Dasar Elektronika

Dosen Pembimbing : Bambang Apriyanto

 1 Teori Semikonduktor

Universitas Batam
Model Atom dan Struktur Molekul
Definisi
o Atom adalah partikel terkecil dari suatu elemen.
o Setiap elemen memiliki struktur atom yang unik.
o Menurut model atom Bohr (1913), atom terdiri dari inti atom
(nucleus) yang dikelilingi oleh elektron.
o Nucleus terdiri dari proton (positif) dan neutron (netral).
o Elektron yang mengelilingi inti atom berupa negatif.
Nomor Atom
Semua elemen diurutkan dalam tabel periodik sesuai dengan
nomor atomnya.
Contoh :
o Hidrogen memiliki nomor atom 1
o Helium memiliki nomor atom 2
o Litium memiliki nomor atom 3
Universitas Batam
Model Atom dan Struktur Molekul
Tabel Periodik

Universitas Batam
Model Atom dan Struktur Molekul
Struktur Atom Model Atom Bohr

Universitas Batam
Teori Atom
Teori Atom Carl H. Synder
Ambil segenggam paper clip dengan ukuran & warna yang sama :
1. Bagi menjadi 2 tumpukan yang sama.
2. Bagi kembali masing-masing tumpukan menjadi 2 tumpukan yang
sama.
3. Ulangi langkah 1 & 2 sampai salah satu tumpukan yang hanya terdiri
dari sebuah paper clip. Paper clip tersebut masih memiliki fungsi
sebagai penjepit kertas yaitu menjepit kertas agar tidak berantakan.
4. Sekarang ambil gunting potong sebuh paper clip tersebut menjadi dua
bagian. Pertanyaan :
Dapatkah setengah paper clip tersebut memiliki fungsi yang sama
dengan sebuah paper clip?
Jika kita lakukan hal yang sama dengan elemen apa saja, maka kita
akan mencapai suatu kondisi dimana bagian suatu benda tidak dapat
dibagi lagi tetapi masih memiliki sifat yang sama seperti sebuah paper
clip tadi. Bagian yang tidak dapat dibagi lagi inilah yang disebut Atom.
Universitas Batam
Teori Atom
Teori Atom John Dalton
o Setiap Elemen terbentuk dari Atom-atom (tumpukan paper clip).
o Semua atom-atom dari suatu elemen memilki sifat yang sama (Semua
paper clip dalam tumpukan memiliki ukuran dan warna yang sama).
o Atom dari elemen yang berbeda adalah berbeda baik ukuran dan ciri-cirinya
(seperti perbedaan ukuran dan warna paper clip).
o Atom dari elemen yang berbeda dapat dikombinasikan untuk membentuk
campuran (Kita dapat menghubungkan ukuran dan warna yang berbeda dari
paper clip untuk membentuk struktur baru).
o Dalam reaksi kimia, atom tidak dapat dibuat, di musnahkan, atau dirubah
(tidak ada paper clip baru yang muncul, tidak ada paper clip yang hilang dan
tidak ada paper clip yang berubah dari satu ukuran/warna ke ukuran/warna
lainnya).
o Dalam berbagai campuran, nomor dan jenis dari atom tetap sama
(Jumlah total dan type paper clip pada saat mulai dan akhir adalah sama).

Universitas Batam
Teori Atom
Partikel Bermuatan
o Muatan negatif elektron yaitu 1.6 x 10-19 Coulomb
o Massa elektron yaitu 9.11 x 10-31 kg
o Muatan ion positif : suatu kelipatan dari muatan elektron dengan
tanda muatan yang berlawanan.
o Partikel yang diionisasikan tunggal, besar muatannya sama
dengan muatan elektron.
o Partikel yang diionisasikan rangkap, muatan ion menjadi dua kali
muatan elektron.
o Massa suatu atom sama dengan berat atom dikalikan dengan
1.66 x 10-27 kg.
o Jari – jari elektron kira-kira 10-15 m , jari – jari atom 10-10 m
Universitas Batam
Teori Atom
Sifat Dasar Elektron
o Elektron bergerak mengelilingi inti atom dengan kecepatan
tertentu agar gaya sentrifugal seimbang dengan gaya tarik inti
o Elektron bermuatan negatif.
o Elektron bergerak dengan arah yang sama dan menghasilkan
arus listrik.

o Elektron direpresentasikan dengan e-.

o Elektron yang letaknya jauh dari nucleus memiliki energi yang
lebih besar dibandingkan elektron yang berada dekat dengan
nucleus.

