PART 1

A. Pandu Gelombang dan Serat Optik

Pandu gelombang adalah sebuah medium yang digunakan untuk memandu
gelombang, seperti gelombang elektromagnetik atau gelombang suara. Pandu
gelombang yang digunakan berbeda-beda disesuaikan dengan jenis gelombang yang
akan dipandu. Pandu gelombang yang asli dan yang paling umum digunakan adalah
pipa berongga yang terbuat dari logam yang konduktif yang digunakan untuk
membawa gelombang radio berfrekuensi tinggi khususnya gelombang mikro
(microwaves).
Pandu gelombang memiliki bentuk geometri yang berbeda-beda yang dapat
menahan energi dalam satu dimensi seperti pandu gelombang yang berbentuk
lempeng (slab waveguide) atau dalam dua dimensi seperti dalam fiber atau channel
waveguide. Selain itu, pandu gelombang yang berbeda digunakan untuk memandu
gelombang dengan frekuensi yang berbeda-beda; contohnya fiber optic digunakan
untuk memandu cahaya (frekuensi tinggi) dan tidak memandu gelombang micro yang
memiliki frekuensi yang lebih rendah dibandingkan dengan cahaya tampak. Sebuah
aturan yang harus diingat adalah lebar dari pandu gelombang harus memiliki orde
yang sama dengan besar dari panjang gelombang yang akan dipandu. Terdapat
beberapa struktur dialam yang bertindak sebagai pandu gelombang; contohnya sebuah
lapisan di lautan yang dapat memandu suara paus dalam jarak yang sangat jauh
Serat optik adalah pandu gelombang dielektrik atau media transmisi
gelombang cahaya yang terbuat dari bahan transparan berbentuk silinder. Serat optik
terdiri dari bagian inti (core) yang dikelilingi oleh bagian yang disebut selubung
(clading). Bagian terluar dari serat optik disebut jaket (coating) yang berfungsi
sebagai pelindung. Bagian inti yang mempunyai indeks bias merupakan jalur utama
pemanduan gelombang cahaya, sedangkan bagian selubung mempunyai indeks bias
yang nilainya sedikit lebih rendah daripada n1

Gambar 1. Skema bagian penyusun serat optik

 Berdasarkan struktur indeks bias bahan bagian inti, serat optik terbagi menjadi
dua jenis, yaitu serat optik step-index dan serat optik graded-index. Jenis step-index
bagian inti mempunyai nilai indeks bias yang seragam, sedangkan jenis graded-index
bagian inti mempunyai nilai indeks bias yang menurun secara gradual dari sumbu
serat sampai ke bidang batas selubung. Selubung kedua jenis mempunyai nilai indeks
bias yang seragam. Berdasarkan jumlah moda gelombang yang terpandu, serat optik
dibedakan menjadi dua, yaitu serat optik mode tunggal (singlemode) jika hanya satu
mode gelombang yang dipandu dan serat optik mode jamak (multimode) jika mode
gelombang yang terpandu lebih dari satu. Perbandingan struktur serat optik
singlemode dan multimode, step-index dan graded-index serta profil indeks biasnya
diperlihatkan pada gambar berikut.

Gambar 2. Struktur serat optik singlemode, multimode, step-index,

gradedindex, serta profil indeks biasnya
 Gambar 3. Perbedaan serat optik multimode dan singlemode

Mekanisme pemanduan gelombang cahaya dalam serat optik berdasarkan pada

hukum Snellius dan pemantulan dalam total. Untuk memudahkan pemahaman mekanisme
pemanduan gelombang cahaya dalam serat optik step-index, digunakan teori sinar dalam
mendeskripsikan perambatan muka gelombang cahaya.

