SIFAT OPTIK

PADATAN
 APA ITU
SIFAT OPTIK

PADATAN ???
 SIFAT OPTIK PADATAN ADALAH
RESPON MATERIAL/PADATAN
TERSEBUT TERHADAP PAPARAN
GELOMBANG ELEKTROMAGNETIK,
RADIASI, KHUSUSNYA
UNTUK RANGE CAHAYA TAMPAK.

Radiasi elektromagnetik adalah

kombinasi medan listrik dan medan
magnet yang berosilasi dan merambat
melewati ruang dan
membawa energi dari satu tempat ke
tempat yang lain.
 E

S
E

P
K

E
T

K
U
R
N
M E
T
O
T
R
M
I
A
 LASER DAN LED

Laser (singkatan dari bahasa Inggris : Light Amplification by Stimulated

Emission of Radiation) merupakan mekanisme suatu alat yang
memancarkan radiasi elektromagnetik, biasanya dalam bentuk cahaya
yang tidak dapat dilihat maupun dapat lihat dengan mata normal, melalui
proses pancaran terstimulasi. Pancaran laser biasanya tunggal,
memancarkan foton dalam pancaran koheren.

LED (light-emitting diode) adalah suatu

semikonduktor yang memancarkan cahaya
monokromatik yang tidak koheren ketika
diberi tegangan maju.
 LED

LASER
 INTERAKSI DARI CAHAYA DAN ATOM

Ketika atom menyerap foton dengan panjang gelombang yang

tepat dan mengalami eksitasi. Elektron hanya akan menyerap
foton jika energi foton sesuai dengan perbedaan energi
antara tingkat energi elektron awal dan akhir. Pada cahaya
atom, elektron tidak dapat mengubah spinnya dan momentum
sudut orbital harus berubah satu unit dalam hal bilangan
kuantum ∆s = 0, ∆l = ± 1. Contoh : Atom Na (Natrium)
elektron 3s dapat menyerap satu foton dan tereksitasi ke
tingkat 3p, tapi tidak dapat tereksitasi ke 3d atau 4s.
 Radiasi elektromagnetik dapat berinteraksi dengan atom atau
molekul yang mempunyai tingkat energi dalam keadaan dasar ke
tingkat energi yang lebih tinggi karena memperoleh energi. Atom
atau molekul yang tereksitasi dapat kembali ke keadaan dasar
dengan dua cara yaitu emisi spontan dan emisi terstimulasi.
Radiasi emisi spontan adalah Radiasi yang dipancarkan secara
langsung oleh atom atau molekul yang tereksitasi ketika menuju
posisi level energi yang lebih rendah.
Atom tereksitasi = atom keadaan dasar + foton
Radiasi emisi stimulasi adalah radiasi yang dipancarkan ketika
foton lain menumbuk atom atau molekul tereksitasi. Energi foton
harus sama dengan selisih level energi transisi atom atau molekul
tereksitasi. Foton yang dihasilkan sama dengan foton yang datang
dan dapat mestimulasi emisi pada atom tereksitasi yang lain.
Atom tereksitasi + foton = atom keadaan dasar + 2 foton
PRINSIP KERJA LASER