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Struktur Atom Silikon
Terdiri dari
o 14 proton pada intinya.
o 2 elektron pada orbit ke-1.
o 8 elektron pada orbit ke-2.
dan
o 4 elektron pada orbit ke-3.

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Tingkatan Energi Atom Silikon

TINGKATAN ENERGI KE-3

R2 R3
ORBIT KE-2
RR31 TINGKATAN ENERGI KE-2
ORBIT KE-1 R2
R
R3 1
TINGKATAN ENERGI KE-1
R1
INTI
KULIT INTI
ATOM
(Nucleus)

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Tingkatan Energi Atom Silikon
o Elektron dapat berpindah dari orbit yang lebih kecil ke
orbit yang lebih besar, jika terkena panas, cahaya atau
radiasi lainnya.
o Kondisi elektron yang berpindah disebut ter-eksitasi.
o Elektron yang ter-eksitasi biasanya sementara dan
akan jatuh kembali ketingkatan energi semula sambil
melepaskan energi yang diperolehnya dalam bentuk
panas, cahaya atau radiasi lainnya.

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Kristal
o Kristal adalah susunan teratur dari
atom-atom yang membentuk benda
padat.
o Ikatan kovalen adalah gaya-gaya
yang mengikat atom satu sama
lainnya.

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Hole
adalah kekosongan didalam orbit terluar
sebagai akibat salah satu elektron yang
berpindah ketingkat energi yang lebih
tinggi.

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Pita Energi (energy band)
adalah tingkatan-tingkatan energi yang berbeda
dari masing-masing elektron yang mengikat satu
sama lain akan mengelompok di dalam suatu area
dan membentuk pita (band) baik pada lintasan
(orbit) pertama, kedua dan seterusnya

o Pita energi paling luar disebut

pita valensi

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Konduksi di dalam Kristal
o Tembaga mempunyai banyak elektron bebas
yang beredar pada lintasan terluar (tingkatan
energi tinggi), akibatnya elektron tersebut hampir
tidak merasakan gaya tarik dari inti atom.

o Energi-energi dari elektron bebas ini

akan mengelompok disuatu pita
yang disebut Pita Konduksi sehingga
dapat menghasilkan arus yang besar.

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Silikon pada Suhu Nol Mutlak
o Elektron-elektron valensi diikat dengan kuat oleh
inti atom Silikon sehingga tidak ada pergerakan
elektron sama sekali pita konduksi atau dengan
kata lain pita konduksi dalam keadaan kosong.

o Pada kondisi ini tidak ada

arus yang mengalir
(tidak ada elektron
yang bergerak
di pita valensi)

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Silikon pada Suhu diatas Nol Mutlak
o Ikatan kovalen antar elektron akan terlepas,
akibatnya elektron-elektron pada pita valensi
akan berpindah ke pita konduksi dan bergerak
kekiri sehingga menghasilkan arus.

o Elektron-elektron yang
berpindah ini akan
menghasilkan hole
pada pita valensi.

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Arus Hole
o Sebenarnya hole juga dapat bergerak dan menghasilkan
arus hanya arus elektron saja yang banyak dibahas.

o Keterangan:
 Saat energi berupa panas,
cahaya atau radiasi lainnya
menumbuk elektron pada
pita valensi, maka elektron
tersebut akan berpindah ke
pita konduksi.
 Saat berpindah, elektron tersebut
meninggalkan hole. Berikutnya
elektron pada lokasi A akan berpindah ke
hole yang ditinggalkan tersebut & demikian seterusnya
Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Pasangan Elektron - Hole
o Jika tegangan diberikan pada kristal, maka
akan terjadi 2 macam pergerakan yaitu :
1. Gerakan elektron pada pita konduksi
2. Gerakan hole pada pita valensi
o Jika elektron valensi bergerak dari kiri ke
kanan, maka ada hole yang bergerak dari
kanan ke kiri sehingga pada kondisi ini
akan terjadi pasangan Elektron-Hole

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Rekombinasi
Terjadi akibat tumpang tindihnya orbit pita konduksi
suatu atom yang satu dengan atom lainnya sehingga
akibatnya seringkali elektron akan jatuh ke hole.

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Doping
o Doping adalah penambahan atom-atom impuritas (non-
tetravalent) pada kristal untuk menambah jumlah elektron
bebas/hole sehingga dapat menghasilkan arus sesuai dengan
yang diinginkan.
o Semikonduktor Intrinsik adalah semikonduktor yang belum
mendapat doping atom lain/pembawa arusnya hanyalah
pasangan elektron-hole.
o Semikonduktor Ekstrinsik adalah semikonduktor yang
sudah di-dop atom-atom impuritas.

