KEGIATAN BELAJAR 3

I. TUJUAN
Setelah mempelajari modul ini, diharapkan peserta diklat akan mampu:
A. Menjelaskan konsep dasar transistor
B. Menjelaskan karakteristik transistor
C. Menjelaskan pembiasan transistor.
D. Menjelaskan konfigurasi transistor
E. Menjelaskan transistor sebagai penguat

II. URAIAN MATERI

A. KONSEP DASAR TRANSISTOR
1. KLASIFIKASI TRANSISTOR

Gambar 1. Klasifikasi Transistor

2. PENGERTIAN TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor berasal dari kata
Transfer = perpindahan
Resistor = perlawanan
Jadi dapat disimpulkan bahwa transistor berarti perpindahan atau
perubahan perlawanan.Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan
(junction). Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung
terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di
tengah, di antara emitor dan kolektor.
Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip
kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi
kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 30
 William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor
bipolar.
Daerah n mempunyai banyak sekali elektron pita konduksi dan daerah p
mempunyai banyak sekali hole. Arus yang mengalir berupa arus hole dan arus
elektron atau berupa pembawa mayoritas dan minoritas. Oleh sebab itu disebut
bipolar.

3. FUNGSI TRANSISTOR
a. Penguat Arus
b. Penguat tegangan
c. Penguat daya
d. Penyesuaian impedansi/menyempurnakan sinyal listrik
e. saklar elektronik
f. mengubah AC menjadi DC

4. KEUNTUNGAN TRANSISTOR
a. tahan lama
b. tidak memerlukan pemanasan sebelum bekerja
c. dapat bekerja baik pada tegangan-tegangan rendah dan pemakaian arus
kecil.
d. memungkinkan membuat pesawat-pesawat yang kecil.
e. tidak memakan tempat yang banyak dan tahan terhadap goncangan.

5. TANDA DAN SKEMA TRANSISTOR

Transistor dapat ditandai dengan huruf Q atau TR
Skema transistor

Jenis Transistor Susunan Lapisan Skema Pengganti Simbol

NPN

PNP

Gambar 2. Konfigurasi Transistor

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 31
 6. DAERAH DOPING
Contoh kristal NPN
Emiter di dop sangat banyak untuk mengemisikan atau menginjeksikan
elektron ke dalam basis. Basis di dop sangat sedikit dan sangat tipis, ia
melewatkan sebagaian besar elektron yang diinjeksikan emiter ke dalamnya
menuju kolektor. Banyaknya doping pada kolektor adalah diantara banyaknya
doping pada emiter dan banyaknya doping pada basis. Kolektor merupakan yang
terbesar dari ketiga daerah tersebut, ia harus menghamburkan lebih banyak panas
dari pada emiter atau basis. Jadi dapat disimpulkan bahwa, fungsi kaki-kaki sebuah
transistor adalah:
a. Basis, berfungsi sebagai pengatur atau mengemudikan gerakan-gerakan
elektron dalam transistor.
b. Emitor, berfungsi sebagai penghasil elektron dalam transistor.
c. Colector, berfungsi sebagai penarik atau penyalur elektron keluar dari
transistor.

7. BIAS TRANSISTOR
Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan
penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor
junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi
bias positif, yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada
material N (forward bias). Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini,
junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias
negatif (reverse bias).

Gambar 3. Bias Transistor NPN

Dimana VBB, VCC, VEE berturut-turut adalah besar sumber tegangan yang masuk ke
titik base, kolektor dan emitor.
Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron
mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab
mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron
bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya
akan menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis,

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 32
 hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base.
Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya
mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor,
karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang
oleh elektron.
Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan
terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' base
diberi bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya
sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base
mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Ini
yang dinamakan efek penguatan transistor, karena arus base yang kecil
menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan)
menjadi salah kaprah, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi
bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang
lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup
aliran arus emiter-kolektor (switch on/off).
Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan
memberikan bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut
perpindahan arus adalah arus hole.

Gambar 4. Bias Transistor PNP

Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut adalah
terminologi parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih besar ke
potensial yang lebih kecil.

