SEMIKONDUKTOR

KONDUKTOR
• Tembaga adalah salah satu jenis konduktor yang baik
• Nukleus atom tembaga mengandung 29 proton. Dan dalam kondisi netral,
atom tembaga memiliki 29 elektron yang mengelilingi nukleusnya dalam
susunan 2 8 18 1
 KONDUKTOR
• Proton pada nukleus cenderung menarik elektron yang mengelilinginya
• Tetapi karena elektron bergerak mengelilingi nukleus sehingga menghasilkan
gaya sentrifugal
• Idenya mirip satelit yang mengelilingi bumi. Pada kecepatan dan ketinggian
tertentu, satelit dapat tetap berada pada orbit yang stabil diatas bumi
• Semakin besar orbit dari elektron, maka semakin kecil tarikan dari
nukleusnya
 KONDUKTOR

Atom Tembaga Diagram inti atom Tembaga

 KONDUKTOR
• Karena tarikan antara inti atom dan elektron valensi lemah, sebuah gaya
tertentu dari luar bisa dengan mudah membuat elektron keluar dari atom
tembaga
• Oleh sebab itu, elektron valensi sering disebut sebagai Elektron Bebas
• Inilah alasan mengapa Tembaga merupakan konduktor yang baik
• Sedikit tegangan yang diberikan dapat menyebabkan elektron lompat
keluar dari suatu atom menuju atom lainnya
• Contoh konduktor yang baik adalah : Tembaga (Cu), Silver (Ag), Emas (Au)
 SEMIKONDUKTOR
• Konduktor yang baik seperti Tembaga, Silver, dan Tembaga memiliki 1 buah
elektron valensi, sementara Isolator yang baik memilik 8 elektron valensi.
• Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan properti elektrikal antara
konduktor dan isolator
 SEMIKONDUKTOR
Germanium (Ge)
• Germanium adalah salah satu contoh semikonduktor
• Germanium memiliki 4 elektron valensi
• Beberapa tahun yang lalu, Germanium adalah material satu-satunya yang
digunakan untuk membuat device semikonduktor hingga pada akhirnya
mulai digantikan oleh Silikon yang dianggap lebih stabil
 SEMIKONDUKTOR
Silikon (Si)
• Selain Oksigen, Silikon adalah elemen yang paling melimpah di bumi
• Dikarenakan ada kendala pada proses pemurnian, menyebabkan Silikon
belum digunakan pada masa-masa awal Semikonduktor
 SEMIKONDUKTOR
Silikon (Si)

Atom Silikon Diagram inti atom Silikon

 SEMIKONDUKTOR
Silikon (Si)
• Atom-atom Silikon yang bergabung dan
membentuk benda padat disebut
Kristal +4 +4 +4
• Setiap atom berbagi elektron valensi
dengan atom lain disekitarnya dan Ikatan kovalen
membentuk Ikatan Kovalen
Elektron valensi

• Dalam sebuah Kristal Silikon terdapat +4 +4

miliaran atom Silikon
+4

• Setiap atom pada kristal Silikon memiliki

8 elektron valensi.
• Kristal Silikon dianggap sebagai isolator
yang baik pada suhu ruangan sekitar +4 +4 +4