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Semikonduktor Tipe - n (negative)
o Dibentuk dengan cara menambahkan atom semikonduktor
bervalensi 5 (pentavalent) ke atom bervalensi 4 (tetravalent)
sehinggga jumlah elektron menjadi lebih banyak (majority
carrier) dibanding jumlah hole (minority carrier).
o Contoh atom pemberi doping (donor) : Arsen, Antimon dan
Fosfor.

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Semikonduktor Tipe - p (positive)
o Dibentuk dengan cara menambahkan atom semikonduktor
bervalensi 3 (trivalent) ke atom bervalensi 4 (tetravalent)
sehinggga jumlah hole menjadi lebih banyak (majority
carrier) dibanding jumlah elektron (minority carrier).
o Contoh atom pemberi doping (donor) : Alumunium, Galium
dan Boron

Universitas Batam
Atom Semikonduktor
Resistansi Bulk
adalah resistansi semikonduktor yang telah di-dop atom lain
dimana jika konsentrasi doping lebih tinggi maka resistansi
Bulk-nya akan turun dan demikian sebaliknya.

Universitas Batam
 2 Junction PN

Universitas Batam
Junction PN

Junction (pertemuan) adalah daerah pertemuan

antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n dan hasil
penggabungan dua buah semikonduktor ini dikenal
sebagai Dioda (berarti 2 elektroda).

Universitas Batam
Junction PN
Dioda Tanpa Bias

Lapisan Pengosongan
o Beberapa saat setelah difusi, setiap elektron yang melewati junction
akan menciptakan sepasang ion positif dan negatif yang disebut
dipole.
o Munculnya dipole-dipole ini mengakibatkan daerah didekat junction
dikosongkan dari muatan-muatan yang bergerak.
o Daerah kosong ini disebut Lapisan Pengosongan (depletion layer).
Universitas Batam
Junction PN
Potensial Barier
o Tiap-tiap dipole mempunyai medan listrik,
gambar disamping ini menunjukkan arah
gaya pada muatan positif
o Gaya-gaya inilah yang menyebabkan elektron
didorong kembali ke daerah n saat mencoba
dipole
memasuki lapisan pengosongan.
o Adanya medan diantara ion-ion ini ekivalen dengan
perbedaan potensial yang disebut Potensial Barier.
o Pada suhu 25°C, potensial barier dioda Germanium
kira-kira 0.3V dan dioda Silikon kira-kira 0.7V.

Universitas Batam
Junction PN
Pengaruh Suhu
o Besarnya potensial barier tergantung suhu pada junction, jika
suhu terus naik maka potensial barier akan terus berkurang
pula.
o Perubahan potensial ini dapat dituliskan dengan persamaan:
V = -0.0025 T
Contoh Soal :
Hitunglah potensial barier dioda Silikon pada suhu 75°C.
Penyelesaian
Potensial dioda Silikon pada suhu 25°C adalah 0.7V, maka
V = -0.0025 (75-25) = -0.125
Oleh sebab itu, potensial barier pada suhu 75°C adalah :
V = 0.7 - 0.125 = 0.575 V
Universitas Batam
Junction PN
Bukit Energi
junction junction

o Perubahan level energi saat difusi mengakibatkan elektron dari sisi n tidak
mempunyai cukup energi untuk melewati junction akibat jalan yang dilalui
seperti mendaki bukit atau kita kenal sebagai Bukit Energi sehingga
diperlukan energi yang cukup agar elektron dapat melewati daerah junction.

Universitas Batam
Junction PN
Bias Maju (forward bias)
o Jika sebuah dioda saat diberi bias maju (forward bias)
maka arus akan mengalir dengan mudah.

Universitas Batam
Junction PN
Bias Mundur (reverse bias)
o Jika sebuah dioda saat diberi bias mundur (reverse bias)
maka arus akan sulit mengalir.

Universitas Batam
Junction PN
Yang terjadi saat dioda diberi Bias Mundur
a. Melebarnya Lapisan pengosongan
Disebabkan masing-masing hole dan elektron bergerak menuju ujung-
ujung kristal (menjauhi junction).
b. Munculnya Arus Transisi
Saat lapisan pengosongan melebar, secara bersamaan elektron akan
mengalir dari terminal negatif ke ujung kiri dioda dan elektron dari
sisi kanan dioda akan mengalir ke terminal positif sumber. Arus ini
akan berhenti mengalir sampai lapisan pengosongan berhenti
melebar.

