Tugas Teknik Komunikasi Radio

Eksperimen 1 dan Eksperimen 2

Disusun Oleh :

Agung Trinyoto 5215150713

Nurul Amanah Y 5215151781

Nurhaliza 5215152852

Sinta Seftiyani 5215153359

Dinny Nur Fajriyah 5215153845

Bella Tiurma Pratiwi 5215154190

Pendidikan Teknik Elektronika

Jurusan Teknik Elektro

Universitas Negeri Jakarta

2018
Percobaan 1 : Osilator Gunn

1. Tujuan :
Tujuan dari percobaan ini adalah untuk memperoleh pengetahuan dari teori dan
operasi osilator Gunn dengan frekuensi gelombang mikro sebagai sumber

2. Konsep
A. Dampak Gunn
Efek gunn, atau efek perpindahan elektron, yang telah ditemukan oleh Gunn
pada tahun 1963 menyatakan saaat sebuah tegangan DC kecil diterima
bersinggunggan dengan sebagian kecil bahan semikonduktor seperti yang
ditampilkan pada gambar 1-1, itu menunjukkan resistansi negatif dibawah kondisi
tertentu. Gunn gunakan dalam kasusnya GaAs dan InP. Sekali resistansi negatif
dikembangkan akan dengan mudah menghasilkan osilasi dengan
menghubungkan elemen resistansi negatif ke sirkuit yang disetel.
Salah satu persyaratan dalam mempertahankan nilai resistansi negatif dalam
bahan semikonduktor adalah untuk menjaga gradien tegangan dalam bahan lebih
dari 3000V/cm. Sirkuit yang paling tepat disetel untuk menghubungkan
semikonduktor dengan frekuensi gelombang mikro adalah rongga yang disetel.

Gambar 1-1. Tampak samping dari sebuah semikonduktor Gunn GaAs epitaxial
Efek Gunn, yang hanya mengambil tempat di bahan semikonduktor tipe-n, adalah
hasil dari semikonduktor itu sendiri. Ditemukan beberapa parameter yang terkait
dengan persimpangan atau kontak antar bahan sebaik tegangan atau arus tidak
mempengaruhi efek Gunn. Hanya medan listrik yang wajib atas ambang untuk
mempertahankan osilasi. Dioda gunn tidak sensitif terhadap medan magnet dan
tidak menanggapi setiap kejadian / insiden medan magnet. Frekuensi osilasi
terutama ditentukan oleh waktu elektron, dalam bentuk banyak, ambil untuk
melintasi potongan bahan / material yang diberikan.

B. Resistansi negatif dan efek perpindahan elektron.

Gelang energi dan level energi dari GaAs ditajmpilkan pada gambar 1-2.
Perhatikan bahwa bahan ini memiliki sebuah pita / gelang energi kosong di
bagian atas level / tingkatan energi. Gelang energi terisi sebagian di bawah gelang
kosong. Ketika material diolah / didoping dengan bahan / material tipe-n. Ada
 kelebihan elektron dalam material yang siap untuk mengalir saat tegangan
diberikan ke dioda.

Gbr. 1-2. Level energi dalam dioda Gunn GaAs

Arus yang mengalir di dioda adalah proposional terhadap tegangan, dan arus
berorientasi ke arah ujung positif dari GaAs. Situasi saat tegangan makin tinggi,
semakin besar arus set5ara dengan resistansi positif. Namun, ketika level
tegangan yang di gunakan / diberikan mencapai nilai yang cukup tinggi, elektron,
alih – alih mencoba melakukan perjalanan lebih cepat, perpindahan ke gelang
energi lebih tinggi yang kosong dan lebih sedikit peergerakan. Akibatnya, aliran
arus menurun menunjukkan fenomena resistansi negatif.
Perpindahan elektron dari tingkat benergi rendah ke tinggi disebut efek
perpindahan elektron. Jika tingkat tegangan meningkat lebih jauh, mobilitas
elektron dari gelang energi yang lebih tinggi akan mulai membaik, menghasilkan
peningkatan arus.

