Semikonduktor

• Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan

jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni
sebesar 10-6 s.d. 104 ohm.m
• Perbandingan hambatan jenis konduktor,
semikonduktor, dan isolator:

Bahan Hambatan Jenis Sifat

(ohm.m)
Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor
Silikon pd 300oK 2,3 x 103 Semikonduktor
Gelas 7,0 x 106 Isolator
Tiga buah bahan yakni tembaga, silikon, dan gelas
masing-masing memiliki panjang 1 m, dan diameter
1mm, jika pada kedua ujung bahan tersebut terpasang
tegangan 10V, tentukan besarnya arus yang lewat
masing-masing bahan tersebut!

Jawab:
Hitung dulu R dengan rumus:

l D
R=ρ A = πr 2
r=
A 2
Selanjutnya dihitung I untuk masing-masing bahan
dengan rumus:
V
I=
R
 i=0,46 x 10 3 A
Tembaga

i= 3,41 x 10 -9 A
Silikon

i=1,12 x 10 -12 A
Gelas
Perhatikan! Arus yang mengalir pada bahan-bahan
tersebut dari yang terbesar adalah pada konduktor
(tembaga), semikonduktor (silikon), dan isolator (gelas)

10V
 Semikonduktor
• Definisi II: Bahan yang memiliki pita terlarang
(forbidden band) atau energy gap (EG) yang
relatif kecil kira-kira sebesar 1 eV
Elektron
bebas

Pita Pita
Konduksi Konduksi

Pita
EG ≈ 1eV
Terlarang EG ≈ 6eV

Hole
Pita Pita
Valensi Valensi

KONDUKTOR SEMIKONDUKTOR ISOLATOR

 Bahan-bahan Semikonduktor
• TRIVALENT: logam-logam yang memiliki atom-
atom dengan jumlah elektron terluar 3 buah
seperti Boron (B), Gallium (Ga), dan Indium
(In)
• TETRAVALENT: logam-logam yang memiliki
atom-atom dengan jumlah elektron terluar 4
buah seperti Silikon (Si) dan Germanium (Ge)
• PENTAVALENT: logam-logam yang memiliki
atom-atom dengan jumlah elektron terluar 5
buah seperti Fosfor (P), Arsenikum (As), dan
Antimon (Sb)
 Bahan-bahan Semikonduktor
• Bahan yang paling banyak digunakan adalah
Si dan Ge
• Jumlah elektron Si 14 buah
• Jumlah elektron Ge 32 buah
• Jumlah elektron valensi (elektron terluar) Si
maupun Ge `masing-masing 4 buah
• Jenis ikatan kovalen
 Jenis Semikonduktor: Intrinsik
• Semikonduktor Intrinsik
Merupakan semikonduktor
Elektron
murni dan tidak cacat , Valensi
contoh Silikon Murni

+4 +4 +4
Si Ikatan
Kovalen
Si
+4 +4 +4
Si
Si

Si +4 +4 +4

Visualisasi Visualisasi
3-dimensi 2-dimensi
Struktur kristal Si: pengulangan secara teratur satuan sel 3 dimensi
berbentuk tetrahedral
Semikonduktor intrinsik pada suhu yang sangat
rendah:
• Semua elektron berada pada ikatan kovalen
• Tak ada elektron bebas atau tak ada pembawa muatan
sehingga bersifat sebagai isolator

Semikonduktor intrinsik pada suhu kamar:

• Agitasi termal menyebabkan beberapa elektron valensi
keluar dari ikatan kovalen menjadi elektron bebas
sebagai pembawa muatan negatif
• Munculnya elektron bebas diikuti dengan terbentuknya
hole (lubang) sebagai pembawa muatan positif,
peristiwanya disebut pembangkitan (generation)
• Jika dipasang beda potensial, terjadi aliran arus (sebagai
konduktor dengan konduktansi rendah)
 Elektron
Bebas

