MODUL 4

KARAKTERISTIK DAN PENGUAT FET

Perwira Cahya Dewantara (13116054)

ASISTEN : Retno Aljum’ah Tarihoran (13115029)
TANGGAL PERCOBAAN: 23 OKTOBER 2018
EL3102 PRAKTIKUM ELEKTRONIKA
LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO – INSTITUT TEKNOLOGI SUMATERA

Abstrak
Pada praktikum kali ini dilakukan beberapa percobaan diataranya mencarihasil berupa kurva
karakterisktik Id – Vgs dan kurva Id – Vds. Dari kurva karakteristik Id-Vgs kita dapat mengetahui
besarnya tegangan threshold transistor. Dari kurva karakteristik Id- Vds kita dapat mengetahui
daerah kerja transistor yaitu daerah triode, daerah saturasi (transistor digunakan sebagai penguat),
dan daerah cut off transistor. Selanjutnya pada percobaan rangkaian bias, dapat diperoleh nilai-nilai
tegangan dan resistansi pada gate, drain dan source yang selanjutnya nilai tersebut digunakan untuk
menbuat rangkaian amplifier untuk ketiga konfigurasi transistor. Ketiga konfigurasi tersebut yaitu
Common Source (input pada Gate dan output pada drain), Common Gate (input pada Source dan
output pada drain), dan Common Drain (input pada Gate dan output pada Source). Kemudian dilakukan
percobaan untuk menghitung besarnya penguatan, resistansi input, dan resistansi output untuk ketiga
kofigurasi tersebut.
Kata kunci: Transistor, MOSFET, Common Source, Common drain, Common Gate.

A. PENDAHULUAN dan emitor pada BJT. Selain JFET,

Field Effect Transistor (FET) adalah
salah satu jenis transistor yang
menggunakan medan listirk untuk
mengendalikan konduktifitas suatu
kanal dari jenis pembawa muatan
tunggal dalam bahan semikonduktor.
FET terkadang disebut juga sebagai
transistor ekakutub untuk
membedakan operasi pembawa
muatan tunggal yang dilakukan pada
pembawa muatan Bipolar Transistor
(BJT).
Semua FET mempunyai sebuah saluran
gate (gerbang), drain, dan source yang
kira-kira sama dengan basiss, kolektor,
semua FET juga mempunyai saluran
keempan yang dinamakan body.
Saluran keempat ini melayani kegunaan
teknis dalam pemanjaran transistor
kedalam titik operasi. Terminal ini
sangat jarang digunakan pada desain
sirkuit, tetapi keberadaanya sangat
penting saat perancangan penataan IC.
Nama-nama saluran FET mengacu pada
fungsinya. Saluran gate dapat dianggap
sebagai pengontrol buka-tutup dari
gerbang sesungguhnya. Gerbang ini
mengizinkan electron untuk mengalir
atau mencegahnya dengan membuat
dan mengikangkan sebuah kanal
diantara source dan drain. Elektron
mengalir dari source menuju saluran
drain jika ada tegangan yang diberikan.
Body merupakan seluruh
semikonduktor dasar dimana gate,
source dan drain diletakkan. Biasanya
saluran body disambungkan ke
tegangan tertinggi atau terendah pada
rangkaian bergantung pada tipenya.
Saluran body dan saluran source
biasanya disambungkan karena sumber
disambungkan ke tegangan tertinggi
dari rangkaian, tetapi ada beberapa
penggunaan dari FET yang tidak seperti
demikian seperti rangkaian gerbang
transmisi dan carcade.
Dari praktikum ini tujuan yang ingin
dicapai yaitu :
a. Mengetahui dan mempelajari
karakteristik transistor FET.
b. Memahami penggunaan FET
sebagai penguat untuk konfigurasi
Common Source, Common Gate,
dan Common Drain.
c. Memahami resistansi input dan
output untuk ketiga konfigurasi
tersebut.
B. S TUDI PUSTAKA
Transistor FET
Transistor FET adalah transistor
yang bekerja berdasarkan efek medan
elektrik yang dihasilkan oleh tegangan
yang diberikan pada kedua ujung
terminalnya. Mekanisme kerja
transistor ini berbeda dengan transistor
BJT. Pada transistor ini, arus yang
dihasilkan/dikontrol dari Drain
(analogy dengan kolektor pada BJT),
dilakukan oleh tegangan antara Gate
dan Source (analogy dengan Base dan
Emitter pada BJT). Bandingkan dengan
arus pada Base yang digunakan untuk
menghasilkan arus kolektor pada
transistor BJT.
Jadi dapat dikatakan bahwa FET adalah
transistor yang berfungsi sebagai
“converter” tegangan ke arus. Transistor
FET memiliki beberapa keluarga yaitu
JFET dan MOSFET. Pada praktikum ini
aan digunakan transistor MOSFET
walaupun sebenarnya karakteristik
umum dari JFET dan MOSFET adalah
serupa.
Karakteristik umum dari transistor
MOSFET dapat digambarkan pada kurva
yang dibagi menjadi dua, yaitu kurva
karakteristik ID vs VGS dan kurva
karakteristik ID vs VDS . Kurva
karakteristik ID vs VGS diperlihatkan
pada gambar berikut. Pada gambar
tersebut terlihat bahwa terdapat VGS
minimum yang menyebabkan arus
mulai mengalir. Tegangan tersebut
dinamakan tegangan threshold, Vt.
Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negative, sedangkan pada tipe
enhancement, Vt positif.
Gambar 1 Kurva Id - Vgs
Pada gambar tersebut terlihat bahwa
terdapat VGS minimum yang
menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan
tegangan threshold, Vt. Kurva
karakterisitk ID vs VDS ditunjukan oleh
gambar dibawah ini. Pada gambar
C. M ETODOLOGI
tersebut terdapat beberapa kurva
untuk setiap VGS Pada
yangpercobaan 4 ini, alat
berbeda-beda. dan bahan
Gambar ini digunakan untuk m
yang digunakan yaitu :
Gambar 2 Kurva Id – Vds
1. Sumber tegangan DC (2 buah)
2. Generator sinyal (1 buah)
3. Osiloskop (1 buah)
4. Multimeter (3 buah)
5. Kit Transistor sebagai
switch

