PERCOBAAN IV

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

A. Tujuan

1. Mengetahui perilaku transistor bila digunakan sebagai saklar.

2. Mengetahui cara mengatur titik operasi.
3. Mengetahui perilaku sirkuit emitor umum tanpa umpan balik.
4. Mengetahui perilaku sirkuit emitor umum dengan umpan balik tegangan
negatif.

B. Alat dan Bahan

1. Komputer
2. Uni Train Interface SO4203-2A
3. Uni Train Experimenter SO4203-2B
4. Uni Train Extended Supply SO4203-2D
5. Uni Train Power Supply SO4203-2A
6. Uni Train Basic Transistor Card SO4203-7E
7. Uni Train Set of Cables SO5146-1L
8. Uni Train Connection Plugs SO5124-7B
9. Multimeter

C. Dasar Teori
C.1 Struktur Transistor
Secara umum terdapat tiga macam variasi rangkaian transistor
yang dikenal dengan is-ilah konfigurasi, yaitu konfigurasi basis
bersama (common-base configuration), konfigurasi emitor bersama
(common-emitter configuration), dan konfigurasi kolektor bersama
(common- collector configuration). Istilah bersama dalam masing-
masing konfigurasi menunjuk pada terminal yang dipakai bersama
untuk input (masukan) dan output (keluaran). Gambar 4.1
menunjukkan tiga macam konfigurasi tersebut (Herman,2007:60-61).
 (a)

(b)
(c)
Gambar 4.1 Konfigurasi transistor (a) basis bersama (b) emitor bersama (c)
kolektor bersama

C.2 Prinsip Kerja Transistor

Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar,
maka semua arus akan nol atau tidak ada arus yang mengalir. Sebagai mana
terjadi pada persambungan dioda, maka pada persambungan emiter dan basis
(JE) serta pada persambungan basis dan kolektor (JC) terdapat daerah
pengosongan. Tegangan penghalang (barrier potensial) pada masing-
masing persambungan dapat dilihat pada Gambar 4.2 Penjelasan kerja
berikut ini didasarkan pada transistor jenis PNP (bila NPN maka semua
polaritasnya adalah sebaliknya) (Herman,2007:56-58).
 Gambar 4.2 Diagram potensial pada transistor tanpa bias
Pada diagram potensial terlihat bahwa terdapat perbedaan potensial
antara kaki emitor dan basis sebesar Vo, juga antara kaki basis dan kolektor.
Oleh karena potensial ini berlawa- nan dengan muatan pembawa pada
masing-masing bahan tipe P dan N, maka arus rekombinasi hole elektron
tidak akan mengalir. Sehingga pada saat transistor tidak diberi tegangan bias,
maka arus tidak akan mengalir.
Selanjutnya apabila antara terminal emitor dan basis diberi tegangan
bias maju (emitor positip dan basis negatip) serta antara terminal basis dan
kolektor diberi bias mundur (basis positip dan kolektor negatip), maka
transistor disebut mendapat bias aktif (lihat gambar 4.3).
Setelah transistor diberi tegangan bias aktif, maka daerah
pengosongan pada persambungan emitor basis menjadi semakin sempit
karena mendapatkan bias maju. Sedangkan daerah pengosongan pada
persambungan basis-kolektor menjadi semakin melebar karena mendapat
bias mundur.

Pemberian tegangan bias seperti ini menjadikan kerja transistor

berbeda sama sekali bila dibanding dengan dua dioda yang disusun
berbalikan, meskipun sebenarnya struktur transistor adalah mirip seperti dua
dioda yang disusun berbalikan, yakni dioda emitor-basis (P-N) dan dioda
basis kolektor (N-P).