IC : arus kolektor VCC : tegangan pada kolektor

IB : arus base VCE : tegangan jepit kolektor-emitor
IE : arus emitor VEE : tegangan pada emitor
VC : tegangan kolektor VBE : tegangan jepit base-emitor
VB : tegangan base ICBO : arus base-kolektor
VE : tegangan emitor VCB : tegangan jepit kolektor-base

8. HUBUNGAN IC, IB, dan IE

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 33
 a. Hubungan IC dan IE dinyatakan dengan alpha dc, yaitu
αdc = IC
IE

Makin tipis basis di dop, αdc makin besar. Jika semua elektron diinjeksikan ke
kolektor maka αdc akan sama dengan 1.
Kebanyakan transistor mempunyai αdc lebih dari 0,99 dan hampir semua
mempunyai αdc lebih dari 0,95. dalam analisis pendahuluan kita dapat
menganggap αdc = 1.
b. Hubungan arus kolektor dengan arus basis dinyatakan dengan βdc
βdc = IC
IB

hampir semua transistor, kurang dari 5% elektron yang diinjeksikan emitor ke

basis berekombinasi dengan hole basis untuk mengahasilkan IB. Oleh sebab itu,
βdc hampir semuanya selalu lebih dari 20. biasanya 50 sampai 200. beberapa
transistor memepunayai βdc sampai 1000. βdc disebut juga penguatan arus dc
dinyatakan dengan hFE.
C
βdc = hFE
IC
Sesuai Hukum Arus Kirchhoff IB
B
IE = I C + I B
Kedua ruas dibagi dengan IC IE

Maka : E

IE = IC + IB
IC IC IC
IE = 1 + IB
IC IC
1 =1+ 1 .
αdc βdc
αdc = βdc atau βdc = αdc .
βdc + 1 1 – αdc
9. KURVA TRANSISTOR
Untuk mendapatkan kurva transistor, dibuat rangkaian seperti gambar berikut:

Gambar 5. Rangkaian Untuk Mendapatkan Kurva Transistor

a. Kurva Kolektor

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 34
 Prosedurnya dengan menset IB dan menjaganya stabil sambil Vcc diubah.
Dengan mengukur Ic dan VCE diperoleh data untuk membuat grafik Ic vs VCE.
Jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse. Oleh karena itu arus kolektor
sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor bertambah dengan
cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Kira-kira diperlukan 0,7 V untuk
membias reverse dioda kolektor. Setelah pencapaian level ini, kolektor
mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan. Karena I C
sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE, maka βdc sedikit bertambah
dengan bertambahnya VCE

IC
Knee

IB = 10 μA
1 mA

1V VCE

Gambar 6. Kurva Arus Kolektor

b. Kurva Basis
Kita harus memperoleh data IB dan VBE.
Untuk harga VBE yang sama, kurva dengan VCE yang lebih tinggi mempunyai
arus basis yang lebih kecil karena lapisan pengosongan kolektor menangkap
beberapa lagi elektron basis sebelum mereka jatuh ke dalam hole sehingga
rekombinasi arus basis IB dikurangi.

IB

0.7 VBE

Gambar 7. Kurva Arus Basis

c. Kurva penguatan Arus

Βdc suatu transistor merupakan besaran yang dapat berubah terhadap arus
kolektor dan suhu.Pada suhu tetap, βdc bertambah sampai maksimum jika arus
kolektor bertambah. Untuk pertambahan IC lebih lanjut, βdc menurun. Jika suhu
naik, βdc bertambah pada IC tertentu.
βdc

T = 1500C

T = -500C

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 35
IC
 Gambar 8. Kurva Penguatan Arus

d. Arus Cutoff dan tegangan break down

Pada kurva adalah untuk IB = 0. pada kondisi ini, sama saja dengan membuka
hubungan kawat basis. IC dengan kawat basis terbuka disingkat ICEO (kolektor,
emiter, open basis). ICEO sebagian disebabkan oleh pembawa yang dihasilkan
secara termal dan sebagian disebabkan oleh arus bocor permukaan.
Dengan tegangan kolektor yang cukup besar, kita mencapai tegangan
breakdown BVCEO. Untuk kerja yang normal, kita harus menjaga agar VCE lebih
kecil dari BVCEO.

