Anda di halaman 1dari 27

Wildian, Fisika Unand

Wildian
Lab. Elektronika dan Instrumentasi
Program Studi Fisika
Universitas Andalas
Two ways to set up transistor

Wildian, Fisika Unand


Wildian, Fisika Unand

1. VARIASI NILAI PENGUATAN ARUS


 Meskipun tipe, label (merek), dan pabriknya sama, penguatan arus
(current gain) pada transistor yang satu boleh jadi berbeda dengan
transistor yang lain. Itulah sebabnya, pada data sheet suatu merek
transistor dicantumkan nilai penguatan arusnya dalam rentang
tertentu.
Contoh:
Pada data sheet transistor 2N3904 dicantumkan nilai hFE minimum
100 dan hFE maksimum 300. [Catatan: hFE = bdc]

 Ada dua atau lebih faktor yang mempengaruhi penguatan arus:


1. Nilai arus kolektornya
2. Temperatur sambungan (the junction temperature)
2. GARIS BEBAN
 Garis beban (load line) adalah garis yang digambarkan melintasi kurva-
kurva kolektor untuk memperlihatkan masing-masing dan setiap titik
kerja yang mungkin untuk digunakan dari suatu transistor.
 Garis beban diperoleh dengan menghubungkan titik saturasi dan titik
cut-off.
 Contoh rangkaian dan garis bebannya ditunjukkan pada Gambar 1.

Gambar 1
Wildian, Fisika Unand
Titik Saturasi

 Titik saturasi (the saturation point)—alias titik jenuh—


adalah titik di mana garis beban berpotongan dengan daerah
saturasi kurva-kurva kolektor.
 Oleh karena VCE di daerah saturasi sangat kecil, maka titik
saturasi ini dapat dianggap identik dengan ujung atas garis
beban.
 Titik saturasi menyatakan nilai arus kolektor maksimum
yang mungkin dapat dicapai suatu rangkaian penguat
transistor.
 Titik saturasi diperoleh dari hubungan:
VCC = ICRC + VCE VCC
dengan VCE = 0, sehingga diperoleh: I C (sat ) 
RC
Wildian, Fisika Unand
Wildian, Fisika Unand

Titik Cut-off
 Titik cut-off (titik putus) adalah titik di mana garis beban
berpotongan dengan daerah cut-off kurva-kurva kolektor.
 Oleh karena arus kolektor di daerah cut-off sangat kecil,
maka titik cut-off dapat dianggap identik dengan ujung
bawah garis beban.
 Titik cut-off menyatakan nilai maksimum yang mungkin
untuk tegangan VCE. Ini terjadi ketika IC = 0.
 Titik cut-off diperoleh dari hubungan:
VCC = ICRC + VCE
dengan IC = 0, sehingga diperoleh: VCE (cut )  VCC
CONTOH SOAL

 Tentukanlah titik saturasi dan titik cut-off rangkaian di atas, dan


gambarkanlah garis bebannya.
 Gambar garis bebannya:
 SOLUSI:
 Titik saturasi:

VCC 30 V
I C (sat )    10 mA
RC 3 k

 Titik cut-off :
VCE (cut )  VCC  30 V

Wildian, Fisika Unand


Wildian, Fisika Unand

3. TITIK KERJA, Q
 Titik kerja (the operating point)—lazim disebut titik Q
(quiescent point)—adalah titik yang menggambarkan posisi nilai
arus kolektor (IC) dan tegangan kolektor-emitor (VCE) suatu
rangkaian transistor pada garis bebannya.
 Titik Q berubah dengan berubahnya nilai penguatan arus b,
namun tetap berada di sepanjang garis beban.
 Oleh karena b bergantung pada arus basis IB (ingat: b  IC/IB),
maka titik Q akan berubah dengan berubahnya nilai IB.
 Rumus-rumus untuk menghitung titik Q: V  VBE
I B  BB
RB
Titik Q = {VCE, IC} I C  b dc I B

VCE  VCC  I C RC
Wildian, Fisika Unand

CONTOH SOAL

 Transistor yang digunakan pada rangkaian di atas memiliki penguatan


arus sebesar 100 kali. Anggap transistor tersebut ideal.
(a) Tentukanlah arus saturasi, tegangan cut-off , dan titik kerja
rangkaian tsb.
(b) Gambarkanlah garis beban rangkaian dan plot-lah titik kerjanya
pada garis beban tersebut.
Wildian, Fisika Unand

