TK – 33205

ELEKTRONIKA DASAR

Bahan Semikonduktor

JURUSAN TEKNIK KOMPUTER

FAKULTAS TEKNIK DAN ILMU KOMPUTER
UNIVERSITAS KOMPUTER INDONESIA
 TEORI SEMIKONDUKTOR

Kamis 18 April 2024 2

 PENDAHULUAN
• Elektronika : ilmu yang mempelajari sifat dan pemakaian devais
yang kerjanya berdasarkan aliran elektron di dalam ruang hampa
atau gas serta hole (lubang) di dalam semikonduktor.

• Aplikasinya pada Televisi (TV), radio, komputer,

instrumentasi, alat kendali, dan peralatan komunikasi
lainnya.
• Dasar-dasar SK:
1. Teori atom
2. SK Intrinsik
3. SK Ekstrinsik
4. Konduksi dalam SK
5. Perubahan tegangan pada SK dengan doping tidak
merata
Kamis 18 April 2024 3
 1. Teori Atom

Proton (Q+)

Inti Atom
mengitari atom
Neutron (Q=nol)
Atom

Elektron (Q -)

Qe=Qp =1,6.10-19 C

Kamis 18 April 2024 4

• Model dasar atom menurut BOHR :
“ Elektron mengelilingi inti atom pada orbitnya masing – masing”
•Kulit terluar Atom disebut :
kulit valensi, dapat berisi
hingga 8 elektron (8e)
•Konduktivitas atom
tergantung pada jumlah
electron pada kulit valensi:

a. Jika atom punya 1 elektron valensi (1 eV)……mendekati

konduktor sempurna
b. Jika atom punya 8 elektron valensi (8 eV)…….kulit valensi
lengkap dan atomnya isolator
Jadi konduktivitas turun dengan bertambahnya eV ( elektron
valensi ).
Kamis 18 April 2024 5
 TIGA JENIS BAHAN

 Konduktor
 Isolator
 Semikonduktor :
1. Germanium
2. Silikon
STRUKTUR ATOM GERMANIUM
Inti atom dengan 32 proton
-

Orbit pertama : 2 elektron

- -
- -
Orbit kedua : 8 elektron -
- -
- -
Orbit ketiga : 18 elektron - -

Orbit terluar : 4 elektron

- - - - +32 - - - -

- -
Elektron bebas - -
- -
-
Elektron valensi - -
- -
Valensi 4  Semikonduktor
-
STRUKTUR ATOM SILIKON
Inti atom dengan 14 proton
-

Orbit pertama : 2 elektron

Orbit kedua : 8 elektron -

- -
Orbit terluar : 4 elektron

- - - +14 - - -

- -
Elektron Valensi
-
Elektron bebas

Valensi 4  Semikonduktor -
• Semikonduktor : suatu atom yang berisi 4 elektron valensi
(4 eV). Jumlah elektron valensi di dalam semikonduktor
antara konduktor dan isolator, maka atom semikonduktor
bukan konduktor yang baik dan bukan isolator yang baik.

•Bahan–bahan semikonduktor : Carbon (C) dengan 6

proton (2-4), Silikon (Si) dengan 14 proton (2-8-4), dan
Germanium (Ge) dengan 32 proton (2-8-18-4)
•Silikon (Si) dan germanium (Ge) untuk membuat komponen
zat padat
•Carbon (C) untuk membuat resistor dan potensiometer

6 p (2-4) 14 p (2-8-4)

K K
L L

Kamis 18 April 2024 M 9

Kamis 18 April 2024 10
 Dasar Semikonduktor

Kamis 18 April 2024 11

Kamis 18 April 2024 12
Kamis 18 April 2024 13
Hukum–hukum dasar hubungan antara elektron dan kulit orbit :
1. Elektron pada kulit orbit tidak dapat berada pada ruang antara 2 kulit
orbit
2. Setiap kulit orbit sesuai dengan suatu energi. Semua elektron pada
kulit orbit yang sama mempunyai energi yang sama. Jumlah energi
akan naik jika jauh dari inti. Jadi elektron valensi mempunyai jumlah
energi paling tinggi.
3. Elekton yang meloncat dari kulit ke kulit maka elektron harus
menyerap energi untuk mengatasi perbedaan energi antara jumlah
enegi awal dan akhir.
4. Bila no 3 terpenuhi maka elektron dapat melepas energi yang diserap
dan kembali ke kulit yang berenergi rendah.

