MODUL IV KARAKTERISTIK DAN PENGUAT FET

Rosana Dewi Amelinda (13213060)

Asisten : Fiqih Tri Fathulah Rusfa (13211060)
Tanggal Percobaan: 31/3/2015
EL2205-Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB
Abstrak tetapu keberadaanya sangat penting saat
perancangan penataan IC. Nama-nama saluran
Abstrak Pada praktikum Modul IV ini dilakukan
FET mengacu pada fungsinya. Saluran gate dapat
beberapa percobaan diataranya melakukan testing transistor
dianggap sebagai pengontrol buka-tutup dari
dengan mengguanakan DCA Pro. Pengaturan pada aplikasi
gerbang sesungguhnya. Gerbang ini mengizinkan
DCA Pro diatur sedemikian supa sehingga diperoleh hasil
electron untuk mengalir atau mencegahnya
berupa kurva karakterisktik Id – Vgs dan kurva Id – Vds.
dengan membuat dan mengikangkan sebuah kanal
Dari kurva karakteristik Id-Vgs kita dapat mengetahui
diantara source dan drain. Elektron mengalir dari
besarnya tegangan threshold transistor. Dari kurva
source menuju saluran drain jika ada tegangan
karakteristik Id- Vds kita dapat mengetahui daerah kerja
yang diberikan. Body merupakan seluruh
transistor yaitu daerah triode, daerah saturasi (transistor
semikonduktor dasar dimana gate, source dan
digunakan sebagai penguat), dan daerah cut off transistor.
drain diletakkan. Biasanya saluran body
Dengan menggunakan kurva Id – Vds lalu ditarik garis
disambungkan ke tegangan tertinggi atau terendah
linear mulai dari Vds 15 V (nilai Vdd) hingga Id 6 mA.
pada rangkaian bergantung pada tipenya. Saluran
Dari garis tersebut kita dapat menentukan nilai Vds, Vgs,
body dan saluran source biasanya disambungkan
Id, dan Rd. Kemudian untuk mencari nilai gm dapat
karena sumber disambungkan ke tegangan
dilakukan dengan 2 pendekatan yaitu dengan perhitungan
tertinggi dari rangkaian, tetapi ada beberapa
menggunakan rumus dan dengan perngukuran kemiringan
penggunaan dari FET yang tidak seperti demikian
kurva. Selanjutnya pada percobaan rangkaian bias, dapat
diperoleh nilai-nilai tegangan dan resistansi pada gate, drain seperti rangkaian gerbang transmisi dan carcade.
dan source yang selanjutnya nilai tersebut digunakan untuk Dari praktikum ini tujuan yang ingin dicapai
menbuat rangkaian amplifier untuk ketiga konfigurasi yaitu :
transistor. Ketiga konfigurasi tersebut yaitu Common Source
a. Mengetahui dan mempelajari karakteristik
(input pada Gate dan output pada drain), Common Gate
transistor FET.
(input pada Source dan output pada drain), dan Common
Drain (input pada Gate dan output pada Source). Kemudian b. Memahami penggunaan FET sebagai
dilakukan percobaan untuk menghitung besarnya penguatan, penguat untuk konfigurasi Common
resistansi input, dan resistansi output untuk ketiga kofigurasi. Source, Common Gate, dan Common
Kata kunci: Transistor, MOSFET, Common Source, Drain.
Common drain, Common Gate. c. Memahami resistansi input dan output
untuk ketiga konfigurasi tersebut.
1. PENDAHULUAN
Field Effect Transistor (FET) adalah salah satu jenis
2. STUDI PUSTAKA
transistor yang menggunakan medan listirk untuk Transistor FET
mengendalikan konduktifitas suatu kanal dari
Transistor FET adalah transistor yang bekerja
jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan
berdasarkan efek medan elektrik yang dihasilkan
semikonduktor. FET terkadang disebut juga
oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung
sebagai transistor ekakutub untuk membedakan
terminalnya. Mekanisme kerja transistor ini
operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukan
berbeda dengan transistor BJT. Pada transistor ini,
pada pembawa muatan Bipolar Transistor (BJT).
arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain
Semua FET mempunyai sebuah saluran gate (analogy dengan kolektor pada BJT), dilakukan
(gerbang), drain, dan source yang kira-kira sama oleh tegangan antara Gate dan Source (analogy
dengan basiss, kolektor, dan emitor pada BJT. dengan Base dan Emitter pada BJT). Bandingkan
Selain JFET, semua FET juga mempunyai saluran dengan arus pada Base yang digunakan untuk
keempan yang dinamakan body. Saluran keempat menghasilkan arus kolektor pada transistor BJT.
ini melayani kegunaan teknis dalam pemanjaran
Jadi dapat dikatakan bahwa FET adalah transistor
transistor kedalam titik operasi. Terminal ini
yang berfungsi sebagai “converter” tegangan ke
sangat jarang digunakan pada desain sirkuit,
arus. Transistor FET memiliki beberapa keluarga
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 1
yaitu JFET dan MOSFET. Pada praktikum ini aan
digunakan transistor MOSFET walaupun
sebenarnya karakteristik umum dari JFET dan
MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat
digambarkan pada kurva yang dibagi menjadi dua,
yaitu kurva karakteristik ID vs VGS dan kurva
karakteristik ID vs VDS . Kurva karakteristik ID vs
VGS diperlihatkan pada gambar berikut. Pada
gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS
minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold,
Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt
positif.
Gambar 1 Kurva Id - Vgs
penguat adalah dengan menggambarkan garis
beban pada kurva ID vs VDS . Setelah itu ditentukan
Q pointnya yang akan menentukan ID dan VGS
yang harus dihasilkan pada rangkaian. Setelah Q
point dicapai, maka transistor telah dapat
digunakan sebagai penguat, dalam hal ini, sinyal
yang diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50
mVpp dengan frekuensi 1-10 kHz).
Terdapat 4 konfigurasi panguat pada transistor
MOSFET, yaitu Common Source, Common Source
dengan resistansi source, Common Gate, dan
Common Drain. Pada praktikum ini digunakan
konfigurasi Common Source dengan resistansi
source dan Common Gate. Formula parameter
penguat untuk dua konfigurasi yang digunakan
dijelaskan dalam table berikut :

