BAB II

PENGUAT SINYAL KECIL

Penguat sinyal kecil adalah jenis penguat dengan perubahan arus kolektor
lebih kecil dibandingkan dengan arus kolektor stasioner. Penguat sinyal kecil
digunakan dekat ujung muka penerima, penguat stereo, dan instrument ukur.

2.1 PENGUAT YANG DIGERAKKAN PADA BASIS

Gambar 2.1(a) menunjukkan rangkaian yang digerakkan pada basis.
Tampak bahwa VBB menggerakkan basis melalui resistansi RB.

IC

IB

RB Rc
+
VBB
RE IE
-

(a)

IC
C

IB
B
-
RB
RE’ Rc
+
+
VBB E
IE
- RE

(b)

Gambar 2.1 (a) Bentuk yang digerakkan pada basis

(b) Rangkaian ekivalen ideal

11
 Bayangkan transistor sebagai model ideal pada gambar 2.1(b)

𝑖𝑒
Dengan 𝑖𝑐 ≈ 𝑖𝑒 dan 𝑖𝑏 ≈ 𝛽

𝑖
Diperoleh −𝑣𝑏𝑏 + 𝛽𝑒 𝑅𝐵 + 𝑖𝑒 (𝑅𝐸′ + 𝑅𝐸 ) ≅ 0 (2.1)

𝑉𝐵𝐵
𝑖𝑒 = ′ +𝑅𝐵
(2.2)
𝑅𝐸 +𝑅𝐸 ⁄𝛽

1. Rumus tegangan
Tiga rumus tegangan ac dasar dalam suatu penguat adalah:
- Tegangan kolektor ke tanah, Vc
- Tegangan emitor ke tanah, VE
- Tegangan basis ke tanah, VB

a. Tegangan kolektor ke tanah, Vc

Tegangan ac dari kolektor ke tanah harus sama dengan tegangan pada RC,
sehingga:
𝑣𝑐 ≅ 𝑖𝑒 𝑅𝐶 (2.3)

Jika tegangan dibalik polaritasnya, yaitu selama setengah perioda negatif

dari tegangan sumber, berarti polaritas tegangan pada RC membuat kolektor
positif terhadap pentanahan ac. Karena itu, tegangan kolektor ac berbeda fase
1800 terhadap tegangan basis. Pembalikan fase antara basis dan kolektor ini
terjadi dalam semua penguat yang digerakkan pada basis.

b. Tegangan emitor ke tanah, VE

Dari gambar 2.1(b),

𝑣𝑒 ≅ 𝑖𝑒 𝑅𝐸 (2.4)

Tampak bahwa fase tegangan pada VE sama dengan fase tegangan VB

(sefase).

12
 c. Tegangan basis ke tanah, VB
Dari gambar 2 tampak bahwa VB identik dengan RE’ + RE, sehingga

𝑣𝑏 = 𝑖𝑒 (𝑅𝐸′ + 𝑅𝐸 ) (2.5)

2. Penguatan tegangan
Salah satu penguat tegangan yang penting dalam sebuah penguat adalah
penguatan tegangan dari basis ke kolektor, yaitu ratio dari tegangan kolektor ac
terhadap tegangan basis.

𝑣
𝐴 = 𝑣𝑐 (2.6)
𝑏

Dalam sebuah penguat pasti didapatkan tegangan keluaran yang lebih

besar dari tegangan masukan.
Contoh, jika tegangan keluaran = 10 V dan tegangan masukan = 0,05 V,
maka penguatan tegangan adalah:
10
𝐴= = 200
0,05

Karena penguatan tegangan dari basis ke kolektor sangat penting, perlu

mendefinisikan ini. Dari persamaan (2.3) dan (2.5):

𝑣 𝑖𝑒 𝑅𝐶
𝐴 = 𝑣𝑐 = 𝑖 ′
𝑏 𝑒 (𝑅𝐸 +𝑅𝐸 )

atau
𝐶 𝑅
𝐴 = (𝑅′ +𝑅 (2.7)
𝐸 𝐸)

Pendekatan yang paling baik untuk menentukan RE’, baik pada transistor
silikon maupun germanium adalah:

25 𝑚𝑉
𝑅𝐸′ = (2.8)
𝐼𝐸

13
Contoh:
Cari nilai RE’ dalam gambar 2.2(a). Kemudian ubah penguat tersebut
menjadi penguat yang digerakkan pada basis.

