1

BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang

Dalam fisika, sputtering adalah sebuah fenomena dimana partikel-

partikel mikroskopis dari material padat dikeluakan dari permukaannya,
setelah material itu sendiri dibombardir oleh partikel-partikel energik dari
plasma atau gas. Ini terjadi secara alami diluar angkasa, dan dapat menjadi
sumber keausan yang tidak disukai dalam komponen presisi. Namun, fakta
bahwa itu dapat dibuat untuk bertindak pada lapisan material yang sangat
halus digunakan dalam sains dan industri.
Banyak material-material elektonik maupun logam yang memiliki
permukaan yang sangat halus dan tahan terhadap goresan serta dapat
membiaska cahaya. Teknologi tersebut didapat dari salah satu proses
pelapisan permukaan yaitu proses Sputtering. Sputtering adalah proses
dimana dilakukan penembakan partikel untuk mengangkat atom dari suati
logam pelapis yang digunakan untuk melapisi dimana udara dalam kondisi
hampa. Kondisi hampa udara diakukan dengan tujuan untuk mengurangi efek
tumbukan dengan atom-atom oksigen yang dapat mengganggu hasil dari
proses pelapisan, dengan ini maka digantikan dengan plasma inert.
Keseluruhan benda kerja dan benda pelapis berada pada ruang hampa udara
yang dialiri listrik (Edgar, 2011).
Sputtering pada umumnya menggunakan karbon ataupun emas.
Keunggulan pelapisan dengan menggunakan teknik sputtering jika
dibandingkan dengan teknik yang lain adalah bahan uji yang akan dilapisi
tidak harus sampai meleleh sehingga sangat bagus digunakan pada bahan
dengan titik didih yang tinggi.
 2

B. Rumusan Masalah
Rumusan masalah dalam makalah ini adalah sebagai berikut :
1. Apa itu sputtering?
2. Apa saja teknik dalam sputtering?
3. Apa itu besaran deposisi dalam sputtering?

C. Tujuan
Tujuan disusunnya makalah ini adalah sebagai berikut.
1. Untuk mengetahui Apa itu sputtering
2. Untuk mengetahui Apa saja teknik dalam sputtering
3. Untuk mengetahui Apa itu besaran deposisi dalam sputtering
 3

BAB II

PEMBAHASAN

A. Pengenalan Sputtering

Banyak material-material elektonik maupun logam yang memiliki

permukaan yang sangat halus dan tahan terhadap goresan serta dapat
membiaska cahaya. Teknologi tersebut didapat dari salah satu proses
pelapisan permukaan yaitu proses Sputtering. Sputtering adalah proses
dimana dilakukan penembakan partikel untuk mengangkat atom dari suati
logam pelapis yang digunakan untuk melapisi dimana udara dalam kondisi
hampa. Kondisi hampa udara diakukan dengan tujuan untuk mengurangi efek
tumbukan dengan atom-atom oksigen yang dapat mengganggu hasil dari
proses pelapisan, dengan ini maka digantikan dengan plasma inert.
Keseluruhan benda kerja dan benda pelapis berada pada ruang hampa udara
yang dialiri listrik (Edgar, 2011).
Komponen yang ada dalam piranti  yaitu sumber tegangan tinggi,
vakum, tabung plasma, sistem masukan gas, sistem pemanas substrat, dan
pendingin target. Tegangan yang digunakan harus tinggi agar energi
penembakan dapat menghasilkan pertikel berenergi tinggi. Anoda
dipasangkan suatu substrat dan di katoda dipasang target. Target berupa
bahan padat yang akan dilapiskan di permukaan substrat. Jika diantara anoda
dan katoda tersebut dipasang tegangan, maka di dalam ruang vakum akan
dihasilkan suatu plasma. Gas yang digunakan dalam proses Sputtering adalah
gas argon. Gas yang digunakan adalah argon karena argon merupakan
golongan gas inert. Tegangan tertentu diberikan untuk membantu atom untuk
bergerak keluar dengan sumber pelapis. Penambahan tegangan dilakukan
dengan sangat cepat, hal ini dilakukan untuk mengoptimalkan proses
pelimpatan partikel atom. berada pada daerah katoda, dan anoda nya berada
pada daerah anoda.
Ketika ion gas argon yang memiliki energi tinggi bergerak ke katoda
dan menembak target, maka atom-atom bahan target akan terpercik keluar.
 4

Hasil percikannya ke segala arah maka akan terlapisi di permukaan substrat.

