Anda di halaman 1dari 4

Nila Wulan Sari (M0207048)

Penguapan atau evaporasi adalah proses perubahan molekul di dalam keadaan cair (contohnya air) dengan spontan menjadi gas (contohnya uap air). Proses ini adalah kebalikan dari kondensasi. Umumnya penguapan dapat dilihat dari lenyapnya cairan secara berangsur-angsur ketika terpapar pada gas dengan volume signifikan. Rieviw dari artikel Sistem Pengendali Untuk Pembuatan Lapisan Tipis dengan Cara Evaporasi Termal dalam Vakum Hendriyanto Haditjahyono Abstrak Penelitian ini bertujuan untuk mengoptimalkan performance dari peralatan yang digunakan dalam pembuatan lapisan tipis (film), yang meliputi catu daya evaporator, pengukur tekanan, pengukur temperatur dan pengukur tebal lapisan tipis, agar dapat bekerja secara terintegrasi dan terkendali. Beberapa hal yang dilakukan dalam penelitian ini adalah mendisain dan membuat rangkaian pengendali temperatur, memperbaiki rangkaian pengukur tekanan, serta memodifikasi rangkaian catu daya evaporator agar dapat dikendalikan secara otomatis oleh pengukur laju evaporasi. Pada akhir penelitian ini: 1. Temperatur lapisan tipis (film) selama evaporasi dapat dijaga konstan pada temperatur tertentu yang diinginkan dengan fluktuasi 5 %. 2. Tekanan ruang vakum dapat diukur menggunakan sebuah pengukur tekanan, baik untuk mengukur tekanan yang lebih besar dari 10-3 mbar dengan metode termal maupun tekanan yang lebih kecil dari 10-3 mbar dengan metode ionisasi. Pergantian dua metode pengukuran tekanan tersebut berlangsung secara otomatis. 3. Laju evaporasi, proses pemanasan awal (pre deposisi) dan tebal akhir lapisan tipis yang diinginkan dapat diprogram sebelumnya. Daya listrik yang diberikan catu daya ke evaporator diatur sepenuhnya oleh rangkaian pengendali. Oleh karena proses pembuatan lapisan tipis dengan cara evaporasi termal ini bekerja secara otomatis maka kualitas lapisan tipis yang dihasilkannya akan lebih baik dan bersifat repetitif.

Fenomena Sputtering Permukaan bahan padat ketika ditembaki oleh partikel-partikel berenergi tinggi, maka atom-atom permukaan bahan padat akan memperoleh energi yang cukup tinggi untuk melepaskan diri dan terhambur dari permukaannya (Konuma,1992). Ketika ion-ion berenergi mendekati permukaan zat padat yang biasa disebut target, maka terjadi semburan dari elektron atom-atom atau molekul permukaan target akibat perpindahan momentum yang berasal dari tembakan oleh partikel plasma berenergi tinggi (seperti ion), yang disebut elektron sekunder. Ion tersebut mungkin terpendam dalam target yang disebut implantasi ion. Ion lain mungkin dipantulkan dan akan dinetralkan. Tumbukan ion dapat berperan untuk penyusunan kembali struktur dalam material target. Tumbukan tersebut dapat membentuk deret tumbukan antar atom dalam target, yang mengakibatkan penyemburan atom-atom target. Proses penyemburan ini dikenal sebagai sputtering (Chirag ,2003) Keunggulan metode spputering dibanding dengan metode yang lain adalah (1) proses lebih cepat, (2) bersih, karena proses dilakukan di ruang vakum, (3) dapat menghasilkan lapisan tipis dari bahan yang mempunyai titik leleh tinggi, (4) hampir semua bahan padat, seperti semikonduktor, logam, logam paduan dan keramik dapat ditumbuhkan, (5) mempunyai daya lekat yang lebih kuat, sehingga dapat memperpanjang umur pemakaian komponen yang dibuat, (6) ketebalan lapisan dapat dikontrol dengan tepat. Proses sputtering mulai terjadi ketika dihasilkan lucutan listrik dan gas argon secara listrik menjadi konduktif karena mengalami ionisasi. METODE DC MAGNETRON Teknik deposisi lapisan tipis paling sederhana adalah dengan metode dc magnetron sputtering. Metode ini menggunakan catu daya searah (dc) tegangan tinggi yang menghasilkan medan listrik antara katoda dan anoda. Gas argon sering digunakan sebagai bahan pembentuk plasma, karena gas argon mempunyai massa lebih berat dan mudah terionisasi dari pada gas-gas mulia lain seperti neon (Ne), helium (He), xenon (Xe) dan kripton (Kr). Gas argon dan nitrogen yang melalui ruang antara elektroda dipecah oleh medan listrik tinggi menjadi plasma yang mengandung elektron (e-), ion Ar, ion N dan atom N. Ion-ion positif Ar dan N dipercepat oleh medan listrik menuju elektroda negatif (katoda), sehingga ion-ion positif menumbuk atom-atom permukaan target yang dipasang di atas anoda. Ion-ion penumbuk memiliki energi sangat besar sehingga atom-atom permukaan target

