PN Junction menghasilkan banyak arus.
Rangkaian ekivalen pada sel surya
PN junction pada keadaan gelap bertindak seperti diode, dimana diode merupakan element
elektrik jika diterapkan bias maju akan menjadi lebih konduktif pada satu arah. Jika diterapkan
bias mundur akan menjadi sangat konduktif dan akan memblok arus pada arus yang berlawanan.
Dioda PN adalah elemen elektrik yang banyak digunakan pada rangkaian listrik dan fungsi
utamanya adalah untuk meneruskan arus pada satu arah dan memblok arus dari arah yang
berlawanan. Relasi Antara arus dan tegangan PN Junction dapat diilustrasikan pada rangkaian
yang menyebabkan IV curve