Prategangan BJT

1
 Transistor Sebagai Penguat

Salah satu fungsi transistor pada kondisi

aktif adalah sebagai penguat sinyal.
Dalam hal ini, dibahas penguat sinyal kecil
BJT pada frekuensi tengah.
Ada beberapa langkah menentukan besar
penguatan pada transistor diantaranya
adalah :
1. Analisis DC (Prategangan dc)
2. Analisis AC

2
 Analisis DC (Prategangan DC)

Tujuannya adalah untuk menentukan

kondisi transistor, apakah berada daerah
cutoff, saturasi, atau aktif.

Langkah-langkahnya adalah :
1. Semua kapasitor dalam kondisi open
circuit (rangkaian terbuka).

3
 Tegangan – Tegangan Transistor NPN

4
Analisis Kondisi Kerja BJT
 Tipe NPN  Tipe PNP

1. Operasi Daerah Aktif 1. Operasi Daerah Aktif

2. Operasi Daerah Saturasi 2. Operasi Daerah Saturasi

3. Operasi Daerah Cutoff 3. Operasi Daerah Cutoff

5
Pemberian bias pada rangkaian BJT
 Masalah pemberian bias berkaitan dengan:
1. penentuan arus dc pada collector (Ic) yang
harus dapat dihitung, diprediksi dan tidak
sensitif terhadap perubahan suhu dan variasi
harga β yang cukup besar.
2. penentuan lokasi titik kerja dc pada bidang iC
– vCE yang memungkinkan simpangan sinyal
tetap linier.

6
 Fixed – Biased Circuit (Prategangan Tetap)

7
Parameter IB dan IC

VCC  I B RB  VBE VCC  I C RC  VCE

VCC  VBE VCC  VCE

IB  IC 
RB RC

8
 Emitter Stabilized Bias Circuit

9
Parameter IB dan IC
VCC  I B R B  VBE  I E R E VCC  I C RC  VCE  I E R E

I E  I C  I B  (1   ) I B 1
I E  I C  I B  (1  )IC


VCC  I B R B  VBE  (1   ) I B R E
1
VCC  I C RC  VCE  (1  ) I C RE

VCC  VBE
IB 
R B  (1   ) R E
VCC  VCE
IC 
1
RC  (1  ) I C R E


10
 DC Bias With Voltage feedback

11
Parameter IB
I E  I C  I B  I1
I E  I C  I B  (1   ) I B

VCC  I1RC  I B RB  VBE  I E RE

VCC  (1   ) I B RC  I B RB  VBE  (1   ) I B RE

VCC  VBE
IB 
RB  (1   )( RC  RE )

12
Sedangkan parameter IC
VCC  I1RC  VCE  I E RE

I E  I C  I B  I1
1
I E  I C  I B  (1  ) I C


1 1
VCC  (1  ) I C RC  VCE  (1  ) I C RE
 
VCC  VCE
IC 
1
(1  ) I C ( RC  RE )


13
 Voltage Divider Bias (Prategangan Rangkaian
Pembagi Tegangan)

14
 R2
VBB  VCC
R1  R2
R1 R2
RBB 
R1  R2
VBB  I B RBB  VBE
VBB  VBE
IB 
RBB
(a). Cara klasik pemberian bias untuk BJT
menggunakan sebuah catu daya.
(b). menunjukkan rangkaian yang sama VCC  I C RC  VCE
dengan menggunakan rangkaian ekivalen
Thévenin-nya VCC  VCE
IC 
RC

15
 Voltage Divider Bias (Prategangan Rangkaian
Pembagi Tegangan)

16
 R2 VBB  I B RBB  VBE  I E RE
VBB  VCC
R1  R2 IE
IB 
R1 R2  1
RBB 
R1  R2 VBB  VBE
IE 
RE  RBB   1
17
Contoh
Tentukan Nilai dari :
a) RE
b) RC
c) IB
d) RB

18
 1 1 IC 2 mA
VE  VCC  ( 20V )  2V IB    13,33A
10 10  150

VE VE 2V VRB VCC  VBE  VE

RE     1K RB  
IE IC 2 mA IB IB

VRC VCC  VCE  VE 20V  0,7V  2V

RB   1,3M
RC   13,33A
IC IC

20V  10V  2V 8V
RC  
2 mA 2 mA
RC  4 K

19
Contoh soal :
Tentukan harga tegangan pada semua simpul dan arus
pada semua cabang (yaitu : IB, IE, IC, VB, VE, VC).
Asumsikan β = 100

20
Jawab:
Gunakan teori Thévenin untuk menyederhanakan
rangkaian pada base.
IE
RB 2 50 IB 
VBB  15  15  5 V  1
RB1  RB 2 100  50

VBB  VBE
RBB  RB1 // RB 2   100 // 50   33,3 k IE 
RE  RBB   1

VBB  I B RBB  VBE  I E RE

5  0,7
IE   1,29 mA
3  33,3 101
1,29
IB   0,0128 mA
101

VB  VBE  I E RE
 0,7  1,29  3  4,57 V
21
Asumsikan transistor bekerja pada mode aktif:

IC = αIE = 0,99 x 1,29 = 1,28 mA

VC = +15 – ICRC = 15 – 1,28 x 5 = 8,6 V

Jadi tegangan collector > 4,03 V dari tegangan

base → transistor bekerja pada mode aktif

22
dengan β = 100

23
Gambar 18 24
 Untuk membuat IE tidak sensitif terhadap suhu
dan variasi β, rangkaian harus memenuhi dua
syarat berikut:
VBB  VBE
RB
RE 
 1
Untuk memenuhi persyaratan di atas.