IC IB = 0

ICEO
VCE

BVCEO

Gambar 9. Arus Cutoff dan Tegangan Break Down

e. Tegangan saturasi kolektor

Pada kerja normal suatu transistor, dioda kolektor harus dibias reverse. Hal ini
memerlukan VCE yang lebih besar, tergantung pada besarnya arus kolektor
yang mengalir. Pada kurva adalah harga VCE pada beberapa titik di bawah
knee. Biasanya, VCE hanya beberapa perpuluhan volt, walaupun pada IC yang
sangat besar bisa melebihi 1 V. Bagian dari kurva di bawah knee disebut daerah
saturasi.

IC
IB

VCE(sat
)

VCE

Gambar 10. Kurva Tegangan Saturasi Kolektor

B. KARAKTERISTIK TRANSISTOR

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 36
 Perhatikan rangkaian berikut!
IC Penjenuha Q
n IB > IB(sat)

IB = IB(sat)
VCC/Rc
I
B
Titik Sumbat
IB = 0

Vc VC
c
E

Gambar 11. Karakteristik Transistor

1. Garis beban dc
Garis beban dc adalah garis yang menyatakan semua titik operasi yang mungkin
dilakukan oleh sebuah transistor.
Dalam rangkaian kolektor, VCC membias reverse dioda kolektor melalui RC, maka:
VCE = VCC - ICRC
IC = - VCE + VCC
RC RC
Titik Q (titik operasi transistor) adalah perpotongan garis beban dc dengan arus
basis IB

2. Titik Sumbat (Cut Off)

Titik Sumbat (Cut Off) adalah titik perpotongan garis beban dc dengan kurva I B =
0. Pada titik ini dioda emiter kehilangan forward bias dan kerja normal transistor
terhenti.
VCE (cut off) = VCC
3. Titik Jenuh (Saturation)
Titik jenuh adalah perpotongan garis beban dc dengan kurva IB = IB (sat). Pada titik
ini dioda kolektor kehilangan reverse bias dan kerja normal transistor terhenti.,
sehingga:
IC (sat) = VCC
RC
IB (sat) = IC (sat)
βdc
VCE = VCE (sat)
4. Daerah aktif
Daerah aktif terletak pada semua titik antara titik sumbat dan titik jenuh.

C. RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 37
 Sebuah transistor dapat bekerja dengan baik bila diberi tegangan secara benar. Cara
pemberian tegangan yang banyak digunakan adalah:
1. bias basis
2. bias pembagi tegangan
Keterangan :
1. Bias Basis
Contoh bias basis, sebuah sumber tegangan VB membias forward melalui resistor
yang membatasi arus IB. Sesuai Hukum Tegangan Kirchoff, maka tegangan
dinyatakan dengan:
VRB = VBB – VBE
IB = VBB – VBE
RB
Dimana VBE = 0,7 untuk silikon dan 0,3 untuk germanium.

Contoh :
Diketahui rangkaian seperti gambar berikut :

RB = 390 kΩ
RC = 1,5 kΩ
βdc = 80
VCC = VBB = 30 V
Tentukan garis beban dc dan titik Q!

Penyelesaian :
a. VCE (cut off) = VCC = 30 V
b. IC (sat) = VCC = 30 = 20 mA
RC 1,5 kΩ
c. Untuk menentukan titik Q, tentukan IB dulu
IB = VBB – VBE = 30 – 0,7 = 75,1 μA
RB 390 kΩ

IC
Maka:
20 mA
IC = βdc x IB = 80 x 75,1 μA = 6 mA
VCE = VCC – ICRC Q
6 mA
= 30 – 6 mA x 1,5 kΩ
= 21 V 21 30 VCE
V V
2. Bias Pembagi Tegangan

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 38
 Pembagi tegangan (Voltage Divider) berasal
dari pembagi tegangan yang dibentuk oleh
R1 dan R2. tegangan R1 membias forward
dioda emiter, dan VCC membias reverse
dioda kolektor. Arus basis kecil sekali bila
dibandingkan dengan arus yang mengalir
pada R1 dan R2.
Contoh:

Diketahui gambar rangkaian berikut:

Tentukan garis beban dc dan titik Q!

