Topik 7

Transistor Bipolar

Elektronika

Jurusan Pendidikan Teknik Elektro

Fakultas Teknik- Universitas Negeri Yogyakarta
Jenis Transistor
Struktur dan simbol transistor bipolar (BJT)
Transistor NPN Tanpa Bias
Transistor NPN Dengan Bias Maju

-ib = -i1 + -i2

ib = i1 + i2
• Tidak ada fungsi penguatan
• Arus yang cukup besar dapat menimbulkan panas yang dapat merusak lapisan basis.
 Transistor NPN Dengan Bias Balik

• Tidak muncul arus.

• Arus yang muncul adalah arus bocor permukaan dan arus karena suhu (termal).
• Kedua arus tersebut nilainya sangat kecil sehingga tidak ada fungsi penguatan seperti
yang diinginkan.
 Transistor Dengan Bias Maju dan Balik
• Membias maju sambungan B-E dengan V1
• Membias balik B-C dengan V2

ie = ic + ib
Jika ic >> ib, maka ie  ic
Karakteristik Transistor Bipolar
Daerah Kerja Transistor
 Daerah Kerja Transistor
• Daerah Jenuh/Saturation
– Apabila arus kolektor bernilai maksimum.
– Dilakukan dengan memberi arus basis yang cukup besar.
– VCE bernilai sangat kecil (0,1 – 0,3 volt)
• Daerah Aktif
– Daerah aktif difungsikan sebagai penguat
– Ada hubungan penguatan antara IB yang mengalir dengan IC.
– VCE bernilai di atas tegangan VCE jenuh tetapi di bawah VCC
 Daerah Kerja Transistor
• Daerah Sumbat/Cut-Off
– IC sangat kecil atau mendekati nol.
– VCE mendekati VCC.
– Dilakukan dengan membuat arus basis nol.
• Daerah Dadal/breakdown
– Transistor dipastikan akan rusak.
– Walaupun IB dibuat kecil atau mendekati nol, IC tetap besar.
– VCE menjadi nol dan tidak terpengaruh oleh perubahan IC.
– Terjadi jika VCC dibuat sangat besar sehingga di luar ambang batas kemampuan
transistor.
 Aplikasi Transistor
• Transistor Sebagai Saklar
• Transistor Sebagai Penguat
 Transistor Sebagai Saklar
• Dengan membuat transistor bekerja di daerah jenuh dan daerah cut-off.
• Beban dipasang pada kaki kolektor dengan VCC.
• Ketika pada basis tidak mengalir arus maka transistor dalam kondisi cut-off. Saat
transistor cut-off, arus kolektornya nol sehingga tegangan beban nol. Semua
tegangan VCC muncul di antara kolektor-emiter (VCE)
 Transistor Sebagai Saklar

• Ketika arus basis mengalir dengan nilai cukup besar, transistor akan jenuh.
• Ketika transistor jenuh, tegangan kolektor emiter kecil atau mendekati nol sehingga
arus kolektor mengalir maksimal melewati beban. Sehingga beban teraliri arus.
 Transistor Sebagai Saklar
• Agar transistor jenuh maka dibuat agar arus kolektor (IC) jenuh yaitu
VCC − (VCE ) jenuh
(I C ) jenuh =
R beban

(IC)jenuh = arus kolektor saat jenuh (A)

VCC = tegangan sumber (V)
(VCE)jenuh = tegangan kolektor-emiter saat jenuh (V)
Rbeban = hambatan beban (ohm)
• Agar arus kolektor jenuh maka arus basis dibuat minimal
(I C ) jenuh
(I B )min =
 DC
(IB)min = arus basis minimal agar transistor jenuh (A)
βDC = penguatan arus pada transistor
 Transistor Sebagai Penguat
• Transistor bekerja pada daerah aktif.
• Terjadi penguatan antara arus basis dengan arus kolektor sesuai dengan
IC = βDC . IB

IC = arus kolektor (A)

IB = arus basis (A)
βDC = penguatan transistor

• macam konfigurasi transistor sebagai penguat dibahas pada pertemuan selanjutnya

 Latihan Soal
• Tentukan hambatan R1 dan RB agar
transistor bekerja di titik jenuh dengan
arus IC 500 mA. Asumsikan penguatan
arus sebesar 42.
Referensi :
Hendra Setiawan,”Piranti Semikonduktor”, Yogyakarta