Laser dihasilkan dari proses relaksasi elektron. Pada saat proses ini maka
sejumlah foton akan dilepaskan berbeda dengan cahaya senter emisi pada
laser terjadi dengan teratur sedangkan pada lampu senter emisi terjadi
secara acak. Pada laser emisi akan menghasilkan cahaya yang memiliki
panjang gelombang tertentu. Berbeda dengan lampu senter emisi akan
menghasilkan cahaya dengan banyak panjang gelombang, proses yang
terjadi adalah elektron pada keadaan ground state (pita valensi)
mendapat energi kemudian statusnya naik menuju pita konduksi (keadaan
eksitasi) kemudian elektron tersebut kembali ke keadaan awal (ground
state) diikuti dengan beberapa foton yang terlepas. Kemudian agar energi
yang dibawa cukup besar maka dibutuhkan sebuah resonator – resonator
ini dapat berupa lensa atau cermin yang sering digunakan adalah lensa dan
cermin. Ketika di dalam resonator maka foton – foton tersebut saling
memantul terhadap dinding resonator sehingga cukup kuat untuk
meninggalkan resonator tersebut.
LASER RUBY
Ruby adalah korundum (salah satu bentuk Al2O3) dengan 0,04 hingga
0,5% Cr3+ ion sebagai pengotor yang menggantikan ion aluminium. Ion
aluminium, dan karenanya ion kromium, menempati bagian oktahedral
terdistorsi.
Ion Cr3+ memiliki 3 elektron 3d dalam keadaan dasar, ketika cahaya
diserap salah satu elektron mengalami transisi ke tingkat energi 3d
yang lebih tinggi. Kemudian ion Cr3+ memancarkan radiasi panjang
gelombang yang sama dan kembali ke keadaan dasar.
Namun pada laser ruby, transisi, cepat tanpa radiasi terjadi, di mana
elektron tereksitasi kehilangan sebagian energinya dan kristal
mendapatkan energi vibrasi. Ion kromium ditinggalkan pada keadaan
dimana ia hanya dapat kembali ke keadaan dasar apabila terjad transisi
yang mengubah arah putaran elektron.
 Laser Neodymium

Tipe laser ini merupakan laser yang paling populer.

Sebagai material host digunakan kristal Y3Al5O12
(Yttrium Aluminium Garnet, YAG) dimana beberapa ion
Y3+ diganti oleh ion Nd3+. Disamping material YAG,
material lain yang banyak digunakan sebagai host untuk
laser neodymium adalah fluorida (YLiF4), vanadate
(YVO4), posfat dan gelas silika. Konsentrasi umum
doping ion Nd3+ adalah sekitar 1% atomik.
 PENYERAPAN DAN EMISI RADIASI
BERBASIS SEMIKONDUKTOR
Laser ini juga disebut laser injeksi, karena pemompaannya dilakukan
dengan injeksi arus listrik lewat sambungan PN semikonduktornya. Jadi
laser ini tidak lain adalah sebuah diode dengan bias maju biasa.

Prinsip kerjanya, yaitu pancaran fotonnya disebabkan oleh bergabungnya

kembali elektron dan lubang (hole) di daerah sambungan PN-nya. Bahan
semikonduktor yang dipakai harus memiliki gap energi yang langsung,
agar dapat melakukan radiasi foton tanpa melanggar hukum kekekalan
momentum. Oleh sebab itulah laser semikonduktor tidak pernah
menggunakan bahan seperti silikon maupun germanium yang gap
energinya tidak langsung.
Fenomena laser pada semikonduktor pertama kali diamati pada tahun 1962,
menggunakan dioda sambungan p-n pada bahan semikonduktor GaAs, seperti
ditunjukkan pada Gb. 2.5.
Proses pumping terjadi pada sambungan p-n, dimana baik tipe-p maupun
tipe-n menggunakan material semikonduktor yang sama yaitu GaAs.
Konsentrasi donor dan akseptor yang besar (≈ 1018 atom/cm3 )
mengakibatkan tingkatan Fermi berada pada pita valensi untuk tipe-p,
EFp dan pita konduksi untuk tipe-n, EFn (Gb. 2.5(a)). Jika tidak ada
tegangan listrik luar yang diberikan pada sambungan p-n, kedua
tingkatan Fermi berada pada satu tingkatan (Gb. 2.5(a)). Jika diberikan
tegangan maju sebesar V, maka kedua tingkatan Fermi menjadi terpisah
sejauh ∆E = eV. Dengan demikian, maka pada daerah sambungan
elektron-elektron diinjeksikan kedalam pita konduksi (dari tipe-n) dan
lubang kedalam pita valensi (dati tipe-p). Akibatnya, untuk nilai rapat
arus yang sesuai, kondisi transparansi, maka kondisi ambang dari laser
dapat diperoleh.Salah satu kelemahan dari laser sambungan p-n adalah
karena potensial barier yang kecil, sehingga elektron akan masuk ke
tipe-p dan menjadi pembawa minoritas dan kemudian berekombinasi
dengan lubang.
Keterbatasan laser sambungan p-n memacu ilmuan untuk mendisain
berbagai bentuk laser dari bahan semikonduktor, diantaranya Light-
Emmiting Diodes (LED), Galium Arsenide Laser (GaAs), dan Quantum
Wells-Blue Laser.
 LIGHT-EMITTING DIODES (LED)

