Transistor

Transistor
Transistor adalah perangkat semikonduktor yang dipakai
untuk amplifikasi, saklar signal elektronik,dan daya listrik.
Transistor dibuat dari bahan semikonduktor dengan
setidaknya tiga terminal untuk koneksi ke sirkuit eksternal
Konstruksi Transistor

• Transistor dibentuk saat dua dioda p-n junction dapat dihubungkan sedemikian
rupa sehingga kedua ujung belakang dihubungkan bersama. Di tengah-tengah
daerah yang terhubung sangat tipis yang disebut sebagai basis

• Satu sisi disebut sebagai emitor dan yang lain disebut sebagai kolektor. Dengan
cara ini transistor dibangun. Emitor hadir di sebelah kanan transistor sedangkan
kehadiran kolektor dapat diamati di sebelah kiri
Transistor
Mereka adalah perangkat pembawa arus searah dengan kemampuan
untuk mengontrol arus yang mengalir melalui mereka
• Arus sakelar dapat dikendalikan oleh arus atau tegangan
• Bipolar Junction Transistor (BJT) mengendalikan arus dengan arus
• Field Effect Transistors (FET) mengendalikan arus dengan tegangan
• Transistor dapat digunakan baik sebagai sakelar atau sebagai
amplifier
Istilah dalam transistor (1)
1. Vcc merupakan tegangan sumber/tegangan battery yang kutub
positifnya dihubungkan dengan kaki colector untuk transistor NPN
dan dihubungkan dengan kaki emitor untuk transistor jenis PNP
sedangkan kaki negatifnya sebagai ground.
2. Vce merupakan tegangan jatuh yang terjadi antara kaki Colector dan
Emitor dari transistor, Vce bersifat mengurangi tegangan yang akan
digunakan untuk mensupply beban yang akan dikontrol. karena itulah
Vce perlu diset mendekati Nol Volt
3. Vbe merupakan tegangan yang ada antara kaki basis dengan kaki
emitor. Vbe bernilai 0.65Volt untuk transistor dengan bahan
pembuatan dari silicon dan 0.3Volt untuk Germanium (Lihat
datasheet).
Istilah dalam transistor (2)
4. beta merupakan faktor penguatan arus yang nilainya dapat anda
dapatkan pada datasheet, namun secara matematis dapat diartikan
dengan beta = Ic/Ib (Tercantum pada datasheet)
5. Ic Arus colector yang mengalir pada kaki colector. Ic adalah arus yang
digunakan menggerakkan beban yang akan dikontrol
6. Ib Arus basis yang mengalir pada kaki basis menuju emitor. Ib perlu
diset yang sesuai agar Vce bisa mendekati Nol Volt. Jangan sampai
terlalu besar karena bisa merusak transistor, juga tidak bisa terlalu
kecil karena Vce transistor akan besar (lihat grafik kurva kerja dari
transistor).
Jenis Transistor
BJT
• Melakukan konduksi dengan memakai kedua jenis
carriers (pembawa) majority dan minority.
Merupakan kombinasi dari dua dioda junction
• Dibentuk dari salah satu lapisan tipis
semikonduktor tipe-p terjepit diantara dua
semikonduktor tipe-n (transistor NPN), atau
lapisan tipis semikonduktor tipe –n terjepit
diantara dua semikonduktor tipe-p (transistor PNP)
• Kontruksi ini menghasilkan dua persimpangan p-n ;
persimpangan base-emitter dan lapisan base-
kolektor, dipidahkan oleh sebuah daerah tipis
semikonduktor yang dikenal sebagai daerah base
FET
• Transistor yang memakai medan listrik untuk
mengendalikan bentuk dan karenanya
konduktivitas saluran satu jenis pembawa muatan
dalam bahan semikonduktor
• Transistor FET adalah termasuk transistor unipolar
karena melibatkan single-carrier-type operasi
• Transistor FET, memakai baik elektron (dalam n-
channel FET) atau lubang (di p-channel FET) untuk
konduksi
• Keempat terminal FET diberi nama source, drain,
gate dan body (substrat)
 Bipolar Transistor Theory
Agar Transistor dapat menghantar, dua hal harus terpenuhi:
• Basis - emitor PN Junction harus dibias Forward.
• Basis - colector PN Junction harus dibias Reverse.