2.1 JUDUL SUB-BAB

Sub-bab pada percobaan ini, yaitu :
 Kurva ID dan VGS
Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS  Kurva ID dan VDS
minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold,  Desain Q point
Vt. Kurva karakterisitk ID vs VDS ditunjukan oleh  Rangkaian penguat
gambar dibawah ini. Pada gambar tersebut
terdapat beberapa kurva untuk setiap V GS yang a. Rangkaian Bias
berbeda-beda. Gambar ini digunakan untuk  Penguat Common Source
melakukan desain peletakan titik operasi/titik
kerja transistor. Pada gambar ini juga ditunjukan a. Faktor Penguat
daerah saturasi dan Trioda. b. Resistansi Input
Gambar 2 Kurva Id - Vds
c. Resistansi Output
 Penguat Common Gate
 Penguat Common Drain

3. METODOLOGI
Pada percobaan 4 ini, alat dan bahan yang
digunakan yaitu :
1. Sumber tegangan DC (2 buah)
2. Generator sinyal (1 buah)
Penguat FET 3. Osiloskop (1 buah)
Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai 4. Multimeter (3 buah)
penguat, maka transistor harus berada dalam
daerah saturasinya. Hal ini dapat dicapai dengan 5. Kit Transistor sebagai switch
memberikan arus ID dan tegangan VDS tertentu. 6. Breadboard (1 buah)
Cara yang biasa diguankan dalam mendesain

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 2

 7. RG = Potensiometer 1 MΩ (1 buah)
Dibuka tab MOSFET Id / Vgs pada jendela aplikasi
8. RD = Potensiometer 10 kΩ (1 buah) DCA Pro
9. RS = Potensiometer 1 kΩ (1 buah)
10. Resistor (1 buah) Diatur pengaturan tracing kemudian klik Start.
Ditunggu proces tracing.
11. Kapasitor 100 µF (3 buah)
12. Kabel-kabel
Diamati grafik yang terbentuk. Dicatat pada BCL dan
13. Peak Atlas DCA Pro (1 buah) dilakukan analisis.
Memulai percobaan

Dinyalakan komputer dan disambungkan USB Power Disimpan data tabulasi hasil sampling dengan klik
Atlas DCA Pro ke komputer kanan pada grafik dan pilih Save Data. File yang
terbentuk adalah *.txt. Dibuka file .txt yang
terbentuk dan dicopy seluruh data yang ada di dalam
file tersebut dan di paste-kan di spreadsheet.
Dilakukan analisis lebih dalam pada data ini.
Disambungkan kabel Atlas DCA Pro dengna kaki
MOSFET pada kit Transistor sebagai Switch.

