MAKALAH

TEKNIK CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) DALAM

PEMBUATAN DIVAIS OPTOELEKTRONIKA

Oleh :

Nabillah Fa’diyyah Zahra

140310190063

Makalah ini diajukan untuk memenuhi Tugas Mata Kuliah Teknologi Optoelektronika

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS PADJAJARAN

2021

1
 KATA PENGANTAR

Alhamdulillah, puji serta syukur kepada Allah SWT yang telah memberikan kemudahan dan
kelancaran-Nya sehingga saya dapat menyelesaikan tugas makalah yang berjudul TEKNIK
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) DALAM PEMBUATAN DIVAIS
OPTOELEKTRONIKA ini tepat pada waktunya. Adapun tujuan dari penulisan dari makalah
ini adalah untuk memenuhi tugas Bapak Dr. rer.nat. Ayi Bahtiar, M.Si pada bidang studi Fisika
dengan mata kuliah Teknik Optoelektronika. Makalah ini sebagai nilai tugas dan bahan
pembelajaran juga. Saya mengucapkan terima kasih kepada Bapak Dr. rer.nat. Ayi Bahtiar,
M.Si selaku dosen pada bidang studi Fisika dengan mata kuliah Teknik Optoelektronika yang
telah memberikan tugas ini sehingga dapat menambah pengetahuan dan wawasan sesuai
dengan bidang studi yang saya tekuni. Saya sadar bahwa makalah saya masih banyak terdapat
kesalahan atau kekurangan. Oleh karena itu, kritik dan saran yang membangun akan saya
nantikan demi kesempurnaan dalam pembuatan makalah kedepannya.

Bandung, 20 Mei 2021

Nabillah Fa’diyyah Zahra

140310190063

2
 DAFTAR ISI

Teknik Chemical Vapor Deposition (CVD) dalam Pembuatan Divais Optoelektronika ... 1

KATA PENGANTAR .............................................................................................................. 2

DAFTAR ISI............................................................................................................................. 3

BAB I.PENDAHULUAN ......................................................................................................... 4

1.1 Latar belakang ................................................................................................................ 4

1.2 Rumusan Masalah .......................................................................................................... 4
1.3 Tujuan Pembahasan ....................................................................................................... 4

BAB II. PEMBAHASAN ......................................................................................................... 5

2.1 CVD ............................................................................................................................... 5

2.2 Plasma –Enhanched CVD (PECVD) ........................................................................... 15
2.3 Metalorgonic CVD (MOCVD) .................................................................................... 20
2.4 Keunggulan dan Kelemahan PECVD dan MOCVD ................................................... 22
2.5 Contoh Divais Optoelektronika PECVD dan MOCVD............................................... 25

BAB III. PENUTUP ............................................................................................................... 34

3.1 Kesimpulan .................................................................................................................. 34

DAFTAR PUSTAKA ............................................................................................................. 35

3
 BAB I

PENDAHULUAN

1.1. Latar Belakang

Dalam pembuatan bahan dapat digunakan beberapa cara, salah satunya pengendapan
uap kimia (Chemical Vapor Deposition). Deposisi uap kimia (Chemical Vapor
Deposition) banyak digunakan dalam produksi lapisan film tipis (thin film), dan berlian
sintetis baru-baru ini diproduksi. Deposisi uap kimia (Chemical Vapor Deposition) adalah
proses pengendapan senyawa atau unsur yang disebabkan oleh reaksi dekomposisi
kimiawi yang disebabkan oleh aktivasi termal di sekitar komponen pelapis. Dalam proses
deposisi uap kimia (Chemical Vapor Deposition) , substrat ditempatkan pada permukaan
substrat di depan satu atau lebih prekursor reaksi untuk menghasilkan endapan yang
diinginkan, yang kemudian dikeluarkan oleh aliran udara melalui ruang reaksi. Endapan
uap kimia sudah berkembang sejak lama. Misalnya, literature diperoleh dari tahun 2000
hingga 2018 yang banyak di antaranya dihasilkan oleh pengendapan uap kimia (Chemical
Vapor Deposition).
1.2. Rumusan Masalah
1. Apa pengertian dari teknik Chemical Vapor Deposition?
2. Apa saja jenis-jenis dari teknik Chemical Vapor Deposition ?
3. Apa keunggulan dan kelemahan dari teknik Chemical Vapor Deposition(PECVD dan
MOCVD)?
4. Apa contoh divais optoelektronika yang dibuat menggunakan teknik Chemical Vapor
Deposition (PECVD dan MOCVD)??
1.3 Tujuan Pembahasan
1. Mahasiswa memahami pengertian teknik Chemical Vapor Deposition
2. Mahasiswa memahami dan mengetahui jenis-jenis teknik Chemical Vapor Deposition
3. Mahasiswa mengetahui keunggulan dan kelemahan tenik Chemical Vapor Deposition
(PECVD dan MOCVD)
4. Mahasiswa mengetahui contoh divais optoelektronika yang dibuat menggunakan
teknik Chemical Vapor Deposition (PECVD dan MOCVD)

4
 BAB II

PEMBAHASAN

2.1 Chemical Vapor Deposition (CVD)

Deposisi uap kimia (Chemical Vapor Deposition) adalah metode deposisi yang
digunakan untuk menghasilkan bahan padat berkualitas tinggi, berkinerja tinggi, dan
biasanya berbasis vakum. CVD adalah proses yang melibatkan reaksi kimia yang
terjadi antara senyawa organologam atau halida yang akan diendapkan dan gas lain
untuk menghasilkan lapisan padat tipis yang tidak mudah menguap pada substrat.
Perbedaan utama CVD adalah bahwa pengendapan bahan pada substrat adalah jenis
pengendapan multi-arah. Banyak proses mikrofabrikasi menggunakan CVD untuk
menyimpan berbagai bentuk material, termasuk kristal tunggal, polikristalin, amorf,
dan epitaksi. Pada CVD terjadi interaksi kimiawi yang sebenarnya antara campuran gas
dan permukaan utama material, yang menyebabkan dekomposisi kimiawi pada
komponen gas tertentu, sehingga membentuk lapisan padat pada permukaan
substrat.CVD digunakan di berbagai aplikasi industri, seperti contoh pengendapan
bahan tahan api (bahan bukan logam yang dapat menahan suhu sangat tinggi) pada
bilah turbin untuk meningkatkan ketahanan aus dan ketahanan guncangan termal bilah
secara signifikan. Beberapa teknik CVD adalah CVD tekanan atmosfer (atmospheric-
pressure CVD), CVD tekanan rendah (low-pressure CVD), CVD vakum sangat tinggi
(ultrahigh vacuum CVD), CVD yang ditingkatkan plasma (plasma-enhanced CVD),
CVD filamen panas yang dibantu plasma microwave (microwave plasma-assisted hot
filament CVD), CVD logam-organik(metal–organic CVD), CVD yang dimulai dengan
foto(photo-initiated CVD), deposisi lapisan atom(atomic layer deposition), pirolisis
semprot (spray pyrolysis), cairan- fase (liquid-phase), epitoksi (epitoxy), dll.Chemical
vapor deposition( CVD) merupakan metode di mana zat yang terletak dalam fase uap
dikondensasi agar menciptakan bahan fase padat. Prosedur metode ini mengganti
atribut optik, listrik, serta mekanis dan ketahanan korosi dari bermacam zat.
Manfaat CVD yaitu untuk memproduksi film material komposit serta kain
infiltrasi dalam penciptaan material nano yang berbeda. Segala proses terjalin di ruang
vakum. Respon kimia tidak terjalin dalam proses ini. CVD memakai senyawa prekursor
gas( gaseous precursor) dengan substrat yang dipanaskan. Permukaan digerakkan sebab
tenaga panas serta proses respon terjalin dengan terdapatnya gas dengan atmosfir
lembam. CVD banyak digunakan di industri buat penciptaan film organik serta

5
anorganik pada logam, semikonduktor, serta bahan yang lain.CVD , salah satu tata cara
atau metode kimia populer, digunakan di bermacam industri buat proteksi temperatur
besar, proteksi erosi, serta campuran keduanya. Film diendapkan pada permukaan
substrat lewat respon kimia dari prekursor fase gas ataupun fase uap. Metode ini
memerlukan tenaga aktivasi. Sebagian gas dimasukkan ke dalam ruang vakum lewat
saluran masuk serta sehabis disosiasi antar jenis, molekul kimia yang baru tercipta
diendapkan pada substrat yang dipanaskan,semacam yang ditunjukkan pada Gambar 1.

Gambar 1. Gas dimasukkan ke dalam ruang vakum lewat saluran masuk serta sehabis
disosiasi antar jenis, molekul kimia yang baru tercipta diendapkan pada substrat yang
dipanaskan
Metode CVD ialah teknik yang paling banyak dipakai untuk pembuatan
nanomaterial 2D dan juga film tipis (thin film) pada substrat padat. Pada teknik CVD
ini, prekursor, gas atau uap, bisa menghasilkan reaksi (bereaksi) atau terurai pada
substrat yang telah dipilih sebelumnya pada temperature tinggi dan vakum dalam ruang,
seperti yang ditunjukkan pada Gambar 2. Di dalam proses ini, lembaran nano 2D
tumbuh di atas substrat dengan atau tanpa bantuan katalis.