25°C
 SEMIKONDUKTOR
Hole
• Suhu ruangan yang diatas absolute zero (0o K atau -273o C) dapat
menyebabkan atom-atom dalam Kristal Silikan bervibrasi.
• Semakin besar suhunya, maka semakin besar vibrasinya
• Dalam sebuah Kristal Silikon, vibrasi atom dapat menyebabkan lepasnya
elektron valensi.
• Lepasnya elektron ini menyebabkan terbentuknya Hole pada orbit yang
ditinggalkan elektron.
• Perilaku Hole ini mirip seperti muatan positif, sebab lepasnya elektron pada
sebuah atom menyebabkan terbentuknya ion positif.
• Hole akan menarik dan menangkap elektron lain disekitarnya
• Kristal Silikon yang murni memiliki jumlah hole dan elektron yang sama
 SEMIKONDUKTOR INTRINSIK
• Semikonduktor intrinsik adalah
semikonduktor murni.
• Kristal Silikon adalah Semikonduktor
Intrinsik bila setiap atomnya adalah
atom Silikon.
• Apabila diberi tegangan, elektron (-)
dari kristal akan keluar menuju kutub
positif (+) dari sumber tegangan,
Sementara elektron (-) pada kutub
negatif sumber tegangan akan
menuju bagian kanan kristal
 SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK
• Salah satu cara untuk meningkatkan konduktivitas
semikonduktor adalah melalui Doping. Pentavalent
• Doping adalah proses penambahan beberapa
atom tertentu pada kristal intrinsik untuk mengubah
konduktivitas.
• Proses Doping :
• Kristal Silikon dicairkan untuk memecah ikatan
kovalen Trivalent
• Untuk menambah jumlah elektron, atom
pentavalent ditambahkan. Misalnya : Arsenik
(As), Antimon (Sb), dan Fosfor (P)
• Sedangkan untuk menambah jumlah hole, atom
trivalent ditambahkan. Misalnya : Aluminimum
(Al), Boron (B), dan Galium (Ga)
 SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK

