BAB 3

METODE PENELITIAN

3.1 Waktu dan Tempat Penelitian

Penelitian ini akan dilaksanakan dari bulan Februari hingga Juni 2022 di
laboratorium Fisika Material Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu
Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang.

3.2 Jenis Penelitian

Jenis penelitian ini akan menggunakan penelitian eksperimen langsung
yang akan dilakukan di laboratorium Fisika Material Jurusan Fisika, Fakultas
Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang.

3.3 Rancangan Penelitian

Penelitian ini memiliki enam tahap, yaitu persiapan alat dan bahan,
pembuatan sol gel ZnO doping ganda Ti-Cu, persiapan substrat, deposisi film tipis,

Alat dan Karakterisasi Film Tipis

Mulai Bahan (XRD, SEM-EDX,
Spektofotometer UV-Vis

Proses
Annealing Analisis Hasil
Penelitian

Persiapan Deposisi
Substrat Film Tipis Penulisan Hasil dan
Pembahasan

Selesai
proses annealing, dan karakterisasi film tipis ZnO doping ganda Ti=Cu. Berikut
merupakan rancangan alur penelitian ini.

Pembuatan Sol Gel ZnO Doping Ganda Ti-Cu

Y
N
3.3.1 Alat dan Bahan
Alat yang digunakan dalam penelitian ini, yaitu spin coating, spatula, hot
plate, magnetic stirrer, furnace, pinset, cawan petri, timbangan digital, mistar,
cutter glass, ultrasonic bath, beaker glass, suntikan, botol kaca ± 50 𝑚𝐿 dan gelas
ukur. Material yang harus disiapkan sebagai bahan prekursor ZnO doping ganda
Ti-Cu, yaitu Zink asetat dihidrat (Merck, 99.5%), Copper(II) acetat monohidrat
(Merck, 99.5%), Thiourea (Loba Chemie, 99%). Pelarutnya akan menggunakan 2-
Propanol (Merck, 99.8%) serta mono ethanolamine (99%). Kemudian substratnya
menggunakan kaca preparat (Sail Brand). Sedangkan untuk mencuci substrat akan
menggunakan methanol.

3.3.2 Pembuatan Sol Gel ZnO Doping Ganda Ti-Cu

Pembuatan larutan prekursor menggunakan serbuk Zinc acetate dehydrate
(Zn (CH3COO) 2.2H2O), Copper acetate monohydrate (Cu (CH3COO) 2.H2O),
titanium oxide (TiO2), propanol (CH3CH2CH2OH), dan ethanolamine (C2H7NO)
dari Merck. Larutan sol dibuat dengan melarutkan zinc acetate dehydrate (Zn
(CH3COO) 2.2H2O) ke dalam pelarut isopropanol yang kemudian diaduk
menggunakan magnetic stirrer dengan suhu 60o C. Setelah 10 menit sehingga kira-
kira larutan telah homogen, langkah selanjutnya adalah menambahkan 1% copper
acetate monohydrate (Cu (CH3COO) 2.H2O) dengan waktu pencampuran 10
menit. Seperti langkah sebelumnya, menambahkan 1% titanium oxide (TiO2) ke
dalam larutan dan mengaduknya kembali dengan magnetic stirrer selama 60 menit,
lalu larutan prekursor ditambahkan ethanolamine stabilizer dan diaduk kembali
selama 60 menit. Sebelum di deposisi, sol gel ZnO doping ganda Ti-Cu didiamkan
selama 24 jam pada suhu ruang.
3.3.3 Persiapan Substrat
Substrat yang digunakan pada deposisi film tipis ZnO doping ganda Ti-Cu
adalah preparate glass. Hal ini dikarenakan bahan transparan kaca preparat yang
dilapisi lapisan tipis ZnO memiliki lintasan optik yang lebih lebar. Proses preparasi
substrat kaca preparat meliputi pemotongan substrat dengan ukuran (1𝑥1)𝑐𝑚2 .
Selanjutnya, substrat tersebut dicuci dengan cara direndam dengan aseton untuk
menghilangkan kotoran yang menempel pada permukaan kaca selama 15 menit
dalam ultrasonic bath. Kemudian dilanjutkan dengan merendam substrat dalam
methanol selama 5 menit di ultrasonic bath. Setelah proses pencucian selesai,
permukaan substrat disemprot gas nitrogen untuk mempercepat proses
pengeringan.

