Bahan Semikonduktor
Dasar-dasar SK:
1. Teori atom
2. SK Intrinsik
3. SK Ekstrinsik
4. Konduksi dalam SK
5. Perubahan tegangan pada SK dengan doping tidak merata
Proton (Q+)
Inti Atom
mengitari atom
Neutron (Q=nol)
Atom
Elektron (Q -)
Qe=Qp =1,6.10-19 C
Konduktor
Isolator
Semikonduktor :
1. Germanium
2. Silikon
STRUKTUR ATOM GERMANIUM
Inti atom dengan 32 proton
-
- -
Elektron bebas - -
- -
-
Elektron valensi - -
- -
Valensi 4 Semikonduktor
-
STRUKTUR ATOM SILIKON
Inti atom dengan 14 proton
-
- - - +14 - - -
- -
Elektron Valensi
-
Elektron bebas
Valensi 4 Semikonduktor -
Semikonduktor : suatu atom yang berisi 4 elektron valensi
(4 eV). Jumlah elektron valensi di dalam semikonduktor
antara konduktor dan isolator, maka atom semikonduktor
bukan konduktor yang baik dan bukan isolator yang baik.
6 p (2- 14 p (2-8-4)
4)
K K
L L
ikatan valensi
stabil
25o C ?
isolator
PENGARUH TEMPERATUR
atom bergetar
elektron bebas
hole
kristal murni
- rekombinasi 25o C
- waktu hidup (lifetime) <<
2. SemiKonduktor Intrinsik
E g bidang
energi
celah
Ev bidang Ev hole
valensi
A C D F
B E
2 pembawa muatan
+ ---------- -
++++++++++ - elektron bebas
+ lubang (hole)
3. SK Ekstrinsik
dilakukan doping dengan memasukan atom asing bervalensi
5 atau 3 disebut semikonduktor ekstrinsik, untuk menyusun
devais elektronik yang kaya akan satu jenis pembawa muatan :
hole atau elektron saja.
Semikonduktor jenis n
Dengan doping atom asing bervalensi 5 sebagai
atom donor karena ikatan kovalen memberikan
satu elektron : P (fosfor), Ar (arsen), Sb(antimon)
ke dalam semikonduktir intrinsik. Dengan
menambahkan energi kecil pada elektron valensi,
maka elektron masuk ke bidang konduksi.
Dengan penambahan atom donor terjadilah
elektron bebas disebut jenis-n.
Semikonduktor jenis p
Dengan doping atom asing bervalensi 3
sebagai atom akseptor karena ikatan
kovalen memperoleh satu elektron : B
(boron), Al (aluminium), dan Ga (Galium)
kedalam semikonduktor
Wednesday, April 26, 2017 intrinsik 24
Donor dan aseptor dalam tabel periodik
mayoritas minoritas
SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK TIPE P
Atom bervalensi tiga
- mengurangi 1 elektron
- atom akseptor
minoritas mayoritas
SEMIKONDUKTOR
++++++++
++++++++ TIPE P
++++++++
----------
----------
----------
----------
SEMIKONDUKTOR ++++++++++
TIPE N
4. Konduksi di dalam
SemiKonduktor
Partikel yang menghantarkan arus dalam
Ada dua penghantar
semikonduktor adalah: elektronarus :
dan hole.
1. Arus difusi adalah
suatu penghantar arus I di dalam
semikonduktor karena tidak meratanya
konsentrasi hole p partikel atau terjadi
gradient
konsentrasi
2. Arus Drift adalah
suatu partikel bermuatan dia dalam medan
listrik (elektris) akan bergerak dibawah gaya
F tarik dan tolak elektris. Idrift ~ Energi E.
Jumlah kedua arus disebut arus total.
Wednesday, April 26, 2017 29
Arus Semikonduktor
Tipe p Tipe n
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
pn junction
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
Rekombinasi Dipole
Depletion layer
+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
p - - - - + + + + n
+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
- - - - + + + +
PRATEGANGAN BALIK (REVERSE BIAS)
hole elektron
+ + - -
p - - - - + + + + n
+ + - -
- - - - + + + +
+ + - -
- - - - + + + +
+ + - -
- - - - + + + +
SIMBOL DIODA
Anoda A K Katoda
VD = 0
VD
reverse bias
VD = VA - VK
VD sembarang ID = 0
DIODA
Lambang dioda :
p ANODA
n KATODA
V S
V D
KNEE
REVERSE
REGION
Pendekatan dioda :
IDEAL PENDEKATAN KE - 2 PENDEKATAN KE - 3
I I I
V V V
O,7 V O,7 V rB
FORWARD BIAS FORWARD BIAS FORWARD BIAS
O,7 V O,7 V rB
Latihan Soal
1). Hitunglah konsentrasi hole dan elektron didalam germanium (Ge) tipe-p
dengan suhu 3000 K bila resitivitas 0,02 .cm dan mobilitas hole (p) 1800
cm2 /volt .dtk
2). Sama dengan no.1 tetapi untuk silikon (Si) tipe-n bila resitivitasnya 20
.cm dan mobilitas elektron silikon (n) 1300 cm2 /volt. detik
3). SK doping berundak dimana konsentrasi atom donor = 102 konsentrasi
atom akseptor, konsentrasi atom akseptor 1 atom akseptor per 108 atom
Ge. Hitunglah potensial kontak Vo pada suhu 300oK jika diketahui
konsentrasi atom Ge 4,4 x 1028 atom m3 dan konsentrasi atom intrinsik =
ni = 2,5 x 1013 serta potensial VT = 0,0259 Volt. Konsentrasi atom
akseptor 10-8 konsentrasi atom Ge.