Gambar 2. Prekursor, gas atau uap, bisa menghasilkan reaksi (bereaksi) atau terurai
pada substrat yang telah dipilih sebelumnya pada temperature tinggi dan vakum dalam
ruang
Pengembangan metode CVD bagi perkembangan bermacam-macam nanosheet
2D, semacam graphene, h- BN nanosheets, TMDs, metal karbida, borophenes,
antimonene, serta silicene. Awal demonstrasi graphene dengan metode CVD

6
dilaporkan pada tahun 2006 oleh Somani et angkatan laut (AL), sebaliknya CVD
membuat graphene satu lapis dilaporkan pada tahun 2009 oleh Beton et angkatan
laut(AL). Dengan mengendalikan parameter CVD, semacam tipe substrat serta
prekursor, katalis, temperatur, perkembangan susunan graphene bisa diatur. Li et
angkatan laut(AL). mendemonstrasikan perkembangan sebagian susunan dan zona luas
yang seragam nanosheets MoS2 serta WS2 nanosheets dengan metode CVD.
Dibanding dengan metode sintesis yang lain, CVD mempunyai tingkatan
kontrol paling tinggi buat fabrikasi nanomaterial 2D. Metode CVD menawarkan
penciptaan besar- besaran material nano 2D dengan mutu kristal besar, kemurnian, serta
cacat terbatas pada substrat. Nanomaterial 2D yang terbuat dengan metode CVD
digunakan dalam bermacam aplikasi instan semacam fitur elektronik, optoelektronik,
serta sel surya. Namun dalam permasalahan metode CVD, itu senantiasa menuntut
transfer lembaran nano dari substrat yang diendapkan buat penyelidikan lebih lanjut.
Tidak hanya itu, bayaran penciptaan yang lebih besar ialah kelemahan yang
lain.Chemical Vapor Deposition( CVD) merupakan teknologi pemrosesan bahan yang
banyak digunakan di mana film tipis dibangun pada substrat yang dipanaskan lewat
respon kimia prekursor fase gas. Berbeda dengan tata cara deposisi uap wujud,
semacam penguapan serta sputtering, CVD menawarkan keuntungan yang jelas dengan
mengandalkan respon kimia yang membolehkan laju deposisi dan produk bermutu
besar dengan kesesuaian yang sangat baik. Permintaan yang lebih besar buat film tipis
semikonduktor yang diawali sehabis Perang Dunia II merupakan kekuatan pendorong
dini bagi pertumbuhan pesat teknologi CVD. Baru- baru ini, bahan berukuran rendah
semacam tabung nano karbon, graphene serta logam transisi dichalcogenides( TMDs)
sudah menyuntikkan vitalitas baru ke dalam industri elektronik serta menghadirkan
persyaratan yang lebih ketat buat CVD yang sukses dari bahan- bahan ini dengan
kemurnian besar serta struktur halus. CVD membolehkan penyetelan struktur serta
properti produk yang dihasilkan, serta bermacam sistem CVD mutahir dan variannya
sudah dibesarkan, semacam CVD2 yang ditingkatkan plasma serta logam–CVD
organik( MOCVD) 4. Umumnya, CVD tidak membutuhkan area kerja vakum besar,
menjadikannya teknologi terkenal bagi elektronik, optoelektronik, modifikasi
permukaan serta aplikasi biomedis. Terlepas dari alterasi tipe CVD, proses dasarnya
seragam serta terdiri dari langkah- langkah dasar universal berikut (Gambar. 3). Awal,
gas reaktan diangkut ke dalam reaktor. Gas reaktan ini setelah itu hadapi respon fase
gas buat membentuk reaktan perantara serta produk sampingan gas lewat respon

7
homogen ataupun berdifusi langsung lewat susunan batasan ke substrat. Dalam kedua
permasalahan, gas reaktan serta reaktan perantara teradsorpsi ke permukaan substrat
yang dipanaskan serta berdifusi di permukaan. Respon heterogen selanjutnya pada
antarmuka gas- padat menimbulkan pembuatan susunan tipis terus menerus lewat
nukleasi, perkembangan serta penggabungan dan pembuatan produk samping respon.
Kesimpulannya, produk gas serta spesies yang tidak bereaksi terserap dari permukaan
serta terbawa dari zona respon. Respon fase gas terjalin kala temperatur lumayan besar
ataupun tenaga bonus dimasukkan, misalnya dalam wujud plasma. Tidak hanya itu,
respon heterogen berarti bila respon deposisi tergantung pada katalisis permukaan
substrat yang mendasari, semacam dalam permasalahan perkembangan katalitik
graphene pada permukaan logam.

Gambar 3. Skema langkah- langkah dasar universal dari proses CVD yang khas
a) Awal, gas reaktan( bundaran biru) diangkut ke dalam reaktor( langkah a)
b) Setelah itu, terdapat 2 rute yang bisa jadi buat gas reaktan: berdifusi langsung
lewat susunan batasan ( langkah b)
c) serta mengadsorpsi ke substrat( langkah c);
d) ataupun membentuk reaktan perantara(bundaran hijau) serta produk
samping(bundaran merah) lewat respon fase gas( langkah d)
e) serta diendapkan ke substrat lewat difusi( langkah b) serta adsorpsi( langkah c).
Difusi permukaan serta respon heterogen( langkah e) berlangsung di permukaan
substrat saat sebelum pembuatan film tipis ataupun pelapis.
f) Kesimpulannya, produk sampingan serta spesies yang tidak bereaksi diserap
dari permukaan serta dituntut keluar dari reaktor selaku pembuangan(langkah
f)
2.1.1 Proses Chemical Vapor Deposisi
a. Pengendapan uap polimer dan substrat
8
 Proses CVD dasar mencakup langkah-langkah berikut:
1. Masukkan campuran gas reaksi yang telah ditentukan sebelumnya dan gas
lembam(inert) yang diuapkan ke dalam ruang reaksi pada laju aliran yang telah
ditentukan;
2. Zat gas bergerak ke substrat;
3. Reaktan teradsorpsi pada permukaan substrat;
4. Reaktan bereaksi dengan substrat untuk membentuk film,dengan
5. Produk samping berupa gas dari reaksi diserap dan dikeluarkan dari ruang reaksi.
b. Sistem CVD tipikal terdiri dari bagian-bagian berikut:
1. Gas
2. Pengontrol aliran massa, digunakan untuk mengukur gas yang memasuki sistem;
3. Ruang reaksi atau reaktor;
4. Sistem untuk memanaskan wafer (substrat) di mana film akan disimpan, dan
5. Sensor suhu.
Ada banyak cara untuk menggambarkan atau mengklasifikasikan reaktor CVD.
Misalnya, reaktor dikatakan 'hot-wall' jika menggunakan sistem pemanas yang
memanaskan tidak hanya wafer(substrate), tetapi juga dinding reaktor itu sendiri,
contohnya adalah pemanasan berseri-seri dari koil yang dipanaskan dengan resistansi.
Reaktor 'Cold-wall' menggunakan sistem pemanas yang meminimalkan memanasnya
dinding reaktor sementara wafer sedang memanas, contohnya adalah pemanasan
melalui lampu IR di dalam reaktor. Dalam reaktor dinding-panas, film disimpan di
dinding dengan cara yang sama seperti yang disimpan pada wafer, sehingga jenis
reaktor ini memerlukan pembersihan dinding yang sering. Cara lain untuk
mengklasifikasikan reaktor CVD adalah dengan mendasarkannya pada kisaran tekanan
operasinya.Tekanan atmosfer CVD (APCVD) reaktor beroperasi pada tekanan
atmosfer, dan oleh karena itu yang paling sederhana dalam desain.Tekanan rendah
CVD (LPCVD) reaktor beroperasi pada vakum sedang (30-250 Pa) dan suhu yang lebih
tinggi dari reaktor APCVD. Reaktor Plasma Enhanced CVD (PECVD) juga beroperasi
di bawah tekanan rendah, tetapi tidak sepenuhnya bergantung pada energi panas untuk
mempercepat proses reaksi.Mereka juga mentransfer energi ke gas reaktan dengan
menggunakan pancaran cahaya yang diinduksi oleh RF. Debit pijar yang digunakan
oleh reaktor PECVD dibuat dengan menerapkan medan RF ke gas bertekanan rendah,
menciptakan elektron bebas di dalam daerah pembuangan. Elektron cukup diberi energi
oleh medan listrik bahwa disosiasi fase gas dan ionisasi gas-gas reaktan terjadi ketika

9
elektron bebas bertabrakan dengan mereka. Spesies energetik kemudian diserap di
permukaan film, di mana mereka terkena ion dan pembombardiran elektron, penataan
ulang, reaksi dengan spesies lain, pembentukan ikatan baru, dan pembentukan dan
pertumbuhan film.
2.1.2 Prinsip Kerja secara Kimiawi pada CVD
Proses kimia pada CVD secara garis dibesar dibagi kedalam reaksi:
1) Reaksi Aktivasi Termal,
2) Reaksi Plasma-Promoted,
3) Reaksi UV-Radiation Enhanced,
4) Reaksi Laser-Promoted, dan
5) Reaksi Electron-Beam-Promoted.
Kebanyakan proses CVD akan melewati reaksi aktivasi termal dan biasa
dilakukan pada tekanan normal atau rendah. Aktivasi termal digunakan untuk
mempersiapkan semua jenis lapisan / films, seperti semik‫י‬onduktor, insulator
dan diaelektrik, konsuktor, superkonduktor dan magnetic). Reaksi ketika
substans dari fase uap menuju substrat yang telah dipanaskan pada temperature
tinggi adalah proses dekomposisi termal (pyrolysis).
2.1.3 Prinsip termodinamika yang digunakan pada teknik CVD

Prinsip termodinamika yang digunakan pada teknik CVD adalah equilibrium.

