BAB I

ASAS KERJA PIRANTI SEMI PENGHANTAR

1.1 Pendahuluan.
Elektronika adalah ilmu yang mempelajari sifat-sifat pemakaian piranti (devices)
yang memiliki asas kerja aliran elektron dalam zat baik zat padat cair maupun gas ,sifat zat ter
sebut dapat berupa konduktor, isolator ataupun semikonduktor . Perkembangan elektronika
sangatlah pesat terutama sejak ditemukannya bahan semikonduktor. Sampai saat ini
elektronika tidak dapat dipisahkan dari kehidupan manusia modern , mulai dari rumah
tangga, industri, komunikasi, rumah sakit hingga teknologi ruang angkasa semuanya
didukung oleh kemajuan–kemajuan yang dicapai dalam bidang elektronika.

1.2. Susunan Elektron Dalam Zat dan Pita Tenaga

Semua bahan terbentuk dari molekul-molekul dan atom-atom. Atom bukan merupakan
sebuah elemen yang terkecil tetapi masih memiliki struktur didalamnya. Untuk mengetahui
lebih dalam tentang cara kerja dari pitanti-piranti elektronik maka adabaiknya kita mengetahui
susunan atom. Atom terdiri dari inti dan elektron yang selalu mengitari inti tersebut. Inti
terdiri dari proton yang bermuatan positif dan neutron yang tak bermuatan. Elektron yang
mengitari inti bermuatan negatif ,besarnya muatan proton dan elektron adalah sama yaitu e=
1,6 x 10-19 Coulomb.

Elektron
-

-
- - n= 1 memiliki 2 elektron
-
n= 2 memiliki 8 elektron

- +14q
- - -
INTI
n= 3 memiliki 4 elektron
-
- -
-

Gambar 1.1. Struktur atom silikon, angka dalam kurung menunjukkan jumlah elektron.

1
 Sifat zat terhadap elektron dapat dibedakan menjadi menghantar (konduktor) , tidak
menghantar (isolator) dan Semi-menghantar (semikomduktor). Bahan semikonduktor paling
banyak digunakan dalam pembuatan piranti elektronika adalah Silikon (Si). Atom Si terdiri
dari inti atom dan 14 elektron yang mengitari intinya dan mempunyai muatan listrik +14q.
Empat belas (14) elektron yang mengitari inti terbagi dalam tiga kelompok atau tiga orbit.
Orbit pertama (n = 1)yang terdekat dengan inti terdiri dari dua (2) elektron, yang terjauh orbit
ketiga (n = 3) terdapat empat (4) elektron dan orbit ketiga (3) delapan (8) elektron terletak
diantaranya , untuk lebih jelas dapat dilihat pada Gambar 1.1.

Tiap kelompok tersebut dinamakan kulit atom , sehingga Si memiliki tiga kulit atom
yang berisi elektron. Elektron yang terletek pada kulit terluar dinamakan elektron valensi
sehingga untuk Si terdapat empat (4) elektron valensi yang terdiridari 8 elektron.

Orbit elektron valensi

Orbit elektron inti

PUSAT

Gambar 1.2. Model dari atom untuk elektron inti dan elektron velensi

Tenaga elektron yang terbesar adalah elektron yang letaknya lebih dekat dengan inti.
Tenaga ini disebabkan karena elektron bergerak (energi kinetik) dan tenaga potensial yang
disebabkan karena elektron dalam medan listrik inti atom ( yang terjadi karena tarik menarik
antara muatan positif dalam inti dengan muatan negatif elektron). Atom yang terletek
ditengah-tengah saling memberikan elektron-elektron pada empat atom yang terdekat
sehingga orbit terluar diisi penuh dengan delapan buah elektron . Ikatan ini disebut ikatan
kovalen atau ikatan elektron valensi. Elektron yang terhubung sama bertindak seperti
perekat yang mengikat atom-atom menjadi satu seperti terlihat pada Gambar 1.3.

2
 Elektron

+4q

Orbit terluar membentuk

ikatan kovalen

Gambar 1.3. Struktur atom silikon dua dimensi dengan ikatan kovalen.