Gambar 3. Perambatan sinar pada serat optik

Penerapan hukum Snellius dilakukan pada proses pemantulan dan pembiasan sinar
pada bidang batas antara dua medium yang berbeda. Sinar yang datang dari medium rapat
(n1) ke medium kurang rapat (n2) akan dibiaskan menjauhi garis normal. Pada sudut tertentu
sinar akan dirambatkan pada bidang batas kedua medium yaitu bidang batas core dan
cladding (sinar tidak dibiaskan pada cladding). Sudut ϕ pada keadaan tersebut dinamakan
sudut kritis yang dilambangkan dengan ϕc. Dengan menggunakan hukum Snellius diperoleh
nilai sudut ϕc, maka n1 sin ϕc = n2 sin ϕ1 dengan ϕ1 = 90o karena sinar merambat pada bidang
batas antara core dan cladding (gelombang evanescant) sehingga:

Serat optik untuk sensor yang beroperasi di wilayah cahaya tampak terbuat dari kaca
atau bahan polimer (plastik).
 Glass Plastic
ambient temperature 450ºC 70ºC/150ºC
bending capability low good
length adjustable not possible easy
mechanical stability low good
total length > 10 m < 10 m

Table 1. Karakteristik fiber optik kaca dan plastic

B. Sumber cahaya dan detektor

1. Sumber Cahaya
a. LED
Light Emitting Diode atau sering disingkat dengan LED adalah
komponen elektronika yang dapat memancarkan cahaya monokromatik
ketika diberikan tegangan maju. LED merupakan keluarga Dioda yang
terbuat dari bahan semikonduktor. Warna-warna Cahaya yang dipancarkan
oleh LED tergantung pada jenis bahan semikonduktor yang
dipergunakannya. LED juga dapat memancarkan sinar inframerah yang
tidak tampak oleh mata seperti yang sering kita jumpai pada Remote
Control TV ataupun Remote Control perangkat elektronik lainnya.
Bentuk LED mirip dengan sebuah bohlam (bola lampu) yang kecil dan
dapat dipasangkan dengan mudah ke dalam berbagai perangkat
elektronika. Berbeda dengan Lampu Pijar, LED tidak memerlukan
pembakaran filamen sehingga tidak menimbulkan panas dalam
menghasilkan cahaya. Oleh karena itu, saat ini LED (Light Emitting
Diode) yang bentuknya kecil telah banyak digunakan sebagai lampu
penerang dalam LCD TV yang mengganti lampu tube.
Cara kerjanya pun hampir sama dengan Dioda yang memiliki dua
kutub yaitu kutub Positif (P) dan Kutub Negatif (N). LED hanya akan
memancarkan cahaya apabila dialiri tegangan maju (bias forward) dari
Anoda menuju ke Katoda.
LED terdiri dari sebuah chip semikonduktor yang di doping sehingga
menciptakan junction P dan N. Yang dimaksud dengan proses doping
dalam semikonduktor adalah proses untuk menambahkan ketidakmurnian
(impurity) pada semikonduktor yang murni sehingga menghasilkan
karakteristik kelistrikan yang diinginkan. Ketika LED dialiri tegangan
maju atau bias forward yaitu dari Anoda (P) menuju ke Katoda (K),
Kelebihan Elektron pada N-Type material akan berpindah ke wilayah yang
kelebihan Hole (lubang) yaitu wilayah yang bermuatan positif (P-Type
material). Saat Elektron berjumpa dengan Hole akan melepaskan photon
dan memancarkan cahaya monokromatik (satu warna).

Gambar 4. Struktur LED

LED atau Light Emitting Diode yang memancarkan cahaya ketika
dialiri tegangan maju ini juga dapat digolongkan sebagai Transduser yang
dapat mengubah Energi Listrik menjadi Energi Cahaya.
Saat ini, LED telah memiliki beranekaragam warna, diantaranya
seperti warna merah, kuning, biru, putih, hijau, jingga dan infra merah.
Keanekaragaman Warna pada LED tersebut tergantung pada wavelength
(panjang gelombang) dan senyawa semikonduktor yang dipergunakannya.
Berikut ini adalah Tabel Senyawa Semikonduktor yang digunakan untuk
menghasilkan variasi warna pada LED :

Bahan Semikonduktor Wavelength Warna

Gallium Arsenide (GaAs) 850-940nm Infra Merah
Gallium Arsenide Phosphide (GaAsP) 630-660nm Merah
Gallium Arsenide Phosphide (GaAsP) 605-620nm Jingga
Gallium Arsenide Phosphide Nitride 585-595nm Kuning
(GaAsP:N)
Aluminium Gallium Phosphide (AlGaP) 550-570nm Hijau
Silicon Carbide (SiC) 430-505nm Biru
Gallium Indium Nitride (GaInN) 450nm Putih
Tabel 2. Warna-warna LED
 Masing-masing Warna LED (Light Emitting Diode) memerlukan
tegangan maju (Forward Bias) untuk dapat menyalakannya. Tegangan
Maju untuk LED tersebut tergolong rendah sehingga memerlukan sebuah
Resistor untuk membatasi Arus dan Tegangannya agar tidak merusak LED
yang bersangkutan. Tegangan Maju biasanya dilambangkan dengan tanda
VF.