C. Domain Gunn
Frekuensi, dari osilasi dalam GaAs harus dilakukan dengan formasi dan waktu
transit elektron yang membentuk diri mereka sendiri dalam “tandan elektron”.
Efek resistansi negatif adalah faktor penting dalam memahami osilator Gunn,
bagaimanapun, efek resistansi negatif itu sendiri tidak menjelaskan segala hal
yang terjadi dalam osilator. Elemen penting lainnya adalah pembentukkan
domain, atau domain gunn. H=jumlah elektron bebas yang tersedia di GaAs
tergantung pada kepadatan material tipe-n yang di doping di GaAs. Sejak
kepadatan doping tidak selalu sama di seluruh GaAs, ada lebih sedikit elektron
bebas dimana kepadatan dopingnya rendah.
Demam elektron bebas berarti lebih sedikit daya konduksi, dan oleh karena itu,
perbedaan potensial dalam hal ini menjadi lebih baik daripada area dimana ada
lebih banyak elektron bebas. Oleh karena itu, saat tegangan yang digunakan
meningkat, akhirnya efek perpindahan elektron yang terjadi di area ini terlebih
dahulu karena gradien tegangan yang cukup, menghasilkan domain resistansi
negatif. Seperti yang dijelaskan diatas domain dianggap tidak stabil. Apa yang
terjadi dalam domain seperti itu adalah karena elektron dikeluarkan dari sirkulasi
dengan laju yang cepat, elektron di depan bergerak maju dengan cepat dan
elektron di belakangnya naik (tandan elektron). Dengan cara ini, seluruh domain
bergerak melintasi irisan dan menuju positif dan dengan kecepatan rata – rata
sekitar 107 cm per detik.
 Sebaagai efek elektron yang ditransfer terjadi di domain, memindahkan elektron
ke pita energi yang lebih rendah konduktif, lebih sedikit elektron yang tertinggal
dipita konduksi, membuat wilayah ini kurang konduktif saat ini. Seperti yang
dijelaskan dibagian sebelumnya, ini menyebabkan gradien potensial meningkat,
membuat domain mampu melakukan perjalanan. Dengan demikian, proses
transfer elektron dan perjalanan domain saat ini berulang dan dikatakan
“melanggengkan diri sendiri”.
Ketika domain mencapai ke anoda dioda, pulsa diterapkan ke rangkaian tangki
resonan terikat, menghasilkan osilasi. Sebenarnya, osilasi dioda gunn disebabkan
oleh denyut nadi yang tiba di anoda daripada properti resistansi negatif dari
dioda.

D. Osilator Gunn
Gambar osilator gunn yang digunakan dalam ED-3000 ditunjukkan dalam gambar
1-3.

Gbr. 1-3. Osilator gunn pada ED-3000

Meskipun osilator ini dirancang untuk mencegah osilasi mode palsu, fitur tuning
disediakan dengan osilator dalam hal penyesuaian diperlukan yang baik.

3. Prosedur percobaan :

Mengatur peralatan seperti yang ditunjukkan pada gambar 1-4

Gbr. 1-4. Pengaturan untuk mengukur karakteristik arus berbanding tegangan dari dioda
gunn

A. Karakteristik arus berbanding tegangan

 (1) Atur tegagan ke 4 volt. Atur variabel attenuator ke 10dB. Ini akan memastikan
isolasi yang tepat untuk osilator Gunn
(2) Menaikkan tegangan dalam peningkatan 0,5V. Ukur dan catat arus dalam
tabel 1-1

Peringatan : tidak melibihi 10V.

(3) Kurangi tegangan ke 0V. Dari tabel 1-1, buat kurva V – I seperti yang
disarankan pada gambar 1-5.

Gambar 1-5. Arus berbanding karakteristik tegangan dioda gunn

B. Pengukuran keluaran daya osilator berbanding sumber tegangan

(1) Matikan power meter dan kalibrasikan power meter ke nol
(2) Naikan tegangan dioda Gunn dalam peningkatan 0,5V dan catat indikasi daya
pada meteran listrik dan pengaturan attenuator
(3) Mengkonfresi pembacaan daya yang diperoleh dalam miliwatt ke dBm.
Kemudian tambahkan atenuasi (dalam dB) ke dBm.
Misal : Asumsikan pembacaan daya 6,3 mW dengan sumber tegangan 8,5V.
Maka daya dBm = 10 log 6,3 = 8 dBm. Tambahkan atenuasi 3 dB ke 8 dB. Daya
total adalah 11 dB.
Sekarang ubah 11 dB yang merupakan daya keluaran dioda gunn kembali ke
miliwatt

Pout = 12,6mW

(4) Ulangi langkah (3) dan lengkapi tabel 1-2

Tegangan sumber (V)

Pembacaan meteran daya (mW)
 Konversi daya (dBm)
Pengaturan attenuator (dB)
Keluaran dioda gunn (dBm)
Keluaran dioda gunn (mW)
Tabel 1-2. Data untuk sumber tegangan dan keluaran

(5) Gambar grafik yang menunjukkan hubungan anatara sumber tegangan dan
daya ditunjukkan pada gambar 1-6.

