TRANSISTOR BIPOLAR

Farrah Vauzia, SST., M.T.

 Pendahuluan
Fungsi Transistor
 Penguat Arus
 Penguat Tegangan
 Penguat Daya
 Saklar
 JENIS TRANSISTOR

1. Transistor bipolar : BJT

• (Bipolar Junction Transistor)
• Aliran listrik : 2 pembawa muatan (hole dan elektron)

2. Transistor Unipolar: FET

• (Field-Effect Transistor)
• Aliran listrik : satu pembawa muatan (hole atau elektron
bebas saja)

3
Bentuk Fisik

4
Konstruksi Transistor
 Konstruksi Transistor
• Emitter
Diberi doping paling banyak
Pengemisi elektron ke Base

• Base
Diberi doping sangat sedikit
Melewatkan elektron dari Emitter ke Collector

• Collector
Jumlah doping sedang; antara jumlah doping di Emitter dan
Base
Pengumpul elektron dari Base
Rangkaian Ekivalen
 TRANSISTOR BIPOLAR

1. Transistor NPN :
 collector diberi tegangan lebih positif dari
emitter.

2. Transitor PNP :
 emitter diberi tegangan lebih positif dari
collector.

8
• Prinsip kerja transistor pnp sama dengan
transistor npn

• Perbedaannya jika transistor npn dikonduksi oleh

elektron, maka transistor pnp dikonduksi oleh
hole

• Namun, transistor npn lebih diminati karena

repon terhadap frekuensi tinggi lebih baik

• Oleh karena itu yang akan dibahas dalam kuliah

ini adalah transistor npn
 Prinsip Kerja
• Kedua dioda reverse bias / Menyumbat / Cutoff

• Tidak ada arus

mengalir, kedua PN
junction tidak bekerja.

• IB = 0 sehingga IC = 0 →
transistor tidak bekerja
 Prinsip Kerja
• Kedua dioda forward bias / Jenuh / Saturasi

• Kedua dioda bekerja,

mengalirkan arus yang
besar

• Ic tidak bertambah lagi,

meskipun IB terus
dinaikkan, karena VCE sudah
berada di daerah saturasi
 Prinsip Kerja
• Emitor Forward, Kolektor reverse / Active
• Ketika BE forward bias, lapisan
deplesi menipis.
• Elektron dari emitor masuk ke
base
• Sebagian berkombinasi dengan
hole pada base
• Sebagian besar elektron
menembus ke Collector
• Di dalam kurva ada IB, IC, VBE, VCE
 Prinsip Kerja
Mengapa bisa demikian???
• Doping pada Base dibuat sedikit, sehingga hanya sedikit arus yang
lewat ke base
• Lapisan Base dibuat sangat tipis dan polaritas Collector lebih positif
daripada Base sehingga elektron lebih banyak tertarik ke Collector

Dengan kata lain . . .

Mengubah VBE
=
Mengatur tebal-tipisnya lapisan deplesi Base-Emitter
=
Mengatur laju arus elektron dari Emitter ke Collector
• Dari kondisi aktif

α = penguatan arus common-base

α adalah perbandingan jumlah elektron yang diinjeksi oleh
emitter yang dikumpulkan di collector

β = penguatan common-emitter
α biasanya bernilai antara 0.98 0.999,
β biasanya bernilai antara 50 to 1000.
• Lebih dari 95 % dari elektron-elektron yang
diinjeksikan emitor mencapai daerah
kolektor, itu sama artinya bahwa arus kolektor
hampir sama dengan arus emitor.

• Makin tipis basis dan makin sedikit basis

didoping, maka akan semakin tinggi α.

• Idealnya jika semua elektron yang diinjeksikan

oleh emitor semuanya sampai ke daerah
kolektor maka nilai α akan sama dengan
satu.
 TRANSISTOR NPN
Sambungan
basis kolektor
selalu tidak C
menghantar

IC=IB
B IC
IB
Sambungan
basis emiter E
selalu menghantar
16
 TRANSISTOR PNP
Sambungan
basis emiter
selalu menghantar E
IB IC=IB
B IC
Sambungan
basis kolektor
selalu tidak
menghantar C
17
 Prinsip Kerja
• Daerah Breakdown
Jika VCE (atau VCB) dinaikkan terus, maka pada
suatu titik junctionnya akan rusak

Rusaknya transistor ditentukan oleh

parameter-parameter VCE max, IC max, PD max (Daya
disipasi max), dan temperatur junction
maksimum
Kurva Karakteristik Input
Kurva Karakteristik Output
Garis Beban Transistor
 Kondisi Kerja yang Aman
• Transistor dioperasikan dengan tidak melebihi nilai-nilai maksimum parameternya
yaitu:
VCE max, IC max, PC max

(PC = VCE x IC) < PC max

• Transistor bekerja pada temperatur junction berada dibawah temperatur junction

maksimum

Tj = TA + RthjA . PD

Tj = Temperatur Junction (°C)

TA = Temperatur Ambient/Sekeliling (°C)
RthjA = Resistansi thermis dari Juntion ke ambient (Ω)
PD = Daya disipasi/terbuang (W)
• Transistor berfungsi sebagai penguat apabila
bekerja pada daerah aktif.

• Jika transistor bekerja pada daerah cutoff dan

saturasi, maka transistor berfungsi sebagai
saklar

• Saklar adalah fungsi penting dari transistor

karena pada aplikasi digital, saklar transistor
mengkonsumsi daya yang sangat sedikit
 Transistor Sebagai Saklar
Transistor akan ON (saturasi) ketika tegangan sebesar V
diberikan pada input. Pada kondisi ini Tegangan VCE akan
mendekati 0, sekingga bertindak seperti short circuit. Sehingga
arus yang mengalir adalah
 Ic = Vcc/Rc
 Transistor Sebagai Saklar
• Transistor akan OFF (cutoff) apabila Vin = 0. selama proses ini
transistor bersifat seperti saklar terbuka dan Vcc akan
terdapat pada Collector
PENGUJIAN TRANSISTOR
dengan multimeter
• Sambungan Basis-
Emitor (BE) hanya
menghantar satu
arah.
• Sambungan Basis –
kolektor (BC) hanya
menghantar satu
arah.
• Sambungan
Kolektor Emitor
(CE) sama sekali
tidak menghantar
dalam arah
manapun.
PENGUJIAN TRANSISTOR
dengan rangkaian
• Transistor baik bila :

• saklar ditekan LED

menyala

• saklar dilepas LED

mati.

27
 KODE TRANSISTOR

Kode mulai huruf B (atau A), contoh BC108, BC478

Huruf pertama : B = silicon, A = germanium (jarang ada ).

Huruf kedua : C = low power audio frequency;

D = high power audio frequency;
F = low power high frequency.

Sisa nomer jenis tertentu

Huruf berikutnya (kalau ada) menunjukkan hfe
A= hfe rendah
B = hfe menengah
C = hfe tinggi
28
 KODE TRANSISTOR

Kode dimulai TIP, misal TIP31A

TIP = pabrik : Texas Instruments Power transistor. Nomer
ganjil : NPN,
Nomer genap : PNP.

Terakhir : versi untuk tegangan yang berbeda.

29