Universitas Batam
Junction PN
Yang terjadi saat dioda diberi Bias Mundur
c. Munculnya Arus Pembawa Minoritas
Energi thermal menyebabkan munculnya pasangan elektron-hole atau
pembawa minoritas pada sisi kedua junction sehingga menyebabkan
munculnya arus kecil yang mengalir (arus saturasi). Jadi makin tinggi
energi thermal maka makin besar arus saturasi ini.
Salah satu penyebab Silikon banyak digunakan saat ini yakni arus
saturasi yang dihasil lebih kecil dibanding arus saturasi yang muncul
saat menggunakan bahan Germanium.

d. Munculnya Arus Bocor Permukaan

Selain arus pembawa minoritas, ada pula arus kecil yang mengalir
disepanjang permukaan dioda yang disebut arus bocor permukaan.

Universitas Batam
Junction PN
Yang terjadi saat dioda diberi Bias Mundur
e. Tegangan Breakdown
Jika tegangan reverse dinaikkan maka pada akhirnya mencapai
tegangan breakdown. Untuk dioda penyearah, tegangan breakdown
biasanya lebih besar dari 50V.
Pada kondisi ini dioda menjadi konduksi, hal ini disebabkan semakin
banyaknya pembawa minoritas yang muncul akibat elektron pada
lapisan pengosongan bergerak kekiri dan kekanan dengan kecepatan
tinggi sehingga menggeser elektron valensi kedalam orbit konduksi.

Universitas Batam
 3 Dioda

Universitas Batam
Dioda
Dioda Penyearah
o Arus bolak-balik dapat diubah menjadi arus searah dengan
menggunakan dioda.
o Dalam menganalisa sebuah dioda, salah satunya perlu diperhatikan
apakah dioda dibias maju atau mundur.

Universitas Batam
Dioda
Kurva Dioda Bias Forward
o Untuk menganalisa kurva sebuah dioda yang dibias forward, gunakan
rangkaian dibawah ini

Universitas Batam
Dioda
Kurva Dioda Forward
Tegangan Knee
o Dioda baru akan konduksi setelah tegangan
mendekati 0.7 volt dimana elektron pita
konduksi dan hole mulai mendekati
junction dalam jumlah yang besar.
o Diatas 0.7 volt, setiap pertambahan 0.1 volt
akan menghasilkan pertambahan arus yang Tegangan
curam. Tegangan yang menghasilkan Knee
pertambahan arus yang curam ini disebut
Tegangan Knee.
o Dioda Silikon tegangan knee-nya 0.7 volt
dan Dioda Germanium tegangan knee-
nya 0.3 volt.
Universitas Batam
Dioda
Resistansi Bulk
o Setiap semikonduktor p dan n
memiliki resistansi jumlah resistansi
p dan ini di sebut Resistansi Bulk
Dioda.
rB = rp + rn
o Nilai resistansi bulk rB tergantung
pada doping dan besarnya daerah p
dan n. Besarnya rB umumnya
berkisar 1 ~ 25 Ohm.
o Atau dengan pendekatan rumus lain
Universitas Batam
Dioda
Kurva Dioda Bias Reverse
o Untuk menganalisa kurva sebuah dioda yang dibias reverse, gunakan
rangkaian dibawah ini

Universitas Batam
Dioda
Kurva Dioda Reverse
Tegangan Breakdown
o Jika dioda dibias reverse maka arus
yang lewat kecil.
o Arus yang lewat akan kecil selama
tegangan reverse yang diberikan ke
dioda masih dibawah
tegangan Breakdown (BV).
o Pada tegangan breakdown, arus akan
bertambah dengan cepat untuk Breakdown
pertambahan tegangan sedikit saja. Voltage

Universitas Batam
Dioda
Kurva Lengkap Dioda

Tegangan
Knee

Breakdown
Voltage

Universitas Batam
Dioda
Dioda Ideal (Pendekatan ke-1)
o Secara ideal dioda berlaku seperti konduktor sempurna jika
dibias forward dan seperti isolator sempurna saat dibias reverse.

