TUGAS MAKALAH

TEKNIK PELAPISAN LOGAM

“Chemical Vapour Deporition dan Physic Vapour Deposition”

Di susun oleh :
Ikto Navy Wibawa
16042000011

FAKULTAS TEKNIK
JURUSAN TEKNIK MESIN
UNIVERSITAS MERDEKA MALANG

JUNI 2019
 BAB 1
PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Pelapisan atau coating merupakan salah satu metode untuk mendapatkan
bentuk dan sifat baru dari suatu material. Hingga saat ini ada beberapa teknologi yang
cukup famliar dikembangkan dibidang industri. Setiap jenis coating memilki sifat
hasil pelapisan yang berbeda sesuai dengan prinsip dasar pelapisannya. Hal ini yang
menyebabkan penggunaan metode coating dalam aplikasi industri dan riset berbeda
beda.

Hingga saat ini ada beberapa teknologi yang cukup famliar dikembangkan
dibidang industri. Beberapa diantaranya antara lain: chemical vapor deposition
(CVD), physical vapor deposition (PVD). Metoda pelapisan permukaan dengan cara
mengendapkan logam atau senyawa logam ke permukaan komponen melalui fasa
uap didalam bejana tertutup. Dua cara, yaitu: melalui dekomposisi/reaksi kimia
disekitar permukaan komponen (CVD) atau peristiwa kondensasi fisika (PVD).
Pemakaian metode-metode tersebut mempunyai tujuan yang sama yaitu untuk
menghasilkan lapisan tipis yang mempunyai kualitas yang baik dengan biaya
produksi rendah (Syamsu dkk, 2005).

1.2 Rumusan Masalah

Rumusan masalah dapat di ambil latar belakang, sebagai berikut :
1. Difinisi teknik pelapisan logam dengan metode chemical vapor deposition
(CVD), physical vapor deposition (PVD).
2. Aplikasi teknik pelapisan logam chemical vapor deposition (CVD),
physical vapor deposition (PVD).
1.3 Tujuan
1. Untuk mengetahui pelapisan logam dengan metode chemical vapor
deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD).
2. Sebagai syarat kelulusan dalam mata kuliah Teknik Pelapisan Logam.
 BAB II
TINJAUAN PUSTAKA

2.1 Chemical Vapor Deposition (CVD)

Chemical Vapor Deposition (CVD), di mana material coating (contoh : Titanium dan
Nitrogen) berbentuk gas, dan reaksi thermochemical untuk membentuk coating tool. Kemudian
dipanaskan mendekati. 1,000 °C. yang dikenal sebagai "Hot Process" CVD merupakan proses
pengendapan senyawa / unsur terjadi akibat reaksi dekomposisi kimia akibat aktivasi
termal di seputar komponen yang dilapisi. Pada proses CVD, substrat diletakkan di depan
pada satu atau lebih prekursor yang bereaksi pada permukaan substrat untuk menghasilkan
deposit yang diinginkan, kemudian dikeluarkan oleh aliran gas melalui reaksi ruangan.
CVD dilakukan dalam reaktor, yang terdiri dari :

 sistem suplai reaktan (reactant supply system),

 ruang deposisi (deposition chamber), dan
 sistem daur ulang (recycle/disposal system)

Gambar 2. Reaktor CVD thermal

Gas-gas dari sistem suplai reaktan dimasukkan ke dalam ruang deposisi.

Karena temperatur cukup tinggi, maka gas-gas tersebut akan berdekomposisi
membentuk lapisan di atas permukaan bendakerja (substrat). Limbah beracun,
korosif, dan/atau mudah terbakar di-kumpulkan dan diproses dalam sistem daur
ulang.
 Gambar 3. Skema chemical vapor deposition (CVD)

Aplikasi Penggunaan CVD

Chemical Vapour Deposition (CVD) merupakan reaksi kimia yang dimaksudkan

untuk meningkatkan kemurnian dan hasil yang tinggi dari suatu material padat. Proses
ini sering digunakan dalam industri semikonduktor untuk menghasilkan lapisan yang tipis.
Dalam beberapa tipe CVD, substrat diarahkan ke satu atau beberapa bagian yang mudah
menguap, sehingga reaksi terjadi pada bagian permukaan substrat untuk menghasilkan
endapan yang diinginkan. Seringkali dihasilkan produk sampingan yang mudah menguap
yang terdistribusi oleh gas yang mengalir dalam ruang reaksi.
Baru-baru ini, para ilmuwan telah dapat menciptakan berlian sintetis yang
berhasil meniru kekuatan batu alam. Ini dilakukan dengan menggunakan dua
metode: suhu dan tekanan yang tinggi (HPHT=high presure and temperature), serta
pengendapan uap kimia (CVD = chemical vapor deposition), yang mengendapkan
lapisan berlian ke dalam bahan dasar yang padat. Lapisan berlian yang diciptakan
dengan CVD dapat digunakan dalam berbagai bidang seperti tribologi (ilmu
pengetahuan dan teknologi gaya gesek dan pelumasan), lapisan anti karat, elektroda,
lensa optik, mesin pendingin, gas, sensor partikel, dan pelapis untuk alat kedokteran.

