Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya

Sabtu, 22 Juli 2017

Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor

STUDI PENGGUNAAN LAPISAN TIPIS OKSIDA GRAFENA

TEREDUKSI SEBAGAI ELEKTRODA LAWAN PADA SEL
SURYA TERSENSITISASI WARNA

IIP HANIFAH, FITRI YULIASARI, FITRILAWATI, NORMAN SYAKIR, ANNISA APRILIA*

Departemen Fisika,
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Padjadjaran
Jl. Raya Bandung-Sumedang Km 21, Jatinangor 45363

Abstrak. Lapisan tipis oksida grafena tereduksi (r-GO) dengan konsentrasi 1 mg/ml
telah berhasil dibuat dan digunakan sebagai elektroda lawan pada sel surya tersensitisasi
warna (DSSC-dye sensitized solar cell). Lapisan r-GO tersebut dideposisi di atas substrat
FTO (Fluorine-doped Tin Oxide ) menggunakan teknik spin-coating, kemudian direduksi
pada suhu 200°C selama 1 jam. Untuk mempelajari perannya sebagai elektroda lawan
pada DSSC, maka dilakukan pembuatan divais dengan struktur FTO/TiO 2/Ruthenium/r-
GO /FTO.Karakterisasi rapat arus-tegangan (J-V) dalam kondisi disinari menggunakan
lampu LED (intensitas 36,5 mW/cm2) dilakukan untuk mempelajari peran dari lapisan r-
GO sebagai elektroda lawan. Sebagai bahan pembanding turut difabrikasi divais tanpa
elektroda lawan ataupun yang menggunakan logam platina (Pt). Dari hasil pengukuran
diperoleh nilai efesiensi terbesar pada r-GO sebagai elektroda lawan adalah sebesar
3,34 % dengan nilai Jsc=3,43 mA/cm2, Voc=0,65V dan FF=54,77%. Untuk mengetahui
peranan r-GO sebagai elektroda lawan dilakukan perhitungan dengan menggunakan
persamaan dioda ideal sehingga didapatkan nilai Rs, Rp, dan faktor ideal (n) adalah 5
Ωcm2 , 950 Ωcm2 dan 2,303.

Kata kunci : oksida grafena, reduksi termal, dssc, titanium dioksida, karakteristik rapat
arus-tegangan

Abstract. Thin film of reduced graphene oxide (r-GO) with consentration 1 mg/mL has
successfully been made and used as DSSC counter electrode. The r-GO film was
deposited onto FTO subtrate with spin coating method, then this FTO subtrate was
reduced at 200°C for 1 hour. To learn its characteristic as DSSC counter electrode, a
device was made with structure of FTO/TiO2/Ruthenium/rGO/FTO. Characterization of
current density-voltage (J-V) in condition illuminated by LED lamp (intensity of 36,3
mW/cm2 ) was done to learn the characterstic of r-GO thin film as counter electrode. As
comparing material, a device was fabricated without counter electrode or Pt. The result
of the measurement has shown that the highest value of effesiency of r-GO as counter
electrode is 3,34% with Jsc= 3,43 mA/cm2 , Voc = 0,65 V and FF =54,77%. Calculating
was conducted by using equation of ideal diode to know the performance of r-GO as
counter electrode. Consequently, obtained value of Rs, Rp, and ideal factor (n) are 5
Ωcm2 , 950 Ωcm2 and 2,303.

Keywords : graphene oxide, thermal reduce, dssc, titanium oxide, characteristic current
density-voltage

*
email : a.aprilia@phys.unpad.ac.id
1
2 ISSN : 2477-0477

1. Pendahuluan
Dye-Sensitized Solar Cell (DSSC) atau dalam bahasa Indonesia dikenal sebagai
sel surya tersensitisasi warna adalah sel surya fotoelektrokimia yang
menggunakan elektrolit sebagai medium transport muatan [1]. DSSC pada
umumnya tersusun atas sepasang elektroda yaitu elektroda kerja dan elektroda
lawan (counter electrode), yang terbuat dari Transparent Conductive Oxide
(TCO). Elektroda kerja (atau disebut dengan fotoanoda) tersusun atas lapisan
oksida partikel nano yang dilapisi oleh molekul zat pewarna (dye) sensitasi.
Molekul dye berfungsi sebagai penangkap foton cahaya dan partikel nano
semikonduktor berfungsi menyerap dan meneruskan foton menjadi elektron.
Counter electrode (atau disebut dengan katoda) berfungsi sebagai katalis dalam
reaksi reduksi ion triiodida (I3-) menjadi ion iodida (I-) [2].