Terdapat dua macam metode untuk menghitung equilibrium, yaitu metode persamaan
non-linear dan metode minimisasi energi bebas. Disini akan dibahas metode persamaan
non-linear. Kondisi yang digunakan dalam perhitungan ini adalah: 1) equilibrium
konstan untuk reaksi kimia yang telah diasumsikan dalam hal tekanan parsial, 2) nilai
dari tekanan sistem menjadi tekanan parsial total (1 atm), dan 3) variabel komposisi
sebagai fungsi dari tekanan parsial pada jenis yang sesuai.

2.1.4 Aplikasi Chemical Vapor Deposisi

Salah satu contoh awal dari Aplikasi CVD dengan skala besar adalah proses
karbonil untuk pemurnian nikel, seperti yang dikembangkan oleh Mond, Langer, dan
Quincke pada tahun 1890. Banyak contoh aplikasi yaitu melibatkan pemurnian atau
pemurnian logam dan sejumlah terbatas bukan logam dengan proses karbonil atau
halida. Aplikasi lainnya melibatkan deposisi pelapis untuk ketahanan aus dan korosi,
dan pembuatan bentuk struktural dan komponen. Sebagian besar pekerjaan paling awal,
hingga pertengahan 1960-an, ditinjau dalam buku oleh Powell, Oxley, dan Blocher.

10
Banyak volume tinggi aplikasi, seperti pemurnian dan produksi bubuk dan pigmen,
jelas masih penting secara ekonomi, tetapi sebagian besar baru-baru ini CVD R & D
upaya ini ditujukan untuk film tipis endapan. Ada banyak sekali R & D yang sedang
berlangsung mengenai CVD film tipis yang digunakan terutama untuk sifat mekanik
atau kimia. CVD telah menjadi teknologi pengaktifan yang penting di Indonesia
mikroelektronika berbasis silikon; bahkan digunakan pada tahap awal selama
pemurnian dan pemurnian silikon unsur.Bergantung kepada perangkat, proses CVD
digunakan untuk menyetor film tipis semikonduktor aktif bahan (misalnya didoping
Si), konduktif interkoneksi (misalnya tungsten), atau isolasi dielektrik (misalnya
SiO).Revolusi komunikasi juga bergantung pada beragam teknologi CVD.Beberapa
komponen mirip dengan yang digunakan dalam silikon mikroelektronika, tetapi banyak
yang unik, melibatkan heterostruktur kompleks epitaxial SiGe atau Senyawa
semikonduktor (misalnya, AlGaAs) paduan yang diperlukan untuk menghasilkan
frekuensi tinggi (1-100 GHz) pengoperasian perangkat.Komunikasi revolusi juga
bergantung pada optoelektronik komponen, seperti laser dioda solid state (perangkat
heterostruktur kompleks lain), dan perangkat ini sering ditanam oleh CVD. Bahkan
kabel serat optik yang mengirim optik komponen dari jaringan komunikasi diproduksi
menggunakan teknik CVD untuk dicapai profil indeks bias yang diinginkan. Bahan
optoelektronik yang ditanam oleh CVD yaitu pada industri komunikasi. Salah satu
contohnya adalah untuk penerangan solid state menggunakan dioda pemancar cahaya
(LED). Baru-baru ini, Nichia Chemical adalah perusahaan pertama untuk
mengkomersialkan kecerahan biru tinggi dan LED hijau berdasarkan nitrida kelompok-
III paduan, misalnya InGaN, yang ditanam di atas substrat menggunakan teknologi
CVD.Perusahaan ini juga memperkenalkan warna biru pertama dioda laser,
berdasarkan bahan yang sama dan teknologi yang sama. Selain segudang pencahayaan
dan aplikasi signage menggunakan LED berwarna, ada minat yang tumbuh dalam
menghasilkan yang solid nyatakan sumber cahaya putih untuk menggantikan pijar dan
mungkin bahkan sumber fluoresensi. Sumber cahaya putih dapat dicapai dari
menggabungkan LED dari panjang gelombang yang berbeda, atau dengan memompa
fosfor dengan LED ultraviolet. Teknologi menarik lainnya memanfaatkan CVD adalah
produksi mikroelektromekanik struktur, atau MEMS. Banyak dari MEMS teknologi
berasal dari silikon teknologi mikroelektronika, jadi tidak mengejutkan bahwa CVD
memainkan peran penting. Perangkat MEMS dibuat dari film silikon polikristalin
(polisilikon) disimpan pada wafer silikon, dengan perantara pengorbanan lapisan SiO,

11
yang kemudian dihapus oleh etsa kimia.sebuah contoh perangkat seperti itu, roda gigi
yang berdiameter ~ 50-200 mikron. Kedua polisilikon dan oksida disimpan
menggunakan CVD atau PECVD. Langkah-langkah CVD menentukan struktur
perangkat yang tegak lurus terhadap substrat silikon, sementara banyak litografi dan
langkah etsa menentukan struktur di yang lain dua dimensi. CVD kadang-kadang
digunakan untuk menerapkan pelapis untuk mengurangi gesekan setelah 3-D struktur
dibuat. Mengintegrasikan perangkat MEMS dengan silikon perangkat mikroelektronik
pada chip yang sama. Bidang nanoteknologi telah dihasilkan banyak minat baru, dan
penelitian terfokus program telah dimulai hampir semua negara industri dalam lima
tahun terakhir. Di tahun 2000 AS meluncurkan National Nano- Inisiatif teknologi,
dengan rencana untuk hampir dua kali lipat upaya R & D berskala nano. Nano-
teknologi adalah topik yang sangat beragam, tetapi beberapa contoh terbaik dari R & D
nanoscale yang ada daerah heterostruktur epitaxial untuk laser dioda dan LED yang
dikembangkan oleh CVD. Banyak dari perangkat ini mengandung dua dimensi (2-D)
Sumur kuantum atau superlattices terdiri dari lapisan epitaxial tegang yang tebal 1-10
nm.Contoh.Selain sumur kuantum, struktur laser seperti permukaan rongga vertikal
memancarkan laser (VCSEL) berisi tumpukan cermin terdiri dari sejumlah besar
lapisan dengan bahan semikonduktor yang Tebal biasanya 50-100 nm. Ketebalan setiap
lapisan seringkali harus dikontrol dengan presisi yang lebih baik dari 1 nm.Meskipun
persyaratan ini perangkat dapat tumbuh secara rutin dengan relatif hasil tinggi dalam
OMVPE tersetel dan terkalibrasi reactor. Teknik CVD terkait itu secara otomatis
menghasilkan kontrol subnanometer dikenal sebagai lapisan atom epitaxy
(ALE).Perluasan 2-D quantum baik R & D melibatkan generasi kabel kuantum (1-D)
dan titik-titik kuantum (0-D). Quantum dots adalah sering dianggap sebagai atom
buatan, di mana efek kurungan kuantum secara signifikan mengganggu sifat elektronik
massal yang umum dari materi. Salah satu metode pertumbuhan kuantum titik
melibatkan penyetoran satu materi pada yang lain dengan ketidakcocokan kisi besar.
Aplikasi lainnya yaitu InAs on Gaas (100) oleh CVD. Disebabkan oleh sifat antarmuka
yang sangat tegang layer, InAs secara spontan membentuk pulau di Skala 10-nm
dengan ukuran distribusi yang relatif sempit. Elektronik dan optik properti dari titik-
titik kuantum Inas adalah secara dramatis berbeda dari InAs massal, memungkinkan
untuk fabrikasi perangkat baru.Selain banyak elektronik dan aplikasi optoelektronik
yang disebutkan di atas, aplikasi baru CVD juga digunakan untuk menghasilkan
komponen makroskopik (10 cm sebagai lawan 1 nm).Salah satu contoh yang menarik