Pelapisan emas juga bisa menggunakan proses CVD. Pelapisan emas dengan
CVD dapat menghasilkan lapisan emas dengan ketebalan yang sangat tipis.
Ketangguhan dari lapisan emas bergantung pada ketebalan lapisan, namun dapat
ditingkatkan dengan suatu metode tertentu. Selain digunakan dalam pelapisan emas,
CVD juga dapat digunakan untuk memproduksi intan secara sintetik.
 Di bawah ini terdapat tabel aplikasi CVD hard coating pada material yang
berbeda-beda serta umur pakai dan waktu perbaikannya:

Umur Pakai Rata-Rata

Jenis perkakas Material (Stroke) Perbaikan
Non-Lapis Lapis
Draw die D2 20.000 1.500.000 75X
Cut off tool M2 150 1000 6,3X
Trim die M2 11.000 100.000 9,1X
Thread rolling die D2 100.000 1.000.000 10X
Form tool M2 4950 23.000 4,6X
Extrusion punch M2 2000 70.000 35X
Tap M2 3000 9000 3X
Class C hob M2 1500 4500 3X
Drill M2 1000 4000 4X
Minting collars D2 200.000 1.000.000 5X

CVD untuk mengendapakan material dalam berbagai bentuk, seperti

monocrystalline, polycrystalline, amorphous, and epitaxial. Material yang
diendapkan biasanya silikon, serat karbon, carbon nanofibers, filaments, carbon
nanotubes, SiO2, silikon-germanium, tungsten, silicon nitride, silikon oxinitrit,
titanium nitrit. CVD juga biasa digunakan untuk pembuatan berlian sintetik. Namun,
CVD proses untuk molibdenum, tantalum, titanium, nikel, dan tungsten banyak
digunakan. Logam ini dapat membentuk silisida ketika disimpan ke silikon.

1. Penggolongan Berdasarkan Tekanan Operasi

a) Atmoshpheric pressure CVD (APCVD) dimana proses CVD terjadi pada

tekanan atmosfer.

b) Low-pressure CVD (LPCVD) dimana proses CVD terjadi pada tekanan

rendah. Pengurangan tekanan biasanya ditujukan untuk mengurangi reaksi-reaksi

fasa gas yang tak diinginkan dan memperbaiki pendistribusian lapisan pada

target. Proses ini pun termasuk yang paling modern diantara yang lain.
 c) Ultrahigh vacuum CVD (UVCVD) dimana CVD terjadi pada tekanan yang

sangat rendah, pada umumnya di bawah 10-6 Pa (~10-8 torr).

2. Penggolongan Berdasarkan Ciri-ciri Fisik Dari Uap Air

a) Aerosol assisted CVD (AACVD) dimana proses CVD terjadi dengan ditandai

pendistribusian ke substrat dengan aerosol liquid ataupun gas. Teknik ini cocok

untuk material yang tidak mudah menguap.

b) Direct liquid injection CVD (DLICVD) dimana CVD terjadi dengan ditandai

dengan panyisipan zat cair. Larutan disuntikan pada ruang penguapan, lalu uap air

didistribusikan ke substrat.

Hot Wall Thermal

Plasma Assitsted CVD

2.2 Physical Vapor Deposition (PVD)

Physical Vapor Deposition (PVD), di mana material coating berbentuk padat

(Solid) dengan menggunakan ruang hampa Tinggi. Dan pembuatan metal atom oleh

evaporasi, sputter dan metoda pemboman ion, pada temperatur 500°C. yang dikenal

dengan "Cold Process" Physical Vapor Deposition (PVD) adalah bagian dari Vacuum

coating technology istilah umum yang digunakan untuk menjelaskan dari berbagai

metoda untuk deposit thin film oleh kondensasi yang di evaporasi dari material ke berbagai

permukaan. Semua metoda PVD yang digunakan memerlukan ruang hampa tinggi, secara

relatif mengijinkan melekul bebas, metal dari atom dan gas yang dicampur untuk

membentuk reaksi dari permukaan tool. Ada beberapa sistim PVD untuk menghasilkan metal

ion dan reaksi thermochemical untuk membentuk lapisan diantaranya :

a. Electron Gun, mengarahkan suatu arus dari energy elektron yang tinggi ke arah

Material deposisi dalam suatu tempat dan penguapan di ruang hampa tinggi dari

sistem deposisition.

b. Sputtering, di mana argon yang di ionisasi membom target deposisi metal

dan atom yang diperlukan untuk reaksi pembentukan pelapisan.

c. Arc, Evaporasi material deposisi dan melempar dengan cepat ke arah tool

surface(Substrate) , bersama-sama dengan gas reaktif ( Nitrogen atau Carbon

gas dari metan).