Pentavalent
+4 +4 +4

Elektron
Atom donor bebas
As

+4 +5 +4

+4 +4 +4
 SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK

+4 +4 +4

Hole
Atom akseptor
In

+4 +3 +4
Trivalent

+4 +4 +4
 SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK
Tipe N
• Semikonduktor Tipe N adalah
semikonduktor yang diberi doping
atom pentavalent. Dimana N berarti
Negatif
• Karena jumlah elektron bebas lebih
banyak dari hole, maka elektron
bebas disebut muatan mayoritas,
sedangkan hole disebut muatan
minoritas
 SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK
Tipe P
• Semikonduktor Tipe P adalah
semikonduktor yang diberi doping
atom trivalent. Dimana P berarti
Positif
• Karena jumlah hole lebih banyak
dari elektron bebas, maka hole
disebut muatan mayoritas,
sedangkan elektron bebas disebut
muatan minoritas
 UNBIASED DIODE
• Sebuah kristal dapat diberi doping sedemikian hingga setengahnya menjadi
semikonduktor tipe P, dan setengahnya lagi menjadi semikonduktor tipe N.
• Kristal dengan sebuah sisi berupa semikonduktor tipe P dan sisi lainnya
berupa semikonduktor tipe N ini disebut juga Dioda Junction. Dan batas
antara semikonduktor tipe P dan N disebut PN Junction.
 UNBIASED DIODE
Lapisan Depletion
• Karena saling bertolakan satu sama lain, elektron – elektron bebas pada sisi
N cenderung menyebar ke segala arah dan beberapa diantaranya
melewati junction menuju sisi P
• Ketika elektron memasuki wilayah P, elektron tersebut menjadi pembawa
muatan minoritas. Elektron-elektron ini kemudian bergabung dengan hole.
Sehingga hole akan hilang dan elektron-elektron tersebut menjadi elektron
valensi.
• Setiap kali sebuah elektron meninggalkan wilayah N menyebakan sebuah
atom pentavalent kekurangan satu muatan negatif dan menjadi ion positif.
Dan elektron tersebut akan ditangkap oleh atom trivalent pada wilayah P
sehingga menyebabkan atom tersebut menjadi ion negatif.
 UNBIASED DIODE
Lapisan Depletion
• Setiap pasangan ion positif dan negatif pada junction disebut dipole.
Terbentuknya dipole berarti bahwa 1 elektron dan 1 hole telah hilang.
• Semakin banyak dipole terbentuk, wilayah didekat junction menjadi wilayah
yang tidak bermuatan dan membentuk lapisan penipisan (Depletion Layer)
 UNBIASED DIODE
Lapisan Depletion
• Setiap dipole memiliki sebuah medan listrik antara ion positif dan ion negatif
• Sehingga ketika elektron mencoba memasuki lapisan depletion, medan listrik akan
mendorong elektron kembali ke wilayah N. Semakin sering elektron mencoba
melewati lapisan depletion, maka semakin kuat medan listrik tersebut
 UNBIASED DIODE
Barrier Potential
• Medan listrik diantara tiap ion ekuivalen dengan suatu perbedaan potensial yang
dinamakan Barrier Potential
• Pada suhu 25o C, nilai Barrier Potential (VB) adalah sekitar 0.3 V untuk dioda
germanium dan 0.7 V untuk dioda silikon
 FORWARD BIAS
• Sumber tegangan negatif
terhubung dg tipe N, dan sumber
tegangan positif terhubung dg tipe
P. Jenis hubungan ini disebut
Forward Bias
• Pada gambar disamping sumber
tegangan (baterai) mendorong
elektron bebas menuju junction
• Jika tegangan baterai kurang dari
barrier potential, elektron bebas
tidak memiliki cukup energi untuk
menembus lapisan depletion
• Sehingga tidak ada arus yang
melewati dioda
 FORWARD BIAS
• Sumber tegangan negatif
terhubung dg tipe N, dan sumber
tegangan positif terhubung dg tipe
P. Jenis hubungan ini disebut
Forward Bias
• Pada gambar disamping sumber
tegangan (baterai) mendorong
elektron bebas menuju junction
• Jika tegangan baterai lebih dari
barrier potential, elektron bebas
memiliki cukup energi untuk
menembus lapisan depletion dan
menyatu dengan hole
• Sehingga ada arus kontinyu yang
melewati dioda
 FORWARD BIAS
• Elektron bebas meninggalkan kutub
negatif baterai dan memasuki
bagian dioda paling kanan
• Kemudian menyusuri wilayah N
hingga sampai pada junction.
Apabila tegangan baterai lebih dari
0.7 V (dioda silikon), maka elektron
mampu melewati lapisan depletion
menuju wilayah P dan menyatu
dengan hole
• Dengan kata lain elektron bebas
menjadi elektron valensi
 FORWARD BIAS
• Elektron valensi terus lompat ke kiri
dari satu hole ke hole yang lain
• Ketika elektron bergerak melewati
bagian paling kiri dioda, hole akan
muncul lagi dan prosesnya akan
diulang kembali.
• Karena ada miliaran elektron
melakukan perjalanan yang sama,
maka akan terbentuk arus kontinyu
yang melalui dioda
• Resistor digunakan untuk membatasi
jumlah arus tersebut
 REVERSE BIAS
• Kutub negatif baterai terhubung
dengan sisi P dan kutub positif
baterai terhubung dengan sisi N.
Jenis hubungan ini disebut Reverse
Bias
• Kutub negatif baterai menarik hole,
dan kutub positif baterai menarik
elektron bebas, sehingga hole dan
elektron bebas bergerak menjauhi
junction, sehingga lapisan depletion
melebar
 REVERSE BIAS
• Ketika hole dan elektron bebas
menjauhi junction, ion-ion yang
terbentuk meningkatkan perbedaan
potensial pada lapisan depletion
• Semakin lebar lapisan depletion,
semakin besar perbedaan
potensialnya
• Lapisan depletion berhenti melebar
ketika perbedaan petensialnya
sama dengan tegangan reverse
dari baterai. Ketika hal ini terjadi,
hole dan elektron bebas berhenti
menjauhi junction
 REVERSE BIAS
Arus Pembawa Minoritas
• Ingat bahwa, energi panas secara
kontinyu menyebabkan vibrasi
sehingga menciptakan elektron
bebas dan hole.
• Kita asumsikan bahwa energi panas
menyebabkan terciptanya 1 buah
elektron bebas dan 1 buah hole di
dekat junction seperti gambar
disamping
 REVERSE BIAS
Arus Pembawa Minoritas
• Kemudian lapisan depletion
mendorong elektron bebas ke
kanan pada wilayah N, sehingga
sebuah elektron keluar dari sisi
kanan dioda.
• Hole pada lapisan depletion
didorong ke kiri. Sehingga
tambahan 1 hole pada wilayah P ini
menyebabkan 1 elektron memasuki
bagian kiri dioda dan menyatu
dengan hole.
 REVERSE BIAS
Arus Saturasi
• Nah, karena energi panas secara
kontinyu menyebabkan terciptanya
pasangan elektron dan hole