penguat adalah dengan

6. Breadboard (1 buah)
menggambarkan garis beban pada 7. RG = Potensiometer 1 MΩ (1 buah)
kurva ID vs VDS . Setelah itu
8. RD = Potensiometer 10 kΩ (1 buah)
ditentukan Q pointnya yang akan
menentukan ID dan VGS yang harus 9. RS = Potensiometer 1 kΩ (1 buah)
dihasilkan pada rangkaian. Setelah
Q point dicapai, maka transistor 10. Resistor (1 buah)
telah dapat digunakan sebagai
penguat, dalam hal ini, sinyal yang 11. Kapasitor 100 µF (3 buah)
diperkuat adalah sinyal kecil 12. Kabel-kabel
(sekitar 40-50 mVpp dengan
13. Peak Atlas DCA Pro
frekuensi 1-10 kHz).
Terdapat 4 konfigurasi panguat pada Memulai percobaan
transistor MOSFET, yaitu Common
Source, Common Source dengan
Dinyalakan komputer dan disambungkan USB
resistansi source, Common Gate, dan
Common Drain. Pada praktikum ini Power Atlas DCA Pro ke komputer
digunakan konfigurasi Common
Source dengan resistansi source dan
Common Gate. Formula parameter Disambungkan kabel Atlas DCA Pro dengna
penguat untuk dua konfigurasi yang kakiMOSFET pada kit Transistor sebagai Switch.
digunakan dijelaskan dalam table
berikut :
Dibuka aplikasi DCA Pro yang tersedia di komputer.

2. Kurva ID dan VDS

Dipastikan DCA Pro Connected pada pojok kiri
bawah layar Diatur tracing , kemudian diklik Start. Ditunggu proces
tracing.

Ditekan tombol test pada DCA Pro maupun pada

Diamati grafik terbentuk. Dicatat di BCL dan dilakukan
jendela Peak DCA Pro analisis

Diperhatikan spesifikasi dan konfigurasi kaki-kaki

Disimpan data tabulasi hasil sampling dengan klikkanan
MOSFET yang terbaca oleh alat Atlas DCA Pro. pada grafik dan pilih Save Data. File yangterbentuk
adalah *.txt. Dibuka file .txt yangterbentuk dan di copy
1. Kurva ID dan VGS seluruh data yang ada didalamfile tersebut dan di
pastekan di spreadsheet.
Dibuka tab MOSFET Id / Vgs pada jendela aplikasi
Dilakukan analisis lebih mendalam pada data ini.
DCA Pro
3. Desain Q point

Diatur pengaturan tracing kemudian klik Start.

Ditentukan nilai Rd yang akan diguanakan pada
Ditunggu proces tracing.
rangkaian penguat

Diamati grafik yang terbentuk. Dicatat pada BCL

dan dilakukan analisis Dengan menggunakan kurva Id vs Vds dan Vdd = 15V,
dibuat garis beban (load line) pada grafik Id vsVds V,
dan ditempatkan titik Q.
Disimpan data tabulasi hasil sampling dengan
Dicatat nilai DC vgs,vds dan id pada titik Q
klikkanan pada grafik dan pilih Save Data. File yang
terbentuk adalah *.txt. Dibuka file .txt yang
terbentuk dan dicopy seluruh data yang ada di
dalam file tersebut dan di paste-kan di
spreadsheet. Dihitung gm dengan terlebih dahulu mencari nilai
Kberdasarkan formula
Dilakukan analisis lebih dalam pada data ini.
Ditentukan tegangan threshold Vt transistor id = K (vgs - Vt)2
MOSFET
gm = 2K (vg s - Vt)
yang digunakan
Dibuka ta MOSFET Id / Vds pada jendela aplikasi Ditentukan nilai gm dengan melihat kemiringan kurva
DCA titik Q point pada kurva karakteristik Id vs
Vgs.Dibadingkan kedua nilai gm yang diperoleh.
Pro
 4. Rangkaian penguat D. DATA DAN ANALISIS
 rangkaian bias Kurva Karakteristik Transistor MOSFET
Dibuat rangkaian seperti pada gambar 3.
A. Kurva ID vs. Vgs

Diatur Vdd, potensiometer Rg, Rd, dan Rs

agartransistor berada pada titik operasi yang
diinginkan transistor berada pada titik operasi
yang diinginkan

memperhatikan Vdd.