Warna Tegangan Maju @20mA

Infra Merah 1,2V
Merah 1,8V
Jingga 2,0V
Kuning 2,2V
Hijau 3,5V
Biru 3,6V
Putih 4,0V
Tabel 2. Tegangan maju LED

b. Laser Dioda
Dioda Laser atau dalam bahasa Inggris disebut dengan Laser Diode
adalah komponen semikonduktor yang dapat menghasilkan radiasi
koheren yang dapat dilihat oleh mata ataupun dalam bentuk spektrum infra
merah (Infrared/IR) ketika dialiri arus listrik. Yang dimaksud dengan
Radiasi Koheren adalah radiasi dimana semua gelombang  berasal dari
satu sumber yang sama dan berada pada frekuensi dan fasa yang sama
juga. Kata LASER merupakan singkatan dari Light Amplification
by Stimulated Emission of Radiation yang artinya adalah mekanisme dari
suatu alat yang memancarkan radiasi elektromaknetik melalui proces
pancaran terstimulasi. Radiasi Elektromaknetik tersebut ada yang dapat
dilihat oleh mata normal, ada juga yang tidak dapat dilihat.
 Gambar 4. Bentuk dan simbol laser dioda
Pada dasarnya, Dioda Laser hampir sama dengan Lampu LED yaitu
dapat mengkonversi energi listrik menjadi energi cahaya, namun Dioda
Laser dapat menghasilkan sinar/cahaya atau Beam dengan Intensitas yang
lebih tinggi. Berikut ini adalah Struktur Laser Dioda.

Gambar 5. Bentuk Struktur Laser Dioda

Berdasarkan cara kerjanya, Dioda Laser dapat dibedakan menjadi 2
jenis yaitu Injection Laser Diode (ILD) dan Optically Pumped
Semiconductor Laser.
1) Injection Laser Diode (ILD)
Cara kerja Injection Laser Diode memiliki berbagai kemiripan dengan
LED (Light Emitting Diode). Kedua-duanya dibuat berdasarkan proses
dan teknologi yang hampir sama. Perbedaan utama pada Dioda Laser
adalah adanya sebuah saluran atau kanal panjang yang sempit dengan
ujung yang reflektif. Kanal tersebut berfungsi sebagai penuntun
gelombang pada cahaya. Kanal tersebut biasanya disebut dengan
Waveguide.
Pada pengoperasiannya, arus mengalir melalui persimpangan PN (PN
Junction) dan menghasilkan cahaya seperti pada LED (Light Emitting
Diode). Pancaran Fotonnya (Photon) disebabkan oleh bergabungnya
kembali Elektron dan Lubang (Holes) di daerah persimpangan PN. Namun
cahaya tersebut hanya dibatasi didalam waveguide (penuntun cahaya) pada
 Dioda Laser sendiri. Di Waveguide ini cahaya Laser direfleksikan dan
kemudian diperkuat sehingga menghasilkan emisi terstimulasi sebelum
dipancar keluar
2) Optically Pumped Semiconductor Laser
Optically Pumped Semiconductor Laser atau disingkat dengan OPSL
ini menggunakan chip semikonduktor III-V sebagai dasarnya, Chip
semikonduktor ini bekerja sebagai media penguat optik. Dioda Laser yang
terdapat didalamnya berfungsi sebagai sumber pompa. Terdapat beberapa
Keuntungan dari Dioda Laser jenis Optically Pumped Semiconductor
Laser ini, terutama dalam pemilihan panjang gelombang (wavelenght) dan
mengurangi gangguan dari struktur elektroda internal.