12
adalah produksi ruang dorong Ir / Re untuk cairan motor roket.Untuk struktur ini
lapisan CVD rumen yang tebal diaplikasikan pada pengorbanan molibdenum mandrel,
yang nantinya dihapus dengan etsa. Contoh lain adalah produksi bahan optik
inframerah berskala besar (ZnSe dan / atau ZnS hingga beberapa kaki). 32 Pemrosesan
CVD suhu tinggi telah berkembang, dengan potensi besar untuk aplikasi
komersial.Sebagai contoh, kelompok peneliti John Hart, seorang profesor teknik mesin,
telah membangun sistem pemrosesan roll-to-roll menggunakan CVD untuk membuat
lembaran graphene, bahan dengan aplikasi potensial mulai dari layar besar hingga
penyaringan air. Kelompok Hart dan lain-lain telah menggunakan CVD untuk
menghasilkan array besar nanotube karbon, bahan dengan potensi sebagai elektroda
baru untuk baterai atau sel bahan bakar. Deposisi uap kimia digunakan dalam banyak
proses fabrikasi semikonduktor wafer, termasuk produksi film tipis amorf dan
polikristalin (seperti silikon polikristalin), pengendapan SiO2 (CVD SiO2) dan silikon
nitrida, dan pertumbuhan kristal tunggal silikon lapisan epitaxial. Pelapis CVD
digunakan dalam banyak aplikasi manufaktur sebagai lapisan tahan aus: penggilingan
karbida dan sisipan balik, komponen aus, beberapa alat pemroses plastik, dll. Namun,
aplikasi yang paling umum untuk pelapisan CVD adalah untuk alat pembentuk
logam.Lapisan CVD memberikan ketahanan yang sangat baik terhadap jenis aus dan
menyakitkan yang biasanya terlihat selama banyak aplikasi pembentuk logam. Dalam
aplikasi pembentuk logam tegangan tinggi, di mana toleransi alat dan izin substrat,
proses pelapisan CVD suhu tinggi akan berkinerja lebih baik daripada proses "dingin"
seperti PVD, krom padattipis (TDC), nitridasi, dll. Ikatan kimia / metalurgi yang hasil
dari proses pelapisan CVD menciptakan karakteristik adhesi yang tidak dapat
diduplikasi dengan proses "dingin". Adhesi yang ditingkatkan ini melindungi peralatan
pembentuk dari gesekan gesekan yang diakibatkan oleh tekanan geser yang berat yang
dihasilkan dalam aplikasi pembentuk logam berat.

2.1.5 Reaksi Chemical Vapor Deposisi

Dalam metode chemical vapour deposition, reaktan berupa gas diletakkan di

dalam reactor. Dan substrat diletakkan pada satu atau lebih precursor. Saat permukaan
subtract dipanaskan, terjadi reaksi kimia seperti :

𝑟𝑒𝑎𝑘𝑡𝑎𝑛 𝑔𝑎𝑠 → 𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙 𝑝𝑎𝑑𝑎𝑡 + 𝑝𝑟𝑜𝑑𝑢𝑘 𝑔𝑎𝑠

13
 Dari reaksi di atas, dihasilkan deposit yang diinginkan lalu dikeluarkan oleh
aliran gas melalui reaction chamber atau ruang reaksi. Pada reaction chamber, gas
reaktan akan melakukan penguraian dan bereaksi dengan substrat untuk menghasilkan
lapisan tipis. Reaksi kimia dimulai sebagai pulau-pulau yang tumbuh kemudian
menyatu seiring berjalannya proses untuk menciptakan film yang diinginkan. Produk
yang dihasilkan berdifusi melintasi lapisan batas dan mengalir keluar dari reaktor, dan
menyisakan wafer dengan lapisan film yang disimpan. Untuk mendekomposisikan
suatu material yang berada dalam fase gas, metode CVD membutuhkan temperature
yang tinggi sehingga dapat bereaksi dengan katalis yang berada dalam fase solid atau
padat.

Selama proses deposisi uap kimia, gas-gas reaktan tidak hanya bereaksi dengan
bahan substrat di permukaan wafer (atau sangat dekat dengannya), tetapi juga dalam
fase gas di atmosfir reaktor. Reaksi yang terjadi di permukaan substrat dikenal sebagai
reaksi heterogen , dan secara selektif terjadi pada permukaan wafer yang dipanaskan di
mana mereka menciptakan film berkualitas baik. Reaksi yang terjadi dalam fase gas
dikenal sebagai reaksi homogen . Reaksi homogen membentuk agregat fase gas dari
material deposit, yang menempel ke permukaan dengan buruk dan pada saat yang sama
membentuk film dengan kerapatan rendah dengan banyak cacat. Singkatnya, reaksi
heterogen jauh lebih diinginkan daripada reaksi homogen selama deposisi uap kimia.
Deposisi uap kimia (CVD) adalah proses yang dikendalikan atmosfer yang dilakukan
pada suhu tinggi (~ 1925 ° F) dalam reaktor CVD. Selama proses ini, lapisan film tipis
terbentuk sebagai hasil reaksi antara berbagai fase gas dan permukaan substrat yang
dipanaskan dalam reaktor CVD. Karena gas yang berbeda diangkut melalui reaktor,
lapisan pelapis yang berbeda dibentuk pada substrat perkakas. Misalnya, TiN terbentuk
sebagai hasil reaksi kimia berikut:

Titanium carbide (TiC) dibentuk sebagai hasil reaksi kimia berikut:

Produk akhir dari reaksi ini adalah lapisan keras, tahan aus yang menunjukkan ikatan
kimia dan metalurgi ke substrat.

14
 2.1.6 Keunggulan dan Kelemahan CVD
Berikut keunggulan dari teknik CVD:
 CVD dapat membentuk senyawa kompleks secara mudah
 Tingkat deposisinya tinggi dan dapat membuat lapisan tebal
 Lebih ekonomis disbanding teknik PVD (Physical Vapor Deposition)
 Tidak membutuhkan vakum dengan spesifikasi ultra dan fleksibel
terhadap banyak variasi proses
Berikut kelemahan dari teknik CVD:
- Hanya dapat menjadi serbaguna pada temperature 600˚C atau diatasnya
(banyak substrat yang tidak stabil pada temperature tersebut)
- CVD membutuhkan starter materials / bahan awal dengan tekanan uap
tinggi, yang dapat menjadi berbahaya dan sangat beracun
2.2 Jenis-Jenis Chemical Vapor Deposition (CVD)
2.2.1 Plasma-Enhanced CVD (PECVD)

Deposisi uap kimia yang ditingkatkan plasma (PECVD) ialah perpanjangan dari
teknologi CVD. Teknologi ini dibesarkan pada tahun 1960- an bagi semikonduktor,
spesialnya silikon nitrida. Teknologi ini memakai plasma buat proses
pengendapannya. PECVD digunakan buat memproduksi film silikon amorf serta film
karbon. Dikala ini PECVD banyak digunakan dalam pembuatan sel surya silikon
amorf, nitrida serta isolator oksida.

Reaksi CVD terjadi pada suhu tinggi untuk mengatasi energi aktivasi reaktan.
Temperatur tinggi dapat merusak media, terutama bagian logam. Oleh karena itu,
lebih baik memberikan reaktan lebih banyak energi selektif, yang dapat dilakukan
dengan menggunakan plasma. Frekuensi radio plasma adalah metode yang efektif
untuk memecah molekul gas menjadi molekul yang lebih reaktif. Untuk plasma,
reaktan lebih reaktif dan bereaksi pada suhu yang lebih rendah. Plasma dapat
diproduksi di bawah tekanan sub-atmosfer. Film silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:
H) diendapkan dengan berbagai teknik, seperti frekuensi radio dan pelepasan
fluoresen DC, deposisi uap fotokimia, berkas ion dan sputtering. Debit fluoresen
frekuensi radio (RF) dan CVD optik biasanya digunakan teknik deposisi film tipis a-
Si: H dengan kualitas lapisan yang tinggi. Chittick awal kali meningkatkan sistem
deposisi plasma(PECVD) bagi silikon amorf memakai sistem frekuensi radio induktif,
yang menciptakan plasma sebab induksi kumparan. Pengembangan lebih lanjut dari

15
reaktor memakai struktur dioda dimana plasma dibangun diantara 2 elektroda paralel.
Sistem reaktor ini disebut deposisi uap kimia yang ditingkatkan plasma( PECVD)
ataupun lucutan pijar. Frekuensi gelombang radio yang digunakan merupakan 13, 56
MHz. Sepanjang proses pengendapan, teknologi PECVD mengaitkan sebagian
parameter yang pengaruhi distribusi hidrogen pada susunan tersebut, yang dikira
selaku aspek yang menimbulkan watak listrik film a- Si: H menyusut. Tidak hanya
itu, sebagian respon fase gas membolehkan pembuatan jalinan silang besar serta
tumbukan ion bertenaga besar dalam plasma frekuensi radio, sehingga tingkatkan
jumlah cacat pada susunan. Pada umumnya, plasma dibuat oleh frekuensi radio (RF ),
frekeunsi arus bolak-balik (AC) ataupun debit arus searah (DC) antara dua elektroda
dengan ruang yang diisi dengan gas yang bereaksi. Plasma dapat timbul pada tekanan
yang sangat rendah yaitu lebih rendah daripada tekanan atmosfir.