Bahan elektroda lawan (counter electrode) yang digunakan biasanya berupa

karbon atau Platina (Pt). Platina (Pt) merupakan material yang paling banyak
digunakan dalam pembuatan elektroda lawan serta lebih efesien dalam aplikasi
pada DSSC.Walaupun mempunyai kemampuan katalitik yang tinggi, dan
memiliki efesiensi yang tinggi, platina merupakan material yang mahal serta sulit
untuk didapatkan. Sebagai alternatif, Kay dan Gratzel (pada tahun 1996)
mengembangkan desain DSSC dengan menggunakan counter electrode karbon
sebagai lapisan katalis. Elektroda tesebut memiliki konduktivitas tinggi (resistansi
5Ω/ persegi untuk tebal setiap lapisan 50 mμ) dan memiliki luas permukaan yang
tinggi sehingga counter electrode karbon mempunyai keaktifan reduksi triiodida
yang menyerupai elektroda platina [3].

Salah satu elektroda lawan sebagai pengganti Pt yaitu grafena, yang mana grafena
memiliki nilai Modulus Young sebesar 1 Tpa (150.000.000 psi), kekuatan
instrinsik 130 Gpa [4], konduktivitas termal hingga 5.300 Wm-1K-16 [5] dan
mempunyai luas permukaan spesifik : 2.630 m2g-1 [1].Dari keunggulan tersebut
grafena banyak diaplikasikan sebagai elektroda, sensor, superkapasitor, divais
fotoelektrik, dan field effet transistors (FETs) [5].

Untuk menghasilkan grafena yang lebih perspektif yaitu berasal dari oksidasi
grafena (Graphene oxide, GO) melalui metode oksidasi kimia dan reduksi termal
atau reduksi kimia [6]. Proses reduksi GO menjadi Reduced Graphene Oxide (r-
GO) dapat dilakukan dengan menghilangkan kandungan oksigen pada GO dan
memperkuat ikatan-π atau ikatan kovalen dan berstruktur HCP (Hexagonal
Closed Pack) [6]. Alasan r-GO dijadikan sebagai elektroda lawan karena memiliki
beberapa sifat yaitu RGO dengan ketebalan ~10 nm pada subtrat TCO memiliki
nilai resistansi listrik yang rendah (~0,84 kΩ/sq), transparansi 78 % pada panjang
gelombang 550 nm, konduktivitas film tipis sekitar 1.190 S/cm, memiliki surface-
to-volume ratio tinggi, mobilitas pembawa muatan yang tinggi, dan memiliki
aktivitas katalitik yang baik [7].
Dengan keunggulan sifat yang dimilikinya, grafena dapat dijadikan sebagai salah
satu alternatif elektroda lawan pengganti Pt pada DSSC, jenis grafena yang
digunakan adalah r-GO. Oleh sebab itu, dalam studi penelitian ini akan dilakukan
 Iip Hanifah dkk 3

fabrikasi sel surya tersensitisasi warna dengan menggunakan r-GO sebagai

elektroda lawan.

2. Metode Penelitian
Subtrat Fluorine-doped Tin Oxide (FTO) berukuran 2x2 cm dicuci dengan
menggunakan teepol dan dibilas dengan aquades kemudian dilanjutkan proses
pembersian dengan ethanol, dan isopropanol secara berurutan menggunakan
ultrasonic bath masing-masing selama 10 menit. Setelah itu FTO dikeringkan
dengan kompresor.