Kamis 18 April 2024 14

Celah energi adalah ruang antara setiap dua kulit orbit.
Elektron melewati celah energi dan tidak dapat berada di
dalam celah energi, pada gambar diatas elektron harus
menyerap energi 1,1 eV (elektron valensi).

Kamis 18 April 2024 15

 KRISTAL SILIKON
8 elektron valensi

ikatan valensi

stabil

25o C ?
isolator
 PENGARUH TEMPERATUR

temperatur > 0o K = - 273 oC

atom bergetar

elektron bebas

hole

kristal murni
- rekombinasi 25o C
- waktu hidup (lifetime) <<
 2. SemiKonduktor Intrinsik

• Pada temperatur tinggi, elektron keluar dari ikatan kovalen

menjadi elektron bebas dan terbentuk hole (lubang)

Kamis 18 April 2024 18

 bidang elektron bebas
Ec konduksi Ec

Eg bidang celah
energi

Ev bidang Ev hole
valensi

Bidang energi kristal Pada temperatur tinggi

(x-tal) 00 K
• Jika temperatur kristal dinaikkan sehingga elektron valensi
yang energi termal melebihi maka elektron meloncat ke
bidang konduksi menjadi elektron bebas.
Kamis 18 April 2024 19
• Kekosongan pada ikatan kovalen elektron keluar harus
bermuatan Q (+) kaena kristal harus netral. Kekosongan itu
disebut hole atau lubang.

a). 1 2 3 4 5 ion ke 2 mengisi hole pada ion ke 1

b). 1 2 3 4 5 ion ke 3 mengisi hole pada ion ke 2

c). 1 2 3 4 5 ion ke 4 mengisi hole pada ion ke 3 dan seterusnya

arah aliran hole
arah aliran elektron
• Jadi semikonduktor intrinsik pada K bersifat isolator dan
pada temperatur tinggi bersifat konduktor karena terjadi
pembentukan pasangan elektron bebas dan hole yang
banyaknya sama dan berlaku sebagai pembawa muatan Q.

Kamis 18 April 2024 20

 Semikonduktor Intrinsik

Kamis 18 April 2024 21

SEMIKONDUKTOR INTRINSIK (MURNI)

A C D F

B E

2 pembawa muatan
+ ---------- -
++++++++++ - elektron bebas
+ lubang (hole)
 3. SK Ekstrinsik
• dilakukan doping dengan memasukan atom asing
bervalensi 5 atau 3 disebut semikonduktor ekstrinsik, untuk
menyusun devais elektronik yang kaya akan satu jenis
pembawa muatan : hole atau elektron saja.

Semikonduktor jenis n
Dengan doping atom asing bervalensi 5 sebagai atom donor
karena ikatan kovalen memberikan satu elektron : P (fosfor),
Ar (arsen), Sb(antimon) ke dalam semikonduktir intrinsik.
Dengan menambahkan energi kecil pada elektron valensi,
maka elektron masuk ke bidang konduksi.
Dengan penambahan atom donor terjadilah elektron bebas
disebut jenis-n.

Kamis 18 April 2024 23

Beda semikonduktor intrinsik dengan
semikonduktor jenis-n
•Semikonduktor intrinsik, elektron bebas di sertai hole
bergerak sebagai pembawa muatan.
•Semikonduktor jenis-n berbentuk elektron bebas,
tidak disertai hole tetapi ion (+) yang tidak dapat
bergerak.