Gambar 4.3 Transistor dengan tegangan bias aktif

Bila mengikuti prinsip kerja dua dioda yang berbalikan, maka dioda
 emitor-basis yang mendapat bias maju akan mengalirkan arus dari emitor ke
basis dengan cukup besar. Sedang- kan dioda basis-kolektor yang mendapat
bias mundur praktis tidak mengalirkan arus. Dengan demikian terminal
emitor dan basis akan mengalir arus yang besar dan terminal kolektor tidak
mengalirkan arus.
Namun yang terjadi pada transistor tidaklah demikian. Hal ini
disebabkan karena dua hal, yaitu: ukuran fisik basis yang sangat sempit
(kecil) dan tingkat doping basis yang sangat rendah. Oleh karena itu
konduktivitas basis sangat rendah atau dengan kata lain jumlah pembawa
mayoritasnya (dalam hal ini adalah elektron) sangatlah sedikit dibanding
dengan pem- bawa mayoritas emitor (dalam hal ini adalah hole). Sehingga
jumlah hole yang berdifusi ke basis sangat sedikit dan sebagian besar tertarik
ke kolektor dimana pada kaki kolektor ini ter- dapat tegangan negatip yang
relatif besar (Herman,2007:56-58).

C.3 Karakteristik DC Bipolar Junction Transistor

Bipolar junction transistor (BJT) adalah jenis transistor yang
memiliki tiga kaki, yaitu (Basis, Kolektor, dan Emitor) dan di pisah menjadi
dua arah aliran, positif dan negatif. Aliran positif dan negatif diantara Basis
dan Emitor terdapat tegangan dari 0v sampai 6v tergantung pada besar
tegangan sumber yang dipakai. Dan besar tegangan tersebut merupakan
parameter utama transistor tipe BJT. Tidak seperti Field Effect
transistor (FET), arus yang dialirkan hanya terdapat pada satu jenis
pembawaan (Elektron atau Holes). Di BJT, arus dialirkan dari dua tipe
pembawaan (Elektron dan Holes), hal tersebut yang dinamakan dengan
Bipolar

C.4 Operasi Bipolar Junction Transistor

Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri atas sebuah
bahan type p dan diapit oleh dua bahan tipe n (transistor NPN) atau terdiri
atas sebuah bahan tipe n dan diapit oleh dua bahan tipe p (transistor PNP).
Sehingga transistor mempunyai tiga terminal yang be rasal dari masing-
masing bahan tersebut. Struktur dan simbol transistor bipolar dapar dilihat
 pada Gambar 4.4
Ketiga terminal transistor tersebut dikenal dengan Emitor (E), Basis
(B) dan Kolektor (C). Emitor merupakan bahan semikonduktor yang diberi
tingkat doping sangat tinggi. Bahan kolektor diberi doping dengan tingkat
yang sedang. Sedangkan basis adalah bahan den- gan dengan doping yang
sangat rendah. Perlu diingat bahwa semakin rendah tingkat doping suatu

bahan, maka semakin kecil konduktivitasnya. Hal ini karena jumlah

pembawa mayori- tasnya (elektron untuk bahan n dan hole untuk bahan p)
adalah sedikit.

Gambar 4.4 Struktur dan simbol transistor bipolar

Disamping itu yang perlu diperhatikan adalah bahwa ukuran basis

sangatlah tipis dibanding emitor dan kolektor. Perbandingan lebar basis ini
dengan lebar emitor dan kolektor kurang lebih adalah 1 : 150. Sehingga
ukuran basis yang sangat sempit ini nanti akan mempengaruhi kerja
transistor.
Simbol transitor bipolar ditunjukkan pada gambar 4.4 Pada kaki
emitor terdapat tanda panah yang nanti bisa diketahui bahwa itu merupakan
arah arus konvensional. Pada transistor npn tanda panahnya menuju keluar
sedangkan pada transistor pnp tanda panahnya menuju kedalam
(Herman,2007:55-56).

C.5 Transistor sebagai saklar

Fungsi Transistor sebagai sakelar ini sering digunakan di berbagai
perangkat elektronik karena memiliki keandalan yang signifikan dengan biaya
 yang lebih rendah apabila dibanding dengan relay konvensional. Aplikasi
switching jenis ini biasanya digunakan untuk mengendalikan motor, beban
lampu, solenoid dan lain-lainnya. Perlu diketahui juga, kedua jenis Transistor
Bipolar yaitu Transistor NPN dan PNP dapat digunakan sebagai sakelar.
Sedangkan untuk menggerakan perangkat yang berdaya tinggi, kita dapat
menggunakan Transistor daya tinggi untuk menggerakannya. Pada artikel ini,
kita akan menggunakan Transistor NPN sebagai contohnya.