Pembuatan fotoanoda dimulai dengan proses pelapisan pasta TiO2 T/SP (solaronix
SA) menggunakan teknik screen printing dengan 2 kali pelapisan pada substrat
FTO dan dilakukan pula pelapisan TiO2 MC/SP (solaronix SA) setelah pasta TiO2
mengalami pemanasan hingga 500C selama 30 menit. Larutan dye yang
digunakan yaitu jenis ruthenium N719 (solaronix SA) sebanyak 10,4 mg yang
dilarutkan pada 5 mL ethanol dan dicampurkan dengan chenodeoxycolicacid 0,1
gr yang sebelumnya telah dilarutkan pada ethanol 5 mL, setelah proses
pencampuran kemudian ditambahkan ethanol 2,5 mL. Setelah itu fotoanoda
direndam ke dalam dye selama ±24 jam. Setelah proses perendaman selesai,
fotoanoda diangkat dan dibilas dengan acetronitrile untuk menghilangkan sisa
partikel dye yang tidak diserap. Larutan GO (Grafenea, SA ES A 75022608)
konsentrasi 1 mg/ml disonikasi selama 1 jam untuk mengelupas (exfoliated) GO
menjadi lembaran-lembaran GO yang terdispersi di dalam air menggunakan
ultrasonic bath dengan menjaga suhunya tetap pada kondisi ruang. Kemudian
larutan GO dideposisi pada subtrat FTO menggunakan teknik spincoating. Untuk
mengubah GO menjadi r-GO melalui proses reduksi termal hingga suhu 200°C
selama 1 jam. Proses perakitan sel surya dilakukan dengan menggunakan surylin
(solaronix SA) dengan ketebalan 25 m sebagai pemisah antara fotoanoda dan
elektroda lawan. Elektrolit mosalite (solaronix SA) selanjutnya diinjeksikan
melalui lubang yang terdapat pada elektroda lawan, setelah elektrolit masuk ke
dalam sel surya kemudian lubang ditutup dengan tape bening.

Untuk mengetahui kinerja divais DSSC dilakukan pengukuran arus tegangan

melalui rangkaian I-V menggunakan sumber tegangan DC (Yokagawa GS 200)
yang diintegrasikan dengan multimeter digital (Yokagawa 7555) dan sumber
lampu LED dengan intensitas daya yang dipancarkan sebesar 36,5 mW/cm2

3. Hasil dan Pembahasan

Pengujian arus dan tegangan dilakukan melalui pengukuran rangkaian I-V untuk
mengetahui performasi DSSC. Nilai efesiensi DSSC sangat bergantung pada nilai
arus short circuit (Isc), tegangan open circuit (Voc), dan fill factor (FF). Kinerja
pada DSSC hasil pengukuran arus dan tegangan direpresentasikan melalui grafik
1.
4 ISSN : 2477-0477

Rapat arus (mA/cm2)

1.5

-0.5
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

-2.5

-4.5
Tegangan (V)

Terang FTO Gelap FTO Gelap rGO

Terang rGO Terang Pt Gelap Pt

Grafik 1. Pengukuran rapat arus-tegangan untuk FTO, rGO dan Pt sebagai elektroda
lawan DSSC

Tabel 1. Performansi DSSC dengan elektroda lawan yang berbeda

Faktor
Elektroda Voc Jsc FF Eff Rs Rp
Pmax ideal
lawan (V) (mA/cm2 ) (%) (%) (Ωcm2) (Ωcm2)
(n)
FTO only 0,55 1,41 0,36 46,71 0,99 5 1.250 2,172
r-GO 950 2,303
0,65 3,43 1,22 54,77 3,34 5
(1mg/mL)
Pt 0,60 2,18 0,84 64,44 2,31 5 12.550 2,690