3.3.4 Deposisi film Tipis ZnO Doping Ganda Ti-Cu

Deposisi film tipis ZnO doping ganda Ti-Cu dilakukan dengan metode spin
coating. Langkah awal sebelum deposisi yaitu memastikan bahwa spinner dalam
keadaan bersih dan memanaskan substrat terlebih dulu pada suhu 120 oC selama 10
menit agar pori-pori substrat terbuka sehingga lebih mudah dalam proses pelapisan.
Langkah-langkah untuk deposisi film tipis ZnO doping ganda Ti-Cu adalah:

a. Menempatkan substrat kaca preparat di tengah spinner.

b. Menutup substrat dengan penutup serta mengatur lubang tengah supaya tepat di
atas kaca preparat.
c. Menghubungkan alat spinner dengan sumber daya dan mengatur kecepatan
rotasi spinner hingga 3400 rpm.
d. Menghidupkan vakum agar substrat tidak jatuh ketika diputar dengan kecepatan
tinggi.
e. Menyuntikkan 0.1 mL sol gel film tipis ZnO doping ganda Ti-Cu di atas
substrat.
f. Memulai spin coating dengan menekan tombol start selama 15 detik.
g. Mengakhiri proses spin dengan menekan tombol off.
h. Mengambil substrat dengan pinset dan membersihkan spinner seperti keadaan
semula.
3.3.5 Proses Annealing Film Tipis ZnO Doping Ganda Ti-Cu
Proses annealing dimulai dengan preheating dengan menaikkan suhu
hingga 300o C dan menahannya selama 15 menit. Dilanjutkan dengan proses
thermal holding dengan suhu 350o C selama 2 jam. Setelah itu, menurunkan suhu
secara pelan hingga mencapai suhu ruang. Adapun untuk proses annealing ini
menggunakan variasi suhu 350o C, 400o C, 450o C, 500o C, dan 550o C.

3.4 Karakterisasi Film Tipis ZnO Doping Ganda Ti-Cu

Karakterisasi digunakan untuk menganalisis sifat suatu material baik secara
fisika maupun kimia. Adapun karakterisasi yang digunakan dalam penelitian ini,
yaitu X-Ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy-Energy Dispersive
X-Ray(SEM-EDX), dan spektrofotometer UV-Vis.

3.4.1 X-Ray Diffraction (XRD)

X-Ray powder diffraction (XRD) merupakan metode yang digunakan untuk
mengidentifikasi fasa-fasa kristal suatu material/bahan (Yusran, 2021 & Dowais et
al., 2021). Dengan menggunakan XRD juga memudahkan peneliti untuk
mengetahui komposisi, morfologi, dan kandungan bahan korosi seperti perunggu,
besi, dan perak (Quinn, 2019). Jenis sampel yang bisa diuji pada teknik ini berupa
lembaran serta serbuk. Khusus untuk sampel berbentuk kaca atau keramik dapat
diuji tanpa merusak/menghaluskan sampel.
 Gambar 3.2 Contoh alat XRD

Radiasi elektromagnetik dapat di difraksi oleh bidang atom hanya jika

setengah dari panjang gelombangnya kurang dari jarak antar atom (𝐷 ≤ 𝜆/2 ).
Ketika sinar sejajar di difraksi dari celah tunggal menyebabkan beda lintasan
sebesar 𝑑 𝑠𝑖𝑛 𝑠𝑖𝑛 𝜃 . Namun, jika sinar datang membentuk sudut, maka selisih
lintasannya adalah 2 𝑑 𝑠𝑖𝑛 𝑠𝑖𝑛 𝜃 . Radiasi sinar-X ini sesuai dengan hukum Bragg
seperti yang ditunjukkan oleh Gambar 3.3. Proses yang terjadi ketika bidang atom
bertindak sebagai difraksi celah dan memantulkan sinar-X ke segala arah menjadi
sinar pantul.