FB RB FB RB

Collector Emitter Collector

Emitter
- N P N
+ +
P N P
-
Base
+ Base +
Rumusan Dasar BJT

IE IC IE IC
- VCE + + VEC -
E C E
- -
+ +
VBE IB VBC VEB VCB
IB
+ + - -
B B

npn pnp
IE = IB + IC I E = IB + IC
VCE = -VBC + VBE VEC = VEB - VCB
DC  and DC 

 = Arus penguatan Common-emitter

 = Arus penguatan Common-base
 = IC  = IC
IB IE

Hubungan antara dua parameters tersebut

adalah:
=  = 
+1 1-
NPN Bipolar Junction Transistor
•One N-P (Base Collector) diode one P-N (Base Emitter) diode

N-P-N Transistor Configuration N-P-N Transistor Circuit

NPN Principle
• Huruf awal 'N' menentukan lapisan material yang bermuatan
negative
• Dalam jenis transistor NPN ini, pembawa muatan mayoritas adalah
elektron
• Tegangan antara VBE (terminal base dan emitor) adalah +Ve di
terminal base & -ve di terminal emitor
• Transistor NPN adalah perangkat yang diaktifkan arus. Ketika
transistor ON, arus IC yang besar memasok antara kolektor &
terminal emitor dalam transistor
PNP Bipolar Junction Transistor
•One P-N (Base Collector) diode one N-P (Base Emitter) diode

P-N-P Transistor Configuration P-N-P Transistor Circuit

PNP Principle
• Huruf 'P' menentukan polaritas tegangan yang diperlukan untuk
terminal emitor. Huruf kedua 'N' menentukan polaritas terminal
base
• Dalam jenis transistor PNP ini, pembawa muatan mayoritas adalah
holes/lubang
• Tegangan antara VBE (terminal base dan emitor) adalah –Ve di
terminal base & +ve di terminal emitor
• Terminal base dari transistor harus lebih negatif daripada terminal
base dengan sekitar 0.7 volt (atau) perangkat Si
Perbedaan Transistor NPN & PNP
NPN Transistor
In this the majority of n-types are present
The majority of the concentrations of the
carriers are electrons
In this if the terminal base is supplied with the In this case for the low values of the currents
increased amounts of current then the
transistor gets switch to ON mode
In the n-p-n transistor the flow of current is
evident from the collector to the emitter
terminals
In this transistor the arrow is pointing out
PNP Transistor
In this the majority of p-type materials are
present
The majority of the concentrations of the
carriers in this type of transistors are holes
the transistor is ON. Otherwise for high values
of currents transistors it is OFF.
In the p-n-p transistor the flow of current can
be seen from the terminals of the emitter to
the collector
In this transistor the indication of arrow is
always pointing in
Transistor Darlington (1)

Konfigurasi Darlington Transistor dari dua transistor bipolar yang memberikan

peningkatan perpindahan arus untuk arus basis
Transistor Darlington (2)
• Menggunakan pasangan NPN Darlington sebagai contoh, kolektor dari
dua transistor dihubungkan bersama, dan emitor TR1 menggerakkan
basis TR2. Konfigurasi ini mencapai perkalian β karena untuk arus
basis ib, arus kolektor adalah β * ib di mana keuntungan saat ini lebih
dari satu, didefinisikan sebagai

• Tapi basis arus, IB2 sama dengan transistor TR1 emitor saat ini, IE1
sebagai emitor TR1 terhubung ke basis TR2. Oleh karena itu
Transistor Darlington (3)
• Kemudian gantikan dengan persamaan pertama
Transistor Darlington (4)
Kelebihan Transistor Darlington
• Gain arus dari transistor ini tinggi
• Impedansi input dari rangkaian ini tinggi
• Ini tersedia secara luas dalam satu paket
• Konfigurasi rangkaian mudah dan sangat nyaman