Dibuat sinyal input sinusoidal sebesar 50 mVpp

dengan frekuensi 10 kHz.

Pada percobaan ini dilakukan
pengamatan kurva karakteristik Id ––
Vgs dari Transistor MOSFET. Pengaturan
yang digunakan yaitu Vgs dari 0 V hingga
7.5 V. Berikut data untuk 2 nilai Vds
yang diperoleh :

Vgs (V) ID (mA)

0 0,000004
1.5 0,022
2 0,182
2.5 0,516
3 1,001
4 2,39
5 4,23
7.5 10,162
Gambar kurva karakteristik yang ID
ID ID ID ID ID ID
dihasilkan adalah sebagai berikut :
(mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA)

Vds Vgs= Vgs Vgs Vgs Vgs Vgs Vgs

(V) 2 = 2.5 =3 =4 =5 =7 =9
0
0.2.5
0.5
1
Berdasarkan gambar diatas, dapat
2
terlihat bahwa kurva yang dihasilkan
telah sesuai dengan referensi seperti 3
pada gambar 1. Dari grafik diatas, 4
referensi seperti pada gambar 1. Dari
grafik diatas, dapat ditentukan besarnya 5
tegangan threshold (VTT ). Tegangan 6
threshold yaitu pada saat nilai Vgs
7
mulai naik (>0).
8
B. Kurva ID vs VDS
9
Gambar kurva karakteristik yang
dihasilkan adalah sebagai berikut :
Gambar kurva diatas telah sesuai dengan
referensi seperti pada gambar 2. Kurva
diatas memetakan nilai Id dan Vds
untuk masing-masing nilai Vgs yaitu
mulai dari Vgs = 0 V hingga Vgs = 9 V.
Dapat terlihat bahwa semakin besar Id,
maka Vgs nya juga menjadi semakin
besar. Pada gambar juga terlihat bahwa
transistor memasuki keadaan saturasi
saat nilai Id untuk setiap Vgs
menunjukan nilai yang konstan.
Sebelum mencapai garis yang konstan
horizontal, terlebih dahulu transistor
memasuki daerah trioda yaitu saat
kurva garis memiliki kemiringan.
Kemiringan ini disebabkan
karenaadanya faktor modulasi panjang
kanal yang serupa dengan Effek Early
yang ada pada transistor Bipolar (BJT).
c. Desain Q point
Selanjutnya dicari Q point dari
transistor yaitu dengan menarik garis
bantu mulai dari Vds hingga nilai Id.
Dipilih garis dengan nilai Vgs Perpotongan
garis gantu dengan garis kurva inilah yang
menjadi Q point atau titik kerja transistor.
Kemudian dari Q point ini diatarik garis
lurus menuju sumbu Y (Id). Nilai Id yang
sejajar dengan Q point ini menjadi nilai
arus Id, yaitu nilai Vds yang sejajar
vertical menjadi nilai Vds.
Lalu ditentukan nilai gm dari hasil
pengukuran. Caranya yaitu dengan
menghitung kemiringan kurva titik Q
point dari nilai Id dan Vds pada saat
Vgs = 4 V (dari data pada table), Nilai
gm yang diperoleh dari hasil
perhitungan telah mendekati nilai gm
yang diperoleh dari hasil pengukuran
sehingga dapat dikatakan bahwa nilai
yang diperoleh tersebut valid.
E. KESIMPULAN
 Kurva Id Vgs menunjukan bahwa
transistor MOSFET mulai berfungsi
pada saat nilai tegangan gate dan
source pada nilai tertentu. Nilai
tegangan ini dinamakan tegangan
Threshold (VT) . Nilai tegangan
threshold yang didapatkan pada
praktikum ini. Nilai tegangan
threshold sendiri dapat bernilai
negatif (MOSFET tipe depletion)
atau pun positif (MOSFET tipe
enhancement).

 Kurva Id – Vds menunjukan

daerah kerja transoistor yaitu
pertama daerah saturasi (daereah
kerja transistor yang digunakan
sebagai pernguat) saat kurva
bernilai tetap (konsisten)
terhadap perubahan Vds , daerah
triode yaitu saat hubungan Id dan
Vds berbanding lurus (linear), dan
terakhir daerah cut off yaitu saat
transistor tidak aktif.

F. REFERENSI

 Laboratorium Dasar Teknik Elektro

ITERA, Praktikum Elektronika,
Lampung Selatan, Institut Teknologi
Sumatera 2018.
 Mervin T. Hutabarat, Modul Praktikum
Elektronika, Hal. 15-26,Penerbit ITB,
Bandung, 2012
 Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith,
Microelectronic Circuits, ed 5, Hal. 236-261,
Oxford University Press, USA, 2004.
LAMPIRAN