Penyelesaian
Untuk memperoleh RE’ diperlukan arus emitor dc yaitu IE. Bayangkan
semua kapasitor C terbuka (gambar 2.2(b)).

+30 V

20 kW 10 kW

kopling

kopling

10 kW

10 kW 100 W

10 kW bypass

(a)

+ 30 V

20 k 10 k

IE
10 k 10,1 k

(b)

Gambar 2.2

14
 Dari gambar 2.2(b) tampak bahwa tegangan dari basis ke tanah adalah
10 Volt. Karena itu, dengan mengabaikan VBE, tegangan dc dari emitor ke tanah
adalah 10 Volt. Sehingga, arus emitor, IE  1 mA. Jadi,

25 𝑚𝑉 25 𝑚𝑉
𝑅𝐸′ = = = 25 Ω
𝐼𝐸 1 𝑚𝐴

Untuk mengubah rangkaian tersebut menjadi penguat yang digerakkan

pada basis:
- Buat VCC menjadi 0.
- Hubung singkat semua kapasitor (gambar 2.3(a))
- Theveninkan tahanan pada kolektor dan basis (gambar 2.3(b))

vbb 20 kW 10 kW 100 W 10 kW 10 kW

(a)

vbb 100 W 5 kW

(b)
Gambar 2.3

15
2.2 PENGUAT EMITOR BERSAMA
Jika dalam penguat yang digerakkan pada basis memiliki RE = 0, maka
dikatakan emitor berada pada kondisi pentanahan ac. Dengan kondisi ini,
rangkaian disebut penguat emitor ditanahkan atau emitor bersama.

iC  iE

 iE /b
rB

+
+ VB -
VBB _ VC rC
_ iE
+

(a)

iC  iE

 iE /b
rB
iE

+ -
VBB + VC rC
_ VB rE’ +
_

(b)

Gambar 2.4. Penguat emitter bersama

Cara mudah untuk mengetahui penguatan tegangan dari basis ke kolektor

adalah dengan mengganti transistor dengan model idealnya (gambar 2.4(b)).

𝑖𝑐 ≅ 𝑖𝑒
𝑣𝑐 ≅ 𝑖𝑒 𝑟𝐶
Tegangan basis
𝑣𝑏 ≅ 𝑖𝑒 𝑟𝐸′

16
 Penguatan tegangan
𝑣𝑐 𝑖𝑒 𝑟𝐶
𝐴= ≅
𝑣𝑏 𝑖𝑒 𝑟𝐸′
atau
𝑟
𝐴𝑣 = 𝑟𝐶′ (2.9)
𝐸

Contoh:
Berapa penguatan tegangan dari basis ke kolektor dalam gambar 2.5(a).
+30V

3M 10 k
kopling

kopling

+ 10 k
+ Vb
-
Vbb
IE
-

(a) bdc = 100

10 k 10 k

3M

(b)

RE’ = 25 W
5 kW

(c)
Gambar 2.5.

17
 Dengan mengabaikan tegangan VBE pada gambar 2.5(a), maka tegangan
dc pada resistor 3 MW adalah 30 Volt. Sehingga,

30 𝑉
𝐼𝐵 = = 10 𝜇𝐴
3𝑀

Jika IE  IC, maka

𝐼𝐸 = 100 𝑥 10 𝜇𝐴 = 1 𝑚𝐴
25 𝑚𝑉 25 𝑚𝑉
𝑅𝐸′ = = = 25 Ω
𝐼𝐸 1 𝑚𝐴

Bentuk rangkaian penguat emitor bersama dari rangkaian gambar 2.5(a)

diperlihatkan pada gambar 2.5(b).

Penguatan tegangan:
𝑟𝐶 5000
𝐴= = = 200
𝑟𝐸′ 25

2.3 SWAMPING DIODA EMITOR

Penguatan tegangan dari basis ke kolektor dalam penguat emitor bersama
adalah

𝑟𝐶
𝐴𝑣 =
𝑟𝐸′
dengan
25 𝑚𝑉
𝑟𝐸′ =
𝑖𝐸

Tampak bahwa perubahan pada RE’ akan mengubah penguatan tegangan

pada rangkaian penguat emitor bersama. Dalam beberapa penggunaan, hal ini
tidak menjadi masalah. Misalnya, dalam radio transistor, perubahan penguatan