Gambar 4 . CVD dengan Plasma

PECVD bekerja dengan cara mengendapkan thin-film pada substrat dari

keadaan gas (vapour) menjadi padat (solid). Pada reactor PECVD, proses deposisi
terjadi di antara dua kutub seperti kapasitor pelat sejajar. Salah satu kutub
dihubungkan ke generator RF dengan frekuensi 13,56 𝑀𝐻𝑧 − 200 𝑀𝐻𝑧 dan kutub
lainnya dig senakan untuk tempat substrat yang dipanaskan pada temperatur 200℃ −
300℃. Kemudian terjadi ionisasi dari gas yang dimasukkan ke dalam reactor dan
plasma akan terbentuk di antara kedua kutub berlawanan tersebut. Pembentukan
plasma ini dinamakan Glow Discharge. Pada proses Glow Discharge, terbentuk gas
yang berpijar akibat tumbukan antara electron yang berkecepatan tinggi yaitu sekitar
4,5 × 107 𝑐𝑚 𝑠 ⁄ 2 dengan molekul gas yang menghasilkan ion dan molekul tereksitasi.
Thin film dapat terbentuk dengan menjadikan ruang reaktor dalam keadaan vakum
terlebih dahulu. Kemudian precursor dimasukkan ke dalam chamber dalam bentuk

16
gas. Lalu gas precursor tersebut melewati lapisan batas dan terjadi penyerapan gas
precursor di permukaan substrat. Melalui sebuah appropriate generator di ruang
reactor, terjadi proses pelepasan cahaya. Kemudian proses kimia berlangsung pada
plasma dan menghasilkan thin film di permukaan elektroda maupun di setiap media.
Gas yang tidak terpakai dalam proses tersebut akan mengalir keluar chamber

Gambar 5. Komponen Utama PECVD

5 komponen utama pada PECVD ialah:
a) Ruang resaksi dengan tingkatan vakum besar, yang dibuat dari baja tahan
karat serta mempunyai elektroda paralel, energi umpan RF, serta posisi di
mana substrat serta pemanas digabungkan.
b) Sistem gas mempunyai regulator aliran gas serta sebagian katup gas buat
mengendalikan aliran gas sepanjang proses pengendapan.
c) Sistem pompa mempunyai pompa turbo serta pompa putar (rotary) buat ruang
vakum.
d) Sistem pembuangan.
e) Kontrol elektronik, tercantum kontrol energi frekuensi radio, kontrol tekanan
serta pengaturan temperatur.
Komponen- Komponen PECVD terdiri dari komponen yang tergabung dalam satu
kerangka. Komponen- komponen tersebut merupakan:
1. ITZ( Isolation and Transfer Zone chamber tercantum lengan robotik
dengan vakum kompatibel beserta wadah spesial buat substrat yang
berperan selaku pembawa substrat mengarah MPZ serta mengambil
substrat dari MPZ.
2. MPZ#1,#2 ialah pusat pemrosesan PECVD berbentuk chamber- chamber
satu sama lain. Disini terjalin proses deposisi film susunan tipis. Terdiri

17
 dari 2 ruang( Modular Process Zone electrode, substrat rail system gate
valve).
3. Entry port, ialah pintu masuk serta keluar substrat.
4. Pemisah sistem pemompaan vakum yang meliputi buat MPZ#1,#2
danITZ. Tiap MPZ mempunyai buat pengatur tekanan downstream
5. Manipol gas proses buat MPZ#1,#2 tercantum total dari 7 pengendali
aliran massa gas.
Gaugling, controller elektronic, controller valve RF- saklar pemilih

Gambar 6. PECVD tampak samping

Tidak hanya tergabung dalam satu rangka semacam yang nampak pada Foto
komponen- komponen lain tidak hanya yang sudah disebutkan di atas terdapat
pompa turbo molukelarpendingin air serta pompa rotary vane yang terletak
pada bagian ventilasi di dalam kerangka. Manifold gas terletak pada bagian
balik rangka. Kontrol elektronik diletakkan pada bagian muka dari kerangka.
Sistem ini memerlukan pasokan gas- gas yang dibuthkan buat proses deposisi
dan sistem penindakan limbah yang benar buat membuang gas sisa hasil
deposisi.

18
 Gambar 7. MPZ#1 ,MPZ#2

Gambar 8. Lengan robotik dengan substrat

Gambar 9. Entry port pada PECVD

Gambar 10. Tempat melihat munculnya plasma

19
 Gambar 11. Warna ungu tanda munculnya plasma

2.2.2 Metalorganic CVD (MOCVD)

Gambar 12. MOCVD

Tata cara deposisi MOCVD( Metal Organic Chemical Vapor Deposition)

merupakan salah satu tata cara deposisi yang mempunyai sebagian keunggulan dalam
bidang teknologi pembuatan film tipis. Pengontrolan terhadap aliran bahan yang
diuapkan, selaku bahan prekursor yang berikutnya hendak berkembang membentuk
film tipis, bisa dicoba dengan gampang serta akurat sehingga stoikiometri film dengan
baik bisa dikendalikan. Film yang tercipta mempunyai homogenitas yang besar.
Temperatur penumbuhan yang digunakan relatif rendah serta bisa meningkatkan film
dengan dimensi yang luas dengan tingkatan homogenitas yang tinggi

20
 Gambar 13. Peralatan MOCVD

Gambar 14. Ilustrasi Proses MOCVD

Metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD), juga dikenal sebagai
organometallic vapour-phase epitaxy (OMVPE) atau metalorganic vapour-phase
epitaxy (MOVPE) merupakan metode deposisi thin-film melalui reaksi kimia dalam
keadaan gas (vapour state) menggunakan prekursor bahan metal organic yang mudah
menguap seperti trimethylgallium, trimethylaluminum, trimethylindium dan lain
sebagainya. Dalam MOCVD, gas reaktan digabungkan dalam sebuah reactor pada
temperature tinggi agar terjadi interaksi kimia yang menyebabkan adanya pengendapan
pada daerah substrat Bahan-bahan metal organic diumpankan ke reactor dalam gas
pembawa hydrogen. Saat molekul-molekul tersebut mengalir di atas permukaan
substrat panas, akan terjadi proses penguraian melalui proses pirolisis menjadi gugus
organik dan bahan metal tanpa adanya oksigen-pirolisis. Bahan metal akan

21
 dideposisikan dengan bahan lain untuk kemudian dijadikan thin-film sedangkan gugus
organic akan dibuang melalui saluran pembuangan. Kemudian kristal tunggal epitaksial
tumbuh dengan mendeposisikan senyawa yang memiliki kisi yang cocok dengan
substrat. Suatu divais dapat dihasilkan dengan memvariasikan komposisi dan doping
lapisan dan tetap menjaga kecocokan kisi. Selama proses MOCVD, terjadi serangkaian
reaksi seperti pada Gambar 14 pada permukaan substat seperti adsorpsi dan desorpsi
dari molekul precursor, difusi permukaan yang dipengaruhi oleh langkah atom,
nukleasi dan penumbuhan, serta desorpsi produk reaksi.
2.3 Keunggulan dan Kelemahan Chemical Vapor Deposition (CVD)
CVD memiliki sejumlah keunggulan sebagai metode untuk menyimpan film
tipis. Salah satu keunggulan utama adalah film-film CVD umumnya cukup konformal,
yaitu filmnya memiliki ketebalan di dinding samping fitur sebanding dengan ketebalan
di bagian atas. Ini berarti film dapat diterapkan secara terperinci yaitu potongan
berbentuk, termasuk bagian dalam dan bagian bawah fitur, dan rasio aspek-tinggi
lubang dan fitur lainnya dapat terisi penuh. Sebaliknya, teknik deposisi uap fisik (PVD),
seperti sputtering atau penguapan, umumnya membutuhkan garis-of-sight antara
permukaan yang akan dilapisi dan sumbernya. Keuntungan CVD lainnya yaitu selain
luas berbagai material yang bisa disimpan, mereka dapat disimpan dengan kemurnian
sangat tinggi. Ini hasil dari kemudahan relatif yang kotoran dibuang dari prekursor gas
menggunakan teknik distilasi. Keunggulan lainnya termasuk tingkat deposisi yang
relatif tinggi, dan fakta bahwa CVD sering kali tidak membutuhkan setinggi vakum
sebagai proses PVD.Salah satu keuntungan besar dari pengolahan CVD adalah dapat
menciptakan lapisan dengan ketebalan yang seragam bahkan dalam bentuk yang
kompleks. Misalnya, CVD dapat digunakan untuk menyatukan tabung karbon nanotube
silinder kecil dari karbon murni yang jauh lebih ramping daripada rambut seperti untuk
memodifikasi sifat mekanik mereka dan membuat mereka bereaksi secara kimia
terhadap zat tertentu.
CVD juga memiliki sejumlah kekurangan. Salah satu kelemahan utama terletak
pada sifat-sifat prekursor. Idealnya itu prekursor harus mudah berubah di dekat ruangan
suhu. Ini bukan angka sepele elemen dalam tabel periodik, meskipun penggunaan
prekursor logam-organik telah mereda. Prekursor CVD juga bisa sangat beracun (Ni
(CO)), eksplosif, atau korosif (SiCl2). Produk sampingan dari reaksi CVD bisa juga
berbahaya (CO,atau HF). Beberapa prekursor ini, terutama prekursor logam-organik,
juga bisa sangat mahal. Kerugian utama lainnya adalah kenyataan bahwa film-film

