O
L
E
H
INDAH RITONGA
2105112023
CE-3A
1). BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT
dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet,
sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emitor (E), kolektor (C), dan basis
(B).sedangkan UJT (Unijunction transistor) merupakan sebuah komponen elektronik semi
konduktor yang hanya mempunyai satu pertemuan.UniJunction Transistor mempunyai tig a
saluran, sebuah emitor (E) dan dua basis (B1 dan B2). Basis dibentuk oleh batang silikon tipe-
n yang terkotori ringan. Dua sambungan ohmik B1 dan B2 ditambahkan pada kedua ujung
batang silikon. Resistansi di antara B1 dan B2 ketika emitor dalam keadaan rangkaian terbuka
dinamakan resistensi antarbasis (interbase resistance).
2). - Active region adalah daerah aktif
- Saturation region adalah daerah jenuh
- Cutoff region adalah daerah mati
- Breakdown region adalah daerah rusak
- hFE adalah rasio perbandingan dari IC/IB
3). Rb = VBB – VBE = 10V – 0.7V = 9.3V
RB maksimum = 470kΩ + 5% = 493.5kΩ
VBB – VBE 9.3V
I= = =18.8µA = 19µA
RB 493.5kΩ
RB minimum = 470kΩ – 5% = 446,5kΩ
VBB – VBE 9.3V
I= = = 20.8µA = 21µA
RB 446.5kΩ
VCE
IC
VCE
e. Jika RC dinaikkan menjadi 4.7 k, apa yang terjadi dengan garis beban?
Maka garis beban akan berubah
Jika VCE = 0
IC = VCC – VCE / RC = 20 V / 4.7 kΩ = 0.0042 A atau 4.2 mA
Jika IC = 0
0 = VCC – VCE / RC = 20 V - VCE / 4.7 kΩ
VCE = 20 V
IC
VCE
f. Jika RB diturunkan menjadi 500 k, apa yang terjadi dengan garis beban?
Tidak ada perubahan dengan garis beban karena garis yang menggambarkan hubungan IC dan
VCE, yaitu IC sebagai fungsi dari VCE