Dengan memperhatikan gambar dari struktur atom kristal semikonduktor maka kita
juga dapat mengetahui sifat listrik pada gambar 3.1, yang merupakan ikatan sebuah kristal
murni yang tidak lain merupakan isolator pada suhu 0º K karena semua elektron-nya
membuat ikatan. tetapi bila temperatur mencapai 300º K maka atom-atom dalam keadaan
bergetar oleh panas yang memberikan energi pada elektron-elektron dan menyebabkan
elektron-elektron tersebut terlepas dari ikatannya sehingga daya hantar listrik ( konduktivitas)
naik. Pada gambar 4.1. diperlihatkan suatu elekktron terlepas dari ikatannya . Bila elektron
terlepas dari ikatan kovalen dinamakan elektron bebas, dan tempat kedudukan elektron yang
ditinggalkan dinamakan hole jadi, elektron bebas muncul secara bersamaan dengan hole bila
temperatur naik, dan konduktivitas listrik naik bila temperatur bahan semikonduktor naik.
Mekanisme ini lain halnya yang terjadi pada logam dimana konduktivitas-nya turun bila
temperatur naik.

Elektron
bebas

+4q

Hole

Gambar 1.4. Terbentuknya hole dan elektron bebas.

3
 Seperti terlihat pada Gambar 1.5, elektron dan hole keduanya muncul bersama-sama
bila temperatur naik. Energi yang dibutuhkan untuk melepas ikatan kovalen disebut energi
ionisasi atau energi celah ( energy gap ) , besarnya 1,1 eV ( elektron-Volt ) untuk Si (silikon)
dan 0,7 eV untuk Ge (germanium). Dimana 1 eV merupaka besarnya energi yang didapatkan
elektron yang dipercepat oleh beda tegangan 1 Volt . 1 eV = 1,601 x 10 (Coulomb) x 1 Volt
= 1,601 x 10 ( joule). Energi ionisasi dapat diberikan dalam beberapa hal baik temperatur
ataupun oleh foton. Energi panas diberikan oleh kT dimana k konstanta Boltzaman yaitu
8,64 x 10 (eV/k) dan T temperatur absolut. jadi energi pada temperatur kamar (300º K)
adalah 0,0258 eV, artinya tidak ada elektron bebas ataupun hole yang terbentuk baik pada Si
atau Ge pada temperatur kamar. Bahan yang memiliki EG (energy gap ) yang besarnya
beberapa volt adalah tergolong penyekat (isolator) . Contoh misalnya intan yang memiliki E G
= 6 eV, sedangkan untuk bahan semikonduktor adalah Si = 1,121 eV dan Ge = 0,785 eV pada
suhu 0º K. Sedangkan pada logam (penghantar) tidak memiliki EG karena sebagian pita
valensi dan pita konduksi saling cakup (overlap) ilustrasi ini dapat dilihat pada gambar 5.1
pada gambar ini hanya diperlihatkan pita-pita tenaganya jadi tidak diperlihatkan garis-garis
tingkat tenaga untuk kulitatom yang paling dalam.

Pita Pita Pita

konduksi konduksi konduksi

EG = 1 eV

EG = 6 eV Pita konduksi berbaur

dengan pita valensi
Pita sehingga tidak
Pita terbentuk Gap energy
Valensi
Valensi
Pita
Valensi

(a) (b) (c)

Gambar1.5. Ilustrasi susunan pita tenaga pada (a).isolator; (b) semikonduktor; (c) logam.

4
1.3 Semikonduktor Intrinsik

Semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah menghantar karena bahan ini
selain bersifat isolator juga bersifat konduktor. Bila diberikan energi maka, sifat bahan
tersebut akan berubah dari isolator menjadi konduktor. Tahanan isolator pada bahan ini
biasanya antara 10-2 ohm cm sampai 10-6 ohm cm. unsur-unsur kimia dari sistim berkala
pada golongan IV kebanyakan bersifat semikonduktor diantaranya adalah silikon dan
gemanium . Bahan ini atomnya mempunyai 4 buah elektron valensi, dan atom-atomnya
tersusun sebagai kristal tetrahedral (tetrahedron) seperti terlihsat pada gambar 6.1.a.; susunan
kristal yang dikarenakan adanya ikatan kovalen . Bahan ini dinamakan semikonduktor
intrinsik bila keadannya ditinjau secara kimia adalah murni dan padanya tidak terdapat
kerusakan ataupun penambahan bahan lain yang dapat merubah susunan kristalnya. Susunan
kristal tetrahedron memang agak sukar dibayangkan, tetapi bila diperhatikan , tiap-tiap
atomnya terikat oleh empat ikatan kovalen dengan empat atom yang terdekat . Untuk
mempermudah membantu mendapatkan gambaran tentang ikatan kovcalen serta mekanisme
hantaran listrik yang terjadi pada bahan semikonduktor , biasanya dipergunakan gambaran
dua dimensi dari susunan kristalnya ditunjukkan pada gambar 6.1.b. yang berada pada
kondisi suhu 0° K.