+4 +4 +4 +4 +4 +4

Hole

+4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4

Elektron
Pita Konduksi Bebas

EG ≈1,1eV
EG ≈1,2eV Pita Terlarang
Hole
Pita Valensi

Si pada OoK Si pada 300oK

 Sifat bahan Silikon dan Germanium (milman, 1986)

Sifat Si Ge
Nomor atom 14 32
Berat atom 28,1 72,6
Kerapatan, gr/cm3 2,33 5,32
Konstanta dielektrik 12 16
Atom/cm3 5,0 x 1022 4,4 x 1022
Jurang tenaga (EG) pada 0oK, eV 1,21 0,785
Jurang tenaga (EG) pada 300oK, eV 1,1 0,72
Konsentrasi Intrinsik (300oK), ni, cm-3 1,5 x 1010 2,5 x 1013
ρ intrinsik pada 300oK, ohm.cm 230.000 45
Mobilitas elektron pada 300oK (µn), cm2/V.s. 1.300 3.800
Mobilitas elektron pada 300oK (µp), cm2/V.s. 500 1.800
Pembawa Muatan Pada Semikonduktor Intrinsik
Semikonduktor Intrinsik Semikonduktor Intrinsik

Medan Listrik
Generation Terpasang, E

+4 +4 +4 +4 +4 +4

e1 e2 e1
h1
+4 h2 +4 +4
+4 e2 +4 +4

en

+4 +4 +4 +4 en +4 +4
h0

Recombination
Keadaan Terdahulu Keadaan Kemudian
 Jenis Semikonduktor: Ekstrinsik
• Semikonduktor ekstrinsik: semikonduktor yang
memperoleh pengotoran atau penyuntikan (doping) oleh
atom asing
• Pengotoran oleh atom
Semikonduktor pentavalent spt P, As, Sb
Tipe-N
• Atom pengotornya disebut
atom donor
• Pembawa muatan: elektron
Semikonduktor
Ekstrinsik
• Pengotoran oleh atom
trivalent spt B, Ga, In
Semikonduktor • Atom pengotornya disebut
Tipe-P atom akseptor
• Pembawa muatan: hole
Jenis Semikonduktor: Ekstrinsik
• Tujuan doping: meningkatkan konduktivitas
semikonduktor, dan memperoleh semikonduktor dengan
hanya satu pembawa muatan (elektron atau hole) saja
• Perbandingan doping:

Atom dopant : atom murni=1:106 s.d. 108

Dopant adalah atom pengotor. Atom-atom dopant pada

semikonduktor tipe-N adalah atom-atom pentavalent
dan dinamakan atom donor, sedangkan pada
semikonduktor time-P trivalent dan dinamakan atom
akseptor.
 Semikonduktor Tipe-N
Elektron
Bebas

+4 +4 +4
Pita Konduksi
EC
ED
Tingkat energi donor
+4 +5 +4 EG 0,05eV

As EV
Pita Valensi

+4 +4 +4

Elektron bebas sebagian besar terjadi karena doping, dan sebagian

kecil lainnya bersama hole karena generation akibat agitasi termal.
Elektron bebas menjadi pembawa muatan mayoritas dan hole sebagai
pembawa muatan minoritas.
 Semikonduktor Tipe-P
Hole

+4 +4 +4
Pita Konduksi
EC

+4 +3 +4 EG Tingkat energi akseptor

0,05eV EA
In EV
Pita Valensi

+4 +4 +4

Hole sebagian besar terjadi karena doping, dan sebagian kecil lainnya
bersama elektron bebas karena generation akibat agitasi termal. Hole
menjadi pembawa muatan mayoritas dan elektron bebas sebagai
pembawa muatan minoritas.
 Piranti Semikonduktor
• Beberapa piranti semikonduktor: diode pertemuan pn,
transistor, termistor, SCR (silicon controlled rectifier), IC
(Integrated Circuit)
 Diode Pertemuan PN
• Suatu pertemuan pn adalah kristal tunggal
semikonduktor yang pada satu sisinya mendapat
penyuntikan atom akseptor dan pada sisi yang lain
mendapat penyuntikan atom donor
• Pertemuan pn merupakan blok bangunan dasar (basic
building block) bagi piranti semikonduktor
• Diode pertemuan pn: pertemuan pn yang pada kedua
sisinya dilekatkan logam (metalurgical bond) sehingga
terdapat dua ujung logam yang merupakan terminal atau
elektrode, yakni anode pada sisi p dan katode pada
sisi n.
 Pertemuan PN
Atom- Atom-
atom Akseptor atom Donor