terlepas dari permukaan target terhambur ke segala arah. Atom-atom target yang terpental menempel pada permukaan substrat sehingga membentuk film tipis. Kelemahan metode dc magnetron sputtering secara umum ialah lapisan film tipis yang dihasilkan memiliki kualitas kurang baik dari metode lain. Metode dc magnetron sputtering yang memiliki kelebihan diantaranya (1) lapisan yang Terbentuk mempunyai komposisi yang serupa dengan bahan target, (2) kualitas, struktur dan keseragaman hasil lapisan dikendalikan oleh tingkat homogenitas target, (3) mempunyai rapat arus yang besar sehingga memungkinkan terjadinya laju deposisi yang tinggi, (4) lapisan yang terbentuk mempunyai kekuatan rekat yang tinggi terhadap permukaan substrat, dan (5) biaya operasional lebih murah dibandingkan metode yang lain. DC SPUTTERING Sistem Sputtering yang umumnya digunakan dalam proses deposisi lapisan tipis antara lain : Sputtering DC, RF Sputtering, Sputtering magnetron. Sistem Sputtering yang paling sederhana adalah Sputtering DC yang terdiri atas sepasang elektroda plat sejajar, anoda dan katoda. Mekanisme dari sistem Sputtering DC yaitu misalnya material yang akan dilapisi (substrat) diletakkan pada daerah glow discharge sedangkan target (source) bertindak sebagai katoda. Ion positif argon dipercepat kearah katoda untuk membentuk potensial negatif. Atom-atom pada material di katoda dibombardir dengan energi yang tinggi sehingga menyebabkan molekul target pecah dan terpental dari katoda dan menempel pada substrat sehinnga membentuk lapisan tipis. Metode sputtering seperti ini disebut DC Sputtering atau Cathode Sputtering. Metode ini ini hanya dapat dipakai untuk deposisi metal atau material yang bersifat konduktor. Lapisan tipis SnO2 dapat berfungis sebagai sensorgas CO. Akan tetapi masih kurang stabil terhadap waktudan selektivitas dan sensitivitas terhadap gas masih kurang.Dalam penelitian ini digunakan metode Sputtering DC dan telah dicoba mevariasikan parameter waktu deposisi sputtering, variasi pendinginan paska sputtering dan variasi suhu operasi penyensoran. hasil terbaik didapat dari parameter waktu deposisi 2jam, pendinginan 3jam dan suhu operasi 250oC. Dari penelitian ini

dihasilkan sensor dengan kestabilan terhadap waktu yang relatif konstan pada nilai 38,85 4 k/sheet. Selektivitas terhadap gas CO lebih baik serta sensitivitas dengan gradien 4,1863(%R/R)/ppm gas CO. RF SPUTTERING Metode ini digunakan untuk bahan yang bersifat isolator dimana material yang tidak dapat dideposisi dengan metode DC Sputtering karena percepatan potensial tidak dapat digunakan secara langsung pada permukaan isolator. Ini mencegah penetralan muatan positif yang menumpuk pada permukaan selama ion dibombardment. Masalah ini bisa diatasi dengan menggunakan tegangan bolak balik pada frekuensi radio 13.56 MHz. Karena menggunakan frekuensi tinggi selama proses maka disebut RF Sputtering. Penumbuhan kristal CuInSe 2 yang digunakan sebagai material target dengan metode Bridgman, pendeposisian sistem p-n junction CuInSe2 multilayer ZnO dengan teknik RF sputtering dan karakterisasinya. Deposisi dilakukan dengan tingkat kevakuman mencapai 3,510-5 mbar, dengan tekanan argon sebesar 310-2 mbar, tegangan self bias 1075 V, daya RF 200 W dan jarak elektroda 20 mm. Tegangan anoda ambang sebesar -10 V diberikan pada proses sputtering untuk mengoptimalkan sifat masing-masing lapisan, serta mampu menaikkan daya pada proses sputtering sebesar ~ 24,4 %. Hasil XRD menunjukkan bahwa kristal CuInSe2 yang terbentuk berstruktur tetragonal khalkopirit dengan konstanta kisi a = 5,77278 dan c = 11,61888 . Dari Hasil XRD diketahui bahwa lapisan CuInSe2 multilayer telah terdeposisi pada substrat kaca dengan konstanta a = 5,67355 dan c = 11,57093 . Berdasarkan uji FPP lapisan CuInSe multilayer merupakan semikonduktor tipe -p dengan hambatannya (1,41 0,03)102 ? dan nilai resistivitasnya (1,63 0,04) ? cm. Dari uji Spektrofotometer UV-vis diketahui bahwa lapisan CuInSe 2 multilayer merupakan absorber yang baik pada panjang gelombang 300nm 500nm. Pengamatan EDX memperlihatkan CuInSe 2 multilayer terdeposisi di atas kaca dengan perbandingan molaritas Cu:In:Se adalah 0,35:0,93:2. Dari hasil SEM diperoleh ketebalan lapisan sebesar (1,441 0,005) m dengan laju deposisi sebesar 0,720610-1 m/menit.