LAPORAN

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Disusun oleh :

Nama : Angelina Diva Adella Putri

Prodi : Elektronika Instrumentasi

NIM : 022000005

Dosen : Ayu Jati Puspitasari, M.Si

SEKOLAH TINGGI TEKNOLOGI NUKLIR

BADAN TENAGA NUKLIR NASIONAL

YOGYAKARTA

2020
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 LATAR BELAKANG

Rangkaian elektronika merupakan perpaduan dari beberapa komponen yang berpadu
dan saling berinteraksi satu sama lain. Transistor merupakan salah satu komponen dalam
rangkaian tersebut yang tak kalah pentingnya dengan komponen elektronika lainnya.
Transistor berukuran fisik yang sangat kecil tetapi berperan banyak dalam studi
elektromekanika.
Seiring berkembangnya zaman, komponen-komponen tersebut dibuat sekecil
mungkin dengan dana yang efisien dan hasilnya bias semaksimal mungkin. Melihat
begitu banyak dan pentingnya peran transistor dalam kehidupan kita, maka dilakukanlah
praktikum “Karakteristik Transistor” ini untuk lebih mengetahui komponen-komponen
dasar dalam rangkaian elektronika.

1.2 RUMUSAN MASALAH

1. Bagaimana kurva karakteristik IB = ƒ(VBE) masukan transistor?
2. Bagaimana kurva karakteristik control arus transistor?
3. Bagaimana kurva karakteristik keluaran transistor?

1.3 TUJUAN
1. Menentukan kurva karakteristik IB = ƒ(VBE) transistor
2. Menentukan kurva karakteristik control arus transistor
3. Menentukan kurva karakteristik keluaran transistor

1.4 MANFAAT
Dalam rangkaian elektronika, transistor dimanfaatkan sebagai stabilitas tegangan pada
adaptor, pencampur frekuensi pada rangkaian mixer, pembangkit frekuensi, penyearah
arus pada rangkaian adaptor, dan penguat arus atau tegangan pada audio amplifier.

BAB II
DASAR TEORI

2.1 Konsep Transistor

Ada dua macam transistor yang diproduksi oleh masing-masing pabrik, yaitu jenis
NPN dan PNP. Kode yang digunakan untuk membedakan kedua jenis transistor tersebut akan
berbeda antara pabrik yang satu dengan yang lainnya. Kode-kode tersebut dapat dilihat dari
katalog. Begitu juga mengenai spesifikasi detail dari suatu transistor misal VCE max, Ic max
dan suhu max yang diperbolehkan. Sebagai contoh, rating maksimum untuk transistor
2N3904 adalah sebagai berikut :
VCEO (tegangan kolektor ke emitor dengan basis terbuka) = 40 V, VCBO (tegangan kolektor ke
basis dengan kolektor terbuka) = 60 V, VEBO (tegangan emitor ke basis dengan kolektor
terbuka) = 6 V, IC (rating maksimum arus kolektor) = 200 mA, PD (rating daya maksimum) =
310 mW. Untuk memakai (mengoperasikan ) transistor harus diperhatikan harga maksimal
rating yang disebutkan di atas agar transistor tidak rusak (breakdown).

C C
B B
E E
(a) (b)

Gambar 2-1 (a) Simbol transistor NPN, (b) Simbol transistor PNP

Emitor colector Emitor colector

n p n p n p

basis basis
(a) (b)

Gambar 2-2. Tiga daerah transistor (a) Transistor npn. (b) Transistor pnp

Transistor pada gambar 2-2 mempunyai dua sambungan (junction), satu di antara emitor
dan basis dan lainnya di antara basis dan kolektor. Karena inilah, sebuah transistor seperti
dua buah dioda. Kita sebut dioda yang terletak di sebelah kiri sebagai dioda emitor basis atau
singkatnya dioda emitor. Dioda yang terletak di sebelah kanan adalah dioda kolektor basis
atau dioda kolektor. Transistor pnp merupakan komplemen dari transistor npn. Pembawa
muatan mayoritas pada emitor adalah hole, sebagai pengganti dari muatan bebas. Ini berarti
pada transistor pnp dibutuhkan arus dan tegangan yang berlawanan dengan transistor npn.

Lebih dari 95 persen elektron-elektron yang diinjeksikan mencapai kolektor (arus

kolektor sama dengan aris emitor). Alfa dc dari sebuah transistor menunjukkan bagaimana
dekatnya harga kedua harga tersebut, alfa dc didefinisikan sebagai :

IC
α dc= ¿
Ialignl¿ E ¿¿ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (2.1)
Semakin tipis dan semakin sedikit basis didope, semakin tinggi dc. Idealnya, jika semua
elektron yang diinjeksikan pergi ke kolektor, dc akan sama dengan satu. Banyak transistor
mempunyai dc > 0,99 dan hampir semua mempunyai dc > 0,95.