Universitas Batam
Dioda
Dioda Ideal (Pendekatan ke-1)
Contoh Soal :
Gunakan pendekatan diode ideal untuk menggambarkan bentuk
gelombang keluaran serta hitunglah Tegangan puncak (VP) dan Arus
puncaknya (IP) dari rangkaian dibawah ini.
Penyelesaian :

Universitas Batam
Dioda
Dioda Pendekatan ke-2
o Diode seolah terdapat tegangan knee 0.7V. Namun ini hanya pada saat
kondisi tegangan input yang masuk sangat kecil. Pada saat tegangan
input sangat besar maka tegangan knee ini tidak diperhitungkan

Universitas Batam
Dioda
Dioda Pendekatan ke-2
Contoh Soal :
Gunakan pendekatan ke-2 untuk menggambarkan bentuk gelombang
keluaran serta hitunglah Tegangan puncak (VP) dan Arus
puncaknya (IP) dari rangkaian dibawah ini.
Penyelesaian :

Universitas Batam
Dioda
Dioda Pendekatan ke-3
o Resistansi Bulk (rB) diperhitungkan pula. Saat diode konduksi,
maka akan ada arus mengalir dan pada rB akan muncul tegangan.
Semakin besar arus, maka tegangan yang muncul akan besar pula.

Universitas Batam
Dioda
Dioda Pendekatan ke-3
Contoh Soal :
Gunakan pendekatan ke-3 untuk menggambarkan bentuk gelombang
keluaran serta hitunglah Tegangan puncak (VP) dan Arus puncaknya
(IP) dari rangkaian dibawah ini.
Penyelesaian :
20 

99.1V

Universitas Batam
Dioda
Resistansi Reverse
Jika dibias reverse, diode mempunyai arus reverse kecil. Salah satu
cara untuk memperkirakan pentingnya arus ini adalah dengan
mengetahui resistansi reverse (RR) dioda tersebut

Universitas Batam
Dioda
Resistansi Reverse
Contoh Soal :
Gambarkan bentuk gelombang keluaran untuk rangkaian dibawah ini,
perhitungkan resistansi reversenya. Dan abaikan tegangan knee dan
resistansi Bulk.
Penyelesaian :

Universitas Batam
Dioda
Kapasitansi Dioda
o Dioda mempunyai kapasitansi bocor yang mempengaruhi kerjanya
pada frekuensi tinggi dan kapasitansi ini biasanya lebih kecil dari 1pF.
o Namun ada kapasitansi lain yang lebih penting dari kapasitansi
bocor/luar ini yaitu Kapasitansi Peralihan (CT) yang muncul pada
saat dioda diberi bias reverse.

Universitas Batam
Dioda
Jenis Lain Dioda
o LED (Light Emiting Diode) adalah dioda yang dapat memancarkan
cahaya.
o Dioda Photo adalah dioda yang dapat mendeteksi perubahan cahaya
o Dioda Varactor adalah dioda yang berfungsi sebagai capasitor yang
dapat diatur.
o Dioda Schottky adalah dioda yang dipergunakan untuk aplikasi
frekuensi tinggi
o Dioda Step-Recovery adalah
dioda yang dapat menghasilkan
frekuensi.
o Dioda Zener adalah diode yang
berfungsi sebagai penstabil tegangan

Universitas Batam
 4 Rangkaian Dioda

Universitas Batam
Dioda
Blok Diagram Dasar Power Supply dan Bentuk
Gelombangnya

Universitas Batam
Rangkaian Penyearah

a. Penyearah Setengah Gelombang

b. Penyearah Gelombang Penuh Tap Tengah

(center tap)

c. Penyearah Gelombang Penuh Jembatan (Bridge)

Universitas Batam
Dioda
a. Penyearah Setengah Gelombang

Universitas Batam
Dioda
a. Penyearah Setengah Gelombang

Frekuensi Output

fOUT = fIN

Universitas Batam
Dioda
a. Penyearah Setengah Gelombang

Universitas Batam
Dioda
a. Penyearah Setengah Gelombang
Tranformator dan Tegangan Inverse Puncak

o Transformator memungkinkan kita menaikkan atau

menurunkan tegangan.
o Keuntungan lainnya yaitu terisolasi dari jala-jala listrik;
hal ini mengurangi adanya resiko kejutan listrik.

Universitas Batam
Dioda
a. Penyearah Setengah Gelombang
Tranformator dan Tegangan Inverse Puncak
o Tegangan maksimum yang harus ditahan dioda selama diode
diberi bias reverse dinamakan PIV (Peak Inverse Voltage).

Universitas Batam
Dioda
a. Penyearah Setengah Gelombang
Contoh Soal
Diketahui perbandingan lilitan transformer (N1 : N2 = 4 : 1),
berapakan tegangan DC pada beban? Dan berapakah PIV?