22
tersebut biasanya disimpan pada suhu tinggi. Ini memberi batasan pada jenis media
yang bisa dilapisi. Lebih penting lagi, mengarah kepada menekankan pada film yang
disimpan pada bahan dengan koefisien ekspansi termal yang berbeda, yang dapat
menyebabkan ketidakstabilan mekanik di film yang disimpan.
2.3.1 Plasma-Enhanced CVD (PECVD)
Keunggulan:
- Menghindari masalah line-of-sight sampai batas tertentu
- Tingkat deposisi yang tinggi
- Temperatur rendah
- Senyawa pendahulu/precursor dapat berupa material organic maupun non-
organik
- Properti kimia dari lapisan terdeposisinya unik
- Termal dan kimiawi yang stabil
- Pelarut tinggi dan tahan korosi
- Tidak ada batasan terhadap substrat
Kelemahan:
- Tidak stabil terhadap kelembapan dan usia
- Terdapat tekanan sisa/buangan pada lapisan / films
- Memakan banyak waktu terutama pada struktur kisi super
- Terdapat gas beracun dan dapat meledak pada aliran plasma
- Harga yang mahal pada peralatanny
Metode ini merupakan salah satu teknik penumbuhan CNT yang lurus secara
vertical terhadap substrat. Metode PECVD sendiri telah banyak mengalami
perkembangan. Saat ini telah dikembangkan hot wire PECVD dan very high frequency
PECVD dengan dan tanpa modulasi.
Dibandingkan dengan metode lain, kelebihan metode VHF-PEVCD termasuk
film yang lebih seragam. Dibandingkan dengan teknologi PECVD tradisional,
teknologi VHFPECVD menunjukkan laju deposisi yang lebih tinggi dan kandungan
hidrogen yang lebih rendah, bahkan hingga saat ini masih umum digunakan untuk
menumbuhkan lapisan tipis µc-Si: H.
Namun salah satu kelemahan dari teknologi VHF-PECVD adalah tegangan
yang tidak merata antar elektroda selama pertumbuhan lapisan pada area yang
luas.Teknologi lain yang dapat digunakan untuk menumbuhkan lapisan tipis µc-Si: H
adalah HW-PECVD (kawat panas) PECVD).

23
 Dalam teknologi ini, gas diuraikan oleh kawat panas dan daya RF, sehingga
secara efektif meningkatkan laju penguraian gas reaksi, tetapi keberadaan kawat panas
secara langsung mempengaruhi suhu substrat, sehingga sulit untuk menjaga stabilitas
suhu media mempertahankan. Dengan menggunakan teknologi baru ini, karena silane
terurai pada permukaan hot wire, film yang dihasilkan memiliki kualitas yang relatif
baik, selain itu teknologi tersebut melibatkan parameter deposisi yang relatif sedikit,
sehingga mudah untuk dikendalikan. Proses menumbuhkan film melibatkan radikal
bebas sederhana yang dilepaskan dari permukaan filamen panas. Selain kelebihan
metode CVD kawat panas seperti yang telah dijelaskan di atas, terdapat juga beberapa
kekurangan yaitu:
1. Film yang diperoleh tidak menunjukkan korelasi simetris antara parameter
deposisi dan sifat optik dan listrik dari film yang diproduksi;
2. Lapisan tipis yang dihasilkan dengan kandungan hidrogen rendah (CH 15%);
dan
3. Konduktivitas susunan tidak uniform. Wang et. angkatan laut(AL). sudah
mempelajari watak listrik( konduktivitas gelap) dari susunan tipis a- Si: H yang
ditumbuhkan dengan metode Hot Wire CVD di atas substrat isolator, diperoleh
data bahwa untuk ilustrasi yang sama, konduktivitas gelapnya berbeda kurang
lebih 5 orde untuk tiap posisi yang berbeda dalam ilustrasi. Ini menampilkan
kalau watak listrik susunan tipis yang ditumbuhkan tidak uniform
2.3.2 Metalorganic CVD (MOCVD)
Dibandingkan dengan metode pertumbuhan lainnya, metode MOCVD memiliki
banyak keunggulan dalam hal produktivitas, laju pertumbuhan, fleksibilitas untuk
mengontrol stoikiometri film selama proses pertumbuhan, keseragaman yang relatif
tinggi dan pengotor yang rendah. Beberapa peneliti telah berhasil menumbuhkan film
GaN: Mn melalui metode metal organic chemical vapor depition (MOCVD). Metode
ini dapat digunakan secara komersial dengan biaya yang relatif rendah.
Keuntungan dari metode MOCVD termal ini adalah dapat dikontrol dengan
kontrol Purity kemurnian film. Masukan logam dan logam organik, desain reaktor
sederhana, dan suhunya mudah diatur. Namun metode MOCVD termal ini memiliki
kelemahan yaitu membutuhkan suhu yang tinggi (850-1100 ° C) selama proses
pertumbuhan.Temperatur penumbuhan yang tinggi tersebut menimbulkan kesulitan
dalam mengendalikan atom-atom nitrogen sepanjang penumbuhan,sehingga

24
 menimbulkan kekosongan nitrogen yang pada kesimpulannya bisa menciptakan fase
magnetik kedua, tidak hanya fase GaN: Mn.
Keuntungan besar dari prekursor MOCVD merupakan volatilitasnya yang besar
pada temperatur sedang sampai rendah, oleh sebab itu temperatur reaksi lebih rendah
(750 sampai 1100 K) dibandingkan metode CVD yang lain. Tidak hanya itu metode
deposisi MOCVD mempunyai kelebihan pada fleksibilitasnya yang besar. Metode ini
bisa mendeposisi semikonduktor, logam, serta dielektrik. Tetapi metode ini mempunyai
kelemahan ialah sebab sifatnya yang beracun hingga anggaran pembuangan ke
lingkungan besar.
2.4 Contoh Divais Optoelektronika yang Dibuat Menggunakan Teknik Chemical
Vapor Deposition
2.4.1 Plasma Enchanced CVD

Gambar 15. Tampak Alat PECVD

 Aplikasi berbasis silicon
PECVD dianggap sebagai metode unik deposisi film tipis organik,
biasanya digunakan untuk deposisi film tipis anorganik dan organik, doped
dan undoped. Film komposit silikon adalah wilayah di mana berbagai
prekursor (seperti silan (SiH4), siloksan, dan silazana) dicampur dengan gas
lain dalam berbagai rasio. Dua bentuk utama silikon yang diendapkan adalah
silikon amorf terhidrogenasi (a-Si: H) dan silikon mikrokristalin (μc-Si: H).
Film yang disimpan oleh PECVD digunakan dalam perangkat
semikonduktor, sel surya, dan perangkat yang aktif secara optik karena sifat
optik, mekanik, dan listriknya. Baru-baru ini, karena efisiensi pemrosesannya
yang tinggi, kemampuan pembuatan pola skala besar, biaya lebih rendah dan