18
tegangan dapat diimbangi dengan mengatur pengendali volume. Namun banyak
penggunaan yang memerlukan penguatan tegangan se-stabil mungkin.
Swamp dioda emitor dapat dilakukan untuk mengurangi efek dari RE’.
Pada penguat yang digerakkan pada basis telah dibuktikan bahwa penguatan
tegangan adalah:
𝑣𝑐 𝑖𝑒 𝑟𝐶 𝑟𝐶
𝐴= = = ′
𝑣𝑏 𝑖𝑒 (𝑟𝐸′ + 𝑟𝐸 ) 𝑟𝐸 + 𝑟𝐸

Swamping dioda emitor berarti membuat RE jauh lebih besar dari RE’.
Dengan demikian, penguatan tegangan menjadi:

𝑣 𝑟
𝐴 = 𝑣𝑐 = 𝑟𝐶 (untuk rE >> rE’) (2.10)
𝑏 𝐸

Dengan swamp dioda emitor, efek yang ditimbulkan RE’ pada arus emitor
dapat diabaikan. Namun, jika swamp terlalu besar, maka penguatan yang
diperoleh akan menjadi kecil.

Contoh: rC = 5 kW; rE’ = 25 W; rE = 1 kW, maka

𝑣𝑐 𝑟𝐶 5000
𝐴= = ′ = ≅5
𝑣𝑏 𝑟𝐸 + 𝑟𝐸 1000 + 25

Tampak bahwa rE adalah 40 kali lebih besar dari rE’, sehingga setiap
perubahan rE’, hanya menyebabkan perubahan yang sangat kecil pada penguatan
tegangan. Dapat dikatakan bahwa rangkaian tidak peka terhadap perubahan rE’,
tapi penguatan tegangan hanya 5.
Oleh karena itu, untuk melakukan swamping, maka harus diperhitungkan
jangkauan (range) temperatur dan faktor-faktor lain yang mempengaruhi harga
RE’. Tidak ada aturan pasti mengenai hal ini. Putusan yang diambil tergantung
pada perancang.

Contoh:
Berapa tegangan ac pada resistor output 3 kW dalam gambar 2.6.

19
 +30 V

10 kW 1 kW

kopling

kopling

3 kW

5 kW 50 W
+
10 mV
-
1 kW bypass

Gambar 2.6.

Penyelesaian:

Dalam rangkaian dc,

Tegangan dari basis ke tanah, VB = 10 Volt dc
Karena itu, IE  10 mA, dan RE’ = 2,5 W

Dalam rangkaian ekivalen ac,

rE = 50 W lebih dari cukup untuk men-swamp rE’ = 2,5 W. Jadi penguatan
tegangan yang diswamp adalah:

𝑣𝑐 𝑟𝐶 1000 // 3000
𝐴= = = = 15
𝑣𝑏 𝑟𝐸 50

Tegangan ac pada resistor 3 kW adalah:

𝑣𝑐 = 𝐴𝑣𝑏 = 15 𝑥 10 𝑚𝑉 = 150 𝑚𝑉

Bentuk gelombang output akan berupa gelombang sinus dengan puncak 150 mV
dan berbeda fasa 180o dengan tegangan basis.

20
 Karena dioda emitor diswamp, maka tegangan ac emitor ke tanah 
tegangan basis  10 mV.

2.4 IMPEDANSI INPUT

Iin

+ +

Vin Penguat Vout

- -
Zin

Gambar 2.7. Impedansi Input

Impedansi input dari penguat menentukan berapa banyaknya penguat

mengambil arus dari sumber ac. Dalam jangkauan normal, dengan kapasitor
kopling dan bypass tampak seperti hubung singkat ac dan semua reaktansi lain
dapat diabaikan, maka impedansi input adalah:

𝑉𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛 = (2.11)
𝐼𝑖𝑛

Untuk Vin tertentu, makin sedikit penguat menarik arus, makin tinggi
impedansi inputnya.

Contoh:
Penguat menarik arus 2 A. Jika tegangan input = 10 mV, maka
impedansi input ac adalah

𝑉𝑖𝑛 10𝑚
𝑍𝑖𝑛 = = = 5 𝑘Ω
𝐼𝑖𝑛 2𝜇

Jika penguat lain menarik 0,01 A pada tegangan 10 mV, maka impedansi
input adalah

𝑉𝑖𝑛 10 𝑚
𝑍𝑖𝑛 = = = 1 𝑀Ω
𝐼𝑖𝑛 0,01 𝜇

21
 Jika karakteristik lain juga identik, penguat dengan impedansi input 1 MW
lebih disukai karena lebih sedikit membebani sumber, yaitu menarik arus lebih
sedikit, sehingga menyerap daya lebih sedikit.