Doping

Doping
Kristal Tunggal Semikonduktor

Hasilnya:

Type-P Type-N
 Diode Pertemuan PN
Kawat Kawat

PERTEMUAN PN
Type-P Type-N

Logam
Logam Pembungkus

Hasilnya:

Anode Katode

Simbol:
 Pertemuan PN Terbuka
Bidang
Pertemuan
Ion Akseptor Ion Donor

- - - - - - + + + + + +
Hole - - - - - - + + + + + +
Elektron
- - - - - - + + + + + +
- - - - - - + + + + + +
Jenis p Jenis n
Lapisan
Pengosongn
• Atom-atom yang mengandung hole dapat digambarkan
sebagai ion-ion negatif karena kekurangan elektron, dan
atom-atom yang kelebihan elektron sebagai ion positif
• Ion-ion akseptor adalah ion-ion negatif dan ion-ion donor
adalah ion-ion positif.
 Pertemuan PN Terbuka
Lapisan Pengosongan:
• Saat p dan n dipertemukan, terjadi difusi elektron ke arah p dan
difusi hole ke arah n, menimbulkan arus difusi ke kanan
• Terjadi recombination (penggabungan) di sekitar bidang pertemuan
sehingga elektron dan hole lenyap
• Di sekitar bidang pertemuan tak terdapat pembawa muatan, disebut
daerah pengosongan (depletion region)

Tegangan Penghalang:
• Lenyapnya elektron meninggalkan ion donor (+), dan lenyapnya
hole meninggalkan ion akseptor (-)
• Adanya ion positif dan negatif menyebabkan adanya medan listrik
sehingga ada tegangan, disebut tegangan kontak atau tegangan
penghalang (barrier potensial), menimbulkan arus drift ke kiri
• Karena pertemuan pn ini terbuka, maka ada kesetimbangan antara
arus drift dengan arus difusi
 Pertemuan pn dengan prasikap maju (forward bias):
VD

- +
Anode - + Katode
Jenis P Jenis N
- +
- +

Lapisan
Pengosongn
E

• Adanya VD menyebabkan arus difusi lebih besar dari arus drift

• Jika potensial penghalang sebelum diberi VD adalah Vo, maka potensial
penghalang turun menjadi Vo-VD, daerah pengosongan menjadi sempit
• Pembawa mayoritas punya energi yang cukup untuk melewati potensial
penghalang
• Hole dari sisi p (pembawa mayoritas) dapat melewati daerah pengosongan
menjadi pembawa minoritas di sisi n
• Elektron dari sisi n (pembawa mayoritas) dapat melewati daerah
pengosongan menjadi pembawa minoritas di sisi p
• Jumlah arus dari elektron dan hole merupakan arus total yang lewat diode
 Pertemuan pn dengan prasikap mundur (reverse bias):
VD

- - - + + +
Anode - - - + + + Katode
Jenis P Jenis N
- - - + + +
- - - + + +

Lapisan
Pengosongn
E

• Hole pada sisi p bergerak ke kiri, elektron pada sisi n bergerak ke kanan,
daerah pengosongan melebar, potensial penghalang menjadi Vo+VD, tidak
ada arus lewat bidang pertemuan
• Karena daerah pengosongan pada dasarnya merupakan semikonduktor
intrinsik, agitasi termal dapat menyebabkan terjadinya generation sehingga
muncul pasangan elektron dan hole pada daerah ini
• Pengaruh medan listrik yang terpasang terhadap adanya elektron dan hole
di daerah pengosongan menyebabkan terjadinya arus yang arahnya dari
katode ke anode dan disebut arus balik saturasi yang besarnya 10-8 sampai
dengan 10-14 A.