25
 ramah lingkungan, PECVD juga telah digunakan dalam pemrosesan
perangkat elektronik yang fleksibel dan dapat dicetak.
Karena tidak ada perangkat vakum, AP-PECVD pada suhu gas rendah
tampaknya berguna untuk perawatan permukaan bahan fleksibel, dan film
SiOx telah diendapkan pada suhu yang lebih rendah pada basis polimer yang
bertindak sebagai penghalang difusi dan menstabilkan permukaan hidrofilik.
telah terbukti. Jumlah semikonduktor fleksibel dapat dilihat pada perangkat
elektronik yang dapat dikenakan dan elektronik organik.
 Perangkat semikonduktor (Semiconductor device)
Seperti yang kita ketahui bersama, sifat fisik film yang diendapkan
PECVD lebih unggul karena memiliki kelebihan ikatan silang yang tinggi,
keseragaman, ketahanan panas dan perubahan kimia, serta laju korosi yang
rendah. Polimer plasma banyak digunakan dalam film dielektrik dan lapisan
optik karena biayanya yang lebih rendah dan efisiensinya yang lebih tinggi.
Hibrida organik-anorganik terpolimerisasi film tipis dengan rasio prekursor
terkontrol telah digunakan untuk mengoptimalkan sifat dielektrik. Selain itu,
karakteristik film diubah oleh rasio pencampuran gas, daya plasma dan
tekanan ruang. Silicon oxynitride (SiON) dan silicon nitride (SiN) adalah
beberapa prekursor yang umum digunakan untuk pengendapan film isolasi
untuk kapasitor MIM (metal-insulator-metal), yang dapat dengan mudah
mengontrol properti film. Telah diamati bahwa perubahan rasio silan (SiH 4),
dinitrogen oksida (N 2 O) dan amonia (NH 3) menyebabkan pengendapan
lapisan tipis dengan komposisi yang berbeda. Dengan meningkatnya rasio
SiH4 / N2O (NH3), karakteristik termasuk laju deposisi, indeks bias dan
indeks kepunahan film juga meningkat. Meskipun SiN dan SiON memiliki
kelebihan, karena densitas kapasitansi yang lebih tinggi, tegangan tembus, dan
sifat partikel yang lebih tinggi, film SiN masih dapat digunakan dalam aplikasi
semikonduktor (Gambar 6A-C). Silikon karbida, yang memiliki celah pita
tinggi dan kelembaman kimiawi, adalah bahan lain yang biasa digunakan
untuk penyimpanan PECVD. SiC banyak digunakan sebagai bahan untuk
perangkat MEMS karena kestabilannya di lingkungan yang keras dan bersuhu
tinggi. PECVD adalah metode deposisi yang kompatibel dengan logam yang
telah menggunakan gas prekursor metana dan silan untuk deposisi α-SiC pada
450 ° C. Daya dan rentang tekanan RF (40 Hz) frekuensi rendah adalah 700-
26
1000 Torr, serta perubahan rasio prekursor yang digunakan untuk
menghasilkan film dengan berbagai sifat listrik dan mekanik.
Hasil penelitian yang ada menunjukkan bahwa film α-SiC dapat menjadi
komponen struktural perangkat yang perlu menstabilkan tegangan film sisa
pada suhu tinggi. Meskipun film tipis SiC telah menjanjikan dalam
pengembangan perangkat MEMS yang tahan suhu tinggi, peningkatan
kekasaran permukaan pada lapisan film tipis yang lebih tebal masih menjadi
faktor pembatas. Telah diamati bahwa peningkatan kandungan karbon dalam
film dan penurunan daya RF dalam kondisi frekuensi campuran mengurangi
kekasaran permukaan, menjadikannya solusi potensial. Metode ini membuka
jalan bagi penelitian masa depan tentang laju pertumbuhan, morfologi, dan
perkembangan struktur mikro dari parameter proses PECVD di bidang
semikonduktor.

Gambar 16.
( A) Representasi skematis fitur FET graphene dengan susunan silikon nitrida.
( B serta C) Gambar SEM silikon nitrida serta silikon oksida ditaruh pada
grapheme
(D) morfologi permukaan 2D susunan n-μc- Si: H digunakan dalam sel surya
a- Si persimpangan tunggal.
(E), a) gambar SEM dari kawat nano silikon tipe- p memakai PECVD pada
substrat kaca( Sn katalis, 600° C).( b) Deposisi dari konformal intrinsik serta
tipe- n a- Si: H sesudah penyusutan temperatur 175° C memakai PECVD.( c)
Representasi skematis dari sambungan radial PIN.
( F) Karakteristik I– V sel surya dengan lapisan n- a- Si: H serta n-μc- Si: H/
n- a- Si: H bilayer

27
 Solar cell
Berbagai teknik deposisi (seperti PVD, CVD, oksidasi, pelapisan dan
pelapisan spin) telah banyak digunakan untuk mengendapkan film silikon
organik dengan sifat fotolistrik yang baik. Saat ini, pasar fotovoltaik
didominasi oleh sel silikon kristal, yang menyumbang hampir 95% dari output
global sel dan modul fotovoltaik pada tahun 2004. PECVD banyak digunakan
dalam produksi mikroelektronika dan sel surya, terutama untuk pengendapan
zat fase gas film tipis pada substrat padat. Orang-orang telah bekerja keras
untuk menetapkan kondisi proses guna meningkatkan kualitas film dan
kecepatan sedimentasi. Sekarang, PECVD pada frekuensi eksitasi 60 MHz
telah banyak digunakan dalam teknologi film tipis area luas dan aplikasi
industri. Laju pertumbuhan yang diperoleh dengan konversi dari plasma RF
tekanan rendah tradisional ditingkatkan (dari 1,5 nm menjadi 4 nm s -1 ) (2
Matsuda dkk. Telah mengamati CVD yang dibantu plasma dari -4 Torr) (13,56
MHz) hingga 60 MHz. Dan beberapa kelompok penelitian lainnya.
Kristalinitas deposit silikon memainkan peran penting dalam kinerja film.
Telah diamati bahwa, dibandingkan dengan kristal, bahkan sel surya silikon
amorf berkualitas tinggi memiliki efisiensi yang sangat rendah dalam
menangkap cahaya, yang menyebabkan berbagai penelitian untuk
meningkatkan tingkat konversi energi matahari (Gambar 6F). Dengan adanya
plasma SiH4 / H2 non-termal, beberapa kelompok telah mempelajari transisi
film tipis silikon dari amorf menjadi nanokristalin. Interaksi antara atom
hidrogen dari plasma dan matriks silikon padat menentukan kristalinitas dan
sifat lain dari film tersebut. Kehadiran atom H di antara ikatan Si-Si yang
terikat dapat menyebabkan transisi tidak teratur. Parameter deposisi seperti
suhu ruangan (Pr), komposisi campuran gas, laju aliran, kerapatan daya RF
(Pw) dan suhu substrat dapat diubah untuk mendapatkan sifat film yang
diinginkan, termasuk kristalinitas.
Micro-doping adalah metode lain yang digunakan untuk meningkatkan sifat
optik, listrik dan struktural film silikon mikrokristalin yang digunakan dalam
aplikasi sel surya. Pengaruh doping mikro boron oleh PECVD dipelajari pada
suhu tinggi dan frekuensi sangat tinggi (VHF, 60 MHz) pada 200 ° C dengan
laju aliran diboran bervariasi antara 0,00–0,30 sccm. Dalam studi ini,
peningkatan arus gelap dan perubahan konduktivitas yang diamati pada doping
28
 boron diamati sebanyak 10 kali, dan selanjutnya dapat digunakan untuk
meningkatkan efisiensi konversi energi matahari.
Area lain di mana PECVD digunakan secara luas adalah pengendapan lapisan
pasif, yang melibatkan lapisan luar pelindung yang diendapkan sebagai lapisan
mikro. Dalam mikroelektronika dan teknologi fotovoltaik, lapisan pasif dapat
mengurangi rekombinasi permukaan, yang merupakan alasan hilangnya sel
surya dalam jumlah besar. Atom hidrogen memainkan peran penting dalam
pemutusan dan pasivasi ikatan silikon. Film silikon amorf terhidrogenasi dan
silikon nanokristalin yang diproduksi oleh PECVD sekarang banyak
digunakan dalam perangkat elektronik dan optoelektronik. Selain itu, baru-
baru ini, struktur nano telah banyak digunakan untuk meningkatkan efisiensi
sel surya. Salah satu contohnya adalah penggunaan kawat nano silikon untuk
meningkatkan penangkapan cahaya dalam sel fotovoltaik silikon berbiaya
rendah (Gambar 6E). Pertumbuhan sambungan radial silikon amorf
terhidrogenasi pada kawat nano silikon kristalin p-doped pada substrat kaca
menggunakan katalis PECVD (pompa tunggal) dan Sn telah menunjukkan
peningkatan yang signifikan dalam arus gelap dan efisiensi konversi. Sel surya
silikon biasanya diproduksi dalam kondisi murah dan kuat Sel surya silikon
diproduksi di atas substrat plastik fleksibel dengan suhu pengendapan optimal
~ 200 ° C.
 Optically Avtive Film
Film tipis dengan molekul pewarna digunakan dalam rongga laser, filter,
dan sensor gas optik. Film ini disintesis menggunakan teknik basah dan
sublimasi. PECVD menghindari proses yang keras (kimiawi dan suhu) dan
beberapa langkah metode manufaktur, serta dapat digunakan untuk
menyimpan film yang aktif secara optik dengan properti yang dapat disetel.
Deposisi melibatkan polimerisasi parsial molekul pewarna.Ketika terkena
plasma busur, molekul pewarna menguap di atas substrat. Film ultra-tipis yang
sangat datar (~ 100 nm) dengan gradasi warna terkontrol disintesis
menggunakan proses PECVD. Film semacam itu dapat digunakan dalam
pengembangan bahan dan perangkat fotonik, seperti sensor dan skrup panjang
gelombang. Polimerisasi plasma dari bahan yang mengandung fluor
menghasilkan banyak karakteristik, seperti konstanta dielektrik dan indeks
bias yang rendah, energi permukaan yang rendah, koefisien gesekan yang
29
 rendah, konstanta permeabilitas yang rendah, dan biokompatibilitas yang baik.
Kopolimerisasi homogen dan plasma octafluorocyclobutane (OFCB, C4F8)
dan hexamethyldisiloxane (HMDSO, C6H18Si2O) dan PECVD (RF pada
13,56 MHz, daya 20-45 W, tekanan 0,001-1 Torr) dari sifat optik film. Pitt dan
lainnya juga baru-baru ini tertarik pada bahan optik yang diolah dari tanah
jarang. Sintesis SiO2 yang kaya silikon dan doping do dilaporkan. PECVD
digunakan untuk sintesis film-film ini karena suhu pemrosesan yang lebih
rendah, kemampuan untuk mengontrol stoikiometri, dan kondisi pertumbuhan
film. Ditemukan bahwa mikrokluster Si tertanam dalam film SiO 2 yang
didoping, yang menunjukkan puncak serapan yang kuat di wilayah cahaya
tampak dan memiliki fluoresensi inframerah-dekat yang kuat karena ion.
 Antimicrobial and antifouling