Kita telah menghubungkan antara arus kolektor dan arus emitor dengan menggunakan
dc. Kita dapat juga menghubungkan arus kolektor dengan arus basis dengan mendefinisikan
beta dc dari sebuah transistor sebagai

IC
β dc =
I B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (2.2)

Hampir pada semua transistor, kurang dari 5 persen elektron yang diinjeksikan emitor
berekombinasi dengan lubang basis untuk menghasilkan IB; karena itu dc hampir semuanya
lebih besar dari20. Biasanya di antara 50 dan 300. Dan ada beberapa transistor mempunyai
dc sampai 1000. Dalam sistem analisis yang lain, yang disebut para meter h, dc sama
dengan hFE, digunakan untuk penguatan arus, ditulis

dc = hFE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (2.3)

2.2 Hubungan Antara Dc dan Dc

Hukum Kirchhoff untuk arus menyatakan

IE = IC + IB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (2.4)

Arus emitor (IE) merupakan penjumlahan dari arus kolektor (IC) dan arus basis (IB). Arus
emitor merupakan terbesar dari ketiga arus tersebut, arus kolektor hampir sama besar dengan
arus emitor, dan arus basis jauh lebih kecil. Bila persamaan di atas dibagi dengan I C, akan
memberikan :

IE IB
=1+
IC I C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (2.5)

atau

1 1
=1+
α dc β dc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (2.6)

Dengan aljabar, kita dapat menyusun kembali menjadi

 α dc
β dc =
1−α dc . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (2.7)

β dc
α dc =
β dc +1 . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . (2.8)

2.3 Karakteristik Transistor

Salah satu cara untuk membayangkan bagaimana sebuah transistor bekerja, yaitu dengan
membuat grafik yang menghubungkan arus dan tegangan transistor.

IC
Ic breakdown
RC
IB
+
RB VCE VCC
VBB
+ _
_ VBE

IB

Kurva kolektor

Gambar 2-3 (a) Rangkaian untuk mengukur arus dan tegangan kolektor

(b) Kurva kolektor

Jika VCE = 0, dioda kolektor tidak terbias balik, karena itu arus kolektor sangat kecil. Untuk
VCE antara 0 dan mendekati 1 V, arus kolektor naik dengan cepat dan kemudian menjadi
hampir konstan. Jika kita menaikkan VCE terlalu besar, dioda kolektor akan rusak dan kerja
transistor yang normal akan hilang. Kemudian transistor tidak lagi berfungsi sebagai sumber
arus.

Ic (mA)

IB 5
5
IB 4 IB 3
4

3 IB 1
IB 0IB 2
2 VCE

1
Gambar 2-4. Kurva kolektor dengan bermacam-macam harga IB

Jika kita mengukur IC dan VCE untuk IB yang berbeda-beda kita dapatkan kurva kolektor
seperti gambar 2-4 di atas. Untuk arus basis I B = 0, arus kolektor kecil karena adanya arus
bocor dari dioda kolektor. Untuk transistor silikon arus bocor biasanya cukup kecil sehingga
dapat diabaikan pada sebagian besar aplikasi.

2.4 Kurva Basis

Pada tegangan kolektor yang lebih tinggi, kolektor menangkap sedikit lebih banyak
elektron, ini mengurangi arus basis. Karena bagian basis-emitor dari transistor merupakan
sebuah dioda, sehingga grafiknya mirip dengan sebuah kurva dioda.

IB

VBE
0,7

Gambar 2-5. Kurva basis

2.6 Cutoff Dan Breakdown

Pada kurva kolektor gambar 2-4, kurva yang terendah adalah untuk arus basis nol.
Keadaan IB = 0 ekivalen dengan membuka kawat penghubung basis (lihat gambar 2-6a).
Arus kolektor dengan kawat penghubung basis terbuka ditandai dengan ICEO di mana
subkrip CEO berarti kolektor ke emitor dengan basis terbuka. ICEO disebabkan sebagian oleh
panas yang dihasilkan pembawa muatan dan sebagian lagi oleh arus bocor permukaan.
Gambar 2-6b menunjukkan kurva IB = 0. Dengan tegangan yang cukup besar, kita dapat
mencapai tegangan breakdown, yang dinamakan BVCEO, dimana subkrip berarti kolektor ke
emitor dengan basisterbuka. Agar transistor bekerja normal, kita harus menjada agar VCE
lebih kecil dari pada BVCEO. Sebagain besar lembar data transistor menulis nilai BVCEO di
antara rating maksimumnya. Tegangan breakdown ini dapat kurang dari 20 V atau lebih dari
200V, tergantung pada jenis transistor.
IC
IB = 0

+
TERBUKA
ICEO
ICEO
-
IB = 0

VCE
BVCEO

Gambar 2-6 Arus cutoff dan tegangan breakdown

2.7 Garis Beban DC

Garis beban dapat digambarkan pada kurva kolektor untuk memberikan pandangan yang
lebih banyak bagaimana transistor bekerja dan daerah mana dia beroperasi. Gambar berikut
menunjukkan tegangan sumber VCC membias balik dioda kolektor melalui RC. Tegangan
pada tahanan ini adalah VCC – VCE. Ini adalah persamaan garis beban dc.