didalam lapisan depletion, maka
sedikit arus secara kontinyu mengalir
pada rangkaian.
• Arus reverse yang disebabkan oleh
terciptanya pembawa muatan
minoritas akibat energi panas ini
disebut Arus Saturasi (Saturation
Current)
 REVERSE BIAS
Arus Saturasi
• Saturasi berarti kita tidak bisa
menciptakan arus selain dari energi
panas.
• Dengan kata lain, menaikkan
tegangan reverse tidak akan
meningkatkan jumlah pembawa
muatan minoritas
 REVERSE BIAS
Arus Permukaan
• Selain disebabkan oleh energi
panas, aliran arus juga dapat
terbentuk pada permukaan kristal
akibat ketidakmurnian atau
ketidaksempurnaan struktur kristal
• Arus ini disebut Arus Permukaan
(Surface-leakage Current)
 BREAKDOWN
• Dioda memiliki batas tegangan reverse
maksimal yang dapat ditahan sebelum rusak.
• Apabila tegangan reverse terus dinaikkan,
maka tegangan breakdown (Breakdown
Voltage) dioda akan tercapai.
• Kebanyakan dioda, tegangan
breakdownnya sebesar 50 V.
• Ketika tegangan breakdown tercapai,
sejumlah pembawa muatan minoritas
(elektron dan hole) tiba-tiba terbentuk pada
lapisan depletion
• Pembawa muatan minoritas ini disebabkan
oleh efek avalanche (Avalanche Effect)
 BREAKDOWN
• Ketika tegangan dinaikkan, pembawa muatan minoritas bergerak lebih
cepat dan bergesekan dengan atom-atom pada kristal
• Dan apabila pembawa muatan minoritas ini memiliki cukup energi, maka
dapat membuat elektron valensi atom-atom tersebut terlepas sehingga
terbentuk elektron bebas dan hole baru (pembawa muatan minoritas).
• Pembawa muatan minoritas baru ini bergabung dengan pembawa muatan
minoritas yang lain dan bergesekan dengan atom-atom lain.
• Proses ini bersifat geometris karena 1 elektron bebas melepaskan 1 elektron
valensi dari orbitnya sehingga terbentuk 2 elektron bebas. 2 elektron bebas
ini melepaskan 2 elektron valensi lagi sehingga terbentuk 4 elektron bebas.
Proses ini berlanjut hingga arus reverse menjadi besar.
BREAKDOWN
 LEVEL ENERGI
• Energi total dari sebuah elektron dipengaruhi
oleh ukuran orbitnya.
• Setiap radius orbit ekuivalen dengan level
energinya
• Elektron dalam orbit paling kecil berada
pada level energi pertama, sedangkan
elektron dalam orbit kedua berada pada
level energi kedua, dst.
 LEVEL ENERGI
• Karena elektron pada dasarnya ditarik oleh
nukleus, maka diperlukan energi untuk
memindahkannya ke orbit yang lebih besar
• Ketika elektron dipindahkan dari orbit
pertama ke orbit kedua, elektron tersebut
mendapatkan energi potensial tambahan
• Beberapa gaya yang dapat memindahkan
elektron ke level energi yang lebih besar
adalah : suhu, cahaya, tegangan
 LEVEL ENERGI
• Ketika suatu gaya dari luar memindahkan
elektron dari suatu orbit ke orbit yang lebih
tinggi, maka elektron tersebut memiliki energi
potensial yang lebih tinggi karena jarak
elektron terhadap nukleus menjadi lebih jauh
 LEVEL ENERGI
• Setelah dipindahkan ke orbit (level energi)
yang lebih tinggi, elektron dapat kembali lagi
ke level energi yang lebih rendah.
• Jika itu terjadi, maka elektron akan
melepaskan ekstra energi dalam bentuk
panas, cahaya, dan radiasi lainnya.
• Suatu tegangan yang diberikan pada
sebuah LED (Light-Emitting Diode) dapat
memindahkan beberapa elektron ke level
energi yang lebih tinggi. Ketika turun kembali,
elektron-elektron tersebut akan melepaskan
radiasi cahaya
 LEVEL ENERGI
• Ketika sebuah atom silikon diisolasi, orbit dari
sebuah elektron hanya dipengaruhi oleh
muatan-muatan dari atom itu sendiri,
sehingga level energinya seperti ditunjukkan
pada gambar disamping
• Namun ketika atom-atom silikon berada
dalam sebuah kristal, orbit setiap elektron
juga dipengaruhi oleh muatan-muatan dari
atom-atom silikon lainnya.
• Setiap elektron memiliki posisi yang berbeda-
beda didalam sebuah kristal sehingga
orbitnya juga berbeda. Dengan kata lain,
level energinya juga berbeda
 LEVEL ENERGI
• Semua elektron pada orbit pertama memiliki
sedikit perbedaan level energi karena
posisinya berbeda dan pengaruh muatan
disekitarnya juga tidak sepenuhnya sama.
• Karena ada miliaran elektron pada orbit
pertama, level-level energi elektron yang
sedikit berbeda ini membentuk kluster yang
disebut pita (band) energi.
• Hal yang sama juga terjadi pada orbit kedua,
dst
 LEVEL ENERGI
• Seperti yang kita tahu, energi panas
menyebabkan terbentuknya elektron bebas
dan hole.
• Hole berada pada pita valensi, sedangkan
elektron bebas menuju level energi yang
lebih tinggi yaitu, pita konduksi seperti yang
terjadi pada gambar disamping
 LEVEL ENERGI
Pita Energi tipe N
• Pembawa muatan mayoritas
adalah elektron bebas yang berada
pada pita konduksi
• Pembawa muatan minoritas adalah
hole yang berada pada pita valensi
• Ketika switch ditutup, pembawa
muatan mayoritas (elektron bebas)
bergerak ke kiri, sedangkan
pembawa muatan minoritas (hole)
bergerak ke kanan.
 LEVEL ENERGI
Pita Energi tipe P
• Pembawa muatan mayoritas
adalah hole yang berada pada pita
valensi
• Pembawa muatan minoritas adalah
elektron bebas yang berada pada
pita konduksi
• Ketika switch ditutup, pembawa
muatan mayoritas (hole) bergerak
ke kanan, sedangkan pembawa
muatan minoritas (elektron bebas)
bergerak ke kiri.
 BARRIER POTENTIAL DAN SUHU
• Suhu junction (junction temperature) adalah suhu didalam sebuah dioda,
tepatnya pada PN junction.
• Suhu lingkungan (ambient temperature) adalah suhu udara disekitar dioda
• Ketika dioda berkonduksi (mengalirkan muatan), suhu junction lebih tinggi
dibandingkan suhu udara
• Barrier Potential bergantung pada suhu junction.
• Meningkatnya suhu junction menyebabkan terbentuknya elektron bebas
dan hole. Ketika muatan-muatan ini menembus lapisan depletion, lapisan ini
menipis. Hal ini menunjukkan bahwa ada sedikit Barrier Potential pada suhu
junction yang lebih tinggi
 BARRIER POTENTIAL DAN SUHU
∆ = Perubahan pada
∆𝑉= Perubahan pada Tegangan
∆𝑇= Perubahan pada Suhu
Barrier Potential dari sebuah dioda silikon berkurang 2 mV untuk setiap
derajat Celsius yang bertambah