C.6 Transistor Sebagai Penguat

Penggunaan transistor sebagai penguat adalah arus pada basis
digunakan untuk mengontrol arus yang lebih besar yang diberikan ke kolektor
melewati transistor tersebut. Perubahan arus kecil pada basis yang mengontrol
inilah yang dinamakan dengan perubahan besar pada arus yang mengalir dari
kolektor ke emitter. Kelebihan dari transistor penguat tidak hanya dapat
menguatkan sinyal, tetapi transistor ini juga bisa digunakan sebagai penguat
arus, penguat tegangan dan penguat daya (Sutet,2017:88).

C.7 Perbedaan Alpha dan Beta

 Alpha ()
Faktor pengu- atan arus pada basis bersama disebut dengan
ALPHA (). dc (alpha dc) adalah perbandingan arus IC dengan arus IE
pada titik kerja. Sedangkan ac (alpha ac) atau sering juga dis- ebut alpha
() saja merupakan perbandingan perubahan IC dengan IE pada tegangan
VCB tetap.

 Beta ()
Faktor penguatan arus pada emitor bersama disebut dengan BETA
(). Seperti halnya pada , istilah  juga terdapat dc (beta dc) maupun
ac (beta ac). Definisi ac (atau  saja) adalah: (Herman,2007:61-62).
C.8 Karakteristik Kurva
Kurva karakteristik input untuk transistor dengan konfigurasi basis
bersama (CB) untuk transistor npn bahan silikon dapat dilihat pada gambar
3.8. Kurva ini menggambarkan hubungan antara arus input IE dengan
tegangan input VBE untuk berbagai variasi tegangan output VCB. Dalam hal
ini tegangan VCB sebagai parameter.
Apabila kurva karakteristik input CB ini diperhatikan, maka
bentuknya hampir menye- rupai kurva dioda pada saat mendapat bias maju.
Hal yang terjadi pada transistor juga demikian, karena persambungan emitor-
basis mendapat bias maju. Pada saat tegangan VBE seki- tar 0,7 Volt
(tegangan cut-in) arus IE akan naik dengan cepat.

Gambar 4.5 Kurva karakteristik input untuk CB

Selanjutnya untuk kurva karakteristik input pada konfigurasi emitor

bersama (CE) untuk transistor npn bahan silikon dapat dilihat pada gambar
3.10. Kurva ini menunjukkan hu- bungan antara arus input IB dengan
tegangan input VBE untuk berbagai variasi tegangan out- put VCE. Dalam
hal ini VCE disebut sebagai parameter.
 Gambar 4.6 Kurva karakteristik input untuk CE

D. Langkah Percobaan

D.1 Transistor Sebagai Sebuah Switch

1. Mengatur percobaan berikut menggunakanSO4203-7E yang "sirkuit

Transistor" kartu:

2. Animasiberikut menggambarkancara mengaturpercobaan:

3. Membuka Fungsi Generatorinstrumen virtualdengan memilih Instrumen

Sumber Tegangan Fungsi Generator dari menu atau dengan mengklik
pada diagram dibawah ini, dan pilih pengaturan seperti yang ditunjukkan
pada tabel berikut. Kemudian beralih instrumen menggunakan tombol
POWER.
 Settings for the Function Generator
Amplitude at 1:10 0%
Frequency: 0 Hz
Waveform: DC POS

4. Membuka instrumen virtual Oscilloscope dengan memilih Instrumen

Measuring Instruments Oscilloscope dari menu atau dengan mengklik
pada diagram di bawah ini, dan pilih pengaturan seperti yang ditunjukkan
pada tabel berikut.

