LAPORAN PRAKTIKUM

LABORATORIUM ELEKTRONIKA
SEMESTER III

Nomor Percobaan :5

Judul : Karakteristik Transistor

Grup :6

Nama Pratikan : Syofiya Azkhia Delsa(1803311008)

Nama Partner : Muchammad Ikbal(1803311003)

Kelas : TL-3C

Tanggal Percobaan : 11 dan 17 Oktober 2019

Tanggal Pengumpulan : 24 Oktober 2019

Nilai : :

PROGRAM STUDI TEKNIK LISTRIK

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
POLITEKNIK NEGERI JAKARTA
2019
 I. TUJUAN
Setelah selesai percobaan praktikan diharapkan dapat:
1. Menggambarkan karakteristik transistor
2. Menampilkan karakteristik input dan output dengan osiloskop
3. Memanfaatkan rangkaian-rangkaian transistor dan prinsip dasarnya
dalam dunia elektronik.

II. DASAR TEORI

Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron
sebagai prinsip kerjanya. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP,
konstruksi transistor dapat dilihat pada Gambar 5.1.

Gambar 5.1 Konstruksi transistor tipe NPN dan PNP

Karakteristik sebuah transistor biasanya dilihat dari karakteristik

rangkaian dengan konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung
dengan ground), seperti ditunjukkan pada Gambar 5.2.

Laboratorium Elektronika Daya

 Gambar 5.2 Rangkaian pengukuran karakteristik transistor
Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian
Gambar 5.2, yaitu:
1. Karakteristik input transistor, arus basis IB sebagai fungsi VBE.

Gambar 5.3 Grafik IB fungsi VBE pada transistor NPN

 Grafik di atas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan
dioda emitter – basis dibias maju sehingga perubahan arus emitter
menurut tegangan emitter ke basis akan serupa dengan karakteristik
maju dari dioda hubungan p-n.
 Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barrier-nya,
maka arus bias (IB) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi
potensial barrier-nya, arus bias (IB) akan naik secara cepat.

2. Karakteristik output transistor, arus IC sebagai fungsi VC

Laboratorium Elektronika Daya

 Gambar 5.4 Grafik IC fungsi VCE pada transistor NPN
Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah
kerja transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off,
kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah breakdown.
Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana
arus IC konstan terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan
bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa
juga disebut daerah linear (linear region).
Jika hukum Kirchoff mengenai tegangan dan arus ditetapkan pada loop
kolektor (rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan:

VCE = VCC – ICRC

Dapat dihitung disipasi daya transistor adalah:

PD = VCE - IC

Disipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur

transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk
mengetahui spesifikasi PD max. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur
kerja maksimum yang diperbolahkan agar transistor masih bekerja normal.
Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PD max, maka
transistor dapat rusak atau terbakar.
Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 Volt sampai kira-kira 0.7
Volt (transistor silicon), yaitu akibat dari efek dioda koleltor-base karena
tegengan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron.
Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinakkan perlahan-lahan, sampai tegangan
VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini,
daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan
saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada
sisitem digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain

Laboratorium Elektronika Daya

 dapat direpresentasikan oleh status transistor juga dapat dimanfaatkan
sebagai saklar elektronik untuk komputer dan aplikasi kontrol.
III. DAFTAR PERALATAN
1. Power Supply DC
2. Power Supply AC
3. Multimeter
4. Dioda SI
5. Potensiometer 10KΩ , 1KΩ , 500Ω
6. Resistor 33KΩ ,47 Ω, 3K3Ω
7. Transistor BC109, BC 160
8. Osiloskop

IV. DIAGRAM RANGKAIAN

A
NPN IC
IB

1 KΩ
10 KΩ

Vs = 6 V 33 KΩ A V
VCE
V
VBE

Gambar 5.5 Rangkaian transistor NPN BC 109

A
PNP IC
IB
1 KΩ
10 KΩ

Vs = 6 V 33 KΩ A V
VCE
V
VBE

Gambar 5.6 Rangkaian transistor PNP BC 160

Laboratorium Elektronika Daya

 100 Ω
OSC
IC A
CH 1

3K3Ω
Vs = 6V V
10 V
VCE
A

470KΩ
IB

10Ω
CH 2

Gambar 5.7 Skema Rangkaian transistor NPN BC109 untuk melihat

karakteristik IC sebagai fungsi VCE (karakteristik output)