Elektron valensi

Si +4q +4q

Ikatan kovalen
Si

+4q +4q
Si

Si

(a) (b)

Gambar 1.6. Susunan atom dalam kristal silikon (a) Pola tetrahedral; (b) Sajian dua dimensi

Lingkaran tanda +4 di dalamnya menunjukkan ion-ion silikon, yaitu inti-inti atom

silikon beserta elektron-elektronnya kecuali 4 elektron valensinya. Ikatan-ikatan kovalennya
dilukiskan dengan 2 garis lengkung dengan 2 titik yang digambarkan sebagai elektron berada
didalamnya. Pada gambar tersebut diperlihatkan bahwa tak ada elektron yang dapat bergerak
bebas karena diikat oleh ikatan kovalen tersebut, hal ini menunjukkan bahwa bahan tersebut
bersifat sebagai isolator tetapi bila bahan tersebut suhunya dinaikkan sehingga tenaga

5
termisnya melebihi energy gap ( EG) maka ikatan kovalen tersebut akan lepas dan elektron
dapat bergerak bebas, kekosongan akan terjadi apabila elektron meninggalkan tempatnya
tetapi kondisi tersebut harus tetap netral sehingga bekas kedudukan elektron yang dinamakan
lobang (hole) tadi diisi oleh elektron lainnya hal ini terjadi secara terus menerus selama energi
yang diberikan melebihi energy gap, pada kondisi ini bahan ini akan berubah menjadi
penghantar.
Bila kerepatan elektron bebas ( jumlah elektron bebas per satuan volume ) dinyatakan
dengan ni kerapatan lobang (jumlah lubang per satuan volume) dinyatakan dengan pi
dengan indeks i dimaksudkan untuk semikonduktor intrinsik ,maka berlaku hubungan :

ni = pi (1 – 1 )

Kehantaran  ( sigma) dan ketahanan  ( rho ) untuk semikonduktor intrinsik berlaku

persamaan sebagai berikut :
 = q ni (n - p ) (1 – 2 )
dan untuk ketahanan :
=-1 (1–3)
untuk: q = muatan elektron = 1,602 x 10 –19 Coulomb
n = mobilitas elektron (cm2/Vol.det)
p = mobilitas lubang (cm2/Vol.det)

1.4 Semikonduktor jenis N dan P

Pada semikonduktor intrinsik jumlah elektron sama dengan jumlah lubang, dan jumlah
ini sangat sedikit sekali sehingga tahanan jenisnya sangat besar (cenderung bersifat isolator)
Untuk menyusun piranti elektronis diperlukan bahan yang kaya akan suatu jenis
pengangkutan muatan saja, yaitu dapat berupa elektron atau lubang dimana jumlah dari
keduanya berbada. Dengan memasukkan atom-atom yang yang bervalensi tiga atau lima
dengan presentase yang kecil pada bahan semikonduktor intrinsik (murni) dapat dihasilkan
bahan semikonduktor extrinsik (takmurni) yang akan didominasi elektron atau lubang saja.
Penambahan atom-atom asing kedalam kristal tadi dinamakan doping. Persentase atau
tingkat doping ini biasanya sekitar 1 atom asing per 100 juta atom asli sampai 1 atom asing

6
per 1 juta atom asli . Contoh ;misalnya dengan doping 1 : 100 juta atom asing kedalam kristal
germanium, maka tahanan jenis germanium ini berkurang menjadi kira-kira 1/12 kali.
Semikonduktor merupakan bahan yang bersifat semi-menghantar karena bahan ini
dapat bersifat isolator ataupun konduktor. Tahanan isolator pada bahan ini biasanya antara
10-2 Ohm/cm sampai 10-6 Ohm/cm. Unsur-unsur kimia dari sistem berkala pada golongan IV
yang memiliki sifat semikonduktor adalah silikon dan germanium. Silikon dan Germaniun
memiliki elektron kulit terluar + 4e, sedangkan unsur yang berada pada golongan III
memiliki dan V masing-masing memiliki elektron kulit terluar +3e dan +5e.