Pada saat cut off,

VCE (cut off) = VCC = 30 V
Sedangkan,
IC (sat) = VCC = 30 = 3,33 mA
RC + RE 5k + 4k
Tegangan pada R2 (VR2):
VR2 = R2 x VCC = 10k x 30V = 10V
R1 + R 2 10k + 20k

IE = VR2 – VBE = 10 – 0,7 = 1,86 mA

RE 5k
Karena αdc mendekati satu, maka IC = IE = 1,86 mA,

IC
Sehingga,
VCE = VCC – IC(RC + RE) 3,33
mA
= 30 – 1,86 mA (4k + 5k)
1,86 mA
Q
= 13,3 V

13,3 30 VCE
V V

D. KONFIGURASI TRANSISTOR
Konfigurasi transistor dapat diartikan sebagai pola atau susunan rangkaian transistor.
Di dalam praktek dikenal ada tiga macam konfigurasi untuk sebuah transistor, yaitu:
1. Konfigurasi Basis Bersama (Common Base/CB)
Rangkaian Common Base yaitu Basis dipakai bersama oleh input dan output.
Inputnya adalah Emitor – Basis.

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 39
 Outputnya adalah Colector – Basis

Gambar 12. Common Base

Penguatan Arus AI = α Penguatan tegangan (Av) Penguatan Daya (AP)

α = IC Av = Vo = - IC x Ro AP = AI x AV
IE Vi IE x Ri
Av ≈ α Ro
Ri

2. Konfigurasi Emitor Bersama (Common Emitor/CE)

Rangkaian Common Emitor yaitu Emitor dipakai bersama oleh input dan output.
Inputnya adalah Basis – Emitor
Outputnya adalah Colector – Emitor

Gambar 13. Common Emitor

Penguat Arus AI = β Penguat tegangan (Av) Penguat Daya (AP)

β = IC = IC . Av = β Ro AP = AI x AV
IB IE – IC Ri AP = β2 Ro
β = IC = IC . Ri
IE – α IE IE (1 – α)

3. Konfigurasi Colector Bersama (Common Colector/CC)

Rangkaian Common Colector yaitu Colector dipakai bersama oleh input dan
output.
Inputnya adalah Basis – Colector
Outputnya adalah Emitor – Colector

Gambar 14. Common Colektor

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 40
 Penguat Arus AI = γ Penguat tegangan (Av) Penguat Daya (AP)
γ = IE = IC + I B Av = γ Ro AP = AI x AV
IB IB Ri AP = γ 2 Ro = (β + 1)2 Ro
γ=β+1 Ri Ri

E. TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

Transistor sebagai penguat dapat dirakit menurut Common Emitor, Common Base,
dan Common Colector.
Perhatikan gambar!

Gambar 15. Rangkaian Penguat Common Emitor

Penguatan Tegangan (AV)

AV = VOUT = VCE = IC x RC atau AV = RC
VIN VBE IB x rie re’
Penguatan Arus (AI)
AI = IOUT = IC
IIN IB
Penguatan Daya (AP)
AP = AV x AI = hfe x AV
Impedansi input pada rangkaian diatas adalah:
Zin = RB // rie

Resistansi AC Dioda Emitor

Untuk mengetahui lebih banyak mengenai re’ dapat kita lihat gambar dibawah ini:

Gambar 16. Resistansi Dioda

Nilai Rd untuk transistor germanium dan silikon adalah:

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 41
 Rd (Ge) = 25 mV Rd (Si) = 50 mV
IE (dc) IE (dc)

F. DECIBEL
Decibel (dB) erat kaitannya dengan penguatan tegangan maupun daya. Satu decibel
adalah jika untuk penguatan itu dihitung 20 kali logaritma penguatan. Secara
matematik dapat ditulis:
AV’ = 20 log VOUT .
VIN
Untuk membedakan dengan penguatan biasa ditulis AV’
Perhatikan gambar berikut!