• Sebagai ‘rule of thumb’, VBB ≈ ⅓ VCC,

VCB (atau VCE) ≈ ⅓ VCC dan
ICRC ≈ ⅓ VCC

• Pilih R1 dan R2 sehingga arus yang melaluinya

berkisar antara 0,1IE – IE. 25
Tentukan nilai-nilai parameter dari rangkaian dibawah :
(a) IBQ dan ICQ.
(b) VCEQ.
(c) VB dan VC.
(d) VBC.

26
 VCC  VBE 12V  0.7V
I BQ    47.08 A
RB 240 K

I CEQ  I BQ  (50)( 47.07 A)  2.35mA

VCEQ  VCC  I C RC  12V  ( 2.35mA)( 2.2 K )  6.83V

VB  VBE  0.7V

VC  VCE  6.83V

VBC  VB  VC  0.7V  6.83V  6.13V

27
Tentukan nilai-nilai parameter dari rangkaian dibawah :
(a) IB dan IC.
(b) VCE.
(c) VB dan VC.
(d) VBE.
(e) VBC.

28
 VCC  VBE 12V  0.7V
IB    40.1A
R B  (1   ) R E 430 K  (51)(1K )

I C  I B  (50)( 40.1A)  2.01mA

VCE  VCC  I C ( RC  R g )  20V  ( 2.01mA)( 2 K  1K )  13.97V

VC  VCC  I C RC  20V  ( 2.01mA)( 2 K )  15.98V

VE  VC  VCE  15.98V  13.97V  2.01V

VE  I E R E  I E R g  ( 2.01mA)(1K )  2.01V

VB  VBE  VE  0.7V  2.01V  2.71V

VBV  VB  VC  2.71V  15.98V  13.27V

29
Tentukan nilai-nilai parameter dari rangkaian dibawah :
(a) ICQ.
(b) VCEQ.

30
 VCC  VBE 10V  0.7V
IB    11.91A
R B   ( RC  R E ) 250 K  (90)( 4.7 K  1.2 K )

I C  I B  (90)(11.91A)  1.07 mA

VCEQ  VCC  I C ( RC  R E )  10V  (1.07 mA)( 4.7 K  1.2 K )  3.69V

31
Tentukan nilai-nilai parameter dari rangkaian dibawah :
(a) VCE.
(b) IC.

32
 R1 * R2 (39 K ) * (3.9 K )
RTH  R1 // R2    3.55 K
R1  R2 (39 K )  (3.9 K )

R2 (3.9 K )
VTH  VCC  22V  2V
R1  R2 (39 K )  (3.9 K )

VTH  VBE 2V  0.7V

IB    6.05 A
RTH  (   1) R E 3.55 K  (140  1)(1.5 K )

I C  I B  (140)(6.05 A)  0.85mA

VCE  VCC  I C ( RC  R E )  22V  ( 0.85mA)(10 K  1.5 K )  12.22V

33
Tentukan nilai-nilai parameter dari rangkaian dibawah :
(a) ICQ.
(b) VCEQ.

34
 Menurut pendekatan : R  10 R .........; (50)(1.2 K )  10( 22 K )
E 2
60 K  220 K

R1 * R2 (82 K ) * ( 22 K )
RTH  R1 // R2    17.35 K
R1  R2 (82 K )  ( 22 K )

R2 ( 22 K )
VTH  VCC  18V  3.81V
R1  R2 (82 K )  ( 22 K )

VTH  VBE 3.81V  0.7V

IB    39.6 A
RTH  (   1) R E 17.35 K  (50  1)(1.2 K )

I CQ  I B  (50)(39.6 A)  1.98mA

VCEQ  VCC  I C ( RC  R E )  18V  (1.98mA)(5.6 K  1.2 K )  4.54V

35
 Tentukan Nilai dari :
a) RE
b) RC
c) IB
d) RB
e) R1
f) R2

36
Tentukan nilai-nilai parameter dari rangkaian dibawah :
(a) IB.
(b) VC.

37
Tentukan nilai-nilai parameter dari rangkaian dibawah :
(a) ICQ dan VCEQ.
(b) VB.
(c) VC.
(d) VE.
(e) VBC.

38
Diketahui sebuah rangkaian konfigurasi fixed- bias dengan
karakteristik seperti dibawah.
Tentukan VCC, RB, and RC.

39
 Diketahui ICQ = 2mA and VCEQ = 10V.
 Tentukan nilai dari R1 dan RC untuk rangkaian
berikut ini.

40
 Konfigurasi emitter-bias dari gambar dibawah,
dengan spesifikasi : ICQ = ½ ICsat, ICsat = 8mA,
VC = 18V, dan β = 110.
 Tentukan nilai RC, RE, dan RB.

41
Referensi

1. Boylestad, Robert L & louis N , Electronic device

and circuit theory , New Jersey: Prentice Hall,
2002.
2. Ramdhani, M. 2010. Buku Diktat Elektronika 1.
Bandung.Universitas Telkom.
3. Sedra, Adel & Kenneth C. Smith, Microelectronic
circuits , Oxford : Oxford Univ. Press, 2004.
4. Tooley,Mike, Rangkaian elektronik:prinsip dan
aplikasi , Jakarta: Erlangga, 2003.

42
SEKIAN

43