Settings for the Oscilloscope

Channel A 500 mV / div
Channel B 5 V / div
Time base: 1 s / div
Operating mode: X/T DC
Trigger: B, falling edge, 7.5 V
Pretrg: 50% single

5. Mengatur rasio tegangan generator fungsi untuk 1:10, sehingga tegangan

basis maksimum adalah 1 V. Mulailah dengan 0% tegangan dan
menaikkan tegangan di secepat mungkin untuk 100%. Jika semua
pengaturan telah dibuat seperti yang ditunjukkan, osiloskop harus memicu
sinyal pemicu dan menampilkan jejak kurva. Tarik jejak osiloskop yang
Anda peroleh sebagai berikut placeholder grafis.

Seberapa tinggi UO tegangan output ketika tegangan basis pada 0%?

UO = V
Seberapa tinggi UO tegangan output ketika tegangan basis pada maksimum?
UO = V (Tegangan keluaran dari generator fungsi sekarang di 100%.)

Di mana basis tegangan UB apakah tegangan output UO berubah?

UB = mV

6. Di dasar mana tegangan UB apakah tegangan keluaran UO berubah?

Settings for the Function Generator

Amplitude at 1:10 100 %
Frequency: 1 Hz
Waveform: Triangular

7. Mengubah pengaturan untuk instrumen virtual Oscilloscope seperti yang

ditunjuk kanpada tabel berikut.

Settings for the Oscilloscope

Channel A 0.5 V / div
Channel B 5 V / div
Time base: 200 ms / div
Operating mode: X/T
Trigger: B, falling edge, 7.5 V
PRETRG: 25% single

8. Mengatur basis waktu osiloskop untuk 200ms dan klik pada tombol
DAYA dari generator fungsi lagi. Kemudian merekam kurva tegangan
dengan osiloskop. Tarik jejak kurva ke jaringan di bawah ini.
D.2 Transistor Sebagai Penguat
D.2.1 Mengatur Titik Operasi

1. Mengatur percobaan berikut menggunakan SO4203-7E yang"sirkuit

Transistor" kartu:

2. Animasi berikut menggambarkan cara mengatur percobaan:

 3. Membuka instrumen virtual Voltmeter B untuk menampilkan tegangan
output UO dengan memilih Instrumen Measuring Instruments Voltmeter
B dari menuatau dengan mengklik pada diagram di bawah ini, dan pilih
pengaturan seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut.

Settings for Voltmeter B (UO)

Measurement range: 20 V DC
Operating mode: AV

Menentukan tegangan output maksimumUOmaxdengan memutar potensiometer

UOmax = V

4. Mengatur titik operasi dari transistor dengan memutar potensiometer

sehingga tegangan pada kolektor transistor kira-kira sama dengan
setengah tegangan suplai. Perhatikan bahwa bahkan gerakan kecil dari
potensiome terdapat mengubah tegangan output dengan jumlah yang
cukup. Prosedur ini karenanya harus dilakukan dengan hati-hati

Seberapa tinggi tegangan output UO setelah pengaturan titik operasi?

UO = V
Membuka Fungsi Generator instrumen virtual dengan memilih Instrumen
Sumber Tegangan Fungsi Generator dari menuatau dengan mengklik
 pada diagram di bawah ini, dan pilih pengaturan seperti yang ditunjukkan
pada tabel berikut. Kemudian beralih instrumen menggunakan tombol
POWER.
Settings for the Function Generator
Amplitude at 1:100 20 %
Frequency: 1 kHz
Waveform: Sine

5. Menutup Voltmeter B, dan membukai nstrumen virtual Oscilloscope

dengan memilih Instrumen|Measuring Instruments Oscilloscope dari
menuatau dengan mengklik pada diagram di bawah ini, dan pilih
pengaturan seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut.

Settings for the Oscilloscope

Channel A 20 mV AC / div
Channel B 2 V AC / div
Time base: 500 µs / div
Operating mode: X/T
Trigger: B

6. Menggunakan fungsi generator untuk memberi makan sinyal sinusoidal

amplitudo 40m Vpp (20% untukrasio1: 100) dan frekuensi 1 kHz ke
dasar transistor melalui kapasitor C1, dan mencatat hal inidi Channel A
dari osiloskop. Catat output di Channel B.Tarik jejak kurva ke jaringan di
bawah ini.