Gambar 3.3 Difraksi sinar-X pada kristal (Neelima, 2021)

Metode karakterisasi XRD berdasarkan hukum Bragg ditunjukkan dengan

persamaan (3.1)

2 𝑠𝑖𝑛 𝑠𝑖𝑛 𝑑 (ℎ𝑘𝑙) 𝑠𝑖𝑛 𝑠𝑖𝑛 𝜃 = 𝑛𝜆

(3.1)

dengan 𝜆 adalah panjang gelombang sinar-X yang digunakan, d (hkl) adalah jarak
antara dua kisi, 𝜃 adalah sudut antara sinar datang dengan bidang normal, n adalah
bilangan bulat sebagai orde refleksi Bragg. Dari persamaan hukum Bragg dapat
diketahui bahwa seberkas sinar-X yang dijatuhkan pada sampel kristal, maka
bidang kristal akan memantulkan sinar-X yang memiliki panjang gelombang sama
dengan jarak antar kisi dalam kristal tersebut. Puncak difraksi pada pola difraksi
sesuai dengan sinar-X yang didifraksikan dari suatu bidang kristal. Setiap puncak
memiliki ketinggian yang berbeda karena intensitas yang sebanding dengan jumlah
foton sinar-X atau energi tertentu yang terhitung oleh detector pada setiap sudut 2𝜃.
Semakin kecil tingkat simetri struktur kristal akan semakin tinggi puncak difraksi
suatu material (Christyaningsih & Diponegoro, 2020). Dari persamaan 3.1 juga
dapat diketahui jarak d yang mungkin ditentukan oleh indeks h, k, I. Hukum Bragg
diperoleh:

𝑠𝑖𝑛 𝑠𝑖𝑛 𝜃 = 𝜆/2𝑑

(3.2)

Kepadatan elektron tertinggi berada di sekitar atom. Bidang yang melalui

kerapatan elektron tinggi akan memantulkan intensitas yang kuat. Sebaliknya,
bidang dengan kerapatan elektron rendah akan memberikan intensitas yang lemah.
Intensitas maksimum yang dapat diamati dijelaskan oleh persamaan 3.3 berikut:

|𝑄| √ℎ2 +𝑘 2 +𝑙2

𝐼(𝑚𝑎𝑘𝑠) → 2𝜋 = (3.3)
𝑎

𝑑(ℎ𝑘𝑙) = 𝑎/√ℎ 2 + 𝑘 2 + 𝑙 2 (3.4)

Selain nilai d (hkl), nilai FWHM (Full Width at Half Maximum) juga
mempengaruhi besar ukuran kristal film tipis. Persamaan Scherrer (1) yang berlaku
adalah:

𝑘𝜆
𝐷 = 𝛽.𝑐𝑜𝑠𝜃 (3.5)

dengan k adalah tetapan Scherrer (k = 0.9), 𝜆 adalah panjang gelombang sinar-X

yang digunakan, yaitu katoda Co (𝜆 = 1.790 𝑛𝑚), 𝛽 merupakan FWHM (Full
Width at Half Maximum). Pada perhitungan persamaan ini, dipilih puncak-puncak
difraksi yang memiliki intensitas tertinggi dan sudut divergensi 2𝜃 ≥ 30o. Nilai
ukuran kristal dihitung dengan merata-ratakan nilai ukuran kristal setiap bidang
kristal yang dipilih (Scherrer et al., n.d.; Sinaga, 2020).

