P. 1
5 - Semikonduktor

5 - Semikonduktor

|Views: 481|Likes:
Dipublikasikan oleh dane7dragon

More info:

Published by: dane7dragon on Aug 23, 2010
Hak Cipta:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

03/27/2013

pdf

text

original

Semikonduktor

• Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10-6 s.d. 104 ohm.m • Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Bahan Tembaga Silikon pd 300oK Gelas Hambatan Jenis Sifat (ohm.m) Konduktor 1,7 x 10-8 2,3 x 103 7,0 x 106 Semikonduktor Isolator

Tiga buah bahan yakni tembaga, silikon, dan gelas masing-masing memiliki panjang 1 m, dan diameter 1mm, jika pada kedua ujung bahan tersebut terpasang tegangan 10V, tentukan besarnya arus yang lewat masing-masing bahan tersebut! Jawab: Hitung dulu R dengan rumus:

l R=ρ A

A = πr
V I= R

2

D r= 2

Selanjutnya dihitung I untuk masing-masing bahan dengan rumus:

dan isolator (gelas) 10V .12 x 10 -12 A Gelas Perhatikan! Arus yang mengalir pada bahan-bahan tersebut dari yang terbesar adalah pada konduktor (tembaga). semikonduktor (silikon).i=0.46 x 10 3 A Tembaga i= 3.41 x 10 -9 A Silikon i=1.

Semikonduktor • Definisi II: Bahan yang memiliki pita terlarang (forbidden band) atau energy gap (EG) yang relatif kecil kira-kira sebesar 1 eV Elektron bebas Pita Konduksi Pita Konduksi EG ≈ 1eV Pita Terlarang Hole EG ≈ 6eV Pita Valensi KONDUKTOR Pita Valensi ISOLATOR SEMIKONDUKTOR .

Bahan-bahan Semikonduktor • TRIVALENT: logam-logam yang memiliki atomatom dengan jumlah elektron terluar 3 buah seperti Boron (B). dan Antimon (Sb) . Gallium (Ga). dan Indium (In) • TETRAVALENT: logam-logam yang memiliki atom-atom dengan jumlah elektron terluar 4 buah seperti Silikon (Si) dan Germanium (Ge) • PENTAVALENT: logam-logam yang memiliki atom-atom dengan jumlah elektron terluar 5 buah seperti Fosfor (P). Arsenikum (As).

Bahan-bahan Semikonduktor • Bahan yang paling banyak digunakan adalah Si dan Ge • Jumlah elektron Si 14 buah • Jumlah elektron Ge 32 buah • Jumlah elektron valensi (elektron terluar) Si maupun Ge `masing-masing 4 buah • Jenis ikatan kovalen .

Jenis Semikonduktor: Intrinsik • Semikonduktor Intrinsik Merupakan semikonduktor murni dan tidak cacat . contoh Silikon Murni +4 Si Si +4 Si Si Si +4 +4 +4 +4 +4 Elektron Valensi +4 +4 Ikatan Kovalen Visualisasi 3-dimensi Visualisasi 2-dimensi Struktur kristal Si: pengulangan secara teratur satuan sel 3 dimensi berbentuk tetrahedral .

peristiwanya disebut pembangkitan (generation) • Jika dipasang beda potensial. terjadi aliran arus (sebagai konduktor dengan konduktansi rendah) .Semikonduktor intrinsik pada suhu yang sangat rendah: • Semua elektron berada pada ikatan kovalen • Tak ada elektron bebas atau tak ada pembawa muatan sehingga bersifat sebagai isolator Semikonduktor intrinsik pada suhu kamar: • Agitasi termal menyebabkan beberapa elektron valensi keluar dari ikatan kovalen menjadi elektron bebas sebagai pembawa muatan negatif • Munculnya elektron bebas diikuti dengan terbentuknya hole (lubang) sebagai pembawa muatan positif.