7. Menentukan nilai puncak ke puncak tegangan output UO.

 UOpp = V

8. Dari nilai yang ditentukan untuk tegangan output adalah mungkin untuk
menghitung gain AU. Menghitung ini dengan membagi tegangan output UO
dengan tegangan inputUI.

AU = UO / UI = V/ mV =

9. Dari nilai yang ditentukan untuk tegangan output,adalah mungkin untuk

menghitung gain AU. Menghitung ini dengan beralih Fungsi Generator
instrumen virtual off lagi dan menutup instrumen virtual Oscilloscope.

10. Membuka instrumen virtual Voltmeter Buntuk menampilkan tegangan

output UO lagi dengan memilih Instrumen Measuring Instruments
Voltmeter B dari menu atau dengan mengklik pada diagram di bawah ini,
dan pilih pengaturan yang digunakan sebelumnya seperti yang di
tunjukkan pada tabel berikut.

Settings for Voltmeter B (UO)

Measurement range: 20 V DC
Operating mode: AV

11. Mengatur titik operasi dari transistor dengan memutar potensiometer

sehingga tegangan pada kolektor transistor +2,8V.

12. MenutupVoltmeter B, dan membuka instrumen virtua lOscilloscope lagi

dengan memilih Instrumen Measuring Instruments Oscilloscopedari
menu atau dengan mengklik pada diagram di bawah ini, dan pilih
pengaturan yang di gunakan sebelumnya seperti yang di tunjukkan pada
tabel berikut.
 Settings for the Oscilloscope
Channel A 20 mV AC / div
Channel B 2 V AC / div
Time base: 500 µs / div
Operating mode: X/T
Trigger: B

13. Mengalihkan Fungsi Generator instrumen virtual lagi dan terus makan
sinyal sinusoidal amplitudo 40mVpp (20% untukrasio1: 100) dan
frekuensi1kHzke basist ransistor rmelalui kapasitor C1. Catat ini di
Channel A dari osiloskop. Catat outputdi Channel B. Tarik jejak kurva ke
jaringan di bawah ini.

Menafsirkan jejak osiloskop, dan pilih yang mana dari pernyataan berikut
adalah benar.

Sinyal output tidak berubah setelah menggeser titik operasi.

Sinyal output bergeser ke arah 0V.
Sinyal output bergeser ke arah+UB.
Sinyal output terdistorsi.
Positif setengah gelombang sinyal output sebagian telah
terputus.
Negatif setengah gelombang sinyal output sebagian telah
terputus.
Akhirnya, memilih pernyataan secara fundamental berlaku untuk sirkuit ini.

Sinyal outputter balik terhadap sinyal masukan.

 Sinyal output dalam fase dengan sinyal input.

D.2.2 Rangkaian Common Emitter Tanpa Feedback

1. Mengaturtitik operasisetengah daritegangan suplaiseperti yang Anda

lakukandalam latihan sebelumnya.
2. MengaturpercobaanberikutmenggunakanSO4203-7Eyang"sirkuit
Transistor" kartu:

3. Animasi berikut menggambarkan cara mengatur percobaan:

4. Menetapkan titik operasi, buka Fungsi Generator instrumen virtual
dengan memilih Instrumen Sumber Tegangan Fungsi Generator dari
menu atau dengan mengklik pada diagram di bawah ini, danpilih
pengaturan seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut. Kemudian
beralih instrumen menggunakan tombol POWER.

Settings for the Function Generator

Amplitude at 1:100 10 %
Frequency: 1 kHz
Waveform: Sine

5. Membuka instrumen virtual Oscilloscope dengan memilih Instrumen

Measuring Instruments Oscilloscope dari menuatau dengan mengklik
pada diagram di bawah ini, dan pilih pengaturan seperti yang di
tunjukkan pada tabel berikut.