Penyelesaian :

Universitas Batam
Dioda
b. Penyearah Gelombang Penuh Tap Tengah
(center tap)

Universitas Batam
Dioda
b. Penyearah Gelombang Penuh Tap Tengah
(Center Tap)

Universitas Batam
Dioda
c. Penyearah Gelombang Penuh Jembatan (Bridge)

Universitas Batam
Dioda
c. Penyearah Gelombang Penuh Jembatan (Bridge)

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Choke
Ide dasar filter input choke
a. Sinyal gelombang penuh yang keluar
dari penyearah mempunyai
komponen DC (yang kita inginkan)
dan komponen AC (yang tidak kita
inginkan).
b. Choke hanya mengizinkan komponen DC
melaluinya dengan mudah karena Induktor
(choke) XL = 0 untuk tegangan DC
atau frekuensi = 0.
c. Sedangkan Kapasitor (XC) akan menjadi ∞
(tak hingga; terbuka) untuk tegangan DC
yang frekuensinya 0, sehingga semua arus
DC yang keluar dari choke akan mengalir
ke resistansi beban RL.
Universitas Batam
Dioda
Filter Input Choke
Ide dasar filter input choke

d. Pada disisi lain, tegangan AC yang dari

penyearah akan terhalang masuk oleh
choke karena nila XL menjadi ∞ (tak
hingga; terbuka) saat frekuensi naik
melebihi nol. Dan selanjutnya tegangan AC
yang masih terlewat dari choke akan
dengan mudah dibuang oleh kapasitor
(XC) karena pada saat frekuensi melebihi
nol, (XC) sama dengan nol atau rendah.
e. Dengan kata lain, choke dan kapasitor
berlaku sebagai pembagi tegangan AC
sehingga melemahkan komponen AC yang
masuk ke beban RL.

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Choke
Output DC
Bentuk keluaran dari Filter Input Choke, dan bentuk rangkaian ekivalen
DC-nya seperti pada gambar (b)

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Choke
Ripple Output
Merupakan komponen AC yang muncul pada keluaran setelah
melewati filter. Komponen AC ini tidak diinginkan.

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Choke
Induktansi Kritis
adalah induktansi minimum choke yang memberikan penyaringan
(filtering) yang baik.

Jadi selama induktansi lebih besar dari nilai induktransi kritis ini,
maka filtering akan normal.

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Kapasitor
adalah salah satu jenis filter yang berfungsi mengurangi ripple dan
merupakan pengganti filter choke yang mahal dan memerlukan
tempat yang lebih besar.

Ide dasar filter input choke

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Kapasitor
o Selama ¼ perioda pertama
tegangan input diode dibias
forward.
o Secara ideal terlihat seperti saklar
tertutup.
o Karena diode menghubungkan
sumber ke kapasitor secara
langsung, maka kapasitor akan
dimuati sampai puncak +VM.

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Kapasitor
o Setelah sedikit saja melewati puncak positif, diode berhenti
konduksi, yang berarti saklar akan terbuka (dioda dibias reverse-
off).
o Dengan off-nya dioda, kapasitor akan membuang tegangannya
(+VM) ke beban RL dan demikian seterusnya.

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Kapasitor
Perbandingan hasil penyearahan 3 jenis penyearah

Dapat dilihat bahwa penyearah gelombang penuh akan menghasilkan Faktor ripple yang lebih baik
karena Tegangan ripple (Vr) - nya lebih kecil dibanding penyearah setengah gelombang.

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Kapasitor
Konstanta Waktu Panjang

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Kapasitor
Konstanta Waktu Panjang

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Kapasitor
Konstanta Waktu Panjang
Contoh Soal
Diketahui tegangan puncak sekunder (VM) = 30 V. Berapakah tegangan
output DC dan tegangan ripple-nya (abaikan tegangan jatuh pada diode)?
Penyelesaian :

Universitas Batam
Dioda
Filter Input Kapasitor
Konstanta Waktu Panjang
Contoh Soal
Diketahui penyearah gelombang penuh dengan r = 2% dan RL = 10kΩ.
Berapakah kapasitansi filter yang diperlukan?