Elektron Bebas +4 +4 +4 +4 +4 +4 Hole +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 Pita Konduksi EG ≈ 1.2eV Elektron Bebas Pita Terlarang Pita Valensi EG ≈ 1.1eV Hole Si pada OoK Si pada 300oK .

gr/cm3 Konstanta dielektrik Atom/cm3 Jurang tenaga (EG) pada 0oK.6 5. ni.0 x 1022 1.5 x 1013 45 3.4 x 1022 0. ohm. Si 14 28.1 1.000 1. eV Konsentrasi Intrinsik (300oK).Sifat bahan Silikon dan Germanium (milman. 1986) Sifat Nomor atom Berat atom Kerapatan. eV Jurang tenaga (EG) pada 300oK. cm2/V.785 0.s.s.32 16 4.33 12 5.800 1.cm Mobilitas elektron pada 300oK (µn). cm-3 ρ intrinsik pada 300oK.300 500 Ge 32 72.1 2. cm2/V.800 .21 1. Mobilitas elektron pada 300oK (µp).5 x 1010 230.72 2.

E +4 +4 +4 +4 +4 h1 +4 e1 +4 +4 e2 h2 +4 +4 e1 e2 en +4 +4 h0 +4 +4 +4 en +4 +4 Recombination Keadaan Terdahulu Keadaan Kemudian .Pembawa Muatan Pada Semikonduktor Intrinsik Semikonduktor Intrinsik Semikonduktor Intrinsik Generation +4 Medan Listrik Terpasang.

As. Sb Atom pengotornya disebut atom donor Pembawa muatan: elektron • • Semikonduktor Ekstrinsik • Semikonduktor • Tipe-P Pengotoran oleh atom trivalent spt B. In Atom pengotornya disebut atom akseptor Pembawa muatan: hole • .Jenis Semikonduktor: Ekstrinsik • Semikonduktor ekstrinsik: semikonduktor yang memperoleh pengotoran atau penyuntikan (doping) oleh atom asing • Semikonduktor Tipe-N Pengotoran oleh atom pentavalent spt P. Ga.

.Jenis Semikonduktor: Ekstrinsik • Tujuan doping: meningkatkan konduktivitas semikonduktor. sedangkan pada semikonduktor time-P trivalent dan dinamakan atom akseptor. 108 Dopant adalah atom pengotor. Atom-atom dopant pada semikonduktor tipe-N adalah atom-atom pentavalent dan dinamakan atom donor. dan memperoleh semikonduktor dengan hanya satu pembawa muatan (elektron atau hole) saja • Perbandingan doping: Atom dopant : atom murni=1:106 s.d.

05eV As Elektron bebas sebagian besar terjadi karena doping. dan sebagian kecil lainnya bersama hole karena generation akibat agitasi termal.Semikonduktor Tipe-N Elektron Bebas +4 +4 +4 Pita Konduksi EC ED EV Pita Valensi +4 +4 +4 +4 +5 +4 EG Tingkat energi donor 0. . Elektron bebas menjadi pembawa muatan mayoritas dan hole sebagai pembawa muatan minoritas.

dan sebagian kecil lainnya bersama elektron bebas karena generation akibat agitasi termal.05eV In Pita Valensi +4 +4 +4 EA EV Hole sebagian besar terjadi karena doping.Semikonduktor Tipe-P Hole +4 +4 +4 Pita Konduksi EC +4 +3 +4 EG Tingkat energi akseptor 0. Hole menjadi pembawa muatan mayoritas dan elektron bebas sebagai pembawa muatan minoritas. .