Diode pancaran cahaya (light-emitting

diode; LED) adalah suatu semikonduktor yang
memancarkan cahaya monokromatik yang tidak
koheren ketika diberi tegangan maju.

Warna yang dihasilkan bergantung pada bahan

semikonduktor yang dipakai, dan bisa juga
ultraviolet dekat atau inframerah dekat.
Cara Kerja LED

LED terdiri dari sebuah chip

semikonduktor yang di doping
sehingga menciptakan junction P
dan N. Yang dimaksud dengan
proses doping dalam semikonduktor
adalah proses untuk menambahkan
ketidakmurnian (impurity) pada
semikonduktor yang murni sehingga
menghasilkan karakteristik
kelistrikan yang diinginkan.
 Ketika LED dialiri tegangan maju atau bias forward yaitu dari Anoda
(P) menuju ke Katoda (K), Kelebihan Elektron pada N-Type material akan
berpindah ke wilayah yang kelebihan Hole (lubang) yaitu wilayah yang
bermuatan positif (P-Type material). Saat Elektron berjumpa dengan
Hole akan melepaskan photon dan memancarkan cahaya monokromatik
(satu warna).

LED atau Light Emitting Diode yang memancarkan cahaya ketika

dialiri tegangan maju ini juga dapat digolongkan sebagai Transduser yang
dapat mengubah Energi Listrik menjadi Energi Cahaya.
Tabel Senyawa Semikonduktor yang digunakan untuk
menghasilkan variasi warna pada LED :

Bahan Semikonduktor Wavelength Warna

Gallium Arsenide (GaAs) 850-940nm Infra Merah
Gallium Arsenide Phosphide (GaAsP) 630-660nm Merah
Gallium Arsenide Phosphide (GaAsP) 605-620nm Jingga
Gallium Arsenide Phosphide Nitride (GaAsP:N) 585-595nm Kuning
Aluminium Gallium Phosphide (AlGaP) 550-570nm Hijau
Silicon Carbide (SiC) 430-505nm Biru
Gallium Indium Nitride (GaInN) 450nm Putih
 Tegangan maju (Forward Bias) setiap jenis LED

Masing-masing Warna LED (Light Emitting Diode) memerlukan tegangan

maju (Forward Bias) untuk dapat menyalakannya. Tegangan Maju untuk LED
tersebut tergolong rendah sehingga memerlukan sebuah Resistor untuk
membatasi Arus dan Tegangannya agar tidak merusak LED yang
bersangkutan.
Elemen Warna LED Warna spektrum
adalah yang terdapat di dalam
tertentu
suatu cahaya sempurna
(berwarna putih). Identitas
suatu warna ditentukan panjang
gelombang cahaya tersebut.
Sebagai contoh warna biru
memiliki panjang gelombang 460
nanometer. Panjang gelombang
warna yang masih bisa ditangkap
mata manusia berkisar antara
380-780 nanometer.
Kelebihan dan Keelemahan LED