Semikonduktor jenis p
Dengan doping atom asing bervalensi 3 sebagai atom
akseptor karena ikatan kovalen memperoleh satu
elektron : B (boron), Al (aluminium), dan Ga (Galium)
kedalam semikonduktor intrinsik
Kamis 18 April 2024 24
Donor dan aseptor dalam tabel periodik

Kamis 18 April 2024 25

 SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK TIPE N
Atom bervalensi lima
- memberi 1 elektron
- atom donor

elektron bebas > hole

mayoritas minoritas
 SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK TIPE P
Atom bervalensi tiga
- mengurangi 1 elektron
- atom akseptor

elektron bebas < hole

minoritas mayoritas
 SEMIKONDUKTOR
++++++++
++++++++ TIPE P
++++++++
----------

----------
----------
----------
SEMIKONDUKTOR ++++++++++

TIPE N
4. Konduksi di dalam
SemiKonduktor
Partikel yang menghantarkan arus dalam
semikonduktor adalah: elektron dan hole.
Ada dua penghantar arus :
1. Arus difusi adalah
suatu penghantar arus I di dalam semikonduktor karena
tidak meratanya konsentrasi hole p partikel atau terjadi
gradient
konsentrasi
2. Arus Drift adalah
suatu partikel bermuatan dia dalam medan listrik (elektris)
akan bergerak dibawah gaya F tarik dan tolak elektris.
Idrift ~ Energi E.
Jumlah kedua arus disebut arus total.
Kamis 18 April 2024 29
 Arus Semikonduktor

Kamis 18 April 2024 30

 Arus Semikonduktor

Kamis 18 April 2024 31

 Elektron dan Hole

Kamis 18 April 2024 32

 DIODA TANPA PRATEGANGAN
(Unbiased Diode)

Tipe p Tipe n
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
 pn junction

+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +
+ + + + - - - -
- - - - + + + +

Elektron tolak-menolak Difusi elektron ke tipe p

Rekombinasi Dipole
 Depletion layer

+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
- - - - + + + +

Dipole Medan listrik Barrier potensial

Dioda Germanium 0,3 V Dioda Silikon 0,7 V

PRATEGANGAN MAJU (FORWARD BIAS)

elektron valensi elektron bebas

+ + + - - -
p - - - - + + + + n
+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
- - - - + + + +
+ + + - - -
- - - - + + + +
PRATEGANGAN BALIK (REVERSE BIAS)

hole elektron

+ + - -
p - - - - + + + + n
+ + - -
- - - - + + + +
+ + - -
- - - - + + + +
+ + - -
- - - - + + + +
 SIMBOL DIODA

Anoda A K Katoda

 Komponen dengan dua elektroda (terminal)

 Hanya dapat mengalirkan arus ke satu arah saja
 Model dioda : Pendekatan pertama (ideal)
Pendekatan kedua
Pendekatan ketiga
 DIODA IDEAL
forward bias ID ID sembarang

VD = 0

VD
reverse bias
VD = VA - VK

VD sembarang ID = 0
 DIODA
Lambang dioda :
p ANODA

n KATODA

Karakteristik dioda : I FORWARD

BREAKDOWN
REGION
R
LEAKAGE
CURRENT
V

VS VD
KNEE

REVERSE
REGION
Pendekatan dioda :
IDEAL PENDEKATAN KE - 2 PENDEKATAN KE - 3
I I I

V V V

REVERSE BIAS REVERSE BIAS REVERSE BIAS

O,7 V O,7 V rB
FORWARD BIAS FORWARD BIAS FORWARD BIAS

O,7 V O,7 V rB
Kamis 18 April 2024 42
 Latihan Soal
1). Hitunglah konsentrasi hole dan elektron didalam germanium (Ge) tipe-p
dengan suhu 3000 K bila resitivitas 0,02 Ω.cm dan mobilitas hole (µp) 1800
cm2 /volt .dtk
2). Sama dengan no.1 tetapi untuk silikon (Si) tipe-n bila resitivitasnya 20
Ω.cm dan mobilitas elektron silikon (µn) 1300 cm2 /volt. detik
3). SK doping berundak dimana konsentrasi atom donor = 102 konsentrasi
atom akseptor, konsentrasi atom akseptor 1 atom akseptor per 108 atom
Ge. Hitunglah potensial kontak Vo pada suhu 300oK jika diketahui
konsentrasi atom Ge 4,4 x 1028 atom⁄ m3 dan konsentrasi atom intrinsik =
ni = 2,5 x 1013 serta potensial VT = 0,0259 Volt. Konsentrasi atom
akseptor 10-8 konsentrasi atom Ge.
Kamis 18 April 2024 43
 • Solusi pr :
8. Bab III Semikonduktor.doc

Kamis 18 April 2024 44