Ditentukan tegangan threshold Vt transistor MOSFET

yang digunakan

Dibuka aplikasi DCA Pro yang tersedia di komputer.

Dibuka ta MOSFET Id / Vds pada jendela aplikasi DCA
Pro

Dipastikan DCA Pro Connected pada pojok kiri bawah 2. Kurva ID dan VDS
layar
Diatur tracing , kemudian diklik Start. Ditunggu proces
tracing.

Ditekan tombol test pada DCA Pro maupun pada

jendela Peak DCA Pro

Diamati grafik terbentuk. Dicatat di BCL dan dilakukan

analisis
Diperhatikan spesifikasi dan konfigurasi kaki-kaki
MOSFET yang terbaca oleh alat Atlas DCA Pro.

1. Kurva ID dan VGS

Disimpan data tabulasi hasil sampling dengan klik
kanan pada grafik dan pilih Save Data. File yang
terbentuk adalah *.txt. Dibuka file .txt yang
terbentuk dan di copy seluruh data yang ada didalam
file tersebut dan di pastekan di spreadsheet.
Dilakukan analisis lebih mendalam pada data ini.

3. Desain Q point

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 3

 5. Penguat Common Source
Ditentukan nilai Rd yang akan diguanakan pada
rangkaian penguat  Faktor Penguat

Dihubungkan sinyal input tersebut ke rangkaian

dengan memberikan kapasitor kopling seperti yang
ditunjukan oleh gambar 4.
Dengan menggunakan kurva Id vs Vds dan Vdd = 15
V, dibuat garis beban (load line) pada grafik Id vs Vds
dan ditempatkan titik Q.
Digunakan osiloskop untuk melihat sinyal pada Gate
dan Drain transistor

Dicatat nilai DC vgs, vds, dan id pada titik Q

Ditentukan penguatannya (Av = Vo/Vi).

Dihitung gm dengan terlebih dahulu mencari nilai K

berdasarkan formula
id = K (vgs - Vt)2 Dinaikkan amplitudo generator sinyal dan
gm = 2K (vgs - Vt) diperhatikan sinyal output ketika sinyal mulai
tersdistorsi. Dicatat tegangan input ini.

Ditentukan nilai gm dengan melihat kemiringan kurva

titik Q point pada kurva karakteristik Id vs Vgs. Dibandingkan nilai penguatan yang diperoleh dari
Dibadingkan kedua nilai gm yang diperoleh. percobaan ini dengna nilai dari hasil perhitungan
dengna menggunakan tabel karakteristik penguat
4. Rangkaian penguat FET.

 Rangkaian Bias Gambar 4 Rangkaian dengan konfigurasi Common Source

Dibuat rangkaian seperti pada gambar 3.

Diatur Vdd, potensiometer Rg, Rd, dan Rs agar

transistor berada pada titik operasi yang diinginkan
memperhatikan Vdd.

Dibuat sinyal input sinusoidal sebesar 50 mVpp

dengan frekuensi 10 kHz.
 Resistansi Input
Gambar 3

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 4

 Dihubungkan rangkaian pada gamarb 4 dengan Dihubungkan rangkaian 4 dengan sebuah resistor
sebuah resistor variabel pada inputnya seperti pada variabel pada outputnya seperti pada gambar 6
gambar 5.

Dihubungkan osiloskop pada kapasitor Drain

Dihubungkan osiloskop pada Gate transistor
transistor.

Diatur resistor variabel tersebut sampai amplitudo

sinyal input menjadi 1/2 dari sinyal input tanpa Diatur resistor variabel tersebut sampai amplitudo
resistor variabel. sinyal output menjadi 1/2 dari sinyal outptu tanpa
resistor variabel.