Tabel 1.1 Unsur semikonduktor dalam sistem periodik dengan nomor

dan berat atomnya.
III IV V

+3 +4 +5

5 B 6 C 7 N
BORON KARBON NITROGEN
10,82 12,01 14,008
13 Al 14 Si 15 P
ALUMINIUM SILIKON FOSFOR
26,97 28,09 31,02
31 GA 32 Ge 33 As
GALIUM GERMANIUM ARSEN
69,72 72,60 74,91
49 In 50 Sn 51 Sb
INDIUM TIMAH ANTIMONI
114,8 118,7 121,8

Untuk mengetahui lebih lanjut sifat-sifat semikonduktor extrinsik ini ,akan kita tinjau
lebih dahulu atom yang memiliki valensi lima ( pentavalen) yaitu antara lain : fospor (P),
arsen (As), antimoni (Sb). Unsur pembubuh ini memiliki +5 e . Jika satu atom pentavalen
mengganti satu atom silikon dalam kisi kristal maka hanya empat elektron valensi yang
terpakai untuk melengkapi ikatan kovalen ; elektron sisanya menjadi elektron bebas, dengan
sedikit energi yang diberikan padanya dan siap menghantarkan arus . Bahan yang dihasilkan

7
dari pembubuhan ini disebut bahan semikonduktor tipe-n terlihat pada Gambar 1.7, karena
memiliki kelebihan elektron.

+4q +4q +4q +4q +4q +4q

Elektron Bebas Atom Kosong

+4q +5q +4q +4q +3q +4q

Atom Pentavalen Atom Trivalen

+4q +4q +4q +4q +4q +4q

(a) Pengaruh pembubuhan tipe-n (b) Pengaruh pembubuhan tipe-p

Gambar 1.7. Pembentukan atom silikon menjadi tipe-n dan tipe-p

Untuk unsur trivalen yaitu alumunium(Al), boron (B), galium(Ga), indium (In)
dibubuhkan pada silikon murni, akan diperoleh bahan semikonduktor tipe-p. Ketika suatu
atom trivalen mengganti satu atom silikon dalam suatu kristal tunggal maka hanya ada tiga
elektron yang valensi tersedia untuk melengkapi ikatan kovalenya. Sehingga terdapat satu
ikatan kovalen yang tidak terisi kemudian diisi oleh satu atom tetangga dan satu
lubang/kosong yang terjadi, sehingga memungkinkan terjadinya konduksi arus yang
disebabkan oleh gerakan muatan positif. karena atom trivalen bersifat menerima elektron
maka disebut dengan atom aseptor untuk atom pentavalen dengan pengertian yang sama
disebut atom donor.

1.5 Hukum Aksi Masa Pada Bahan Semikonduktor

Dalam semikonduktor elektron dan lobang yang bergerak (mobile) cenderung
bergabung kembali dan menghilang. Jika terdapat sedikit pasangan elektron lobang, laju
rekombinasi rendah; jika banyak, lajunya tinggi. Pada bahan tipe-n, terdapat sedikit lobang
tetapi banyak elektron, laju rekombinasi tinggi akibatnya banyaknya elektron. Secara umum

R=rnp (1 – 4)

8
 Untuk :
R = Laju rekombinasi ( pasangan elektron- lubang /det.m3)
r = Konstanta perbandingan bahan
n = Konsentrasi elektron
p = Konsentrasi lobang

Menurut hukum aksi masa ini mengatakan bahwa laju rekombinasi bergantung pada
jumlah unsur pereaksinya yang dapat dianalogikan dengan suatu pesta dansa dimana setiap
pasangan berdansa bersama beberapa saat, kemudian bepisah dan berjalan antara pasangan
lain hingga mendapatkan pasangan baru.

Dalam keadaan setimbang, laju pembangkitan sama dengan laju rekombinasi atau :

g = R = rnp (1 – 5)
Untuk g = laju pembangkitan.

Pada kristal murni konsentrasi intrinsik jumlah elektron dan lubang sama, atau ni = pi
berdasarkan persamaan 1-1 sehingga :
g = R = r ni pI = r ni2 (1 – 6)

Bahkan kristal terbubuhi, sebagian besar atom adalah silikon (atau germanium) dan
laju pembangkitan termal tidak berubah dari nilai intrinsik yang dimiliki dimana p=n= n i.
Maka persamaan (1 – 6) merupakan hubungan umum pada suhu tertentu.

n . p = ni2 (1 – 7)

ni adalah kerapatan pengangkut (elektron) intrinsik, pada konsentrasi pembawa rapat muatan
positif dinyatakan dengan ND yang bersifat donor maka rapat muatan total sama dengan ND
+ p. Untuk rapat muatan negatif NA yang bersifat akseptor maka rapat muatan totalnya sama
dengan NA + n . Karena semikonduktor bersifat listrik netral dapat ditulis :