Gambar dibawah ini adalah mkanisme sederhana proses Sputtering yang
biasa dilakukan dalam rangka melapisi benda kerja. Seluruh proses dilakuka
dengan idealisasi kondisi.

Gambar 1 Proses Sputtering

B. Teknik Sputtering
Teknik Sputtering terdapat berbagai macam cara
yaitu Sputtering DC, Sputtering RF, dan magneton Sputtering.

1. Sputtering Direct Current (DC)

Pada Sputtering DC sesuai dengan namanya arus yang
digunakan adalah arus searah (Direct Current). Pada Sputtering DC
material yang digunakan adalah material berjenis konduktor dan semi
konduktor. Sistem tabung vakumnya terpasang sepasang elektroda saling
berhadapan. Elektroda tersebut dihubungkan dengan catu daya tegangan
DC. Pada bagian bawah terpasang pemanas agar material target hasil
pelapisan dapat merekat dengan baik. Proses pelapisan
pada  Sputtering DC adalah dengan memasang target pada katoda dan
substrat pada anoda. Kemudian dilakukan pemvakuman tabung hingga
mencapai orde 10-1 mBar. Saat gas argon mulai mengalir, katoda dan
anoda diberi tegangan DC agar timbul medan listrik.
 5

Saat medan yang timbul besar, maka akan ada elektron yang
terlepas dan menuju anoda. Energi elektron diserap oleh gas argon dan
akanmenghasilkan ion-ion argon. Kecepatan elektron pada saat menumbuk
sangat besar sehingga akan membangkitkan muatan secara bergantian dan
terus menerus. Pada saat seimbang, keadaan lecutan tersebut disebut glow
discharge. Pada kondisi ini biasaya mengakibatkan tumbukan antar atom
pelapis dengan atom argon namun dengan adanya atom argon sebagai
plasma maka akan menghasilkan lapisan hasil kerja yang rata dan rapi.

Gambar 2.Proses  Sputtering DC

2. Sputtering Radio Frequency (RF)

Proses Sputtering selanjutnya adalah Sputtering RF dimana
yang membedakannya dengan Sputtering DC adalah sumber generator
atau pembangkit nya yang akan digunakan sebaga sumber energi untuk
deposisi. Jika Sputtering DC menggunakan listrik searah,
sedangkan Sputtering RF menggunakan frequensi radio yang dengan
frequensi yang digunakan pada umumnya adalah 13,56 MHz. Penggunaan
radio frequensi akan mendasari munculnya tegangan negative self
bias pada katoda yang merupakan tegangan negative yang berarus DC.
 6

Gambar 3 Proses Sputtering RF

Daya nominal untuk RF berkisar antara Daya nominal untuk RF

berkisar antara 150 s/d 175 W untuk memperoleh tegangan bias -800 s/d
-1000 V. Sebagai sputter gas adalah Argon dengan  kemumian 99,9%.
Tekanan Ar pada proses Sputtering adalah 5 x 10-2 mbar. Jarak elektroda
30 mm, substrat dipasang pada anoda/ground dan target Fe (kemumian
99,95%) pada katoda. Ketebalan  lapisan tipis berkisar 200 s/d 300 nm.
Setelah terbentuk thin film, kemudian dilakukan karakterisasi
dengan menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM) untuk
penelitian mikostruktur, EDAX (Energi Dispersive X-ray) untuk analisa
komposisil prosentase kandungan unsur dengan cara mendeteksi sinar X
karakteristik yang dipancarkan oleh lapisan tipis (Trimardji, 2000).

3. Magneton Sputtering
Magnetron sputtering adalah proses perpindahan plasma uap,
dimana plasma itu dihasilkan dan memancarkan ion positif dari plasma
lainnya yang mengalami percepatan akibat adanya sumber listrik pada
daerah negative (elektroda/sumber). Ion positif itu mengalami percepatan
oleh beda potensial dari ratusan ke ribuan electron volt dan tumbukan dari
elektroda negatif dan menghasilkan sebuah gaya untuk melontarkan atau
 7

memercikan atom dari logam pelapis. Atom ini akan bergerak lurus
membentuk sudut cosinus dari bidang logam pelapis dan akan membentuk
lapisan yang terletak di katoda atau benda kerja yang akan
dilapisi. Magnetron sputtering deposition menggunakan sumber magnet
tertutup untuk menjebak elektron dan menambah efisiensi proses ionisasi
dari plasma untuk membentuk tekanan yang lebih rendah, dalam rangka
mengurangi pancaran sinar dan energi yang terbang dlam
proses sputtering atom akibat tumbukan gas.