Settings for the Oscilloscope

Channel A 20 mV / div
Channel B 2 V / div
Time base: 200 µs / div
Operating mode: X/T AC

6. Menggunakan fungsi generator untuk menerapkan sinyal sinusoidal 20m

Vpp frekuensi 1kHz ke inputdari rangkaian dan mencatat hal ini di
Channel A dari osiloskop. Catat tegangan output di Channel B osiloskop.
Meningkatkan tegangandenganfungsi generator, dan perhatikan titik di
mana sinyal output mulai menjadi terdistorsi. Putuskan sendiri titik di
mana sinyal tidak lagi memiliki bentuk sinusoidal. Tarik osiloskop jejak
yang Anda peroleh dengan
 7. Karena panas transistor dengan napas atau sumber lain panas. (Jangan
gunakan api telanjang.) Transfer jejak osiloskop yang kemudian Anda
mendapatkan untuk input dan output saluran sebagai berikut place holder
grafis lagi.

Manakah dari pernyataan berikut sesuai pengamatan Anda selama pemanasan?

Positif setengah gelombang sinyal output
terpotong.
Sinyal output tetap tidak berubah.
Negatif setengah gelombang sinyal output
terpotong.
Apa penyebab pengamatan Anda?

Titik operasi bergeser ke arah +UB.

Titik operasi tetap tidak berubah.

Titik operasi di geser ke tanah.

(Pikirkan kembali percobaan di mana Anda mengatur titik operasi.)

Manakah dari penjelasan yang benar?

Perilaku transistor tidak tergantung pada suhu.

Pemanasan menyebabkan transistor untuk melakukan lebih baik
danp erlawanan dari jalur mengumpulkan emitor jatuh.
Pemanasan menyebabkan transistor untuk melakukan lebih baik
dan perlawanan dari jalur mengumpulkan emitor naik.
D.2.3 Rangkaian Common Emitter Dengan Feedback Tegangan Negatif

1. Mengatur percobaan berikut menggunakan SO4203-7E "sirkuit Transistor"

kartu.

2. Animasi berikut menggambarkan cara mengatur percobaan:

3. Menyesuaikan P1, menentukan tegangan kolektor maksimum yang dapat

diperoleh tanpa menerapkan tegangan input. Kemudian mengatur titik
operasi setengah dari tegangan kolektor maksimum ini.
4. Menetapkan titik operasi, buka Fungsi Generator instrumen virtualdengan
memilih Instrumen Sumber Tegangan Fungsi Generator dari menu atau
dengan mengklik pada diagram di bawah ini, dan pilih pengaturan seperti
yang di tunjukkan pada tabel berikut. Kemudian beralih instrumen
menggunakan tombol POWER.

Settings for the Function Generator

Amplitude at 1:100 10 %
Frequency: 1 kHz
Waveform: Sine

5. Membuka instrumen virtual Oscilloscope dengan memilih Instrumen

Measuring Instruments Oscilloscope dari menuatau dengan mengklik
pada diagram di bawah ini, dan pilih pengaturan seperti yang di
tunjukkan pada tabel berikut.

Settings for the Cscilloscope

Channel A 50 mV / div
Channel B 1 V / div
Time base: 500 µs / div
Operating mode: X/T AC
Trigger: B, rising edge

6. Menggunakan fungsi generator untuk menerapkan sinyal sinusoidal

20mVpp frekuensi 1kHz ke input dari rangkaian, dan mencatathal inidi
Channel A dari osiloskop. Catat tegangan output di Channel B osiloskop.
Meningkatkan tegangan dengan fungsi generator, dan perhatikan titik di
mana sinyal output mulai menjadi terdistorsi. Putuskan sendiri titik di
mana sinyal tidak lagi memiliki bentuk sinusoidal. Tarik jejak osiloskop
yang Anda peroleh sebagai berikut place holder grafis.
7. Menghitung gain dengan menentukan input dan output tegangan.

AU =

8. Menghangatkan transistor dengan napas atau sumber lain panas (tidak

menggunakan api telanjang). Mentransfer jejak osiloskop yang kemudian
Anda mendapatkan untuk input dan output saluran sebagai berikut place
holder grafis lagi.