Solusi
a. Menggambarkan garis beban:
VCC 15 V
I C (sat )    5 mA
RC 3 k
VCE (cut )  VCC  15 V
b. Mem-plot titik Q:
Transistor ideal  VBE = 0
VBB  VBE 15 V - 0
IB    30 A
RB 500 k

I C  b dc I B  (100)(30 A)  3 mA

VCE  VCC  I C RC  15 V - (3 mA)(3 k)  6 V

Posisi titik Q = (VCE, IC) = (6 V, 3 mA)


Wildian, Fisika Unand

Pengaruh b terhadap titik Q


 Ke arah manakah titik Q bergeser di sepanjang garis
beban jika penguatan arus (b) berubah? Dengan
menggunakan rangkaian yang sama seperti pada
contoh sebelumnya, tentukan dan plot-lah titik-titik Q
untuk nilai b  50 dan b  150.

 Berdasarkan gambar yang anda peroleh tersebut, apa


yang dapat anda simpulkan tentang pengaruh b
terhadap titik Q?
5. CARA MENGENALI SATURASI
1. Anggap bahwa transistor bekerja di daerah aktif.
2. Lakukan perhitungan dengan anggapan tersebut.
3. Jika hasil perhitungan yang anda peroleh tidak masuk akal, berarti
transistor bekerja tidak di daerah aktif, melainkan di daerah saturasi.
Contoh:
Berdasarkan gambar, idealnya
IB = VBB/RB = 0,1 mA.

IC = bdc IB = (50)(0,1 mA) = 5 mA.

VCE = VCC – ICRC


VCE = 20 V – (5 mA)(10 k) = - 30 V.

Hasil perhitungan ini (VCE = - 30 V)


jelas tidak masuk akal! Berarti,
transistor bekerja tidak di daerah aktif,
Wildian, Fisika Unand melainkan di daerah saturasi.
Wildian, Fisika Unand

Cara lain…
 Cara lain untuk mengetahui apakah transistor pada suatu
rangkaian berada dalam keadaan saturasi atau tidak adalah
dengan membandingkan nilai arus kolektor (IC) dengan arus
saturasi kolektor tersebut, IC(sat).
Jika IC > IC(sat), maka transistor itu berada dalam
keadaaan saturasi.
Jika IC < IC(sat), maka transistor itu sedang bekerja
dalam dearah aktif-nya.

 Contoh:
Berdasarkan gambar pada contoh sebelumnya,
IC(sat) = VCC/RC = 20 V/10 k = 2 mA
IC = bdc IB = (50)(0,1 mA) = 5 mA.
Ternyata IC > IC(sat). Itu berarti, transistor tsb saturasi.
Wildian, Fisika Unand

Penguatan Arus ketika Saturasi


 Ketika transistor saturasi, maka bdc(sat) < bdc(aktif ).
bdc(sat) = IC(sat)/IB = 2 mA/0,1 mA = 20
Berdasarkan contoh sebelumnya, maka diperoleh bdc(sat) =
20.
 Ketika transistor saturasi, titik Q (boleh dikatakan)
berada di ujung atas garis beban. Pada titik kerja ini, arus
kolektornya (IC) maksimum. Itu berarti, meskipun arus
basis IB diperbesar, arus kolektor tetap pada nilai IC(sat).
Satu-satunya yang berubah ketika IB diperbesar adalah bdc
(nilai penguatan arusnya menjadi berkurang).
 Contoh:
Jika pada contoh sebelumnya nilai IB kita tingkatkan dari 0,1
mA menjadi 0,2 mA, maka
bdc(sat) = IC(sat)/IB = 2 mA/0,2 mA = 10.
Wildian, Fisika Unand

Saturasi Kuat & Saturasi Lemah


 Perancang yang menginginkan transistornya bekerja di daerah saturasi
biasanya memilih resistansi basis yang menghasilkan bdc(sat) = 10.
Penguatan arus saturasi bernilai 10 ini disebut saturasi kuat (hard
saturation), karena arus basis yang digunakan untuk terjadinya
saturasi ini lebih dari cukup. Berdasarkan gambar rangkaian pada
contoh sebelumnya, arus basis yang dibutuhkan agar transistor itu
𝐼𝑐 𝑠𝑎𝑡
saturasi hanyalah sebesar IB = = 2 mA/50 = 0,04 mA.
𝛽𝑑𝑐 𝑠𝑎𝑡
Cara cepat mengenali saturasi kuat (ketika digunakan VBB = VCC):
RB ≥ 10 RC.