Kekurangan Transistor Darlington

• Kecepatan switching lambat
• Bandwidth Sempit
• Tegangan base emitor tinggi
• Tegangan saturasi tinggi yang dapat menyebabkan tingkat disipasi daya yang tinggi
pada aplikasi tertentu
Transistor sebagai Saklar
• Saklar transistor dapat digunakan untuk menghidupkan/mematikan perangkat DC
tegangan rendah (misal. LED) dengan menggunakan transistor dalam keadaan
jenuh atau terputus
• Transistor jenis NPN dan PNP dapat dibuat beroperasi sebagai sakelar solid state
“ON/OFF” dengan membiaskan terminal Base transistor secara berbeda dengan
untuk penguat sinyal
• Area operasi untuk sakelar transistor dikenal sebagai Wilayah
Saturasi dan Wilayah Cut-off. Ini berarti bahwa kita dapat mengabaikan biasing
titik-Q operasi dan rangkaian pembagi tegangan yang diperlukan untuk amplifikasi,
dan menggunakan transistor sebagai sakelar dengan menggerakkannya bolak-balik
antara "sepenuhnya-OFF" (cut-off) dan sepenuhnya- ON (saturasi)
Mode Operasi (1)
Pemberian bias tegangan DC pada
rangkaian transistor bertujuan
untuk mendapatkan level tegangan
dan arus kerja transistor yang
tetap. Dalam penguat transistor
level tegangan dan arus yang tetap
tersebut akan menempatkan suatu
titik kerja pada kurva karakteristik
sehingga menentukan daerah kerja
transistor. Oleh karena titik kerja
tersebut merupakan titik yang
tetap dalam kurva karakteristik,
yang disebut dengan titik-Q (atau
Quiescent Point)
Mode Operasi (2)
Active : Posisi terbaik pada daerah operasi & beroperasi sebagai penguat,
Daerah aktif terletak antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut
off).

Saturation : keadaan dimana transistor mengalirkan arus secara maksimum

dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada
hubungan kolektor – emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan
menghantar maksimum (sambungan CE terhubung maksimum). Transistor
diaktifkan "Fully-ON".

Cutoff : Adalah Nol input basis arus (IB), Nol arus keluaran kolektor (IC) dan
tegangan kolektor maksimum (VCE) yang menghasilkan lapisan penipisan
besar dan tidak ada arus yang mengalir melalui perangkat. Transistor
diaktifkan "Fully-OFF".
Mode Operasi (3)
Cut off Karateristik
Mode Operasi (4)
Saturasi Karateristik
Transistor sebagai Saklar (NPN)
• mengoperasikan transistor sebagai
sakelar, transistor perlu dimatikan
sepenuhnya "OFF" (cut-off) atau
sepenuhnya "ON" (saturasi)
• Sakelar transistor yang ideal akan
memiliki resistansi rangkaian tak
terbatas antara Collector dan Emitter
ketika diputar "sepenuhnya-OFF"
yang menghasilkan arus nol yang
mengalir melaluinya dan resistansi
nol antara Collector dan Emitter
ketika dinyalakan "sepenuhnya-ON",
menghasilkan aliran arus maksimum
Contoh 1
Jika nilai β = 200, Ic = 4mA dan Ib = 20uA, cari nilai resistor Base ( Rb ) yang
diperlukan untuk mengalihkan beban sepenuhnya "ON" ketika tegangan terminal
input melebihi 2.5v.