∆𝑉
= −2 𝑚𝑉/𝑜C ∆𝑉 = (−2 𝑚𝑉/𝑜C)∆𝑇
∆𝑇
 BARRIER POTENTIAL DAN SUHU
• Apabila sebuah barrier potential sebesar 0.7 V pada suhu ruangan 25o C,
berapakah barrier potential dari dioda silikon ketika suhu junctionnya 100o C
dan 0o C ?
• ketika suhu junctionnya 100o C • ketika suhu junctionnya 0o C
∆𝑉 = (−2 𝑚𝑉/𝑜C)∆𝑇 ∆𝑉 = (−2 𝑚𝑉/𝑜C)∆𝑇
= (−2 𝑚𝑉/𝑜C)(100𝑜C − 25𝑜C) = (−2 𝑚𝑉/𝑜C)(0𝑜C − 25𝑜C)
= − 150 𝑚𝑉 = − 50 𝑚𝑉
𝑉𝐵 = 0.7 𝑉 − 0.15 𝑉 𝑉𝐵 = 0.7 𝑉 − 0.05 𝑉
= 0.55 𝑉 = 0.75 𝑉
 DIODA BIAS REVERSE
Arus Transient
• Ketika tegangan reverse naik, hole dan elektron bergerak menjauhi junction.
Sehingga terbentuk ion-ion yang menyebabkan lapisan depletion melebar.
• Semakin besar tegangan reversenya, maka semakin lebar lapisan
depletionnya.
• Nah, ketika lapisan depletion ini melebar, sejumlah arus mengalir pada
rangkaian. Arus ini disebut arus transient (Transient Current).
• Arus transient akan turun menjadi nol setelah lapisan depletion berhenti
melebar.
 DIODA BIAS REVERSE
Arus Saturasi Reverse
• Seperti yang dijelaskan sebelumnya,
forward-biasing pada dioda dapat
menipiskan lapisan depletion dan
menyebabkan elektron bebas
mampu menembus junction.
• Reverse-biasing memiliki efek
sebaliknya : melebarkan lapisan
depletion dengan menjauhkan hole
dan elektron bebas dari junction.
 DIODA BIAS REVERSE
Arus Saturasi Reverse
• Nah misalkan energi panas
menyebabkan terbentuknya hole
dan elektron bebas dalam lapisan
depletion pada dioda reverse bias
• Karena bias reverse, maka elektron
bergerak ke kanan dan mendorong
elektron paling kanan keluar dari
dioda.
• Hole juga bergerak ke kiri dan
menarik elektron untuk masuk
• Pergerakan elektron dan hole ini
menimbulkan Arus Saturasi Reverse
 DIODA BIAS REVERSE
Arus Saturasi Reverse
• Semakin tinggi suhu junction,
semakin besar arus saturasinya.
𝑃𝑒𝑟𝑠𝑒𝑛 ∆𝐼𝑆 = 100% 𝑢𝑛𝑡𝑢𝑘 𝑠𝑒𝑡𝑖𝑎𝑝 10𝑜C
• Apabila perubahan suhu dibawah
10oC, maka gunakan