SCR (silicon controlled rectifier). transistor. termistor. IC (Integrated Circuit) .Piranti Semikonduktor • Beberapa piranti semikonduktor: diode pertemuan pn.

yakni anode pada sisi p dan katode pada sisi n.Diode Pertemuan PN • Suatu pertemuan pn adalah kristal tunggal semikonduktor yang pada satu sisinya mendapat penyuntikan atom akseptor dan pada sisi yang lain mendapat penyuntikan atom donor • Pertemuan pn merupakan blok bangunan dasar (basic building block) bagi piranti semikonduktor • Diode pertemuan pn: pertemuan pn yang pada kedua sisinya dilekatkan logam (metalurgical bond) sehingga terdapat dua ujung logam yang merupakan terminal atau elektrode. .

Pertemuan PN Atomatom Akseptor Atomatom Donor Doping Kristal Tunggal Semikonduktor Doping Hasilnya: Type-P Type-N .

Diode Pertemuan PN Kawat PERTEMUAN PN Type-P Type-N Logam Hasilnya: Pembungkus Logam Kawat Anode Katode Simbol: .

dan atom-atom yang kelebihan elektron sebagai ion positif • Ion-ion akseptor adalah ion-ion negatif dan ion-ion donor adalah ion-ion positif.Pertemuan PN Terbuka Bidang Pertemuan Ion Akseptor Ion Donor Hole + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + Jenis n Elektron Jenis p Lapisan Pengosongn • Atom-atom yang mengandung hole dapat digambarkan sebagai ion-ion negatif karena kekurangan elektron. .

maka ada kesetimbangan antara arus drift dengan arus difusi • . dan lenyapnya hole meninggalkan ion akseptor (-) Adanya ion positif dan negatif menyebabkan adanya medan listrik sehingga ada tegangan. disebut daerah pengosongan (depletion region) Tegangan Penghalang: • • Lenyapnya elektron meninggalkan ion donor (+). menimbulkan arus difusi ke kanan Terjadi recombination (penggabungan) di sekitar bidang pertemuan sehingga elektron dan hole lenyap Di sekitar bidang pertemuan tak terdapat pembawa muatan. menimbulkan arus drift ke kiri Karena pertemuan pn ini terbuka. terjadi difusi elektron ke arah p dan difusi hole ke arah n. disebut tegangan kontak atau tegangan penghalang (barrier potensial).Pertemuan PN Terbuka Lapisan Pengosongan: • • • Saat p dan n dipertemukan.

daerah pengosongan menjadi sempit Pembawa mayoritas punya energi yang cukup untuk melewati potensial penghalang Hole dari sisi p (pembawa mayoritas) dapat melewati daerah pengosongan menjadi pembawa minoritas di sisi n Elektron dari sisi n (pembawa mayoritas) dapat melewati daerah pengosongan menjadi pembawa minoritas di sisi p Jumlah arus dari elektron dan hole merupakan arus total yang lewat diode .Pertemuan pn dengan prasikap maju (forward bias): VD Anode Jenis P + + + + Jenis N Katode Lapisan Pengosongn E • • • • • • Adanya VD menyebabkan arus difusi lebih besar dari arus drift Jika potensial penghalang sebelum diberi VD adalah Vo. maka potensial penghalang turun menjadi Vo-VD.

tidak ada arus lewat bidang pertemuan Karena daerah pengosongan pada dasarnya merupakan semikonduktor intrinsik. . elektron pada sisi n bergerak ke kanan.Pertemuan pn dengan prasikap mundur (reverse bias): VD Anode Jenis P + + + + + + + + + + + + Jenis N Katode Lapisan Pengosongn E • • • Hole pada sisi p bergerak ke kiri. potensial penghalang menjadi Vo+VD. agitasi termal dapat menyebabkan terjadinya generation sehingga muncul pasangan elektron dan hole pada daerah ini Pengaruh medan listrik yang terpasang terhadap adanya elektron dan hole di daerah pengosongan menyebabkan terjadinya arus yang arahnya dari katode ke anode dan disebut arus balik saturasi yang besarnya 10-8 sampai dengan 10-14 A. daerah pengosongan melebar.

You're Reading a Free Preview

Mengunduh
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->