Cari arus Base minimum yang diperlukan untuk mengubah transistor “sepenuhnya-
ON” (jenuh) untuk beban yang membutuhkan arus 200mA saat tegangan input
dinaikkan menjadi 5.0V. Hitung juga nilai baru dari Rb

Arus Basis Transistor

Contoh 1
Resistansi Basis Transistor

Transistor sebagi Saklar digunakan untuk berbagai aplikasi seperti menghubungkan

arus besar atau perangkat tegangan tinggi seperti motor, relai atau lampu ke IC digital
tegangan rendah atau gerbang logika seperti gerbang AND atau gerbang OR. Di sini,
output dari gerbang logika digital hanya +5v tetapi perangkat yang akan dikontrol
mungkin memerlukan supply 12 atau bahkan 24 volt
Contoh 1

Resistor basis, Rb digunakan untuk membatasi arus output dari gerbang logika
Transistor sebagai Saklar (PNP)

• Transistor PNP juga digunakan

sebagai saklar, perbedaannya adalah
bahwa beban terhubung ke ground
(0v) dan transistor PNP mengalihkan
daya ke sana. Untuk menghidupkan
transistor PNP yang beroperasi
sebagai sakelar “ON”, terminal Basis
terhubung ke ground atau nol volt
(RENDAH).
Darlington Transistor Switch
• Terkadang gain arus DC dari transistor bipolar terlalu rendah untuk secara langsung mengalihkan
arus atau tegangan beban, sehingga beberapa transistor saklar digunakan. Di sini, satu transistor
input kecil digunakan untuk beralih "ON" atau "OFF" yang jauh lebih besar saat menangani output
transistor
• Untuk memaksimalkan penguatan sinyal, kedua transistor terhubung dalam "Complementary Gain
Compounding Configuration" atau yang lebih umum disebut " Konfigurasi Darlington " karena
faktor amplifikasi adalah hasil dari dua transistor individual
• Keseluruhan gain arus Beta (β) atau nilai hfe dari perangkat Darlington adalah hasil dari dua gain
individual dari transistor dan diberikan sebagai:

Jadi Darlington Transistor dengan nilai β sangat tinggi dan arus Collector tinggi dimungkinkan
dibandingkan dengan sakelar transistor tunggal. Misalnya, jika transistor input pertama memiliki gain
arus 100 dan transistor Sakelar kedua memiliki gain 50, maka total gain arus akan 100*50 = 5000
Darlington Transistor Switch
• Konfigurasi sakelar transistor NPN Darlington di atas menunjukkan
Collector dari dua transistor yang terhubung bersama dengan
Emitter dari transistor pertama yang terhubung ke terminal Base
dari transistor kedua karena itu, arus Emitter dari transistor
pertama menjadi arus Base dari perpindahan transistor kedua itu
"ON“
• Transistor pertama atau “input” menerima sinyal input ke Base-
nya. Transistor ini memperkuatnya dengan cara biasa dan
menggunakannya untuk menggerakkan transistor "output" kedua
yang lebih besar. Transistor kedua memperkuat sinyal lagi sehingga
menghasilkan gain arus yang sangat tinggi. Salah satu karakteristik
utama Transistor Darlington adalah perolehan arusnya yang tinggi
dibandingkan dengan transistor bipolar tunggal.
• Selain kemampuan beralih arus dan tegangan yang tinggi,
keunggulan lain dari "Sakelar Transistor Darlington" adalah
kecepatan beralihnya yang tinggi sehingga ideal untuk digunakan di
rangkaian inverter, rangkaian pencahayaan, dan aplikasi Motor DC
Kesimpulan Transistor sebagai Saklar
• Sakelar transistor dapat digunakan untuk saklar dan mengontrol lampu, relay,
atau bahkan motor
• Saat menggunakan transistor bipolar sebagai sakelar, mereka harus
"sepenuhnya-OFF" atau "sepenuhnya-ON”
• Transistor yang sepenuhnya "AKTIF" dikatakan berada di wilayah Saturasi
mereka
• Transistor yang sepenuhnya "OFF" dikatakan berada di wilayah Cut-off mereka
• Saat menggunakan transistor sebagai saklar, arus Basis kecil mengontrol arus
beban Kolektor yang jauh lebih besar
• Saat menggunakan transistor untuk mengalihkan beban induktif seperti relay
dan solenoida, "Flywheel Diode" digunakan
• Ketika arus atau voltase besar perlu dikontrol, Transistor Darlington dapat
digunakan
Terima Kasih