Contoh pemberian bias

Gambar 19. Pemberian bias pada BJT

(a) Menetapkan harga VBE yang tetap
(b) Menetapkan harga IB yang tetap

1
Cara klasik pengaturan bias
R2
VBB  VCC
R1  R2
R1 R2
RBB 
R1  R2

VBB  I B RBB  VBE  I E RE

IE
IB 
 1
VBB  VBE
Gambar 20 (a). Cara klasik pemberian bias IE 
untuk BJT menggunakan sebuah RE  RBB   1
catu daya.

(b) menunjukkan rangkaian yang

sama dengan menggunakan
rangkaian ekivalen Thévenin-nya. 2
Contoh soal :

Tentukan harga tegangan pada semua simpul dan arus pada semua
cabang (yaitu : IB, IE, IC, VB, VE, VC). Asumsikan β = 100

3
Jawab:
Gunakan teori Thévenin untuk menyederhanakan rangkaian pada base.

RB 2 50
VBB  15  15  5 V
RB1  RB 2 100  50
RBB  RB1 // RB 2   100 // 50   33,3 k
VBB  IB RBB  VBE  IE RE
IE
IB 
 1
VBB  VBE
IE 
RE  RBB   1
5  0,7
IE   1,29 mA
3  33,3 101
1,29
IB   0,0128 mA
101
VB  VBE  IE RE
 0,7  1,29  3  4,57 V
4
Asumsikan transistor bekerja pada mode aktif:

IC = αIE = 0,99 x 1,29 = 1,28 mA

VC = +15 – ICRC = 15 – 1,28 x 5 = 8,6 V

Jadi tegangan collector > 4,03 V dari tegangan base → transistor

bekerja pada mode aktif

5
β = 100

Gambar 18
6
Gambar 18
7
 Untuk membuat IE tidak sensitif terhadap suhu dan variasi β,
rangkaian harus memenuhi dua syarat berikut:

VBB  VBE
RB
RE 
 1

Untuk memenuhi persyaratan di atas.

• Sebagai ‘rule of thumb’, VBB ≈ ⅓ VCC,

VCB (atau VCE) ≈ ⅓ VCC dan
ICRC ≈ ⅓ VCC
• Pilih R1 dan R2 sehingga arus yang melaluinya berkisar antara 0,1IE – IE.

8
Pada rangkaian pada gambar di bawah ini, RE memberikan umpan
balik negatif sehingga dapat men-stabil-kan arus dc emitter (IE).
Jika IE ↑ → VRE dan VE ↑.
Jika tegangan pada base hanya ditentukan oleh pembagi tegangan
R1, R2, dengan RB kecil, maka tegangan ini akan tetap konstan,

sehingga jika VE ↑ → VBE ↓ → IC (dan IE) ↓.

9
 Contoh soal 5:
Rancanglah rangkaian seperti gambar di samping, sehingga
IE = 1 mA dengan catu daya VCC = +12V. Transistor
mempunyai harga nominal β = 100.
(di sini kita menentukan nilai, RE, R1, dan R2, RC)

Jawab:
Ikuti ‘rule of thumb’:
⅓ tegangan catu daya dialokasikan untuk tegangan pada R2,
⅓ lainnya untuk tegangan pada RC dan
sisanya untuk simpangan sinyal pada collector.

VB = +4 V (diperoleh dari 1/3 Vcc)

VE = 4 – VBE ≈ 3,3 V
V 3,3
RE  E   3,3 k
IE 1
Pilih arus pada pembagi tegangan = 0,1IE = 0,1 x 1 …. Syarat rule
= 0,1 mA
10
Abaikan arus base, jadi Total R1 dan R2 adalah
12
R1  R2   120 k
0,1
R2
VR2 R1  R2 VCC  4 V
 Krn VR2 = VB dng syarat rule of
thumbs VB = 1/3 Vcc

Jadi R2 = 40 kΩ dan R1 = 80 kΩ

Pada tahap ini, dapat dihitung IE yang lebih akurat dengan

memperhatikan arus base yang tidak nol.
4  0,7
IE   0,93 mA
3,3(k) 
80 // 40 k 
101

Ternyata lebih kecil dari harga yang diinginkan. Untuk

mengembalikan IE ke harga yang diinginkan kurangi harga RE dari
3,3 kΩ menjadi RE = 3 kΩ (harga pendekatan) yang akan
menghasilkan IE = 1,01 mA ≈ 1 mA.
11
 Disain 2:
jika diinginkan untuk menarik arus yang lebih tinggi dari catu daya
dan resistansi masukan penguat yang lebih kecil, kita dapat
menggunakan arus pada pembagi tegangan sama dengan IE (yaitu
1 mA), maka R1 = 8 kΩ dan R2 = 4 kΩ
4  0,7
IE   0,99  1mA
3,3  0,027
Pada disain ini harga RE tidak perlu diganti (atau tetap sebesar 3,3 Kohm.
Jika Vc=1/3 (Vcc), maka Rc

12  VC
RC 
IC
IC  IE  0,99  1  0,99 mA  1 mA
12  8
RC   4 k
1

12
 Cara klasik pengaturan bias dengan menggunakan dua catu daya

Gambar 21. Pemberian bias pada BJT dengan menggunakan dua catu daya

13
 VEE  VBE
IE 
RE  RB   1
Persamaan ini sama dengan persamaan sebelumnya hanya VEE
menggantikan VBB. Jadi kedua kendala tetap berlaku.
Jika base dihubungkan dengan ground (konfigurasi common-base),
maka RB dihilangkan sama sekali.
Sebaliknya, jika sinyal masukan dihubungkan pada base, maka RB
tetap diperlukan.