2. Detektor Cahaya
a. Photoresistor
Photoresistor adalah perangkat yang resistansinya berubah saat cahaya
memasuki permukaan. Bahan yang paling umum untuk pembuatannya
adalah bahan berbasis kadmium (CdSe, CdS, CdTe), bekerja dalam rentang
spektrum yang terlihat (400 nm hingga 700 nm). Dalam kisaran inframerah
(1,4 µm sampai 3 µm) bahan berbasis timbal berlaku (PbS, PbSe, PbTe).
Untuk kisaran dari 3 µm hingga 1 mm bahan berbasis indium (InSb, InAs)
dan Si dan Ge yang cocok.
Simbol Photoresistor yang digunakan dalam sirkuit didasarkan di
sekitar simbol sirkuit resistor, tetapi menunjukkan cahaya, dalam bentuk
panah yang bersinar di atasnya.

Gambar 6. Simbol dan bentuk photoresistor

b. Photodioda
Photodiode adalah komponen Elektronika yang dapat mengubah
cahaya menjadi arus listrik. Dioda Foto merupakan komponen aktif yang
terbuat dari bahan semikonduktor dan tergolong dalam keluarga Dioda.
Seperti Dioda pada umumnya, Photodiode ini memiliki dua kaki terminal
yaitu kaki terminal Katoda dan kaki terminal Anoda, namun Photodioda
memiliki Lensa dan Filter Optik yang terpasang dipermukaannya sebagai
pendeteksi cahaya.
Cahaya yang dapat dideteksi oleh Dioda Foto diantaranya seperti
Cahaya Matahari, Cahaya Tampak, Sinar Inframerah, Sinar Ultra-violet
hingga sinar X. Oleh karena itu, Photodiode atau Dioda Foto yang dapat
mendeteksi berbagai Cahaya ini telah banyak diaplikasikan ke berbagai
perangkat Elektronika dan listrik seperti Penghitung Kendaraan, Sensor
Cahaya Kamera, Alat-alat medis, Scanner Barcode dan peralatan keamanan.
Bentuk photodioda dapat dilihat pada gambar dibawah ini.

Gambar 7. Lambang, Struktur dan bentuk Photodioda

Bahan Semikonduktor yang biasanya digunakan sebagai bahan dasar

Photodiode adalah Silikon (Si), Germanium (Ge), Indium gallium arsenide
phosphide (InGaAsP), Indium gallium arsenide (InGaAs).

 Silikon (Si) : Arus Gelap rendah, berkecepatan tinggi, kepekaan

(sensitivitas) baik di jarak sekitar 400nm hingga 1000nm (terbaik di
jarak 800nm – 900nm)
 Germanium (Ge) : Arus Gelap lebih tinggi, berkecepatan rendah,
kepekaan (sensitivitas) baik di jarak sekitar 900nm – 1600nm (terbaik di
jarak 1400nm – 1500nm)
 Indium gallium arsenide phosphide (InGaAsP) : Mahal, arus gelap
rendah, berkecepatan tinggi, kepekaan (sensitivitas) baik di jarak sekitar
1000nm – 1350nm (terbaik di jarak 1100nm – 1300nm)
  Indium gallium arsenide (InGaAs) : Mahal, arus gelap rendah,
berkecepatan tinggi, kepekaan (sensitivitas) baik di jarak sekitar 900nm
– 1700nm (terbaik di jarak 1300nm – 1600nm)
Photodiode terdiri dari satu lapisan tipis semikonduktor tipe-N yang
memiliki banyak elektron dan satu lapisan tebal semikonduktor tipe-P yang
memiliki banyak hole. Lapisan semikonduktor tipe-N adalah Katoda
sedangkan lapisan semikonduktor tipe-P adalah Anoda.