Dicatat nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut

terjadi. (Rin = Rvar) Dicatat nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut
terjadi . (Rout = Rvar)

Dibandingkan nilai resistansi input yang diperoleh dari

Dibandingkan nilai resistor output yang diperoleh
percobaan ini dengan nilai dari hasil perhitungan
dari percobaan ini dengan nilai hasil perhitungan
dengan menggunakan tabel karakteristik penguat FET.
dengan menggunakan table karakteristik penguat
FET.
Gambar 5 Rangkaian common source dengan resistor
variable pada input
Gambar 6 Rangkaian common source dengan resistor
variable pada output

 Resistansi Output
6. Penguat Common Gate

Dilakukan percobaan Faktor Penguat, Resistansi

Input, dan Resistansi Output seperti pada Common
Source, namun dengan konfigurasi rangkaian
dibawah ini.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 5

 Gambar 7 Penguat Common Gate 4. HASIL DAN ANALISIS

4.1 KARAKTERISTIK TRANSISTOR FET

 KURVA ID DAN VGS

Pada percobaan ini dilakukan pengamatan kurva
karakteristik Id – Vgs dari Transistor MOSFET
dengan menggunakan DCA Pro. Pengaturan yang
digunakan yaitu Vgs dari 0 V hingga 10 V dengan
point 11, serta Vds dari 5 V hingga 10 V dengan
trance 6. Berikut data untuk 2 nilai Vds yang
diperoleh :
7. Penguat Common Drain
Vds=6,00V Vds=5,00V
Dilakukan percobaan Faktor Penguat, Resistansi Blue Cyan
Input, dan Resistansi Output seperti pada Common Vgs Id (mA) Vgs Id (mA)
Source, namun dengan konfigurasi rangkaian
dibawah ini. -0.00018 0 0.006836 0.001793
1.003183 0.002771 1.000722 0
Gambar 8 Penguat Common Drain 2.001626 0.109376 2.003722 0.105628
3.001345 1.291482 3.006267 1.275183
3.953308 3.619349 4.036245 3.544696
5.034051 6.647646 4.986293 7.400402

Gambar kurva karakteristik yang dihasilkan

adalah sebagai berikut :

Gambar 9 Kurva Id - Vgs

Mengakhiri Percobaan

Selesai praktikum dirapikan semua kabel dan

dimatikan osiloskop, generator sinyal serta dipastikan
juga multimeter analog, multimeter digital
ditinggalkan dalam keadaan mati (selector
menunjukan ke pilihan off).
Dimatikan MCB dimeja praktikum sebelum
meninggalkan ruangan.
Berdasarkan gambar diatas, dapat terlihat bahwa
kurva yang dihasilkan telah sesuai dengan
referensi seperti pada gambar 1. Dari grafik diatas ,
dapat ditentukan besarnya tegangan threshold (VT).
Tegangan threshold yaitu pada saat nilai Vgs
mulai naik (>0), melalui regresi akhirnya diperoleh
besar tegangan threshold yaitu sebesar 1.6 V.

 KURVA ID DAN VDS

Diperiksa lembar penggunaan meja.
DIpastikan asisten telah menandatangani catatan
percobaan kali ini pada Buku Catatan Laboratorium.
Setelah diperoleh kurva karakteristik Id –Vgs,
selanjutnya dilakukan testing dengan masih
mengggunakan DCA Pro untuk memperoleh
kurva karakteristik Id – Vds. Pengaturan yang
diguankan yaitu dengan mengeset Vdd mulai dari
0 V hingga 15 V dengan point 16, serta Vgs mulai
dari 2 V hingga 9 V dengan traces 8. Berikut data
untuk 2 nilai Vds yang diperoleh :

