pengertian

Deposisi uap secara fisik (PVD) adalah variasi lain dari deposisi secara vakum dan adalah istilah
umum yang digunakan untuk menggambarkan salah satu dari berbagai metode untuk mendeposito
film tipis dengan cara kondensasi uap material ke berbagai bentuk permukaan (misalnya, ke wafer
semikonduktor). Metode pelapisan hanya melibatkan proses fisik seperti proses penguapan pada
kondisi vakum disuhu tinggi atau ditembaki dengan plasma dan tidak menggunakan reaksi kimia
pada permukaan yang akan dilapisi seperti dalam deposisi uap secara kimia.

Physical Vapor Deposition (PVD)

Proses deposisi material secara langsung menggunakan fasa uap (physical vapor deposition) terdiri
atas beberapa metode di antaranya: evaporasi, sputtering, dan ion plating. Pada dasarnya pemilihan
material lapisan dapat berupa logam, alloy, semikonduktor, oksida logam, karbida, nitrida, cermet,
sulfida, selenida, telurida dan lain-lain.

Teknik PVD adalah suatu metode pelapisan teknologi modern. Teknik ini dilakukan dengan cara
menguapkan bahan pelapis secara fisik atau mekanik dan mengembunkan pada material yang akan
dilapisi (substrat) pada suhu tertentu dalam kondisi vakum. Pelapisan tersebut dapat menempel
dengan kuat serta mampu tersubstitusi dengan atom pada permukaan substrat

Physical Vapor Deposition (PVD), di mana material coating berbentuk padat (Solid) dengan
menggunakan ruang hampa udara. Dan dengan metode evaporasi atom logam, sputter dan metoda
pemboman ion, pada temperatur 500°C. yang dikenal dengan "Cold Process".

Devinisi PVD (Physical Vapor Deposition)

PVD merupakan proses pengendapan senyawa / unsur terjadi akibat peristiwa kondensasi fisika. PVD
digunakan untuk meningkatkan kekerasan dan daya tahan terhadap keausan, mengurangi efek
gesekan, dan meningkatkan daya tahan terhadap oksidasi. Mekanismenya target material ditembaki
dengan energi agar atom- atomnya lepas kemudian ditransferkan dan didepositkan pada material
yang ingin di lapiskan. Namun, PVD juga memiliki kelemahan yaitu beberapa proses memerlukan
tekanan dan temperatur yang tinggi, proses pada suhu yang tinggi memerlukan sistem pendinginan
yang mahal, dan biasanya kecepatan deposisi cukup lambat.

Physical Vapor Deposition (PVD)

Definisi : Physical Vapor Deposition adalah teknik untuk melapisi substrat dengan film
tipis. Bahan pelapis ini pada awalnya menguap dan kemudian terkondensasi di substrat.

Prinsip kerja

Prinsip Kerja: Dalam teknik physical vapor deposition, pada anoda dipasang substrat
dan pada katoda dipasang target (suatu bahan padat yang akan dideposisikan pada permukaan
substrat). Dalam teknik PVD pada umumnya digunakan gas argon untuk proses vakum. Ketika
ion-ion argon energi tinggi yang terbentuk dalam plasma bergerak ke arah target (katoda) dan
menembak permukaan target, atom-atom bahan target akan terpercik keluar. Atom-atom hasil
percikan tersebut akan memancar ke segala arah dan selanjutnya terdeposisi pada permukaan
substrat. Dua kejadian penting yang merupakan prinsip dasar PVD. Pertama yaitu terlemparnya
atom-atom dari permukaan target akibat adanya perpindahan energi oleh ion-ion penumbukan
berenergi tinggi. Terjadinya pertukaran momentum antara ion penumbuk dengan atom-atom
target pada PVD merupakan kejadian yang dapat menjelaskan proses terlemparnya atom-atom
tersebut. Kedua, dalam tabung akan terlihat adanya suatu kilapan cahaya (glow discharge) yang
merupakan terjadinya plasma secara kontinyu. Hal ini menunjukkan proses
pendeposisian/pelapisan sedang berlangsung dalam tabung tersebut.

Prinsip sputter coating

Cara kerja

Cara kerja Physical Vapor Deposition (PVD) meliputi tahapan evaporasi, transportasi, reaksi dan
deposisi.

1. Evaporasi

Pada tahap ini, sebuah target yang mengandung material yang ingin diendapkan, dibombardir
menjadi bagian-bagian kecil akibat sumber energi yang tinggi seperti penembakan sinar elektron.
Atom-atom yang keluar tersebut akhirnya menguap.

2. Transportasi

Proses ini secara sederhana merupakan pergerakan atom-atom yang menguap dari target menuju
substrat yang ingin dilapisi dan secara umum bergerak lurus.