Saat Photodiode terkena cahaya, Foton yang merupakan partikel terkecil

cahaya akan menembus lapisan semikonduktor tipe-N dan memasuki lapisan
semikonduktor tipe-P. Foton-foton tersebut kemudian akan bertabrakan
dengan elektron-elektron yang terikat sehingga elektron tersebut terpisah dari
intinya dan menyebabkan terjadinya hole. Elektron terpisah akibat tabrakan
dan berada dekat persimpangan PN (PN junction) akan menyeberangi
persimpangan tersebut ke wilayah semikonduktor tipe-N. Hasilnya, Elektron
akan bertambah di sisi semikonduktor N sedangkan sisi semikonduktor P akan
kelebihan Hole. Pemisahan muatan positif dan negatif ini menyebabkan
perbedaan potensial pada persimpangan PN. Ketika kita hubungkan sebuah
beban ataupun kabel ke Katoda (sisi semikonduktor N) dan Anoda (sisi
semikonduktor P), Elektron akan mengalir melalui beban atau kabel tersebut
dari Katoda ke Anoda atau biasanya kita sebut sebagai aliran arus listrik.

PIN Photodioda adalah satu jenis photo detektor, yang digunakan untuk
mengubah sinyal optik menjadi sinyal listrik. Dioda PIN terdiri dari tiga
wilayah, yaitu P-region, I-region, dan N-region. Wilayah intrinsik dalam dioda
berbeda dengan dioda PN-junction. Wilayah ini membuat dioda PIN
penyearah yang lebih rendah, tetapi membuatnya sesuai untuk sakelar cepat,
Atenuasi, photo detektor, dan aplikasi elektronik daya tegangan tinggi.

PIN Photodioda menggunakan lapisan resistansi ekstra tinggi (I), antara

lapisan p dan n untuk meningkatkan waktu respons. Cahaya menembus
melalui lapisan P + ke lapisan intrinsik I, di mana ia diserap. Kecepatan
pergerakan muatan yang dihasilkan tinggi karena medan listrik di daerah
penipisan. Waktu respons dioda PIN adalah dalam urutan beberapa nanodetik.
c. Phototransistor
Photo Transistor adalah Transistor yang dapat mengubah energi cahaya
menjadi listrik dan memiliki penguat (gain) Internal. Penguat Internal yang
terintegrasi ini menjadikan sensitivitas atau kepekaan Photo Transistor
terhadap cahaya jauh lebih baik dari komponen pendeteksi cahaya lainnya
seperti Photo Diode ataupun Photo Resistor. Cahaya yang diterima oleh Photo
Transistor akan menimbulkan arus pada daerah basis-nya dan menghasilkan
penguatan arus hingga ratusan kali bahkan beberapa ribu kali.
Photo Transistor pada umumnya dikemas dalam bentuk transparan pada area
dimana Photo Transistor tersebut menerima cahaya. Bentuk phototransistor
dapat dilihat pada gambar berikut.

Gambar 8. Bentuk dan Simbol Phototransistor

Cara kerja Photo Transistor atau Transistor Foto hampir sama dengan
Transistor normal pada umumnya, dimana arus pada Basis Transistor
dikalikan untuk memberikan arus pada Kolektor. Namun khusus untuk Photo
Transistor, arus Basis dikendalikan oleh jumlah cahaya atau inframerah yang
diterimanya. Oleh karena itu, pada umumnya secara fisik Photo Transistor
hanya memiliki dua kaki yaitu Kolektor dan Emitor sedangkan terminal
Basisnya berbentuk lensa yang berfungsi sebagai sensor pendeteksi cahaya.
Pada prinsipnya, apabila Terminal Basis pada Photo Transistor menerima
intensitas cahaya yang tinggi, maka arus yang mengalir dari Kolektor ke
Emitor akan semakin besar.
d. PSD (Position Sensitive photo-Detectors)
Position Sensitive photo-Detectors atau "potensiometer cahaya" dirancang
untuk pengunaan di mana kuantitas yang diukur diubah menjadi posisi berkas
cahaya. Substansi dari sensor PSD adalah pembangkitan elektron dalam
 lapisan intrinsik dari fotodioda PIN skala besar yang disebabkan oleh cahaya
datang pada permukaan sensor.
Arus foto yang timbul dengan cara ini dibagi menjadi dua bagian oleh lapisan
resistif yang terbuat dari semikonduktor tipe-P. Bagian tengah sensor (lapisan
intrinsik -I) dibuat dari silikon dengan resistivitas yang besar. Medan listrik
yang berhubungan dengan daerah penipisan pada persimpangan, PI dan NI,
menimbulkan pergeseran lubang menuju lapisan P dan elektron menuju
lapisan N +. Pasangan lubang elektron yang dihasilkan pada titik kejadian
bertindak sebagai sumber arus dengan intensitas Io, kemudian arus untuk kiri,
IA dan kanan, elektroda IB diberikan sebagai:

e. Charge Coupled Device (CCD)

Charge Coupled Device (CCD) termasuk dalam sensor gambar.