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 6

 garis kurva inilah yang menjadi Q point atau titik
kerja transistor.
Vgs=4,000V Vgs=5,000V
Green Lime
Vds Id (mA) Vds Id (mA) Gambar 11 Kurva karakteristik Id – Vds (dengan garis
bantu untuk mencari Q point)
0.000911 0 0.001185 0
0.267679 1.112179 0.189572 1.21911
0.601983 2.115961 0.438112 2.422246
1.078829 2.903925 0.651928 3.558712
1.801391 3.252428 0.964904 4.594117
2.733119 3.438416 1.349243 5.475809
3.696656 3.490416 2.378492 6.044856
4.731191 3.563441 2.720542 5.645332
5.640043 3.581207 3.641151 6.604615
Kemudian dari Q point ini diatarik garis lurus
6.590639 3.539639 4.572972 6.716761
menuju sumbu Y (Id). Nilai Id yang sejajar dengan
7.557273 3.705091 5.531859 6.400535 Q point ini menjadi nilai arus Id, yaitu nilainya 3.5
8.489276 3.750406 6.997033 6.883841 mA dan nilai Vds yang sejajar vertical menjadi
9.442969 3.825385 7.391489 6.938772 nilai Vds yaitu 5 V . Sedangkan untuk menentukan
𝑉𝑑𝑑
Gambar kurva karakteristik yang dihasilkan besarnya Rd diperoleh dengan rumus : Rd =
6 𝑚𝐴
adalah sebagai berikut : (* 6 mA adalah nilai Id pada garis bantu, Vdd = 15
V). Sehinga diperoleh Rd = 2.5 kΩ. Kemudian
Gambar 10 Kurva Id – Vds dengan nilai Id, Vgs, dan Vt yang telah diketahui
selanjutnya dilakukan perhitungan untuk
memperoleh nilai gm (transkonduktansi) dengan
2𝐼𝑑
rumus : 𝑔𝑚 = sehingga diperoleh gm =
𝑉𝑔𝑠−𝑉𝑡
2.916 mA. Lalu ditentukan nilai gm dari hasil
pengukuran. Caranya yaitu dengan menghitung
kemiringan kurva titik Q point dari nilai Id dan
Vds pada saat Vgs = 4 V (dari data pada table),
Δ𝐼𝑑
yaitu 𝑔𝑚 = = 3.09 mA. Nilai gm yang
Δ𝑉𝑑𝑠
diperoleh dari hasil perhitungan telah mendekati
nilai gm yang diperoleh dari hasil pengukuran
Gambar kurva diatas telah sesuai dengan referensi
sehingga dapat dikatakan bahwa nilai yang
seperti pada gambar 2. Kurva diatas memetakan
diperoleh tersebut valid.
nilai Id dan Vds untuk masing-masing nilai Vgs
yaitu mulai dari Vgs = 2 V hingga Vgs = 9 V. Dapat
RANGKAIAN PENGUAT
terlihat bahwa semakin besar Id, maka Vgs nya juga
menjadi semakin besar. Pada gambar juga terlihat
4.2 RANGKAIAN BIAS
bahwa transistor memasuki keadaan saturasi saat
nilai Id untuk setiap Vgs menunjukan nilai yang Dengan memastikan transistor berada pada
konstan. Sebelum mencapai garis yang konstan keadaan saturasi (syarat : Vds > Vgs – Vt), maka
horizontal, terlebih dahulu transistor memasuki transistor dapat digunakan untuk pecobaan
daerah trioda yaitu saat kurva garis memiliki selanjutnya. Dibuat rangkaian bias seperti pada
kemiringan. Kemiringan ini disebabkan karena gambar 3. Lalu dicari nilai Vd, Vs, Rs, Vg, dan Rg
adanya faktor 𝜆 (modulasi panjang kanal) yang yaitu menggunakan rumus sebagai berikut :
serupa dengan Effek Early yang ada pada transistor
𝑉𝑑 = 𝑉𝑑𝑑 − 𝐼𝑑. 𝑅𝑑
Bipolar (BJT).
Vd = 15 – (3.5)(2.5)
 Desain Q point
Vd = 6.25 V
Selanjutnya dicari Q point dari transistor yaitu
dengan menarik garis bantu mulai dari Vds = 15 V
hingga nilai Id = 6 mA. Dipilih garis dengan nilai Vs = Vd - Vds
Vgs sebesar 4 V. Perpotongan garis gantu dengan
Vs = 1.25 V