Kelebihan dari LED adalah konsumsi daya listrik pada LED lebih rendah
" selain itu LED lebih tahan lama" murah dan tersedia dalam berbagai
warna. Namun LED punya kelemahan "yaitu intensitas cahaya (Lumen)
yang dihasilkan termasuk kecil. Kelemahan ini membatasi LED untuk
digunakan sebagai lampu penerangan. LED memiliki dua kutub yaitu
Anoda dan Katoda.
LED akan menyala apabila mendapat bias forward atau arus listrik
yang mengalir dari Anoda ke Katoda. Dalam rangkaian elektronika "
pemasangan kutub LED tidak boleh terbalik" karena apabila terbalik
kutubnya maka LED tersebut tidak akan menyala. LED memiliki
karakteristik yang berbeda menurut warna yang dihasilkan.
 Aplikasi LED

• Lampu Penerangan Rumah

• Lampu Penerangan Jalan
• Papan Iklan (Advertising)
• Backlight LCD (TV, Display Handphone, Monitor)
• Lampu Dekorasi Interior maupun Exterior
• Lampu Indikator
• Pemancar Infra Merah pada Remote Control (TV, AC, AV Player)
 THE GALLIUM ARSENIDE LASER

Laser gallium arsenide sebenarnya mengandung lapisan GaAs yang diapit

oleh lapisan-lapisan galium aluminium (Ga1-x AlxAs). Seperti yang
ditunjukkan pada Gambar 8.12, celah pita dari aluminium galium arsenide
lebih besar daripada galium arsenide.

Medan listrik yang diterapkan pada sambungan p-n, seperti LED,

menciptakan kelebihan elektron dalam pita konduksi galium arsenide.
Elektron ini tidak melayang ke dalam lapisan arsenide gallium-aluminium,
karena bagian bawah pita konduksi pada lapisan ini memiliki energi yang
lebih tinggi dan oleh karena itu elektron harus mendapatkan energi untuk
bergerak.

FIGURE 8.12 Susunan
daerah semikonduktor yang
berbeda dalam laser GaAs.
Profil celah pita ditunjukkan
di bawah area ini.
Dengan demikian, sinar cahaya yang koheren mulai
terbentuk. Seperti laser ruby, ledakan foton awal
dipantulkan oleh cermin yang terletak di ujungnya,
yang menyebabkan lebih banyak emisi. Akhirnya,
sinar inframerah dipancarkan.
Beberapa laser tersebut telah dikembangkan, yang
sebagian besar didasarkan pada senyawa III-V
(yaitu senyawa In, Ga dan / atau Al dengan As, P
atau Sb).
Laser semikonduktor inframerah digunakan, antara
lain, untuk membaca compact disc. Sebuah compact
disc terdiri dari piringan plastik yang dilapisi dengan
aluminium foil yang sangat reflektif dan terlindung
dari kerusakan mekanis oleh lapisan polimer.
 Laser Semikonduktor GaAs jenis double Heterojunction sebagai
sumber cahaya dalam komunikasi optik.

Adalah Penelitian yang dilakukan oleh Samy J. Litiloly dan

Nicolas Titahelu bahwa mereka meneliti suatu sistem
junction yang tepat sebagai gelombang carrier dalam
komunikasi optik. Dengan adanya pencampuran III-V
terhadap GaAs murni, diciptakan untuk mempertajam profil
laser output dan memperbesar dayanya. Struktur yang
terbaik untuk keperluan ini adalah double heterojunction
(DH) dengan salah satu bahan unggulannya adalah Ga1-
xInxAs1-yPy. Kemudian ditunjukkan bahwa bahan ini
memberikan λoutput ≈ 1,55 μm dan daya output diatas 10
mW dengan efisiensi operasi 70 %
Pada Gambar struktur
forward-bias-nya akan
memberikan output daya
diatas 10 Mw.maka Sumber
laser Ga1-xInxAs1-yPy
double heterojunction (DH)
stripe geometry telah
memberikan solusi terbaik
untuk memperoleh
gelombang carrier yang
qualified dalam sistim
komunikasi optik jarak jauh
dengan fiber silikon. Yaitu
karena λoutput-nya 1,55 µm,
output daya-nya diatas 10
mW
 QUANTUM WELLS-BLUE LASER
Laser biru memungkinkan resolusi yang lebih tinggi dan kepadatan
penyimpanan optik informasi yang lebih tinggi, seperti DVD, daripada laser
GaAs inframerah.