Terdiri dari tiga tipe yaitu vakum, sputtering, dan ion plating. Temperature

kerjanya 2000 – 5000C. partikel diendapkan ke benda kerja melalui reaksi kimia

Vacum depotion
 Logam diuapkan pada temperature tinggi dalam vakum dan diendapkan dengan

substrate (substrate bertemperatur kamar). Pelapisan ini bersifat uniform meskipun

bentuknya kompleks. Dalam endapan oleh busur listrik, pelapisan material (katode)

diuapkan dengan penguap busur listrik. Kemudian uap akan

terkondensasi. Aplikasi metode ini pada hardware, perhiasan, dan alat-alat rumah

tangga. Pulsed laser deposition, hampir samadengan dua metode sebelumnya namun

sumber energinya menggunakan sinar pulsa.

Skema PVD

PVD merupakan proses pengendapan senyawa / unsur terjadi akibat peristiwa

kondensasi fisika. PVD digunakan untuk meningkatkan kekerasan dan daya tahan
terhadap keausan, mengurangi efek gesekan, dan meningkatkan daya tahan terhadap
oksidasi. Mekanismenya target material ditembaki dengan energi agar atom- atomny
lepas kemudian ditransferkan dan didepositkan pada material yang ingin di lapiskan.
Namun, PVD juga memiliki kelemahan yaitu beberapa proses memerlukan tekanan
dan temperatur yang tinggi, proses pada suhu yang tinggi memerlukan sistem
pendinginan yang mahal, dan biasanya kecepatan deposisi cukup lambat
 Pelapisan PVD dilakukan dalam ruang hampa dimana material pelapis
dirubah ke fase uap dan dideposisikan pada permukaan material dasar sehingga
terjadi lapisan yang sangat tipis (thin film). Terdapat 3 jenis mekanisme PVD :

 penguapan dalam ruang hampa (vacuum evaporation)

 pemercikan/pancaran partikel atom (sputtering)

 pelapisan ion (ion plating)

Aplikasi Penggunaan PVD

Proses Sputtering termasuk dalam bagian Physical Vapor Deposition (PVD),

sputtering ini telah terbukti mampu meningkatkan kekerasan permukaan baik itu
bahan logam, non logam, keramik maupun polimer. Aplikasi dari teknik pelapisan
dengan sputtering ini salah satunya adalah pada material alat potong (cutting tools).
Alat potong ini digunakan dalam proses pemesinan yang digunakan untuk membuat
komponen mesin. Beberapa dari ciri dari alat potong adalah harus memiliki
ketahanan aus yang baik, kekerasan yang tinggi dan memiliki kecepatan potong yang
tinggi pula. Salah satu alat potong yang masih banyak digukan dalam industri-
industri manufaktur adalah baja kecepatan tinggi atau sering disebut pahat HSS
(High Speed Steel).
 Selain itu PVD sebagai pelapis dapat digunakan berbagai macam material
seperti paduan (alloy), keramik, dan senyawa unorganik lainnya, dan juga dapat
digunakan plastik. Sedang material dasar yang dilapisi, dapat berupa logam, gelas,
dan plastik.

Selain itu PVD dalam digunakan dalam pemakaian :

1. proses pelapisan anti refleksi pada lensa optik

2. rangkaian penghubung dalam integrated circuit (IC)
3. proses pelapisan perkakas potong dengan TiN
4. proses pelapisan pada cetakan plastic.
 BAB III
PENUTUP
3.1 Kesimpulan
Proses pelapisan logam Metoda pelapisan permukaan dengan cara mengendapkan
logam atau senyawa logam ke permukaan komponen melalui fasa uap didalam bejana
tertutup. Dua cara, yaitu: melalui dekomposisi/reaksi kimia disekitar permukaan
komponen (CVD) atau peristiwa kondensasi fisika (PVD). Pemakaian metode-metode
tersebut mempunyai tujuan yang sama yaitu untuk menghasilkan lapisan tipis yang
mempunyai kualitas yang baik dengan biaya produksi rendah.

3.2 Saran

1. mahasiswa harus banyak-banyak mengetahui proses pembentukan agar tidak

ketingalan zaman

2.mahasiswa juga harus mengetahui macam-macam material/logam yang dapat di

lapisi dengan metode CVD dan PVD