Gambar 4Magneton Sputtering

Hasil lapisan tipis dari proses Sputtering dapat disesuaikan dengan

kebutuhan denga memperhatikan parameter lain yang ada, seperti tekanan
gas argon, tekanan  udara, listrik yang digunakan, jenis meterial, suhu,
waktu dan jarak antar elektroda. Gas yang sering digunakan dalam proses
pelapisan dengan menggunakan metode Sputtering adalah gas argon.
Digunakannya gas argon selain karena gas tersebut bersifat inert juga karena
memiliki Mr 40, harga terjangkau, dan mudah mengalami ionisasi. Tekanan
udara pada proses Sputtering yang digunakan adalah tekanan udara rendah.
Tekanan udara harus benar benar dijaga di dalaum ruang vakum agar tetap
bersih dan tidak terjadi reaksi yang tidak diinginkan. Jika ruang vakum
bersih, maka atom yang terlepas dari target bisa langsung menuju substrat
 8

tanpa ada tumbukan dengan atom yang lain. Plasma yang terbentuk saat
proses Sputtering bergantunng dari daya listrik yang digunakan sehingga
akan terbentuk ion dengan energi yang tinggi.
Dalam proses pemercikan atom, atom-atom bergerak bebas
melewati plasma untuk kemudian menuju ke benda kerja. Hal ini
digambarkan sebagai sebaran atom yang tersebar bebas dan bergerk tak
berturan, namun masih dalam kadar normal. Terkadang juga atom
bertabrakan dengan partikel penembak yang kecepatan dari atom tersebut
tergantung kepada sudut tembak, dan keceatan penembakan partikel yang
mengakibatkan atom bergerak. Proses tumbukan yang terjadi tidak dapat
dihindari dan dari tumbukan tersebut mengakibatkan electron dan percikan
cahaya bersinar didalam plasma T (rimardji, 2000).
Tumbukan partikel mengenai atom permukaan logam pelapis dapat
dibedakan menjadi 2 jenis yaitu :
1. Single Knock-on
Tumbukan ini terjadi ketika partikel ion menumbuk logam
pelapis dan memiliki energi yang cukup untuk menyebabkan atom yang
berada lurus dengan garis tumbuknya mengalami arah tumbukan yang
berlawanan dan mengakibatkan atom memercik keluar permukaan
sumber dan kemudian menempel ke dalam benda kerja. Secara
sederhana mekanisme penumbukan single knock-on dapat dilihat pada
gambar dibawah ini.

Gambar 5 Tumbukan Single Knock-On

 9

2. Linear Collision Cascade

Tumbukan ini terjadi jika energi tumbukan memiliki energi
yang tinggi, yaitu berkisar antara 100 eV sampai 10 keV. Seluuh atom
yang bersentuhan mengalami tumbukan dan mengakibatkan perambatan
tumbukan. Perambatan yang terjadi semakin lama semakin besar dan
mengakibatkan terjadinya percikan atom melewati permukaan sumber
dan kemudian bergerak menuju benda kerja dan melapisi permukaan
kerja. Secara garis besar, tumbukan ini akan mempercepat selesainya
proses pelapisan karena semakin banyak atom yang terpercik dari
banyaknya atom yang bertumbukan.

Gambar 6 Linear Collision Cascade

Dalam kejadian yang normal, tumbukan atom tidak dapat
memindahkan atom keluar dari permukaan sumber logam pelapis.
Namun yang dapat memindahkan adalah tumbukan sekunder yang
diakibatkan oleh Linear Collision Cascade. Bentuk dan arah tumbukan
dapat diilustrasikan dengan mudah dan dibagi menjadi tumbukan pimer
dan tumbukan sekunder. Tumbukan primer adalah tumbukan awal yang
menjadi penyebab atom utuk bergerak. Tumbukan sekunder adalah
tumbukan yang dihasilkan dari tumbukan primer, yang memiliki energi
sisa untuk menggerakkan atom lainnya (Wassa, 2012)
 10