Laser biru paling awal didasarkan pada ZnSe, tetapi masa hidup mereka
terlalu pendek untuk aplikasi komersial. Gallium nitride (GaN) yang berbasis
laser, yang pertama kali ditunjukkan pada tahun 1995, memiliki masa pakai
yang lebih lama. Dalam laser ini, foton dihasilkan dalam badan semikonduktor,
tetapi di sumur kuantum.

Wilayah aktif GaN mengandung beberapa lapisan tipis (30-40 Å tebal) GaN
indium-doped, InxGa1-xN. Penambahan indium mengurangi celah pita dalam
lapisan tipis sehingga bagian bawah pita konduksi adalah GaN.
FIGURE 8.13 Diagram tingkat energi untuk pita
konduksi dalam serangkaian lapisan tipis
InxGa1-xN di GaN
 Elektron pada pita konduksi ini adalah pita yang diekstrak dari GaN. Gambar
8.13 menunjukkan bagian bawah pita valensi untuk serangkaian lapisan tipis
InxGa1-xN dalam GaN.

Elektron yang terperangkap berperilaku seperti partikel dalam kotak, tetapi

dengan keterbatasan dinding energi ke kotak. Kotak semacam itu dikenal
dengan sumur kuantum. Di dalam lubang, energi elektron dikuantifikasi dan
jarak tingkat energi tergantung pada kedalaman (energi) dan (spasial) lebar
lubang.

Ujung dari seluruh perangkat tergores atau dibersihkan untuk membentuk

submirror yang mencerminkan foton yang dipancarkan, di mana sinar koheren
dapat dibangun.

Salah satu penggunaan laser semikonduktor adalah sumber cahaya dalam

serat optik.
Serat optik

Serat optik adalah saluran transmisi atau sejenis kabel yang

terbuat dari kaca atau plastik yang sangat halus dan lebih kecil
dari sehelai rambut, digunakan untuk mentransmisikan sinyal
cahaya.
Serat optik terbuat dari bahan dielektrik berbentuk seperti kaca (glass).
Di dalam serat inilah energi cahaya yang dibangkitkan oleh sumber cahaya
disalurkan (ditransmisikan) sehingga dapat diterima di ujung unit
penerima (receiver).
 Karakteristik
a. Numerical Aperture (NA)
Numerical Aperture merupakan parameter yang merepresentasikan sudut
penerimaan maksimum dimana berkas cahaya masih bisa diterima dan
merambat didalam inti serat. Sudut penerimaan ini dapat beraneka macam
tergantung kepada karakteristik indeks bias inti dan selubung serat optik.
• Jika sudut datang berkas cahaya lebih besar dari NA atau sudut kritis,
maka berkas tidak akan dipantulkan kembali ke dalam serat melainkan
akan menembus cladding dan akan keluar dari serat.
• Semakin besar NA maka semakin banyak jumlah cahaya yang diterima
oleh serat.
• Akan tetapi sebanding dengan kenaikan NA menyebabkan lebar pita
berkurang, dan rugi penyebaran serta penyerapan akan bertambah.
• Oleh karena itu, nilai NA besar hanya baik untuk aplikasi jarak‐pendek
dengan kecepatan rendah.
■ Besarnya Numerical Aperture (NA) dapat dihitung dengan
menggunakan persamaan berikut :
b. Redaman
Redaman/atenuasi serat optik merupakan karakteristik penting yang
harus diperhatikan mengingat kaitannya dalam menentukan jarak
pengulang (repeater), jenis pemancar dan penerima optik yang harus
digunakan.
c. Dispersi
Dispersi adalah pelebaran pulsa yang terjadi ketika sinyal merambat
melalui sepanjang serat optik. Dispersi akan membatasi lebar pita
(bandwidth) dari serat. Dispersi yang terjadi pada serat secara garis
besar ada dua yaitu dispersi intermodal dan dispersi intramodal dikenal
dengan nama lain dispersi kromatik disebabkan oleh dispersi material dan
dispersi wavegiude.
Keuntungan Penggunaan Serat Optik :
1. Lebar jalur besar dan kemampuan dalam membawa banyak data
2. Biaya pengoperasian dan pemansangan yang rendah serta tingkat
keamanan yang lebih tinggi
3. Kebal terhadap gangguan elektromagnetik dan
gangguan gelombang radio
4. Non-penghantar, tidak ada tenaga listrik dan percikan api
Kerugian Serat Optik
1. Konstruksi fiber optik lemah sehingga dalam pemakaiannya
diperlukan lapisan penguat sebagai proteksi.
2. Karakteristik transmisi dapat berubah bila terjadi tekanan
dari luar yang berlebihan
3. Tidak dapat dialiri arus listrik, sehingga tidak dapat
memberikan catuan pada pemasangan repeater.
Kristal fotonik