𝑃𝑒𝑟𝑠𝑒𝑛 ∆𝐼𝑆 = 7% 𝑢𝑛𝑡𝑢𝑘 𝑠𝑒𝑡𝑖𝑎𝑝 1𝑜C

 DIODA BIAS REVERSE
Silikon vs Germanium
• Pada atom silikon, jarak antara pita valensi dan pita konduksi disebut Energy
Gap.
• Ketika energi panas menyebabkan terbentuknya elektron bebas dan hole,
elektron valensi memerlukan cukup energi untuk lompat menuju pita
konduksi
• Semakin besar Energy Gap, maka semakin sulit bagi energi panas untuk
menghasilkan pasangan elektron-hole. Sehingga silikon memiliki Energy Gap
yang besar.
• Ini berarti bahwa energi panas tidak dapat menghasilkan banyak elektron-
hole pada suhu normal
DIODA SEMIKONDUKTOR
 1. DIODA TANPA BIAS
 Dioda adalah salah satu komponen elektronika yang
dibuat dari bahan semikonduktor.
 Dioda dibuat dari penyambungan semikonduktor tipe N
dan P
1.1 LAPISAN PENGOSONGAN

Potensial barier pd
lapisan pengosongan
sebesar 0,7 V untuk
silikon dan 0,3 V
untuk germanium
2. DIODA BIAS MAJU
Proses aliran elektron saat dibias maju
3. DIODA BIAS MUNDUR
4. GRAFIK KARAKTERISTIK DIODA
• Saat dioda dibias balik, jika tegangan catu
mencapai tegangan breakdown sekitar 50 V, maka
akan terjadi aliran arus yg besar yang membuat
dioda menajdi rusak.
 SIMBOL DAN STRUKTUR DIODA

Menurut bahan semikonduktor ada 2 jenis

dioda
1. Dioda Silikon
2. Dioda Germanium
Dioda dengan bias Maju

Dioda dengan bias

Negatif
Macam Macam Dioda
1. Dioda Umum
2. Dioda khusus

 Dioda Umum

 Yang dimaksud dioda umum adalah dioda yang

dipergunakan dalam rangkaian rangkaian sederhana dan
biasanya berfungsi sebagai perata atau pembatas arus
listrik.