V CC −V CE
IC =
RC . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . (2.8)
IC
saturasi
Titik cutoff
RC Q IB >IB (sat)

VBB IB =IB (sat)

RB VCE + VCC

+ - IB
VBE
-
IB = 0
VCE
(a) 0 VCC
(b)

Gambar 2-7 (a) Bias basis. (b) Garis beban DC

BAB III
METODOLOGI PERCOBAAN
3.1 ALAT DAN BAHAN
 Alat dan bahan yang digunakan dalam percobaan karakteristik transistor adalah
sebagai berikut, resistor sebesar 1 kΩ sebanyak 2 buah, power supply, project board, kabel
penghubung, multimeter sebagai amparemeter dan voltmeter.
3.2 LANGKAH KERJA
Dalam percobaan untuk mengetahui karakteristik masukan transistor, langkah kerja
yang harus dilakukan adalah rangkaian disusun seperti gambar 3-1 dibawah ini.

Gambar 3-1. Rangkaian pada percobaan karakteristik masukan transistor

Arus basis IB disesuaikan dengan nilai yang diberikan dalam tabel 1 kemudian tegangan basis
emitor VBE diukur dan catat hasilnya. Grafik arus basis IB digambarkan sebagai fungsi
tegangan basis emitor VBE sedangkan kolektor emitor VCE tetap 0 Volt. Semikonduktor lain
yang mana yang mempunyai kurva karakteristik sama dengan karakteristik masukkan
transistor.
Pada percobaaan untuk mengetahui karakteristik control arus transistor, dilakukan
langkah kerja sebagai berikut, yaitu menyusun rangkaian seperti gambar 3-2 di bawah ini..

Gambar 3-2. Rangkaian pada percobaan karakteristik kontrol arus transistor

Arus basis IB dipilih sesuai dengan nilai yang diberikan dalam tabel 2 dan arus kolektor Ic
diukur. Penguatan arus β dapat dihitung lalu catat hasilnya. Grafik arus kolektor Ic
digambarkan sebagai fungsi arus basis IB sedangkan tegangan kolektor emitor tetap pada 12
Volt. Sehingga, dapat ditentukan β (current transfer ratio) oleh slop pada karakteristik
kontrol arus.
Pada percobaan untuk mengetahui karakteristik keluaran transistor, rangkaian disusun
seperti gambar 3-3 di bawah ini.
 Gambar 3-3. Rangkaian pada percobaan karakteristik keluaran transistor
Arus basis IB dapat diatur dengan memutar R2. Kemudian, tegangan kolektor-emitor Vce
dipilih sesuai dengan nilai yang diberikan dalam tabel 3 dan arus kolektor Ic diukur.
Selanjutnya, dilakukan pengulangan pada pengukuran dengan arus basis dan catat hasilnya.
Grafik arus kolektor Ic digambarkan sebagai fungsi tegangan kolektor-emitor Vce pada arus
basis tetap IB.
3.3 DIAGRAM ALIR

Percobaan Percobaan Percobaan

karakteristik karakteristik karakteristik
masukan kontrol arus keluaran
transistor transistor transistor

Rangkaian disusun seperti gambar pada masing-masing percobaan 1, 2, 3

Atur arus IB sesuai dengan nilai yang ada Atur IB dan pilih tegangan Vce
pada tabel percobaan 1 dan 2 sesuai nilai pada tabel

Ukur arus kolektor Ic,

Ukur VBE dan catat Ukur Ic dan hitung
lakukan pengulangan
hasilnya penguatan arus β lalu
ukur arus basis dan
catat hasilnya
catat hasilnya

Gambar grafik IB
sebagai fungsi VBE, Gambar grafik Ic Gambar grafik Ic sebagai
VCE tetap 0 Volt sebagai fungsi IB, VCE fungsi VCE pada IB
tetap 12 Volt
 BAB IV
ANALISA DATA DAN PEMBAHASAN

4.1 ANALISA DATA DAN PERHITUNGAN

4.1.1 Karakteristik Masukan Transistor
Tabel 1. Data arus basis pada tegangan kolektor
IB (mA) 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 15
VBE (V) 0,65 0,675 0,7 0,75 0,75 0,8 0,85 0,85