Tabel 1 menunjukan bahwa nilai Jsc, Pmax, dan efesiensi terbesar dihasilkan oleh
sel surya dengan elektroda lawan r-GO. Hasil tersebut menunjukan bahwa r-GO
memiliki performa yang baik dibandingkan dengan sel surya yang menggunakan
elektroda lawan FTO only dan Pt. Dari hasil pengukuran sel surya dengan
menggunakan berbagai macam elektroda lawan dapat diketahui bahwa dengan
menggunakan r-GO sebagai elektroda lawan memiliki efesiensi yang lebih besar
yaitu 3,34% dibandingkan dengan elektroda lawan Pt sebesar 2,31%. Hasil
pengukuran tersebut menunjukan bahwa r-GO bisa melebihi nilai efesiensi pada
elektroda lawan Pt sehingga r-GO bisa dijadikan sebagai pengganti dari Pt sebagai
elektroda lawan. Besarnya efesiensi yang dihasilkan oleh r-GO, dipengaruhi oleh
proses fabrikasi. Pada sel surya tanpa menggunakan elektroda lawan yaitu FTO
only dihasilkan efesiensi yang kecil dibandingkan r-GO dan Pt yaitu sebesar
0,99%, hal ini disebabkan pada FTO only ketika proses reaksi reduksi triiodide
terjadi reaksi yang sangat lambat karena tidak terdapat katalis yang dibutuhkan
untuk mempercepat proses reaksi reduksi triiodide sehingga menghasilkan rapat
arus dan efesiensi yang sangat kecil. Sedangkan pada r-GO dan Pt menghasilkan
efesiensi yang lebih besar dari pada FTO only, karena Pt dan r-GO berfungsi
sebagai katalis untuk mempercepat reaksi redoks dengan elektrolit sehingga
efesiensi yang dihasilkan akan lebih baik dari FTO only. Dari hasil tersebut dapat
disimpulkan bahwa penggunaan elektroda lawan pada DSSC sangat berpengaruh
 Iip Hanifah dkk 5

terhadap performa DSSC, sehingga dengan penggunaan elektroda lawan pada

DSSC membantu dalam proses mempercepat reaksi reduksi karena kecepatan
reaksi reduksi pada elektroda lawan sangat penting untuk keberlangsungan proses
konversi energi matahari menjadi energi listrik dibandingkan tanpa menggunakan
elektroda lawan (FTO only).

Performansi DSSC bisa diakibatkan oleh beberapa faktor yaitu dari proses
fabrikasi, dan persambungan antar lapisan. Pengaruh parameter-parameter
tersebut pada karakteristik I-V dari sel surya dapat dipelajari dengan
menggunakan rangkaian ekivalen, dimana sel surya dimodelkan sebagai sumber
arus yang diparalelkan dengan dioda. Dari persamaan dioda ideal, maka dapat
diperoleh nilai Rs dan Rp yang menggambarkan bagaimana karakteristik dari sel
surya tersebut. Berikut hasil fitting yang memperoleh nilai Rs dan Rp pada DSSC
yang direpresentasikan oleh grafik 2.

-0.5 0 100 200 300 400 500 600 700

Jsc (mA/cm2)

-1.5

-2.5

-3.5

-4.5
Tegangan (mV)

Hasil pengukuran r-GO Hasil fitting r-GO Hasil pengukuran FTO

Hasil fitting FTO Hasil pengukuran Pt Hasil fitting Pt

Grafik 2. Kurva arus-tegangan hasil fitting dan hasil pengukuran untuk FTO,r- GO
dan Pt sebagai elektroda lawan DSSC.

Berdasarkan tabel 1 menunjukan bahwa nilai fill factor dipengaruhi oleh nilai Rs
dan nilai Rp. Nilai Rs memberikan pengaruh yang lebih besar saat sel surya
beroperasi di daerah sumber tegangannya sedangkan nilai Rp berpengaruh saat sel
surya beroperasi di daerah sumber arus. Sel surya yang ideal adalah yang
memiliki nilai Rp yang sangat besar dan nilai Rs sangat kecil (Rs = 0 dan Rp = ∞
) [8]. Nilai Rs dipengaruhi oleh kualitas persambungan antar lapisan aktif dengan
elektroda sehingga salah satu dampaknya adalah nilai Rs yang besar dapat
menghasilkan nilai fill factor yang kecil dan dapat menghalangi proses koleksi
muatan sehingga menghasilkan nilai Isc yang rendah. Nilai Rs pada elektroda
lawan (FTO only, r-GO dan Pt) bernilai 5 Ωcm2 pada msing-masing elektroda
lawan sehingga hal ini menunjukan persambungan antar lapisan aktif dengan
elektroda tersebut sudah cukup baik sedangkan untuk nilai Rp terbesar dihasilkan
oleh elektroda lawan Pt yaitu sebesar 12.550 Ωcm2 .Nilai Rp yang besar pada
elektroda lawan Pt menunjukan arus kebocoran akibat dari proses fabrikasi yang
6 ISSN : 2477-0477

kurang baik dan dampak dari nilai Rp yang rendah menyebabkan kerugian daya
dalam sel surya.