 Dioda umum ini dalam operasinya dapat bekerja bila diberi

arus bolak balikatau searah
Arus listrik yang melewati dioda sebagian akan dilewatkan
baik tegangan positifnya maupun tegangan negatifnya
tergantung cara pemasangannya
 5. RESISTANSI DC DIODA

• Karena kurva karakteristik dioda tidak linier, maka resistansi dioda berbeda-
beda antara satu titik operasi dengan tititk operasi lainnya.
 • Contoh :

Tentukan resistansi DC dioda

dengan kurva karakteristik
seperti pada gambar di samping
dengan :
a.) ID = 2 mA
b.) ID = 20 mA
c.) VD = -10 V

Jawab :
a.) Pada ID = 2 mA maka besarnya VD = 0.5 V, maka RD = VD / ID =
0,5/0,002 = 250 Ohm
b.) Pada ID = 20 mA maka besar VD = 0,8 V , maka RD = 40 Ohm.
 6. GARIS BEBAN DIODA
Garis beban digunakan untuk menentukan
nilai sebenarnya dari arus dan tegangan
dioda.
Untuk mendapatkan arus dan tegangan
yang sebenarnya pada dioda, maka
rangkailah dioda seperti gambar dibawah :

I = arus dioda
V = tegangan dioda
Vs = sumber tegangan
Rs = resistor pembatas arus
 Grafik garis beban dioda

Isat adl arus jenuh maksimum (saturasi) ,

terjadi saat tegangan dioda sama dengan 0
Vcut adl tegangan cut off, terjadi saat arus
dioda minimum (sama dengan 0).
Persamaan arus saturasi (Isat)

Persamaan tegangan cutoff (Vcut)

Titik kerja dioda (Q)

Titik Q disebut sebagai titik kerja dioda karena titik
ini merupakan arus yang melalui tahanan dan
dioda.
Titik Q dapat diperoleh dengan cara mencari titik
perpotongan antara grafik garis beban dan
kurva forward dioda
Titik kerja dioda (Q)
 PENDEKATAN DIODA / EKIVALEN DIODA
1. Dioda Ideal
Dioda ideal akan bersifat konduktor jika di beri
bias maju dan bersifat isolator jika diberi bias
mundur.

Ilustrasi dioda ideal

2. Pendekatan kedua
Sebelum dioda konduk dengan baik, dibutuhkan
tegangan sebesar 0,7 V (silikon).
Jika tegangan sumber besar, maka tegangan
offset ini tidak menjadi masalah, tp jika tegangan
sumber kecil maka tegangan offset perlu
diperhitungkan.

Ilustrasi pendekatan kedua dioda

3. Pendekatan ketiga
Pada pendekatan ketiga, dioda mulai konduk
ketika telah mencapai tegangan offset dan
tegangan selanjutnya muncul pada tahanan
dioda.
Karena tahanan dioda linear, maka tegangan
naik secara linear mengikuti kenaikan arus.

Ilustrasi pendekatan ketiga

Contoh soal
1. Sesuai dengan rangkaian dioda dibawah
ini, jika diketahui tegangan sumber (Vs)
adalah 2 Volt dan tahanan pembatas
arus (Rs) = 100 ohm , maka carilah :
a). Persamaan arus (I) dioda
b). Gambarkan garis bebannya
c). Jika tegangan dioda sebesar 0,7 V , berapa
arus yang mengalir pada rangkaian
dioda tersebut ?
2. Jika diketahui rangkaian seperti diatas
memiliki arus saturasi sebesar 30 mA dan
tegangan cutoff 9 V, berapa besarnya
nilai tahanan Rs yang menyebabkan arus
menajdi saturasi ?
TERIMA KASIH