Sensor gambar atau sensor pencitraan adalah sensor yang mendeteksi dan
menyampaikan informasi yang merupakan gambar. Sensor tersebut
melakukannya dengan mengubah gelombang atenuasi variabel (ketika
gelombang tersebut melalui atau mencerminkan dari objek) menjadi sinyal,
percikan kecil arus yang menyampaikan informasi tersebut. Gelombang dapat
berupa cahaya atau radiasi elektromagnetik lainnya. Berikut gambar sensor
CCD.

Gambar 8. Bentuk struktur sensor CCD

 Fungsi CCD yang menerima cahaya yang telah difokuskan lensa CCD
akan dirancang/dibuat dengan bahan yang tahan panas. CCD juga
didedikasikan untuk fungsi tertentu, seperti infra merah, hitam putih atau
warna. Sensor CCD (charge-coupled device) berfungsi mengubah cahaya
menjadi elektron. Untuk mengetahui cara sensor bekerja kita harus
mengetahui prinsip kerja sel surya. Anggap saja sensor yang digunakan di
kamera digital seperti memiliki ribuan bahkan jutaan sel surya yang kecil
dalam bentuk matrik dua dimensi. Masing-masing sell akan mentransform
cahaya dari sebagian kecil gambar yang ditangkap menjadi electron. CCD
merubah cahaya menjadi elektron dan output dari sensor CCD memberikan
hasil berupa tegangan, alias benar-benar piranti analog. Maka itu pada kamera
bersensor CCD, proses analog-to-digital conversion (ADC) dilakukan diluar
chip sensor.Untuk penangkapan dan manajemen konfersi foton ke elektron.
Selebihnya dilakukan oleh prosesor CCD bias sepenuhnya dioptimalkan untuk
penangkapan cahaya berkualitas tinggi. CCD bias menghasilkan foto-foto
dengan rentang kontras yang lebih baik, warna yang lebih akurat dan cacat
sinyal (noise) yang lebih rendah.

Perangkat dasar terdiri dari dioda metal-oxide-semiconductor (MOS)

yang disusun berdekatan pada lapisan isolator kontinyu (oksida) yang melapisi
substrat semikonduktor, Ada tiga gerbang elektroda di bagian atas Silicon
dioksida, dan tegangan yang diberikan dapat mengontrol pengisian tempat
penyimpanan dan transfer CCD, karena penipisan permukaan dapat
dikendalikan: bias yang sedikit lebih tinggi diterapkan pada pusat elektroda
akan menginduksi pusat MOS penipisan yang lebih besar dan membentuk
potensial, sementara bias yang lebih tinggi pada sisi elektroda akan
menyebabkan transfer carrier minoritas di semikonduktor tipe-n. Sehingga
tempat penyimpanan tak bergerak dari MOS dapat disesuaikan dengan
potensial di elektroda.
 Gambar 9. MOS kapasitor dan PN junction sebagai konverter cahaya
dalam sensor CCD

Karena elektron dapat dihasilkan secara optikal atau lebih tepatnya dari
valensi di pita konduksi, CCD dapat digunakan sebagai sensor cahaya untuk
kamera. Cara kerja CCD sebagai berikut :

 Lensa menerima cahaya dan meneruskan ke CCD

 Fotodioda pada CCD merespon cahaya yang mengenainya.
Cahaya ini direspon fotodioda dengan menghasilkan muatan
sesuai dengan spektrum warna yang diterimanya.
 Muatan tersebut akhirnya ditransfer ke kapasitor.dan tiap
kapasitor dapat mentansfer muatan listrik dari satu kapasitor ke
kapasitor lain.
 Muatan listrik tersebut masuk ke analog signal chain untuk
diolah di ADC. Semua proses ini dikontrol oleh sebuah clock
signal