Gbr. 1-6. Sumber tegangan dioda gunn berbanding karakteristik keluaran daya

C. Pengukuran frekuensi keluaran osilator berbanding sumber tegangan

(1) Mengatur peralatan seperti yang ditunjukkan pada gambar 1-7. Atur sumber
tegangan ke 9V. Atur attenuator ke atenuasi maksimum. Ganti pengukur daya
hingga rentang 1.0. mengurangi redaman sampai pembacaan meter daya
dekat dengan sisi kanan skala meteran (sekitar 0,8 ke 1 mW).
Perlahan – lahan putar meteran frekuensi. Amati ketukan pada meteran listrik
ketika metern frekuensi persis sama dengan frekuensi osilator gunn.
(2) Dari tegangan sumber terendah dimana osilasi terjadi pada teganga sumber
10V, memvariasikan tegangan dalam kenaikkan 1V. Setiap kali, isi tabel 1-3.
Perhatikan bahwa pengukuran frekuensi dikalibrasikan dalam selisih 10MHz.

Gbr. 1-7. Pengaturan untuk mengukur frekuensi keluaran osilator berbanting

sumber tegangan

Tegangan sumber (V)

Frekuensi yang diukur (MHZ)
Tabel 1-3. Tegangan sumber berbanding frekuensi
Percobaan 2 : Modulator dan Kristal Detektor

1. Tujuan
- Mempelajari teori dasar dan pengoperasian modulator PIN dioda
- Mempelajari teori dasar dan pengoperasian dari kristal detektor

2. Teori
A. PIN Dioda
Pada gambar 2-1 (a) PIN dioda dibangun dengan bahan isolator P dan N yang
diisolasi dari isolator yang tipis. Ketebalan P dan N jauh lebih berarti daripada
isolator. Dalam kondisi reverse bias, PIN dioda adalah sebuah resistif yang tinggi
dan perangkat kapasitif dalam frekuensi microwave. Perangkat efek avalanche :
efek avalanche terjadi di isolator membuat bias maju, membuat lubang dari P
dan elektron dari N mengalir. Dengan demikian, efektifitas konduktifitas dari
isolator datang .
Sirkuit ekuivalen dari PIN dioda ditunjukkan pada gambar 2-1 (b). Pada gambar 2-
1 (c) dan (d), rangkaian ekuivalen dimodifikasi untuk menunjukkan hasil
pembiasan.

Gbr. 2-1. Kontruksi dan sikuit ekuivalen dari PIN dioda

Modulator PIN dioda memiliki dioda yang erhubung pada gelombang. Dioda
berfungsi sebagai modulator ketika kondisi bias bervariasi karena sinyal
gelombang segi empat (frekuensi rendah) cukup besar diterapkan di seluruh
dioda dibawah kehadiran sinyal microwave dalam gelombang. Penghapusan
penuh atau sebagian dari bias baik memungkinkan dioda untuk mengontrol aliran
energi.
Jenis modulator ini, menggunakan persimpangan isolator antara P dan N,
menawarkan karakteristik modulasi yang sangat baik karena aktivitas rektifikasi
yang diperkecil dan generasi harmonik selama proses modulasi.

B. Detektor kristal
Detektor kristal adalah perangkat yang mampu mendeteksi sinyal microwave
berdasarkan pada karakteristik “hukum persegi”. Titik kontak germanium atau
dioda kristal silikon adlah jenis detektor kristal yang paling populer. Terkadang,
bolometer digunakan untuk mendeteksi microwave, meskipun perangkat ini
terutama ditujukan untuk pembelahan listrik microwave. Sebuah rangkaian
detektor kristak dan kurva karakteristik yang terkait dari detektor kristal disajikan
pada gambar 2-2 dan gambar 2-2 (a) dan (b). pada gambar 2-2, dua filter
(masukan high pass dan keluaran low pass) adalah memisahkan frekuensi
microwave dari keluaran DC.

Gbr. 2-2. Tipe rangkaian detektor kristal.

Gbr. 2-3 karakteristik V – I dari dioda kristal.

Pada gambar 2-3, kami tertarik untuk menemukan hubungan antara arus dioda
dengan tegangan dioda. Secarqa umum, kurva seperti pada gambar 2-3 dapat
didekati oleh deret Taylor yang dinyatakan dalam bentuk kekuatan tegangan :

Biasanya, 3 istilah pertama cukup untuk mendekati seluruh fungsi. Jika tegangan
dinyatakan sebagai :

Dimana A adalah amplitudo dan w adalah sama dengan 2πf.