3.4.2 Scanning Electron Microscope-Energy Dispersive X-Ray(SEM-EDX),

Scanning electron microscopy (SEM) merupakan mikroskop yang

menggunakan sinar elektron dalam memindai objek dengan panjang gelombang
yang sangat pendek (1/1000 e cahaya tampak). Adapun hasil gambar yang
ditampilkan hanya memiliki warna hitam dan putih. Pengembangan SEM dilakukan
karena adanya keterbatasan perbesaran pada mikroskop cahaya. Dengan SEM
peneliti dapat melakukan perbesaran objek hingga 25.000 × (Debontridder, 2018).

SEM menghasilkan gambar dari suatu objek yang dipindai permukaannya

dengan berkas elektron yang sangat fokus. Dalam proses pemindaian ini melibatkan
interaksi antara elektron dengan atom suatu objek. Sinar monokromatik elektorn
dalam berkas berinteraksi dengan atom-atom dari spesimen menghasilkan sinyal
yang berisi informasi tentang topografi permukaan, komposisi, dan sifat listrik
lainnya, yang mana interaksi ini akan dideteksi dan diubah menjadi gambar. Desain
SEM sendiri mirip dengan confocal laser scanning microscope. SEM memiliki
salah satu menu yang disebut dengan Energy dispersive x-ray (EDX). Energy
dispersive x-ray (EDX)merupakan salah satu menu kesatuan yang ada dalam SEM
yang memberikan informasi tentang komposisi kimia dari sampel yang diujikan.
SEM-EDX dapat diaplikasikan untuk mempelajari specimen organic, seperti
sampel biologis, dan polimer (Girão et al., 2017).

Gambar 3.4 Desain scanning electron microscope (SEM) dan confocal

laser scanning microscope (Kaech, 2013).

Menurut (Sapti, 2019) kelebihan dan kekurangan SEM adalah sebagai

berikut:

Kelebihan SEM:

● Memberikan pencitraan 3D dan topografi yang jelas dan informatif.

 ● Instrumennya bekerja dengan cepat.
● SEM modern memungkinkan pembuatan data dalam bentuk digital.
● Sebagian besar sampel SEM memerlukan tindakan persiapan yang
sederhana.

Kekurangan SEM:

● Harga SEM mahal dan bentuknya yang besar.

● Memerlukan tenaga ahli dalam mengoperasikan alatnya.
● Jika kurang berhati-hati, persiapan sampel dapat menghasilkan artefak.
● SEM tidak dapat digunakan untuk sampel cair.
● SEM memberikan resiko kecil paparan radiasi yang terkait dengan
elektron yang menyebar dari bawah permukaan sampel.

3.4.3 Spektrofotometer UV-Vis

Spektrofotometer UV-Vis metode enalitik yang sederhana, fleksibel, non-

destruktif, dan murah. Spektrofotometer UV-Vis dapat digunakan untuk berbagai
senyawa organik dan beberapa bahan anorganik. Data yang diperoleh dari
spektroskopi UV-Vis dapat dimanfaatkan untuk mengukur celah pita
semikonduktor yang berguna dalam penelitian fotokatalis. Metode ini mengukur
absorbansi dan transmitansi cahaya yang melewati media sebagai fungsi dari
panjang gelombang 200-800 nm seperti yang ditunjukkan pada Gambar 3.5 (Rocha
et al., 2018).
 Gambar 3.5 Daerah spektrum UV-Vis (Caro & Claudia, 2017).

Spektrum absorbansi menunjukkan karakteristik film tipis terhadap panjang

gelombang yang melewati film tersebut. Nilai absorbansi film dapat diolah untuk
mencari nilai transmitansi film tipis. Data absorbansi yang didapatkan dapat
menunjukkan nilai celah pita. Adapun hubungan antara koefisien absorbansi
dengan nilai celah pita (Eg) pada semikonduktor dapat ditentukan menggunakan
metode Tauc’s plot sebagai berikut (Astuti et al., 2021).

1/2
[ℎ𝑣 ) = 𝐴(ℎ𝑣 − 𝐸𝑔) 3.6

dimana A adalah koefisien absorbsi, hv adalah energi foton, dan Eg adalah celah
pita.