 Saturasi lemah (soft saturation) adalah keadaan saturasi di mana


transistor hampir tidak saturasi. Dengan kata lain, penguatan arus
saturasinya hanya kurang sedikit dari penguatan arus di daerah aktif.
Wildian, Fisika Unand

6. TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR


 Dua daerah kerja transistor, yaitu daerah saturasi dan daerah
cut-off, banyak dimanfaatkan dalam rangkaian-rangkaian
digital (= rangkaian yang bekerja berdasarkan dua keadaan
tegangan saja: high dan low.
 Panjar basis (base bias), dalam hal ini, sangat bermanfaat untuk
men-switch antara keadaan saturasi dan cut-off.
 Ketika saklar S terbuka, arus basis jatuh
(drops) ke nol. Akibatnya, arus kolektor
juga jatuh ke nol. Dengan tidak adanya
arus yang melalui resistor 1 k, maka
seluruh tegangan catu kolektor akan
muncul pada terminal-terminal kolektor-
emitor, sehingga VO naik menjadi +10 V.
 Rangkaian ini hanya bisa memiliki dua
tegangan keluaran, yaitu 0 atau +10 V,
yang dalam terminologi digital dikenal
sebagai keadaan high atau low.
Wildian, Fisika Unand

CONTOH SOAL
 Berapakah kedua nilai
tegangan keluaran yang
mungkin pada rangkaian
di samping?

 Jika tegangan VCE(sat) pada


rangkaian di samping
adalah 0,15 V dan arus
bocoran kolektor nya ICEO
adalah 50 nA, berapakah
kedua nilai tegangan
keluarannya?
Wildian, Fisika Unand

SOLUSI
 Oleh karena RB : RC = 10 : 1, maka rangkaian tersebut saturasi jika
saklar terhubung. Akibatnya, hanya ada dua kemungkinan
tegangan keluarannya, yaitu 0 (saat saturasi) dan +5 V (saat cut-off).

 Jika kita masukkan efek-efek tegangan saturasi dan arus bocoran


kolektor, maka kedua tegangan keluaran rangkaian tersebut
adalah 0,15 V (saat saturasi) dan +5 V (saat cut-off). Nilai VO = +5
V diperoleh dari:
VCE = VCC – ICRC  VCE = 5 V– (50 nA)(1 k) = 4,99995 V ≈ 5 V
(dibulatkan). Jadi, VO = VCE = 5 V

 Untuk analisis praktis pada rangkaian transistor sebagai saklar, yang


kita butuhkan adalah dua tegangan yang berbeda: high dan low; tak
masalah apakah tegangan low itu 0, 0,1 V, atau 0,15 V. Begitu pula
untuk tegangan high-nya, tak masalah apakah 5 V, 4,9 V, atau 4,5 V.
7. PANJAR EMITOR
 Panjar basis bermanfaat ketika
transistor digunakan sebagai
saklar (pada rangkaian-
rangkaian digital).

 Jika transistor digunakan sebagai


penguat, maka dibutuhkan
panjar emitor (emitter bias).
Caranya: pindahkan resistor pada
basis ke emitor. (Lihat gambar )

 Panjar emitor menyebabkan  Berdasarkan gambar di atas,


titik kerja Q rangkaian transistor tampak bahwa:
“kebal” terhadap perubahan b
(penguatan arus). Ketika b VE = VBB – VBE
berubah dari 50 ke 150, titik Q  Jika VBB > 20 VBE, gunakan
relatif tidak bergeser di sepanjang
garis beban. Dengan kata lain, pendekatan pertama (VBE = 0).
titik kerja rangkaian transistor  Jika VBB < 20 VBE, gunakan
tersebut stabil. pendekatan kedua (VBE = 0,7 V).
Wildian, Fisika Unand
Wildian, Fisika Unand

Menentukan titik Q
(pada rangkaian panjar emitor)
 Titik kerja Q = (VCE, IC)
 Cari dulu IC.
Oleh karena VBB = 5 V dan VBE = 0,7
V, berarti VBB < 20 VBE , maka kita
gunakan pendekatan kedua.
 Tegangan emitor (VE):
VE = VBB – VBE
VE = 5 V – 0,7 V = 4,3 V  Jatuh tegangan di RC kita simbolkan
dengan VRC (≠ VC !)
 Arus emitor (IE): VRC = ICRC = (1,95 mA)(1 k) = 1,95 V.
VE 4,3 V  Dari: VCC = ICRC + VC
IE    1,95 mA kita peroleh: VC = 13,1 V
RE 2,2 k
 Oleh karena: VCE = VC - VE
maka: VCE = 13,1 V – 4,3 V = 8,8 V
 Oleh karena IC ≈ IE, maka dapat
 Jadi, koordinat titik Q adalah (8,8 V,
dianggap IC = 1,95 mA 1,95 mA)
Wildian, Fisika Unand