Gambar 17.
A. Representasi skematis dari sintesis permukaan nanopartikel perak
yang sangat hidrofobik dan pelepasan ion perak.
B. Nanopartikel perak pada lapisan oksida silikon, produk jet plasma
APCVD (mikrograf SEM).
C. gambar SEM yang menggambarkan morfologi permukaan sampel
PDMS modifikasi perak.
D. Gambar confocal yang menunjukkan viabilitas bakteri pada
permukaan noncoated (PDMS) dan coated (silver).

30
 E. Aktivitas antibakteri permukaan yang dilapisi (perak) dan tidak
dilapisi (PDMS) pada dua strain yang berbeda (P. aeruginosa dan S.
aureus) dan viabilitas sel COS-7 cell-line.
Permukaan antimikroba diminati sebab meningkatnya permasalahan
kolonisasi kuman di fitur kedokteran, implan, serta produk perawatan
kesehatan. Masa gunakan prostesis implan menyusut ekstrem sebab
peradangan kuman, paling utama pada penderita dengan kendala imunitas.
Proses PECVD merupakan metode yang efisien untuk merancang permukaan
ini sebab bisa digunakan secara efektif buat mengendalikan watak susunan
serta isi partikel nano yang disematkan. Aktifitas biosidal nanoclusters perak
yang tertanam dalam film yang ditaruh PECVD diyakini selaku hasil dari
pelepasan ion Ag secara progresif yang efisien dari nanopartikel ke media di
sekitarnya
 Material a- Si bisa ditumbuhkan dengan tata cara Plasma Enhanced
Chemical Vapour Deposition( PECVD) dengan menggunakan plasma
selaku media penumbuhannya. Penumbuhan material a- Si: H mempunyai
sebagian parameter optimasi yang menentukan sifat- sifat fisis yang
dihasilkan yang bertujuan untuk meningkatkan konversi efisiensi sel surya.
Foto dibawah memperlihatkan skema rangkaian yang digunakan dalam
karakterisasi ini. Pengukuran I- V dilakukan dengan

Gambar 18 . Skema rangkaian pengukuran karakteristik I-V sel surya

2.4.2 Metalorganic CVD

a) MOCVD, ataupun deposisi uap kimia organik logam, merupakan
perlengkapan utama yang digunakan untuk penciptaan LED. MOCVD pula
digunakan dalam aplikasi, semacam RF serta optoelektronik. Kadang-

31
 kadang disebut epitaxy fase uap organik logam( MOVPE). Dalam MOCVD,
gas murni diinjeksikan ke dalam reaktor. Perlengkapan tersebut menaruh
susunan tipis atom ke wafer. Ini, pada gilirannya, menghasilkan
perkembangan kristal, ataupun epitaxial, material. Untuk LED, blok
penyusun dasar untuk LED berbasis GaN merupakan struktur hetero n-
GaN/ InGaN/ p- GaN. Tiap pembuat LED mempunyai formula MOCVD
eksklusif, yang ialah rahasia yang dilindungi ketat.
Metode Metalorganic Chemical Vapour Deposition atau MOCVD
digunakan dalam pembuatan LED berbasis GaN dengan blok penysuun
dasar berupa struktur hetero n-GaN /InGaN/p-GaN. Wafer berukuran 4
inchi yang dihasilkan dari proses pengendapan MOCVD dapat diolah
menjadi 4000 hingga 120.000 chip LED.

Gambar 19 .LED dari MOCVD

b) MOCVD juga diaplikasikan dalam high-electron-mobility transistor
(HEMTs), transistor bipolar heterojunction (HBT), PIN, mixer serta
multiplier diode
c) Didalam bentuk film tipis, material GaAs dapat ditumbuhkan dengan
berbagai metode, salah satunya Metalorganic Chemical Vapour Deposition
(MOCVD) . Macam-macam sumber metalorganik yang biasa digunakan
dalam penumbuhan film GaAs dengan metode MOCVD antara lain adalah
TMGa dan TEGa sebagai sumber Ga (golongan III) dan TMAs, TEAs,
TBAs serta Arsine (AsH3) sebagai sumber As (golongan V).Bagi aplikasi
piranti optoelektronik, film tipis semikonduktor diharuskan memipunyai
sifat optik yang bagus dan memadai . Salah satu watak optik yang penting
yang merupakan penciri material semikonduktor yaitu celah pita energi
optik (optical bandgap = Eg). Pada metode MOCVD, temperatur

32
penumbuhan memegang peranan yang sangat penting karena sebagai suplai
energi yang akan mengendalikan proses ikatan reaktan-reaktan pada
permukaan substrat.

33
 BAB III

PENUTUP

3.1 Kesimpulan
3.1.1 Chemical Vapor Deposition (CVD) adalah salah satu teknik pembuatan
thin films yang memanfaatkan proses dimana substrat dikenai oleh satu
atau lebih precursors yang mudah menguap, yang bereaksi dan / atau
mendekomposisi permukaan substrat untuk memproduksi thin films
3.1.2 Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) bekerja dengan
cara mendeposisi thin films dari keadaan gas (vapor) menuju keadaan padat
pada substrat. Metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD), juga
dikenal sebagai organometallic vapour-phase epitaxy (OMVPE) atau
metalorganic vapour-phase epitaxy (MOVPE) merupakan metode deposisi
thin-film melalui reaksi kimia dalam keadaan gas (vapour state)
menggunakan prekursor bahan metal organic yang mudah menguap seperti
trimethylgallium, trimethylaluminum, trimethylindium dan lain
sebagainya.
3.1.3 Salah satu keunggulan PECVD adalah tingkat deposisi yang tinggi, dan
salah satu kelemahannya adalah tidak stabil terhadap kelembapan dan usia.
Salah satu keunggulannya adalah aplikasi komersial dengan biaya yang
rendah,kemudian tingkat kemurnian film dari metode MOCVD termal
dapat dikontrol melalui masukan sumber metal-organik dan dopant
kesederhanaan desain reactor dan kemudahan pengaturan suhu
penumbuhan dan salah satu kelemahannya a memerlukan temperature yang
tinggi selama proses penumbuhan atom nitrogen
3.1.4 Salah satu contoh divais optoelektronika dengan teknik PECVD adalah sel
solar. Salah satu contoh divais optoelektronika dengan teknik MOCVD
adalah LED berbasis GaN

34
 DAFTAR PUSTAKA

Hamedani, Y., Macha, P., Bunning, T. J., Naik, R. R., & Vasudev, M. C. (2016). Plasma-
enhanced chemical vapor deposition: Where we are and the outlook for the future
(pp. 247-280). InTech.

Morosanu, C. E. (2016). Thin films by chemical vapour deposition (Vol. 7). Elsevier.

Pierson, H. O. (1999). Handbook of chemical vapor deposition: principles, technology and

applications. William Andrew.

Seshan, K. (Ed.). (2001). Handbook of thin film deposition processes and techniques.
William Andrew

Amiruddin, S., Usman, I., Mursal, Winata, T., & Sukirno. (2005). Studi Optimasi Parameter
Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot
Wire Cell PECVD. PROC. ITB Sains & Tek, 13-22.

Dessyntya, R. M., & Yahya, E. (2012). PECVD SISTEM PERMASALAHAN DAN

PENYELESAINNYA. ITS Paper, 1-8.

Azo Materials. (2014, 28 November). How Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition
(MOCVD) Works.

Diakses pada 26 Mei 2021, dari https://www.azom.com/article.aspx?ArticleID=11585

35