4. Kesimpulan
Studi penggunaan lapian tipis oksida grafena tereduksi sebagai elektroda lawan
pada DSSC berhasil dibuat dengan menggunakan metode spin coating yang
kemudian direduksi pada suhu 200°C selama 1 jam. Dari hasil pengukuran arus
dan tegangan melalui rangkaian I-V diperoleh nilai efesiensi konversi sel surya
yaitu r-GO sebagai elektroda lawan adalah 3,34% dengan nilai Jsc=3,43 mA/cm2,
Voc=0,65V dan FF=54,77%. Sel surya dengan Pt sebagai elektroda lawan
memberikan nilai efisiensi sebesar 2,31%, Jsc= 3,43 mA/cm2, Voc=0,60V, FF=
64.44%. Hasil pengukuran tersebut menunjukan bahwa r-GO berpotensi menjadi
elektroda lawan pengganti Pt sebagai elektroda lawan. Hal ini ditunjukan oleh
nilai Rs dan Rp pada r-Go dengan nilai Rs 5 Ωcm2 dan Rp 950 Ωcm2. Nilai Rs
yang kecil menunjukan kualitas persambungan anatar lapisan aktif dengan
elektroda sudah cukup baik dan nilai Rp yang rendah menyebabkan kerugian daya
dalam sel surya. Selain itu, DSSC yang tanpa elektroda lawan (FTO only)
menghasilkan efisiensi sebesar 0,99%, Jsc=1,41 mA/cm2,Voc= 0,55V,
FF=42,82%. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa peran elektroda lawan
pada DSSC membantu dalam proses mempercepat reaksi reduksi karena
kecepatan reaksi reduksi pada elektroda lawan sangat penting untuk
keberlangsungan proses konversi energi matahari menjadi energi listrik.

Ucapan terima kasih

Terima kasih kami sampaikan kepada Program Studi Fisika Fakultas Matematika
dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Padjadjaran yang telah memfasilitasi
dalam penelitian dan ibu Dr. Anissa Aprilia M.Si serta Fitri Yuliasari S.Si yang
telah membantu dan memberikan masukan selama penelitian ini.

Daftar Pustaka
[1] Yuliasari, Fitri.Aplikasi Oksida Grafena Tereduksi Sebagai Elektroda
lawan Pada Sistem Divais Sel Surya. Skripsi (2017).
[2] Retnaningsih, Lilis, M. Lia. & N, A Putri. Analisis Hasil Sintesis Serbuk
`TiO2 /ZnO sebagai Lapisan Ektroda untuk Aplikasi Dye-Sensitized Solar
Cell, Jurnal Elektronika dan Telekomunikasi Vol.15, No. 2, ISSN 1411-
8289.
[3] .http://repostory.usu.ac.id/bitsream/123456789/50250/4/Chapter%2520II/
Pdf diakses pada 28 Juni 2017.
[4] Marcelina,Vika. Pembuatan dan Karakteristik Oksida Grafena Tereduksi
Sebagai Material Elektroda Superkapasitor,Skripsi (2017).
[5] Perkasa,Bayu M. Maryati,Y. Nurlina,R.Syakir, N. & Fitrilawati.Pengaruh
Proses Reduksi Termal Terhadap Struktur Oksida Grafena, Prosiding
Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya (2016), FM-01,ISSN 2477-0477.
 Iip Hanifah dkk 7

[6] Cruz,Rui. Tanaka,P,A.& M. Adelio.Reduced Graphene Oxide Films as

Transparant Counter-Elektrodes for Dye-Sensitized Solar Cells, Journal
Solar Energi 86 (2012)716-724.
[7] Zhao,Jijun. Liu, L. & Li, Fen. Graphene Oxide : Physics and Applications,
E-Book (2015).
[8] A. Karnia, & S. Satwika. Studi Karakteristik Arus-Tegangan (Kurva I-V)
pada Sel Tunggal Polikristal Silikon serta Pemodelannya, Prosiding
Pertemuan Ilmiah XXI HFI Jateng & DIY.