Penyelesaian :

Universitas Batam
Dioda
Penyearah Puncak Tidak Ideal
Saat permintaan arus tinggi (beban berat), akan sangat sukar untuk
mendapatkan konstanta waktu panjang. Akibatnya pengosongan puncak-
puncaknya akan semakin dalam

Universitas Batam
Dioda
Penyearah Puncak Tidak Ideal
Rangkaian Thevenin
Gambar dibawah ini adalah penyearah gelombang penuh jembatan dan rangkaian
Thevenin dari komponen-komponen yang mempengaruhi kondisi menjadi tak ideal

Universitas Batam
Dioda
Penyearah Puncak Tidak Ideal

Universitas Batam
Dioda
Arus Sentak
Arus mengalir tiba-tiba akibat sebelum dinyalakan, kapasitor tak
bermuatan, namun saat rangkaian dinyalakan kapasitor seperti terhubung
singkat sehingga arus pengisian awal akan sangat besar

Universitas Batam
Dioda
Filter RC dan LC
o Jika konstanta waktu pengosongannya panjang, ripple yang keluar dari
penyearah akan cukup kecil dan dapat diabaikan.
o Namun jika konstanta waktunya pendek, maka ripplenya akan besar
dan harus ditambahkan filter untuk menguranginya.
o Untuk arus beban besar sebaiknya digunakan filter LC karena memiliki
tingkat pelemahan lebih tinggi dibanding filter RC.

Universitas Batam
Dioda
Rangkaian Pengali Tegangan
adalah 2 atau lebih penyearah puncak yang menghasilkan tegangan
DC sama dengan perkalian dari tegangan puncak input (VM).

Universitas Batam
Dioda
Rangkaian Clipper
adalah rangkaian yang digunakan untuk memotong puncak
gelombang sinus.

Universitas Batam
Dioda
Rangkaian Clamper
adalah rangkaian yang digunakan untuk menggeser amplitudo
gelombang sinus.

Universitas Batam
 5 Transistor Bipolar

Universitas Batam
Rangkaian Penguat Transistor

o Pembahasan penguat transistor akan menggunakan

ekivalen dc dan ac
o Untuk itu perlu dipahami notasi yang digunakan pada
masing-masing rangkaian ekivalen tersebut.
o (Huruf besar) untuk kuantitas (dc), misalnya I, V.
o (Huruf kecil) untuk kuantitas (ac), misalnya. i, v

Universitas Batam
Transistor Bipolar

bi = dua dan polar = kutub

Bipolar = dua kutub
William Schockley pada tahun 1951
yang pertama kali menemukan
transistor bipolar.

Universitas Batam
Dasar Penguat Transistor

o Pembahasan penguat transistor akan menggunakan

ekivalen dc dan ac
o Untuk itu perlu dipahami notasi yang digunakan pada
masing-masing rangkaian ekivalen tersebut.
o (Huruf besar) untuk kuantitas (dc), misalnya I, V.
o (Huruf kecil) untuk kuantitas (ac), misalnya. i, v

Universitas Batam
 Transistor Amplifier Dasar
• Ini jumlah primer juga akan memerlukan identifier
subscript (misalnya apakah arus basis atau arus
kolektor?).
• Untuk D.C. tingkat subscript ini akan menjadi huruf
besar.
• Kami akan menggunakan kasus subscript rendah
untuk a.c. yang sinyal bit (Misalnya. ib).
• Dan subscript huruf besar untuk total waktu sinyal
yang berbeda-beda (yaitu ac bit sinyal ditambah bias
dc) (Misalnya. iB). Ini akan menjadi kurang umum
 Transistor Amplifier Dasar
ib

0
+
IB

iB
 Transistor Amplifier Dasar
• Ini adalah konvensi untuk mengacu semua
tegangan transistor ke terminal 'umum'.
• Jadi, dalam konfigurasi CE kita akan menulis
VCE untuk dc tegangan kolektor emitor dan
VBE untuk DC tegangan basis emitor.
 Karakteristik umum Emitor

• Untuk saat ini kita mempertimbangkan

perilaku DC dan menganggap bahwa kita
bekerja dalam rezim amplifier linier
normal dengan persimpangan BE bias
maju dan persimpangan CB reverse bias
 Karakteristik umum Emitor

Membicarakan transistor sebagai node saat

ini :
IE  IC IB
• Juga:
IC αIE  Ico
 Karakteristik umum Emitor
• Oleh karena itu :

IC  α ΙC IB)  ICO
Setelah memberikan penataan ulang.