Kristal fotonik (PhC) adalah struktur periodik dari material

dielektrik dengan permitivitas (e) atau indeks bias (n) yang berbeda,
sehingga dapat menghambat perambatan gelombang dengan frekuensi
dan arah tertentu.

Dikatakan “kristal”karena dibentuk oleh susunan

blok yang periodik
bangunan dasar.
Istilah “fotonik” karena kristal dirancang
untuk mempengaruhi sifat
 Kristal fotonik terdiri dari susunan berkala dua bahan dengan indeks
bias yang berbeda. Pada setiap batas antara dua bahan, cahaya atau radiasi
elektromagnetik lainnya akan pecah dan sebagian mencerminkan. Sinar dari
berbagai antarmuka memperkuat atau membatalkan satu sama lain
tergantung pada fase relatif mereka. Panjang gelombang radiasi, arah
geraknya, indeks bias bahan kristal fotonik, dan pengaturan periodik
tertentu menentukan apakah dua pancaran berada dalam fase. Untuk
panjang gelombang tertentu radiasi, indeks bias dan jarak material,
pembatalan lengkap di semua arah dapat terjadi, sehingga kristal tidak
memancarkan panjang gelombang tersebut.
Kisaran panjang gelombang terlarang semacam itu dikenal
dalam
analogi dengan semikonduktor sebagai celah pita fotonik.
Kristal fotonik asli dibuat dengan lubang pengeboran akurat dengan diameter milimeter
dalam blok bahan dengan indeks bias 3,6. Kristal ini memiliki celah pita fotonik di wilayah
microwave. Struktur serupa dengan celah pita di daerah gelombang mikro dan radio
digunakan untuk membuat antena yang membelokkan radiasi menjauh dari kepala pengguna
telepon seluler. Produksi kristal fotonik dengan celah pita pada panjang gelombang yang
lebih pendek - inframerah dan terlihat - kurang mudah. Ukuran lubang atau jarak kisi yang
diperlukan untuk kristal fotonik kira-kira sama dengan
panjang gelombang radiasi dibagi dengan indeks bias. Sebuah laser GaAs menghasilkan
radiasi dari panjang gelombang 904 nm.

Untuk menggunakan radiasi ini memiliki kristal fotonik silikon dioksida memiliki indeks bias
1,45, jarak 623 nm atau 0,623 mikron akan diperlukan. Permesinan lubang ukuran ini adalah
nyaman dan produksi struktur periodik
biasa dengan jarak sebesar ini adalah masalah teknis yang harus diatasi sebelum sirkuit
terpadu optik dan perangkat lain dapat diproduksi. Salah satu pendekatan untuk masalah
ini adalah untuk menggantung bola (biasanya silikon dioksida) kurang dari satu mikron
diameter dalam suspensi koloid atau hidrogel.