Ingatlah…!
 Dalam mencari kesalahan pada rangkaian panjar emitor,
janganlah mengukur VCE secara langsung, karena ujung
probe pada kebanyakan voltmeter terhubung ke ground-
nya. Jika probe positif voltmeter itu dihubungkan ke
kolektor dan probe negatifnya ke emitor, maka emitor
akan terhubung ke ground tersebut. Hal ini akan
menyebabkan kesalahan dalam pembacaan nilai emitor
yang sesungguhnya.

 Cara mendapatkan nilai VCE yang benar:


1. Ukur tegangan kolektor terhadap ground  VC
2. Ukur tegangan emitor terhadap ground  VE
3. Hitung: VCE = VC - VE
Wildian, Fisika Unand

Apa untungnya menggunakan panjar emitor?


Jika kita menggunakan rangkaian panjar emitor untuk
menggerakkan (to drive) LED, maka:
1. Arus LED tidak bergantung pada tegangan LED.
2. Rangkaian tersebut tidak memerlukan resistor kolektor.

Penggerak LED dengan panjar basis Penggerak LED dengan panjar emitor
Penjelasannya…
 Ketika saklar S terbuka, berarti
transistor dalam keadaan
terputus (cut-off).
 Ketika saklar S tertutup, maka
transistor bekerja dalam
daerah aktif.
 Idealnya, tegangan emitor VE =
15 V. Itu berarti, IE = 10 mA.
 Oleh karena ILED = IE, maka
jatuh tegangan di LED tidak
mempengaruhi arus LED.

Wildian, Fisika Unand


Contoh Soal:
 Misalkan kita menginginkan arus LED 25 mA ketika saklar
ditutup. Bagaimana caranya?
 SOLUSI:
Berdasarkan gambar di samping, ada dua
cara untuk mendapatkan ILED = 25 mA:
memperbesar VBB , atau memperkecil RE.

1. Memperbesar VBB
VE = IERE  IE = ILED = 25 mA
VE = (25 mA)(1,5 k) = 37,5 V.
Berdasarkan hubungan:
VBB = VBE + VE, maka idealnya
VBB = VE = 37,5 V. 2. Memperkecil RE.
atau, dengan pendekatan kedua: VBB = Idealnya, VE = 15 V, sehingga kita
38,2 V. peroleh:
Tapi, untuk rangkaian elektronik, nilai
tersebut agak besar (tegangan catu yang VE 15 V
lazim digunakan adalah 15 V). Jadi? Ya, RE    600 
kita gunakan pilihan kedua: I E 25 mA
memperkecil RE.
8. TRANSISTOR SEBAGAI SUMBER ARUS
 Rangkaian sumber arus
dengan menggunakan
transistor pada dasarnya
sama seperti rangkaian
panjar emitor.
 Panjar basis biasanya
menggunakan transistor
sebagai saklar, sedangkan
panjar emitor cenderung
menggunakan transistor
sebagai sumber arus.  Oleh karena VBB, VBE, dan RE
 Arus emitor: semuanya konstan, maka arus
emitor IE juga konstan.
VBB  VBE
IE 
RE NB: Hanya VBE yang sedikit
berubah terhadap temperatur.
Beda Rangkaian
Transistor sebagai Sumber Arus dan
Transistor sebagai Saklar
 Rangkaian transistor sebagai  Rangkaian transistor sebagai saklar:
sumber arus:

 Arus emitor IE dibuat tetap  Arus basis IB dibuat tetap (konstan)


(konstan) dengan mengatur RE dengan mengatur RB atau VBB.
 Rangkaian ini kebal terhadap  Arus basis IB harus di-set cukup besar
agar transistor saturasi kuat.
perubahan bdc.
 Ciri rangkaian ini: emitor di-ground-
 Makin besar RE, makin stabil IC. kan.
Wildian, Fisika Unand

Semoga karya kecil ini bermanfaat untuk lebih


memudahkan anda memahami Elektronika. Aamiin…

wildian_unand@yahoo.com

Anda mungkin juga menyukai