    ICO 
IC   IB   
   1- α 
 Karakteristik umum Emitor
• Tentukan emitor umum rasio lancar transfer 

 α 
Seperti : β 
1 α 

 ICO 
IC  βIB   
 1- α 
 Karakteristik umum Emitor
• Karena saturasi balik saat ini diabaikan istilah
kedua di sisi kanan persamaan ini biasanya
dapat diabaikan (meskipun (1 - α) kecil)
• Demikian

IC  βIB
 Karakteristik umum Emitor
• Kami mencatat, secara sepintas bahwa, jika β dapat
dianggap sebagai konstan untuk transistor diberikan
maka

ic  βib
• Untuk praktis (non-ideal) transistor ini hanya berlaku
pada bias tertentu (operasi) titik.
 Karakteristik umum Emitor
• Sebuah perubahan kecil dalam α
menyebabkan perubahan jauh lebih besar
dalam ß yang berarti bahwa ß dapat bervariasi
secara signifikan, bahkan dari transistor ke
transistor dari jenis yang sama.
• Kami harus mencoba dan memungkinkan
untuk variasi dalam desain sirkuit.
 Karakteristik umum Emitor

Contohnya ;
α = 0.98, β = 49
α = 0.99, β = 99
α = 0.995, β =199
 Karakteristik umum Emitor

•  juga dikenal sebagai hFE dan mungkin

muncul di lembar data dan di beberapa buku
seperti itu
• Untuk lembar data jenis transistor yang
diberikan dapat menentukan rentang nilai 
 Karakteristik umum Emitor
• Perilaku transistor dapat diwakili oleh arus-
tegangan (IV) kurva (disebut kurva
karakteristik perangkat).
• Sebagaimana dicatat sebelumnya dalam
emitor umum (CE) konfigurasi input adalah
antara basis dan emitor dan output adalah
antara kolektor dan emitor.
 Karakteristik umum Emitor
• Oleh karena itu kita dapat menarik masukan
karakteristik (merencanakan basis IB saat ini
terhadap tegangan basis-emitor VBE) dan
• karakteristik keluaran (merencanakan kolektor
Ic saat ini terhadap tegangan kolektor-emitor
VCE)
 Karakteristik umum Emitor
• Kita akan menggunakan kurva karakteristik
secara ekstensif untuk memahami:
• Bagaimana transistor beroperasi sebagai
penguat linear untuk a.c. sinyal.
• Kebutuhan untuk menempatkan di a.c. yang
sinyal pada DC tingkat Bias.
• Hubungan antara transistor dan sirkuit di
mana ia ditempatkan.
 Karakteristik umum Emitor

• Setelah dasar-dasar ini dipahami kita akan

memahami:
• Mengapa kita dapat mengganti transistor
dengan sinyal kecil (ac) rangkaian ekuivalen.
• Cara untuk memperoleh a.c. sederhana
rangkaian ekivalen dari kurva karakteristik.
• Beberapa keterbatasan rangkaian ekuivalen
sederhana kami.
IDEAL CE INPUT (Base) Karakteristik
IDEAL CE INPUT (Base) Karakteristik
• Plot dasarnya bahwa dari dioda bias maju.
• Dengan demikian kita dapat mengasumsikan VBEVBE
 0.6 V saat merancang dc bias sirkuit.
• Kita juga dapat menganggap segala sesuatu yang kita
ketahui tentang perlawanan dioda tambahan ketika
berasal a.c. sirkuit setara.
• Dalam kasus 'non-ideal' IB akan sedikit berbeda
dengan VCE. Kebutuhan ini bukan urusan kami.
IDEAL CE INPUT (Himpunan)
Karakteristik
 IDEAL CE INPUT (Himpunan)
Karakteristik
Hindari
daerah
saturasi ini
di mana
kita
mencoba
untuk bias
maju kedua
persimpang
an
 IDEAL CE OUTPUT

Hindari cut-off ini daerah di mana kami mencoba

untuk membalikkan bias kedua persimpangan (IC
sekitar 0)
 IDEAL CE INPUT (Himpunan)
Karakteristik
• Plot semua sejajar dengan sumbu VCE (yaitu IC
tidak tergantung pada VCE)
• Kurva ketat mematuhi IC = βIB
• khususnya IC = 0 dimana IB = 0.
• Kami akan bekerja dengan karakteristik yang
ideal dan kemudian mendasarkan a.c. kami
Model rangkaian ekuivalen atasnya.
ACTUAL CE OUTPUT karakteristik
IB =
 ACTUAL CE OUPUT karakteristik
• Fitur terpenting adalah:
• Kemiringan terbatas plot (IC tergantung pada
VCE)
• Sebuah batas terhadap daya yang dapat tdk
teratur.
• Kurva tidak sama spasi (yaitu β bervariasi
dengan arus basis, IB).
 ACTUAL CE OUPUT karakteristik
• Anda akan mendapatkan untuk mengukur
kurva ini di laboratorium.
• Ada juga lembar PSPICE "analisis sweep DC
dan karakteristik transistor" untuk membantu
membantu Anda memahami.
 END of Study
Thank you

Universitas Batam