Gambar 5.8 Skema Rangkaian transistor PNP BC160 untuk melihat

karakteristik IC sebagai fungsi VCE (karakteristik output)

Laboratorium Elektronika Daya

 V. LANGKAH PERCOBAAN
1. Merangkai gambar 5.5, lalu membuat agar VCE tetap 5 Volt. Setelah
itu mengubah nilai IB IB mulai dari 10μA sampai 100μA selanjutnya
mengukur nilai IC dan VBE dan menghitung HFE=IC / IB.
Mencatat hasil pengukuran dan perhitungan pada tabel 1.
2. Memperhatikan cara mengukur parameter dengan menggunakan satu
multimeter sebagai berikut:
 Titik-titik pengukuran arus harus harus di hubung singkat pada
saat multimeter digunakan untuk mengukur titik yang lain.
 Titik-titik pengukuran tegangan harus dibiarkan terbuka pada
saat multimeter digunakan untuk mengukur titik yang lain.
3. Masih dengan gambar yang sama Gambar 5.5, mengubah VCE mulai
dari 0,1 V sampai 5 V dan mengubah nilai IB dari 25μA sampai
100μA (sesuai tabel 2). Lalu mengukur nilai IC dan mencatat hasil
pengukuran pada tabel 2.
4. Mengulangi langkah 1,2,3 untuk rangkain gambar 5.6 dan mencatat
hasil pengukuran pada tabel 3 dan tabel 4.
Memperhatikan : polaritas pada multimeter harus disesuaikan.
5. Merangkai seperti gambar 5.7 lalu mengubah VCE mulai dari 0,1 V
sampai 5 V setelah itu mengubah nilai IB dari 25μA sampai 100μA
(sesuai tabel 5) selanjutnya mengukur nilai IC dan mencatat hasil
pengukuran pada tabel 5.
6. Untuk menampilkan karakteristik, mengubah format YT menjadi XY.
Dan gambar grafik yang tampak pada layar osiloskop di atas kertas
milimeter block.
7. Mengulangi langkah 5 dan 6 untuk rangkaian gambar 5.8.

Laboratorium Elektronika Daya

VI. TABEL EVALUASI
Tabel 1 DC
VCE = 5 Volt Tetap (NPN)
HFE (IC/IB)
IB (μA) IC (mA) VBE (Volt)
(mA)
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100

Tabel 2 DC
VCE = 0.1 – 1 Volt (NPN)

VCE IC (mA)
(volt) IB = 25 μA IB = 50 μA IB = 75 μA IB =100 μA
0.1
0.2
0.3
0.5
1

Laboratorium Elektronika Daya

 Tabel 3 DC
VCE = 5 Volt Tetap (PNP)

HFE (IC/IB)
IB (μA) IC (mA) VBE (Volt)
(mA)
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100

Tabel 4
VCE = 0.1 – 1 Volt (PNP)

VCE IC (mA)
(volt) IB = 25 μA IB = 50 μA IB = 75 μA IB =100 μA
0.1
0.2
0.3
0.5
1

Laboratorium Elektronika Daya

 Tabel 5
BC 109 NPN

VCE IC (mA)
(volt) IB = 25 μA IB = 50 μA IB = 75 μA IB =100 μA
0.1
0.2
0.3
0.5
1

Tabel 6
BC 160 PNP

VCE IC (mA)
(volt) IB = 25 μA IB = 50 μA IB = 75 μA IB =100 μA
0.1
0.2
0.3
0.5
1

Laboratorium Elektronika Daya

VII. TUGAS DAN PERTANYAAN
1. Berdasarkan Tabel 1, buatlah grafik karakteristik:
IC = f (IB)
IB = f (VBE)
IC = f (VCE)
2. Apa yang dimaksud dengan karakteristik input dan karakteristik output
pada rangkaian transistor?
3. Mengapa kurva karakteristik output transistor IC = f (VCE) mempunyai
beda panjang?
4. Apa yang dimaksud dengan disipasi daya? Pada grafik IC = f (VCE),
gambarkanlah daerah kerja transistor yang diperbolehkan jika
PDmax=100mW!
5. Jelaskan bagaimana menentukan baik tidaknya transistor dan
menentukan jenis NPN/PNP transistor!
6. Buatlah rangkaian transistor untuk menghidupkan lampu dan jelaskan
cara kerjanya!

Laboratorium Elektronika Daya