Materi 7
TRANSISTOR (BJT)
SEBAGAI PENGUAT
1
Common Base
Penguat Common Base digunakan sebagai penguat
tegangan. Pada rangkaian ini Emitor merupakan input
dan Collector adalah output sedangkan Basis diground-kan/ditanahkan.
feedback,
untuk
mencegahnya
sering
dipasang feedback negatif.
Sering dipakai sebagai penguat audio
(frekuensi rendah).
Stabilitas
penguatan
rendah
karena
tergantung stabilitas suhu dan bias transistor.
APLIKASI TRANSISTOR
Aplikasi Transistor Sebagai Saklar
Prinsip Kerja Aplikasi Transistor BJT sebagai saklar:
Aplikasi Transistor sebagai saklar memanfaatkan
daerah kerja transistor yaitu Daerah Cut-off (switch
OFF) dan daerah saturation (switch ON).
Lanjutan...
Daerah Cut off
Sebuah Transistor berada pada daerah cut-off adalah
ketika junction basis-emitter di bias mundur (reverse
bias), Sehingga semua arus bernilai O dan VCE(Cutoff)=VCC
Lanjutan...
Daerah Saturasi
Ketika junction basis-emitter di bias maju (forwar bias).
Sehingga Arus Collector maksimal adalah (IC =
VCC/RL) dan VCE(Saturation) = 0 (ideal saturation).
Cttn : dibutuhkan arus yang cukup untuk membuat
transistor bercaturasi nilai nya sesuai dengan rumus
pada gambar.
Lanjutan...
Prinsip Kerja Aplikasi Transistor MOSFET
sebagai saklar
MOSFET sebagai saklar juga memanfaatkan daerah
Cut-off dan daerah saturation.
18
Karakteristik CB (NPN)
iE terhadap vBE
iC terhadap vCB
terjadi, dalam daerah aktif, junction emittercollector di bias mundur sedangkan junction
basis-emitter di bias maju.
Daerah cut-off didefinisikan sebagai daerah dimana
arus IC = 0 A, atau Daerah cut-off terjadi jika
junction emitter-collector dan junction basisemitter di bias mundur.
Daerah saturasi adalah daerah dimana nilai
tegangan VCB negatif, Daerah saturasi adalah
daerah dimana junction emitter-collector dan
junction basis-emitter di bias maju.
Karakteristik CE
iB terhadap VBE
29
BJT as Switch
Vin(Low ) < 0.7 V
BE junction not forward
biased
Cutoff region
No current flows
Vout = VCE = Vcc
Vout = High
Vin(High)
BE junction forward biased (VBE=0.7V)
Saturation region
VCE small (~0.2 V for saturated BJT)
Vout = small
IB = (Vin-VB)/RB
BJT as Switch 2
VC>VB>VE
VBE= 0.7 V
IC independent from IB (in saturation).
Min. IB estimated from by (IBminIC/).
Input resistance such that IB > 5-10 times IBmin because
varies among components, with temperature and voltage and R B
may change when current flows.
Calculate the max IC and IB not to overcome device
specifications.
BJT as Amplifier
Common emitter mode
Linear Active Region
Significant current Gain
Example:
Let Gain, = 100
Assume to be in active
region -> VBE=0.7V
Find if its in active
region
BJT as Amplifier
VBE 0.7V
I E I B I C ( 1) I B
VBB VBE
5 0 .7
IB
0.0107 mA
RB RE *101
402
I C * I B 100 * 0.0107 1.07mA
VCB VCC I C * RC I E * RE VBE
10 (3)(1.07) (2)(101* 0.0107) 0.7
3.93V
VCB>0 so the BJT is in
active region