3. Reaksi

Pada beberapa kasus pelapisan mengandung logam oksida, nitrida, karbida dan material sejenisnya.
Atom dari logam akan bereaksi dengan gas tertentu selama proses perpindahan atom. Untuk
permasalahan ini, gas reaktif yang mungkin adalah oksigen, nitrogen dan metana. Merupakan proses
terjadinya pelapisan pada permukaan substrat.

4. Deposisi

Beberapa reaksi terjadi antara logam target dan gas reaktif mungkin juga terjadi pada permukaan
substrat yang terjadi serempak dengan proses deposisi.

Jenis-jenis dari PVD yang terbaru adalah:

- Cathodic Arc Deposition: di mana busur daya tinggi dipanaskan pada material target untuk
membakar habis sebagian material sehingga menjadi uap yang sangat terionisasi.

- Electron beam physical vapor deposition: di mana material yang akan dideposit dipanaskan dengan
tekanan uap yang tinggi oleh penembakan elektron dalam keadaan vakum tinggi.

- Evaporative deposition: di mana material yang akan dideposit dipanaskan dengan tekanan uap yang
tinggi dengan pemanasan elektrik resistif dalam ruang hampa rendah.

- Pulsed laser deposition: di mana laser dengan daya tinggi mengikis material target dan hingga
menjadi uap.

- Sputter deposition: di mana lucutan pijar plasma (biasanya terjadi lokal di sekitar "target" oleh
magnet) menembaki material hingga sebagian berubah menjadi uap. PVD digunakan dalam proses
manufaktur barang termasuk perangkat semikonduktor, film PET aluminized untuk balon dan tas
makanan kecil,dan alat potong yang dilapisi untuk pengerjaan logam.
Pelapisan PVD dilakukan dalam ruang hampa dimana material pelapis dirubah ke fase uap dan
dideposisikan pada permukaan material dasar sehingga terjadi lapisan yang sangat tipis (thin film).
Terdapat 2 jenis mekanisme PVD

A. Evaporasi

Untuk proses evaporasi, zat yang akan diuapkan dipanaskan dalam wadah (ceramic crucible), boat
Tantalum (Ta) dan kawat spiral Wolfram dengan cara memberikan energi (arus listrik, berkas
elektron, laser arc discharger) pada temperatur yang tepat atau cocok. Panas yang dibebaskan atom
atau molekul meninggalkan permukaan material yang diuapkan dan membentuk sebuah lapisan
(coating) pada substrat atau dinding lingkungan. Proses evaporasi tersebut dilakukan dengan
menghubungkan dengan tekanan high vakum (HV, p <10-5 mbar = 10-3 Pa).

2. Sumber Evaporasi

Sumber-sumber evaporasi dapat dikelompokkan dengan metode penyuplai energi. Reaksi kimia
antara wadah (crucible) dan material evaporasi sangat mungkin untuk menghasilkan impuritas atau
pengotor dalam film atau merusak sumber evaporasi. Ada enam sumber evaporasi, yaitu (1) direct
resistive heating, (2) indirect resistive heating, (3) electron evaporator, (4) Arc discharge, dan (5) laser
evaporation atau laser ablation

a. Direct Resistive Heating

Beberapa unsur konduksi listrik yang menghasilkan tekanan uap  10-2 mbar (1 Pa) di bawah titik
lelehnya dapat dievaporasi dengan proses evaporasi atau penguapan. Material evaporasi dapat
berbentuk kawat atau batangan dan secara langsung dipanaskan dengan arus listrik tinggi. Metode
tersebut jarang digunakan karena material sumbernya terbatas (misalnya C, Cr, Fe, Mo, Ni, Pd, Rh,
Ti, Al)

b. Indirect Resistive Heating

Prinsip dari metode indirect resistive heating adalah meletakkan material evaporasi dalam container
(dikenal juga dengan boat), kawat spiral, wadah yang terbuat dari Wolfram (W), molibdenum (Mo),
tantalum (Ta), karbon, platina (Pt), BN, TiB2 yang dipanaskan dengan arus listrik yang tinggi.

c. Electron Evaporator

Dalam kasus ini material yang terevaporasi dipanaskan pada induksi fekuensi tinggi atau rendah.
Bagian dari densitas power tinggi yang digunakan juga tidak adanya reaksi yang terjadi antara
material evaporasi dan wadah dalam peralatan. Hal itu disebabkan material evaporasi disimpan
dalam wadah Cu yang didinginkan dengan air. Oleh karena itu, material yang kereaktifannya tinggi,
seperti Ta, Ti, Z dan logam refraktori (W, Mo, Pt, Rh) dapat dievaporasi.

d. Arc Discharge

Arc discharge menggunakan (Arc katoda Hollow, Arc voltase rendah, Arc thermionic) secara ekstrim
penting untuk proses ion plating.
e. Laser Evaporation atau Laser Ablation

Interaksi kontinu dari radiasi laser dengan materi dapat menghasilkan evaporasi termal. Pulsed Laser
Beam dapat membebaskan partikel dari padatan dengan mekanisme eksplosif.