Substitusi V dengan persamaan (2-1) :
Untuk memaksimalkan daya keluaraan, perlu untuk mencocokan impedansi
gelombang mikro dari dioda ke impedansi karakteristik dari waveguide. Alasan
lain untuk pencocokan impedansi adalah meminimalkan pantulan dari detektor
karena akuurasi pengukuran dipengaruhi oleh pantulan.
Tingkat sinyal minimum dioda dapat mendeteksi tergantung pada kebisingan di
dioda. Kemampuan dioda untuk mendeteksi sinyal dihadapkan kebe=isingan
disebut sensitivitas tangensial (TSS) dari detektor. Ilustrasi grafis dari konsep TSS
digambarkan pada gambar 2-5.

Gbr. 2-5 TSS dari sebuah dioda.

Pada gambar 2-5, sinyal gelombang mikro yang dimodulasi pulsa dideteksi,
diperukuat dan ditampilkan pada osiloskop. Arti sebenarnya dari TSS adalah
harus ada tingkat daya minimum gelombang mikro untuk membuat denyut nadi
naik di atas kebisingan. TSS detektor sangat tergantung pada bandwidth penguat
yang mengikuti detektor karena amplitudo bunyi pada ruang lingkup ditentukan
oleh bandwidth. Salah satu MHz bandwidth dan -50 dBm TSS adalah nilai – nilai
khas dari detektor gelombang mikro.
3. Prosedur Percobaan
A. Modulaso Gelombang persegi

Gbr. 2-6 diagram pengaturan untuk modulasi gelombang persegi

(1) Mengatur peralatan seperti yang ditunjukkan pada gambar 2-6.
(2) Terapkan +9V ke osilator Gunn
(3) Atur variabel attenuator menjadi 10dB
(4) Sesuaikan generator gelombang persegi menjadi keluaran 1KHz dan 2Vp-p
Hubungkan generator ke PIN modulator
(5) Sesuaikan cakkupan sehingga bagian atas gelombang persegi sejajar dengan
tingkat nol pada layar
(6) Sesuaikan attenuator sehingga bagian bawah gelombang persegi sejajar
dengan level nol pada layar
(7) Ulangi pengukuran diatas untuk gelombang persegi negatif 1Vp-p
(8) Hituung kedalaman modulasi untuk 2 masukan modulasi dari 2Vp-p dqan
1Vp-p menggunakan persamaan beriikut :

Dimana A adalah perbedaan pengaturan attenuator diantara langkah (3) dan

(6).

Dimana m adalah kedalaman modulasi.

Sketsa bentuk gelombang dari modulasi dan pendeteksian gelombang persegi

ditunjukkan pada gambar 2-7.

Gambar 2-7. Modulasi gelombang persegi dan deteksi

Seperti yang dilihat dari gambar 2-7, pengaturan attenuator penyimpangan A
dapat dinyatakan sebagai :
B. Karakteristik hukum kuadrat dari detektor kristal

Gbr. 2-8 (a) diagram pengaturan untuk pengaturan tingkat daya keluaran
(1) Mengatur peralatan seperti yang ditunjukkan pada gambar 2-8 (a).
kalibrasikan power meter ke nol pada kisaran X 0.1. amati meter selama
beberapa menit. Pastikan kalibrasi dipertahankan
(2) Menerapkan tegangan ke osilator gunn. Menerapkan juga 1KHz gelombang
persegi ke modulator PIN. Pada titik ini, modulasi harus dilakukan
(3) Atur variabel attenuator ke 0. Meteran listrik harus menunjukkan antara 0,02
dan 0,15 mW. Mengacu pada tabel konversi pada pengukuran daya, ubah
pembacaan mW ke dBm. Misalnya, 0,1 mW sama dengan -10dBm
(4) Seperti ditunjukkan pada gambar 2-8 (b), ganti waveguide ke adaptor coax,
mount thermocouple dan power meter dengan detektor kristal dan indikator
SWR. Sesuaikan frekuensi modulasi sedemikian rupa sehingga defleksi meter
SWR dimaksimalkan.

Gbr. 2-8 (b) diagram pengaturan unt5uk mengukur karakteristik hukum

kuadrat dari detektor kristal
(5) Pilih rentang pada SWR meter. Sesuaikan kontrol penguat SWR meter untuk
mendapatkan pembacaan yang nyaman pada skala dB. Setelah rentang dan
kontrol penguat diatur, jangan sentuh kontrol penguat.
(6) Memvariasikan pengaturan attenuator hingga 20dB dalam 1dB kenaikan.
Pada setiap langkah, catat defleksi meter SWR (dalam dB) dan rentang
penguat dalam tabel 2-1.

INPUT SWR - INDICATOR DEFLECTION

A dB POWER DEFLECTION RANGE AND RANGE
dBm dB dB dB
Tabel 2-1. Masukan daya berbanding attenuasi dan pembacaan SWR