Energi dari suatu tumbukan dapat pula di hitung dengan parameter massa

dan arah tumbukan. Secara sederhana proses tumbukan menghasilkan energi yang
terus terambatkan dan semakin lama semakin besar. Kecepatan atom
bertumbukan  dapat pula di hitung dengan kecepatan dari pertikel penembak dan
arah datangnya dari pertikel. Perhitungan kecepatan dan besar tumbukan ini
diperlukan dalam rangka mengoptimalkan lapisan mana saja yang akan cepat
terlapisi dan lapisan mana saja yang membutuhkan proses lebih untuk
mempercepat proses pelapisan pada daerah-daerah tertentu. Dengan mudah dapat
diperhitungkan dengan persamaan tumbukan, yaitu:

Momentum ;

P = m v ………………………………………………………..……… (1)
Energi kinetik ;

K = ½ m
v2…………………………………………………………………….. (2)
Pi = Pf
m1v1i  + m2v2i = m1v1f + m2v2f
Ki = Kf
½ (m1v1i2  + m2v2i2) = ½ (m1v1f2 + m2v2f2)

Keterangan :
P = Momentum
M  = Massa Partikel
 11

V = Kecepatan Partikel

i = Initial
f = Final

Beberapa penelitian telah dilakukan dan didapatkan grafik energi yang

tertransferkan daari dua buah massa yang bertumbukan secara linier. Dari grafik
dibawah ini maka terdapat perbandingan massa dan benda yang paling optimal
untuk menghasilkan energi tumbukan yang besar.

Gambar 8 Energi yang ditransferkan pada suatu tumbukan linier

C. Besaran Deposisi
Besarnya deposisi yang terjadi dari proses Sputtering adalah
sebanding dengan besaran luluhnya lapisan yang menjadi pelapis dalam
proses Sputtering. Terdapat tekanan optimum untuk mendapat deposisi yang
pas dan menghasilkan layar yang baik, diantaranya yang harus ditekankan
pada proses Sputtering adalah jika tekanan terlalu besar maka akan
 12

mengajibatkan semakin banyak tumbukan yang akan mengakibatkan

banyaknya pancaran electron dan cahaya didalam plasma dan mengakibatkan
layar yang dihasilkan tidak rata. Jika tekanan yang diberikan kurang maka
mengakibatkan penyebaran ion atau atomnya tidak merata karena tidak
mampu tersebar luas karena kekurangan energi untuk bergerak. Dibawah ini
grafik tekanan optimum dalam proses Sputtering (Edgar, 2011).

Gambar 9 Grafik tekanan optimum proses Sputtering

 13

BAB III
PENUTUP

A. Kesimpulan
Sputtering adalah proses dimana dilakukan penembakan partikel
untuk mengangkat atom dari suati logam pelapis yang digunakan untuk
melapisi dimana udara dalam kondisi hampa. Kondisi hampa udara diakukan
dengan tujuan untuk mengurangi efek tumbukan dengan atom-atom oksigen
yang dapat mengganggu hasil dari proses pelapisan, dengan ini maka
digantikan dengan plasma inert. Keseluruhan benda kerja dan benda pelapis
berada pada ruang hampa udara yang dialiri listrik
B. Saran
Saran kami untuk pembaca makalah ini agar mencari referensi lain
jika dalam makalah ini masih ada kekurangan informasi mengenai
penyepuhan itu sendiri.
 14

DAFTAR PUSTAKA

Alfonso. Edgar; Olaya. Jairo; Cubilos. Gloria, 2011,  Thin Film Growth Through
Sputtering Technique and Its Applications , Colombia,  ( By : The effects
of deposition parameters on the crystallographic orientation of AIN films
prepared by RF reactive sputtering, Vacuum. Vol. 48, (1997) 427-
429. )., www.columbia.edu.
Atmono. Trimardji; Usada. Widdi; Purwadi. Agus; Yunanto, 2000, Pengaruh
Metoda Preparasi,Dc- dan RF Sputtering, Terhdap Sifat Lapisan Tipis,
Jogjakarta, P3TM-BATAN., ISSN 0216-3128.,  www.batan.go.id.
Wasa. Kiyotaka; Kanno. Isaku; Kotera. Hidetoshi; 2012; Fundamental and
application for functional thin films, nanomaterials, and MEMS,
2nd Edition., Kidlington, imprint of Elsevier,