Metode PVD dapat dilakukan dengan berbagai cara. Akan tetapi pada dasarnya dapat digunakan
teknik penguapan atau penyemburan. Pada proses penguapan dilakukan dengan cara memanaskan
material sumber dengan menggunakan berkas energi tinggi berupa elektron, ion, laser, tahanan,
induksi dan sebagainya dalam ruang vakum.

a. penguapan dalam ruang hampa (vacuum evaporation)

metode ruang hampa (vacuum evaporation) dibagi menjadi dua tipe:

Thermal Evaporation

1) Meletakkan material yang ingin diendapkan pada sebuah container.

2) Panaskan container tersebut hingga suhu yang tinggi.

3) Material pelapis menguap.

4) Uap dari material target tersebut bergerak dan menempel pada permukaan substrat.

5) Uap pelapis akan menurun suhunya sehingga akan mengeras dan melekat dipermukaan substrat

Electron Beam Evaporation

Teknik ini menyebabkan penguapan dari material oleh tembakan sinar elektron yang dipusatkan
pada permukaan dari material. Uap dari material tersebut akan terurai dan akan menuju permukaan
dari substrat. Dipanaskan pada tekanan uap yang tinggi oleh penembakan elektron pada keadaan
vakum.
Tak jauh berbeda dengan proses penguapan thermal yang membedakan adalah cara menghasilkan
uap logam yang dicontohkan oleh alumunium. Uap alumunium dihasilkan dari tembakan lectron
untuk mengeluarkan partikel lectron pada alumunium sehingga dapat dijadikan uap. Partikel lectron
alumunium akan membentuk endapan yang akan menyelimuti benda kerja.

Berikut Perbandingan antara Thermal Evaporation dan Electron Beam Evaporation dapat dijelaskan
melalui tabel dibawah ini.
Teknik PVD merupakan deposisi uap dengan menggunakan reaksi fisika. Metode PVD tersebut terdiri
atas (1) sputtering (DC atau FR), dan (2) pulsed laser deposition.

B. Sputtering (DC atau RF)

Prinsip metode ini adalah melepaskan atom-atom dari permukaan target yang ditembak (bombardir)
oleh partikel yang berenergi tinggi. Atom-atom dari permukaan target terlepas akibat ion yang
dipercepat menumbuk permukaan target dengan transfer momentum. Pada jenis sputtering model
planar digunakan dua alektroda, yaitu anoda dan katoda dengan posisi berhadapan dalam wadah
(chamber) vakum. Katoda dihubungkan dengan sumber radio frequency (RF) atau direct current (DC)
dengan tegangan bernilai negatif. Antara katoda dan anoda menghasilkan medan elektromagnetik
yang berfungsi menginduksi gas-gas membentuk plasma. Kelemahan teknik tersebut adalah
memerlukan peralatan yang mahal dan aplikasinya untuk partikel yang besar sangat terbatas.

Sputerring adalah proses pengeluaran atom dari permukaan suatu material yang dihasilkan dari
benturan antar partikel dengan energi yang besar. Atom-atom dari permukaan target dapat terlepas
akibat ion yang dipercepat menumbuk permukaan target melalui proses transfer momentum. Pada
system sputtering model planar dua elektroda yaitu katoda dan anoda anoda dalam vakum chamber
berada pada posisi berhadapan dan Katoda dihubungkan dengan sumber RF (radio frekuensi) atau
DC dengan tegangan negatif sedangkan anoda tegangan positif. Antara katoda dan anoda terbentuk
medan elektromagnet yang berperan menginduksi gas-gas membentuk plasma.

Sputtering sebagai teknik pengendapan yang memiliki langkah-langkah sebagai berikut:

1. Penghasilan dan pengendapan ion-ion kepada material

2. Percikan ion-ion atom dari target material

3. atom yang dipercikan berpindah ke substrate yang bertekana rendah.