+Vcc

R1 Rc

kopling

Iin

kopling

RL

rE
Vin R2

bypass

(a)

Iin Ib

RC
Vin
RB rE

-
Zin Z (basis)
(b)
R2

Iin

RC

Vin

-
(c)

Gambar 2.8 Dua komponen impedansi input

22
 Gambar 2.8(a) menunjukkan penguat yang digerakkan pada basis dan
gambar 2.8(b) adalah rangkaian ekivalen ac. RB adalah gabungan dari R1 dan R2,
yaitu
𝑅𝐵 = 𝑅1 //𝑅2
Karena itu,
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 //𝑍𝑖𝑛 (𝑏𝑎𝑠𝑖𝑠) (2.12)

Untuk memperoleh impedansi input dari penguat dibutuhkan nilai dari RB

dan Zin (basis).
𝑉𝑏 𝑖𝑒 (𝑟𝑒′ +𝑟𝐸 )
𝑍𝑖𝑛 (𝑏𝑎𝑠𝑖𝑠) = = = 𝛽(𝑟𝑒′ + 𝑟𝐸 ) (2.13)
𝐼𝑏 𝐼𝑒 ⁄𝛽

Ini berarti impedansi input adalah sebesar b kali (rE + re’). Misalnya, b =
100 dan (rE + re’) = 100 W, maka impedansi input = 10 kW.

2.5 PASANGAN DARLINGTON

 b1b2ib
ib

 b1ib
 b1b2ib

Gambar 2.9 Pasangan darlington

Makin tinggi b, makin tinggi impedansi input dari basis. Banyak

transistor mempunyai harga b sampai 300. Dengan pasangan darlington, dapat
diperoleh harga b yang jauh lebih besar lagi.

23
 Gambar 3 memperlihatkan pasangan darlington. Kolektor-kolektor saling
dihubungkan dan emitor transistor pertama menjadi penggerak basis transistor
kedua. Karena itu, b keseluruhan adalah:

𝛽 = 𝛽1 𝛽2
Contoh:
Jika 𝛽1 = 100 dan 𝛽2 = 50, maka b keseluruhan dari pasangan darlington
adalah:

𝛽 = 100𝑥50 = 5000

Kadang-kadang b yang tinggi dari pengikut emitor Darlington

menimbulkan Zin (basis) lebih dari 1 MW. Dalam hal ini rc’ tidak dapat lagi
diabaikan. Impedansi input menjadi

𝑍𝑖𝑛 (𝑏𝑎𝑠𝑖𝑠) = 𝛽 (𝑅𝐸 + 𝑟𝑒′ )//𝑟𝑐′

Soal:
Berapa impedasi input tingkat pertama dalam gambar 2.10, jika
b darlington = 5000 dan rc’ = 2 MW, re’ =25 W
+ 30 Volt

2M

60 k 5k
Vin
kopling
kopling

Vout

1M b =100
kopling

8,2 k 30 k bypass
10 k

gnd

Gambar 2.10.

24
 𝑍𝑖𝑛 (𝑏𝑎𝑠𝑖𝑠) = 𝛽𝑟𝑒′ = 100 𝑥 25 = 2500 W

Impedansi input dari rangkaian pada tingkat kedua adalah, Zin = 20 kW.
Sehingga impedansi keseluruhan adalah

Zin = 20 kW // 2,5 kW = 2,22 kW

Resistansi emitor ac pada tingkat pertama adalah:

rE = 8200 // 2220 = 1,75 kW

re’ << rE, karena itu diabaikan

Tegangan V2 pada tingkat pertama adalah 10 V. Karena darlington

mempunyai dua transistor, maka terjadi dua penurunan VBE. Jadi arus emitor dc
adalah:

𝑉2 − 2𝑉𝐵𝐸 10 − 1,4
𝐼𝐸 = = ≅ 1 𝑚𝐴
𝑅𝐸 8200

Impedansi input (basis) adalah

𝑍𝑖𝑛 (𝑏𝑎𝑠𝑖𝑠) = 𝛽 (𝑟𝐸 + 𝑟𝑒′ )//𝑟𝐶′ = (5000 𝑥 1750)//2 . 106 = 1,63 𝑀W

Jika resistor basis ini disertakan, impedansi input adalah

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅1 //𝑅2 //𝑍𝑖𝑛 (𝑏𝑎𝑠𝑖𝑠) = 2 𝑀// 1 𝑀 // 1,63 𝑀 = 473 𝑀Ω

25