Gambar 17. Tegangan Puncak

Jika tegangan input mempunyai tegangan puncak (peak) 50 mV dan output

mempunyai tegangan puncak 2 V, maka penguatan tegangannya adalah
AV = 2V . = 40
-3
(50 x 10 ) V
Harga penguatan itu tidak mempunyai satuan, sebab merupakan perbandingan dua
buah tegangan. Dari gambar terlihat bahwa kedua tegangan itu berlawanan fasa. Untuk
itu dalam menentukan penguatannya perlu diberi tanda negatif.
AV = - 2V . = -40
-3
(50 x 10 ) V
Tanda negatif itu tidak membedakan terhadap tegangan bagi tegangan-tegangan yang
sefasa. Dalam praktek biasanya dipergunakan penguatan tegangan dengan decibel.
Contoh:
Sebuah penguat transistor mempunyai tegangan puncak input 15 mV dan tegangan
output 3 V, maka penguatannya dalam decibel adalah:
AV = 20 log 3V .
-3
(50 x 10 ) V
AV = 20 log 20

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 42
 AV = 20 x 2,3010 = 46,02 dB
Penguatan daya dalam decibel dinyatakan sebagai
AP’ = 10 log POUT .
PIN
Faktor perkalian untuk penguatan daya adalah 10. itu dapat dimengerti berdasarkan
pemikiran bahwa:
P = V x I = V x V = V2
R R

III. EVALUASI
A. PILIHAN GANDA
1. Prinsip kerja transistor adalah berdasarkan aliran pembawa
mayoritas dan minoritas, artinya arus yang mengalir berupa...
a. arus hole dan arus elektron
b. arus hole dan arus ion-ion
c. arus elektron dan arus neutron
d. arus hole saja
e. arus elektron saja

2. Gna penguat adalah...

a. menyetabilkan tegangan
b. menurunkan tegangan dan arus
c. menaikkan arus, tegangan, dan daya
d. memperbesar penguatan arus
e. menyetabilkan arus

3. Salah satu keuntungan transistor adalah...

a. perlu pemanasan sebelum beroperasi
b. bekerja baik pada tegangan tinggi saja
c. selalu memerlukan pemakaian arus yang besar
d. tahan terhadap goncangan
e. umurnya tidak bertahan lama

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 43
 4. Yang termasuk elektroda-elektroda yang terdapat pada sebuah
transistor bipolar adalah...

a. kolektor, basis, d. basis,

dan drain anoda, dan emitor
b. emitor, basis, dan e. emitor,
gate basis, dan kolektor
c. kolektor, emitor,
dan anoda

5. Gambar berikut ini adalah...

a. Simbol transistor NPN

b. Simbol transistor PNP
c. Simbol dioda
d. Skema pengganti
transistor NPN
e. Skema pengganti
transistor PNP
6. Pernyataan yang benar tentang fungsi kaki-kaki transistor
adalah...
a. Basis, berfungsi sebagai penarik atau penyalur elektron keluar dari
transistor.
b. Emitor, berfungsi sebagai pengatur atau mengemudikan gerakan-gerakan
elektron dalam transistor.
c. Basis, berfungsi sebagai penghasil elektron dalam transistor.
d. Colector, berfungsi sebagai penarik atau penyalur elektron keluar dari
transistor.
e. Colektor, berfungsi sebagai penghasil elektron dalam transistor.
7. Polaritas tegangan pada transistor NPN adalah...
a. Emitor (+), Basis (+), dan Kolektor (+)
b. Emitor (-), Basis (+), dan Kolektor (-)
c. Emitor (+), Basis (+), dan Kolektor (-)
d. Emitor (-), Basis (-), dan Kolektor (-)
e. Emitor (-), Basis (-), dan Kolektor (+)
8. Tegangan yang diberikan antara dioda basis-kolektor adalah...

a. tegangan dc, VBC d. tegangan dc, VBE

b. tegangan ac, VBC e. tegangan ac, VCE
c. tegangan dc., VCE

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 44
 9. Yang menyebabkan dioda basis-kolektor menyumbat adalah
karena diberi tegangan reverse. Tetapi kenyataannya arus kolektor (IC) tetap ada,
sebab...

a. VCB > VEB d. VCB  VEB

b. VCB < VEB e. VEB >> VCB
c. VCB = VEB

10. Hubungan yang benar antara IC, IB, dan IE dibawah ini yang
benar adalah, kecuali...

a. IC + I B = I E d. βdc = IC x IE
αdc = IC
b. IC = αdc x IE e.
IE
c. IC = βdc x IB
11. Transistor berasal dari kata “transfer dan resistor” artinya...