14
Pemberian bias dengan menggunakan resistor umpan balik
collector-ke-base.

Gambar 22(a) menunjukkan sebuah rancangan pemberian bias

yang sederhana tapi efektif yang cocok untuk penguat common-
emitter.

Resistor RB berperan sebagai umpan balik negatif, yang membantu

kestabilan titik bias dari BJT

VCC  IE RC  IBRB  VBE

IE
 IE RC  RB  VBE
 1
VCC  VBE
IE 
RC  RB   1

15
Gambar 22 Penguat common-emitter yang diberi bias dengan resistor
umpan balik RB.
Untuk mendapatkan IE yang tidak sensitif terhadap variasi β,
RB/(β+1) << RC. Harga RB menentukan simpangan sinyal yang
terdapat pada collector, karena

RB
VCB  IBRB  IE
 1
16
 Cara kerja dan model sinyal kecil
(Analisis AC)

Gambar 24
(a) Rangkaian konseptual untuk menunjukkan cara kerja transistor
sebagai penguat
(b) Rangkaian (a) tanpa sinyal vbe untuk analisa DC (bias)
17
EBJ diberi forward bias oleh sebuah batere VBE. CBJ diberi reverse
bias oleh catu daya DC VCC melalui resistor RC. Sinyal yang akan
diperkuat, vbe, ditumpangkan pada VBE.

Langkah pertama keadaan bias DC dengan men-set vbe sama

dengan nol. (Lihat gambar 24(b))

Hubungan antara arus dan tegangan DC:

IC  IS eVBE VT
IE  IC 
IB  IC 
VC  VCE  VCC  IC RC

Untuk bekerja pada mode aktif, VC harus lebih besar dari

(VB – 0,4) dengan harga yang memungkinkan simpangan sinyal
pada collector.
18
Arus collector dan transkonduktansi.
Jika sinyal vbe dipasangkan seperti pada gambar 24(a) total
tegangan base – emitter vBE menjadi

vBE =VBE + vbe

Sinyal dc+ac = sinyal dc + sinyal ac

Dan arus collector menjadi:

I C  I S eVBE VT
 I S eVBE vbe  VT
VBE VT  vbe VT 
 ISe e
iC  I C e vbe VT

19
Jika vbe << VT maka:
 v 
iC  IC 1  be 
 VT 

Persamaan (pendekatan) di atas hanya berlaku untuk vbe lebih kecil

dari 10 mV, dan ini dikenal dengan pendekatan sinyal kecil. Maka
arus collector total:
I
iC  I C  C vbe
VT
IC
ic  vbe
VT
ic  g m vbe
ic
gm 
vbe
gm disebut transkonduktansi
20
Gambar 25.Cara kerja linier dari transistor dengan sinyal kecil

21
Transkonduktansi BJT sebanding dengan arus bias collector IC.
BJT mempunyai transkonduktansi yang cukup tinggi dibandingkan
dengan MOSFET, misal untuk IC = 1 mA, gm ≈ 40 mA/V

Interpretasi grafis gm dapat dilihat pada gambar 25, di mana gm

sama dengan kemiringan kurva karakteristik iC – vBE pada iC = IC
(titik bias Q). Jadi

iC
gm 
v BE i C IC

Pendekatan sinyal kecil

→ amplitudo sinyal harus dijaga cukup kecil
→ transistor bekerja pada daerah terbatas pada kurva
iC – vBE di mana segmen masih bisa dianggap linier.

22
Untuk sinyal kecil (vbe << VT), transistor berperan seperti sebuah
sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan (VCCS).

Terminal masukan VCCS antara base dan emitter

Terminal keluaran di antara collector dan emitter.

Transkonduktansi dari VCCS ini: gm

Resistansi keluaran tidak terhingga (untuk keadaan ideal).
Pada kenyataannya BJT mempunyai resistansi keluaran.

23
Arus base dan resistansi masukan pada base

Untuk menentukan resistansi masukan, pertama hitung total arus

base iB
iC IC 1 IC
iB    v be IB = arus basis dari tegangan VBE
   VT ib = arus basis dari sinyal vbe
i B  IB  i b iB = arus total basis
IC
IB 

1 IC
ib  v be
 VT
IC
gm 
VT
gm
ib  v be
 24
Resistansi masukan sinyal kecil antara base dan emitter, melihat ke
arah base, disebut rπ dan didefinisikan sebagai

v be
r 
ib

r 
gm
VT
r 
IB
jadi rπ berbanding lurus dengan β dan berbanding terbalik dengan
arus bias IC.