Grafik 1. IB= ƒ(VBE), dimana VCE = 0 Volt

16
14
12
10
IB (mA)

8
6
4
2
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1

VBE (V)

4.1.2 Karakteristik Kontrol Arus Transistor

Tabel 2. Data arus dan penguat arus transistor (VCE=12)
IB (mA) 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,5 2 3 4
IC (mA) 0 30 60 60 62,5 62,5 62,5 62,5 62,5 62,5
IC 0 150 150 100 78,125 62,5 41,67 31,25 20,83 15,625
β=
IB

150+150+100+78,125+62,5+ 41,67+31,25+20,83+15,625 650

βrata-rata = 9 = 9 = 72,22
βDC 72,22
α DC = βDC +1 = 73,22 = 0,9863
 Grafik 2. Ic= ƒ(IB), dimana VCE = 12 Volt
70

60

50

40
IC (mA)

30

20

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 3 4

IB (mA)

4.1.3 Karakteristik Keluaran Transistor

Tabel 3. Data arus kolektor pada tegangan kolektor
IB= tetap VCE 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 1 2 3
(V)
IB = 0 IC (µA) 0 0,5 1 1,5 2 3 5 10 15
mA

Grafik 3. Ic= ƒ(VCE) pada IB

16

14

12
IC (µ A )

10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1 2 3

VCE (V)
4.2 PEMBAHASAN
Pada grafik 1 dapat dilihat bahwa saat V CE = 0 Volt (dalam keadaan konstan), arus
basis IB lama-kalamaan akan mengalami kenaikan dan menjadi konstan. Seperti yang
diketahui bahwa bagian basis-emitor dari transistor adalah diode, maka saat VBE pada
emitor-basis dibias maju, grafik arus yang terlihat akan menyerupai grafik diode, seperti yang
terlihat pada grafik 1. Untuk karakteristik input transistor ini, apabila tegangan diode
melebihi potensial barriernya maka IB akan mengalami kenaikan dengan cepat, begitu juga
sebaliknya. Sehingga, grafik tersebut sudah relative sesuai dengan teori.
Pada grafik 2, arus kolektor (Ic) merupakan fungsi dari arus dari basis (IB), yang mana
perubahan pada IB menyebabkan perubahan yang diperkuat pada arus kolektor (I C) untuk
VCE tetap. Umumnya, perbandingan arus IC:IB antara 50-300, namun ada pula transistor yang
memiliki perbandingan mencapai 1000. Pada percobaan ini, didapatkan nilai β sebesar 72,22.
Perhitungan tersebut telah sesuai dengan teori bahwa nilai β pada transistor masuk dalam
rentang 50-300. Dari hasil β, dapat diketahui juga nilai α sebesar 0,9863. Hal itu sesuai
dengan teori yang menyatakan bahwa pada umumnya transistor memiliki αDC > 0,99.
Pada grafik 3 dapat dilihat bahwa saat VCE = 0 Volt, diode kolektor tidak terbias
balik. Hal itu menyebabkan arusnya sangat kecil. Saat VCE dinaikan mendekati nilai 1 Volt ,
arus kolektor menjadi naik semakin cepat dan kemudian hamper menjadi nilai konstan. Jika
kita menaikkan VCE terlalu besar, ada kemungkinan prinsip kerja transistor pada diode
kolektor akan rusak.

BAB V
KESIMPULAN DAN SARAN
5.1 KESIMPULAN
1. Grafik karakteristik masukan transistor menyerupai grafik diode sinyal forward
bias.
2. Transistor berfungsi sebagai penguat arus, yang ditunjukkan oleh relasi antara IB
dan Ic pada percobaan kali ini, βDC sebesar 72,22.
3. Kurva karakteristik keluaran transistor menunjukkan arus kolektor akan
meningkat dengan semakin bertambahnya tegangan kolektor.
5.2 SARAN
1. Sebelum melaksanakan praktikum, praktikan sebaiknya memahami percobaan apa
saja yang akan dilakukan agar bisa membuat rangkaian seperti yang diinginkan dalam
percobaan.
2. Diperlukan ketelitian dalam membaca skala pada multimeter untuk memperkecil
kemungkinan salah pada data praktikum.
3. Sebaiknya pelaksanaan praktikum dilakukan satu hari sekali agar praktikan lebih
memahami materi.
 DAFTAR PUSTAKA
Joko Sunardi, SST, Toto Trikasjono, ST, M. Kes, Nugroho Trisanyoto, SST. 2016. Petunjuk
Praktikum Karakteristik Transistor. Jurusan Teknofisika Nuklir Prodi Elektronika
Instrumentasi STTN BATAN Yogyakarta

LAMPIRAN