a. Trafo dan resistor d. perpindahan muatan

b. Resistor dan induktor e. perpindahan perlawanan
c. Kapasitor dan resistor
12. Pernyataan berikut yang benar mengenai karakteristik transistor adalah,
kecuali...
a. Titik jenuh adalah perpotongan garis beban dc dengan kurva IB = IB (sat)
b. Garis beban dc adalah garis yang menyatakan semua titik operasi yang
mungkin dilakukan oleh sebuah transistor
c. Titik Sumbat (Cut Off) adalah titik perpotongan garis beban dc dengan kurva
IB = 0
d. Daerah aktif terletak pada semua titik antara titik sumbat dan titik jenuh
e. Titik jenuh adalah titik perpotongan garis beban dc dengan kurva IB = 0
13. Di dalam pembiasan transistor, αdc akan sama dengan 1 apabila...

a. IC = IB d. IC = 0
b. IB = IE e. IE = 0
c. IE = IC
14. Pola atau susunan rangkaian transistor disebut dengan....

a. Pengert d. Konfig
ian transistor
urasi transistor
b. Karakt
eristik transistor e. Pengua
c. Pembia t transistor
san transistor

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 45
 15. Pemakaian basis secara bersama sebagai input dan output dinamakan
rangkaian...

a. Comm d. Forward
on Emitor
Bias
b. Comm
on Collector e. Reverse
c. Comm Bias
on Base
16. Rangkaian dibawah ini adalah konfigurasi transistor...

a. Comm
on Emitor
b. Comm
on Collector
c. Comm
on Base
d. Forwa
rd Bias
e. Revers
e Bias

17. Yang menjadi input rangkaian Common Emitor adalah....

a. Emitor d. Katoda
- Kolektor - Emitor
b. Collec e. Anoda -
tor - Base base
c. Base -
Emitor
18. Impedansi input (Zi) pada transistor adalah...
a. perbandingan antara tegangan input dan arus output
b. perbandingan antara tegangan input dan arus output
c. perbandingan antara arus input dan tegangan input
d. perbandingan antara tegangan input dan arus input
e. perkalian antara tegangan input dan arus input
19. Impedansi output (Zo) pada transistor adalah...
a. perbandingan antara arus input dan tegangan input
b. perbandingan antara tegangan output dan arus output
c. perhitungan antara tegangan output dan arus output
d. perkalian antara tegangan output dan arus output
e. perkalian antara tegangan input dan arus input

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 46
 20. Yang dimaksud dengan penguat (Gain) adalah perbandingan antara arus,
tegangan dan daya output terhadap...
a. arus, tegangan, dan daya input
b. arus, tegangan, dan impedansi input
c. tegangan dan impedansi input saja
d. arus, tahanan, dan daya input
e. impedansi dan tegangan output

B. URAIAN
1. Jelaskanlah pengertian transistor bipolar!
2. Gambarkanlah simbol dan skema kedua jenis transistor bipolar!
3. Sebutkanlah beberapa fungsi dari transistor!
4. Jelaskanlah proses pembiasan pada sebuah transistor!
5. Jelaskanlah dengan rumus, hubungan antara αdc dengan βdc!
6. Jelaskanlah pengertian garis beban dc, titik sumbat (Cut Off), dan titik saturasi!
7. Jelaskanlah maksud dari bias pembagi tegangan pada pembiasan transistor!
8. Jelaskanlah perbedaan Konfigurasi Common Base dengan Konfigurasi Common
Emitor!

9. Transistor 2N 3904 mempunyai βdc = 100,

dengan bahan silikon. Berapa besar tegangan
pada terminal kolektor emitor (VCE)?

10. Dari gambar rangkaian dibawah ini, jika

diketahui βdc = 1, tentukanlah garis beban dc
dan titik kerja transistor tersebut

II. DAFTAR PUSTAKA

Hasan, Esan. 1990. Rangkaian Elektronika Dasar. Bandung: Ganeca Exact.
Kusnandar, Ahmad, dkk. 2001. Penerapan Konsep Dasar Listrik dan Elektronika.
Bandung: CV. Armico
Loveday, George. 1992. Intisari Elektronika. Jakarta: Elex Media Komputindo.
Malvino, Albert. 1996. Prinsip-Prinsip Elektronika Jilid 2. Jakarta: Erlangga.

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 47
 www.electroniclab.com

ELKA-MR.UM.001.A Halaman 48