25
Arus emitter dan resistansi masukan pada emitter

Total arus emitter iE dapat ditentukan dari

iC IC ic
iE    IE = arus emiter dari tegangan VBE
   Ie = arus emiter dari sinyal vbe
i E  IE  i e iE = arus total Emiter

IC
IE 

ic
IC IE
ie   v be  v be
 VT VT

Resistansi masukan sinyal kecil antara base dan emitter, melihat ke

arah emitter, disebut re atau resistansi emitter dan didefinisikan
sebagai:

26
 v be
re 
ie
VT
re 
IE
 1
re  
gm gm

Hubungan antara resistansi base (rπ) dan re dapat diperoleh dengan

mengkombinasikan definisinya masing-masing

vbe = ibrπ = iere

Jadi: rπ = (ie/ib)re
rπ = (β+1)re

27
Penguatan tegangan

Untuk mendapatkan tegangan sinyal keluaran, maka

kita alirkan arus collector melalui sebuah resistor. Total
tegangan collector:

vC = VCC – iCRC
= VCC – (IC + ic)RC
= (VCC – ICRC) – icRC
= VC – icRC

VC adalah tegangan bias dc pada collector, dan

tegangan sinyal adalah:

vc = –icRC = –gmvbeRC
= (–gmRC)vbe

28
Jadi penguatan tegangan dari penguat, Av adalah
vc
AV   g mRC
v be
gm sebanding dengan arus bias collector, jadi

IC RC
Av  
VT

29
Memisahkan sinyal dengan harga-harga DC
Arus dan tegangan pada rangkaian penguat terdiri dari dua
komponen: komponen dc dan komponen sinyal.
Komponen DC ditentukan dari rangkaian dc pada gambar 24(b),
sedangkan cara kerja sinyal BJT dapat diperoleh dengan
menghilangkan sumber DC, seperti pada gambar 26.

Gambar 26 Rangkaian penguat pada gambar 24(b) dengan sumber DC

dihilangkan (di hubung singkat)
30
Model Hybrid - π

Gambar 27 (a) BJT sebagai VCCS (penguat

transkonduktansi)

Gambar 27 (b) BJT sebagai

CCCS (penguat arus)

31
 Pada gambar 27(a), BJT digambarkan sebagai VCCS yang
mempunyai resistansi masukan (melihat ke arah base) rπ, dengan
sinyal kendali vbe. Hubungan arus dan tegangan pada rangkaian ini:

i c  g mv be
v be
ib 
r

 g mv be  be 1  g m r 
v be v
ie 
r r
 r 

v be
1     v be  
r  1  
 v be re
Pada gambar 27(b) BJT digambarkan sebagai CCCS, dengan
sinyal kendali ib. Hubungan arus sebagai berikut:
g mv be  g m i b r 
 g m r i b
32
Aplikasi rangkaian ekivalen sinyal kecil.

Proses yang sistimatis dalam menganalisa penguat transistor:

1. Tentukan titik kerja dc BJT, terutama arus collector dc IC.
2. Hitung harga-harga parameter model sinyal kecil: gm = IC/VT,
rπ = β/gm dan re = VT/IE = α/gm.
3. Hilangkan semua sumber dc dengan mengganti :
• sumber tegangan dc dengan hubung singkat, dan
• sumber arus dc dengan hubung terbuka.
4. Ganti BJT dengan salah satu model rangkaian ekivalen.
5. Analisa rangkaian yang didapat untuk menentukan penguatan
tegangan, resistansi masukan dan lain-lain.

33
Contoh soal 6:
Analisa penguat transistor pada gambar 28(a) dan tentukan
penguatan tegangannya. Asumsikan β = 100

Gambar 28 (a) rangkaian

34
Gambar 28 (b) analisa dc (c) model sinyal kecil
35
Tentukan titik kerja (mencari nilai IB, IC, dan VC).
Asumsikan vi = 0.

VBB  VBE
IB 
RBB
3  0,7
  0,023 mA
100

IC  IB  100  0,023  2,3 mA

VC  VCC  IC RC
 10  2,3  3  3,1 V

Karena VB (+0,7 V) < VC → transistor bekerja pada mode aktif.

36
Tentukan parameter model sinyal kecil:

VT 25 mV
re    10,8 
IE 2,3 0,99  mA

IC 2,3 mA
gm    92 mA/V
VT 25 mV

 100
r    1,09 k
gm 92

37
Perhatikan Gambar 28(c), tidak ada sumber tegangan dc. Terminal
rangkaian yang terhubung ke sebuah sumber tegangan dc yang
konstan selalu dapat dianggap sebagai sinyal ‘ground’.
r
vbe  vi
r  RBB
1,09
 vi  0,011vi Utk mencari Av, Vi nggak perlu
101,09 diketahui.nanti berdasar input

vo   g m vbe RC
 ( 92mA / V )  0,011vi  3K  3,04vi

vo
Av   3,04 V/V
vi
Tanda negatif menunjukkan pembalikan fasa.
38