ND + p = NA + n (1–8)

9
 Untuk bahan tipe n, konsentrasi NA = 0 maka n  ND ( dianggap sama dengan atom
donor ) sehingga pada bahan ini konsentrasi p:

p = ni2 / N D ( 1 –9 )

Untuk bahan tipe p, konsentarsi ND = 0 maka p  NA ( Dianggap sama dengan atom

akseptor) sehingga konsentrasi n :

n = ni2 / N A (1 –10 )

Untuk menentukan tipe dari bahan takmurnian dapat juga ditinjau dari pembawa
mayoritas dan minoritasnya :
a. Pembawa tipe n : Pembawa mayoritas elektron bebas
Pembawa minoritas hole.
b. Pembawa tipe p : Pembawa mayoritas hole.
Pembawa minoritas elektron bebas.

1.6 Resistifitas dan konduktifitas.

Mengingat tenaga ionisasi atom akseptor ( berada pada golongan III ) yang jauh
lebih rendah dibanding tenaga ionosasi EG untuk pembentukan pasangan elektron dengan
lubang. Jadi untuk semikonduktor jenis p ini, menjadikan lubang sebagai pengangkut–
mayoritas dan elektron sebagai pengangkut-ninoritas. Sehingga untuk ketahanan
(resistifitas)  semikonduktor jenis p ini dapat dinyatakan :

 =  q ( n n+ p p) –1  ( q NA p ) -1 ( 1 – 11 )

dan konduktifitas  untuk bahan tersebut :

 = q ( n n+ p p) mho/cm

10
untuk : n = konsentrasi elektron bebas
p = konsentrasi hole
n = mobilitas elektron
p = mobilitas hole
Konstanta tersebut dapat dilihat pada tabel sifat-sifat germanium dan silikon dibawah ini.

Tabel 1.2. Sifat –sifat Germanium dan Silikon.

Uraian Silikon Germanium
Celah energi (eV) 1,1 0,67
Mobilitas elektron n (cm2/V. det) 1.300 3.800
Mobilitas lubang p (cm2/V. det) 500 1.800
Rapat pembawa intrinsik ni (/m3) 1,5 x 10 10 2,5 x 1013
Resistifitas intrinsik ρi (.m) 2300 0,46
Kerapatan (g/m3) 2,33x106 5,32x106

Contoh soal :
Sebatang Si intrinsik di doping dengan menggunakan atom Arsenik ( As) sebanyak 2 x
10 15 atom , Hitunglah resistifitas dari bahan tersebut ?
Penyelesaian :
Resistifitas =  =  q ( n n+ p p) –1
15
Banyaknya atom donor (As ) = ND = 2.10 elektron / cm3.Arsenik termasuk dalam
unsur golongan periodik 5 yang memiliki sifat sebagai pembawa elektron, karena
memiliki elektron valensi 5. Jadi tipe bahan adalah n, Untuk bahan tipe n, konsentrasi NA
= 0 maka n  ND ( elektron diangga sama dengan atom donor ) sehingga pada bahan ini
merupakan konsentrasi p:
p = ni2 / N D
sesuai dengan persamaan 1 – 9 . (n i dapat dilihat pada Tabel 1.2 diatas)

p = (1,5 x10 10)2 / 2.10 15 = 1,125 .105 hole/ cm3 ( periksa kembali perhitungan ini)

Resistifitas =  =  q ( n n+ p p) –1

Dimana q besarnya muatan elektron = 1,6 x 10 –19 coulomb.

11
  =  q ( n n+ p p) –1
= { 1,6 x 10 –19 [ ( 2x1015 x 1.300) + (1,125x105 x 500)] }–1
= ....... ohm /cm ( dihitung sendiri)

Kerjakan Soal Latihan ini :

Jelaskan menurut pendapat anda apakah yang dimaksud dengan :
Elektron Isolator (takmenghantar) Ikatan kovalen
Elektron valensi Elektron bebas Semikonduktor(semimenghantar)
Bahan intrinsik (murni) Bahan ekstrinsik (takmurni) Atom donor
Atom akseptor Mobilitas elektron. Rekombinasi.
Konduktifitas Lobang (hole) Energi ionisasi (energy gap)
Konduktor (menghantar) Bahan tipe-p Bahan tipe-n
Pembawa minoritas Pembawa mayoritas Atom Trivalen
Atom Pentavalen Terbubuhi (doping)

12