4. atom yang dipercikan mengendap ke substrat, menjadi lapisan tipis

g. Pulsed Laser Deposition (PLD)

Teknik PLD adalah metode penumbuhan lapisan tipis (thin film) menggunakan laser sebagai sumber
energinya. Target metode itu berbentuk bulk (bongkahan). Kelemahan menggunakan metode

ini adalah menghasilkan lapisan tipis yang kasar atau tidak homogen karena munculnya partikel
material (partikulat) dengan ukuran yang beragam pada permukaan lapisan tipis. Partikulat yang
muncul pada permukaan film disebabkan oleh beberapa hal di antaranya kecepatan target yang
rendah, permukaan target yang tidak rata, kecepatan energi laser yang terlalu tinggi, dan tekanan
parsial yang sangat tinggi.

Faktor-faktor yang harus dioptimalkan dalam deposisi tersebut, yaitu (1) preparasi target, (2)
preparasi substrat, (3) temperatur substrat, (4) laju aliran gas, (5) tekanan chamber, dan (6) energi
laser.

a. Kelebihan :
 Coating PVD kadang-kadang lebih keras dan lebih tahan korosi daripada proses
electroplating coating. Kebanyakan pelapis memiliki suhu tinggi dan kekuatan
impack yang baik, ketahanan abrasi yang sangat baik dan sangat tahan lama yang
lapisan pelindung atas hampir tidak pernah diperlukan.
 Kemampuan untuk memanfaatkan hampir semua jenis anorganik dan beberapa
pelapis organik coating pada kelompok yang sama dengan beragam substrat dan
permukaan menggunakan berbagai macam penyelesaian.
 Lebih ramah lingkungan dibandingkan proses pelapisan tradisional seperti
elektroplating dan painting
 Lebih dari satu teknik dapat digunakan untuk deposit film yang diberikan.

b. Kekurangan :
 Teknologi tertentu dapat menyebabkan hambatan; misalnya, line-of-sight transfer
yang paling khas teknik PVD coating, namun ada metode yang memungkinkan
cakupan geometri yang kompleks.
 Beberapa teknologi PVD biasanya beroperasi pada suhu yang sangat tinggi dan
Vacuums, membutuhkan perhatian khusus oleh l operasi personal.
 Membutuhkan sistem air pendingin untuk mengusir beban panas yang besar.\
  3. Kelemahan dan Aplikasi Utama Metode PVD
 Ada empat kelemahan metoda PVD, yaitu (1) laju deposisinya relatif rendah, (2)
ketebalan film relatif kurang bagus, (3) prosesnya menggunakan teknologi tinggi
(vakum), dan (4) proses coatingnya sangat sulit.
 Metode PVD dapat diaplikasikan (1) dalam pembuatan lapisan tipis (thin film),
seperti dalam bidang optikal, bidang optoelektronik, bidang peralatan magnetik,
dan peralatan microelectronic, (2) dalam bidang tribology, (3) untuk proteksi
korosi, (4) thermal insulation, dan (5) lapisan dekorasi
 Metode PVD dapat digunakan untuk pembuatan material dimana substratnya
dapat dilapisi dengan logam, alloy, keramik, kaca, polimer dan lain-lain. Metode
PVD banyak digunakan dalam pembuatan material dekoratif dengan
menggunakan plastik dan logam. Metode deposisi dengan teknik PVD dapat
menghasilkan lapisan antirefleksi dari penggunaan magnesium florida (MgF2)
pada lensa optik. Proses PVD juga sangat banyak diaplikasikan dalam industri
elektronik, dimana mampu membentuk jaringan yang dapat mengantarkan arus
listrik (electricity conductor) dalam rangkaian yang kompleks

2.2. Aplikasi Penggunaan PVD

Proses Sputtering termasuk dalam bagian Physical Vapor Deposition (PVD), sputtering ini telah
terbukti mampu meningkatkan kekerasan permukaan baik itu bahan logam, non logam, keramik
maupun polimer. Aplikasi dari teknik pelapisan dengan sputtering ini salah satunya adalah pada
material alat potong (cutting tools). Alat potong ini digunakan dalam proses pemesinan yang
digunakan untuk membuat komponen mesin. Beberapa dari ciri dari alat potong adalah harus
memiliki ketahanan aus yang baik, kekerasan yang tinggi dan memiliki kecepatan potong yang tinggi
pula. Salah satu alat potong yang masih banyak digukan dalam industri-industri manufaktur adalah
baja kecepatan tinggi atau sering disebut pahat HSS (High Speed Steel).

Selain itu PVD sebagai pelapis dapat digunakan berbagai macam material seperti paduan (alloy),
keramik, dan senyawa unorganik lainnya, dan juga dapat digunakan plastik. Sedang material dasar
yang dilapisi, dapat berupa logam, gelas, dan plastik. PVD juga meliputi proses pelapisan anti refleksi
pada lensa optic, rangkaian penghubung dalam integrated circuit (IC), proses pelapisan perkakas
potong dengan TiN dan proses pelapisan pada cetakan plastic.