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 7


Rs = Vs/Id
Rs = 357.14 Ω
Vg = Vgs +Vs
Vg = 5.25 V
Rg2 = Vg.(1M)/Vdd
Rg2 = 350 kΩ
Rg1 = 650 kΩ
Rg = Rg1//Rg2
Rg = 227.5 kΩ
Untuk nilai ro, diperoleh dengan rumus slope
kurva = 1/ro = gm. Jadi, ro = 1/gm = 323.6 Ω
4.3 PENGUAT COMMON SOURCE
A. FAKTOR PENGUAT
Dilakukan percobaan amplifier dengan konfigurasi
Common Source dengan rangkaian seperti pada
gambar 4. Rangkaian dengan konfigurasi Common
Source ini mengambil input dari Gate transistor
sedangkan output diambil dari Drain. Berikut
adalah hasil sinyal input dan output yang
diperoleh :
Gambar 12 Sinyal input-output Common Source
Berdasarkan gambar diatas dapat diamati bahwa
besarnya penguatan tegangan yang dihasilkan
yaitu sebesar (-110 mV)/(0.1 V) = -1.1 V/V. Tanda
negative menunjukan bahwa antara tegangan
input dan output terdapat perbedaan fasa sebesar
180 0. Hal tersebut telah sesuai dengan referensi
yang menyatakan bahwa penguatan yang
dihasilkan dari rangkaian common source adalah
bernilai negative atau antara tegangan input dan
outputnya terdapat beda fasa sebesar 180 0. Untuk
nilai tegangan Vi saat tegangan outputnya mulai
terdistorsi adalah sebesar 0.5mVpp.
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
B. RESISTANSI INPUT
Pada amplifier dengan konfigurasi Common
Source ini diperoleh nilai resisansi input yaitu
sebesar 130 kΩ. Berdasarkan teori nilai ini
seharunya mendekati nilai Rg yaitu sebesar 227.5
kΩ.
C. RESISTANSI OUTPUT
Pada amplifier dengan konfigurasi Common
Source diperoleh nilai resistansi output sebesar 5.5
kΩ.
Nilai yang diperoleh dengan rumus
Av = -gm(RD||ro)
Av = -(3.09)(2.5 k ||323.6)
Av = -0.885 V/V
Rin = Rg = 227.5 kΩ
Rout = (RD||ro) = 286.51 Ω
Nilai penguatan tegangan apabila dibandingkan
antara hasil perhitungan dengan hasil pengukuran,
nilainya tidak terlalu berbeda yaitu antara -0.88
dengan -1.1 . Tetapi untuk nilai resistansi input
dan resistansi output antara hasil pengukuran dan
hasil perhitungan menunjukan nilai yang berbeda.
Hal ini kemungkin disebabkan karena adanya
pengaruh respon frekuensi pada kapasitor dari
konfigurasi rangkaian. Dimana untuk perhitungan
yang menggunakan rumus, mengasumsikan
besarnya nilai kapasitansi yang digunakan adalah
sangat besar atau menuju nilai tak hingga yang
berfungsi untuk mencegah masuknya sinyal DC
serta meloloskan sinyal AC. Namun pada
percobaan, digukan nilai kapasitansi sebesar 100
µF yang jauh dari nilai yang diasumsikan (yaitu
tak hingga). Namun secara garis besar dapat
disimpulkan bahwa penguatan dengan konfigurasi
common source menghasilkan nilai resistansi input
yang sangat besar dan resistansi output yang
cukup besar.
4.4 PENGUAT COMMON GATE
A. FAKTOR PENGUAT
Dilakukan percobaan amplifier dengan konfigurasi
Common Gate dengan rangkaian seperti pada
gambar 5. Rangkaian dengan konfigurasi Common
Gate ini mengambil input dari source transistor
sedangkan output diambil dari Drain. Berikut
adalah hasil sinyal input dan output yang
diperoleh :
8
Gambar 13 Sinyal input –output Common Gate
Berdasarkan gambar diatas teramati bahwa
penguatan tegangan yang dihasilkan adalah
sebesar : 100mV/80 mV = 1.25 V/V. Besarnya
pengutan sinyal adalah bernilai positif, hal ini
telah sesuai referensi yang menyatakan bahwa
penguatan tegangan pada common gate bernilai
positif yang berarti perbedaan fasa antara input
dan output adalah 00. Nilai penguatan tegangan ini
apabila dibandingkan dengan nilai penguatan
hasil perhitungan (0.88 V/V) yaitu nilainya masih
mendekati atau tidak terlalu jauh. Sehingga data
yang dihasilkan dapat dikatakan cukup valid.
Besarnya tegangan input saat sinyal outputnya
mulai terdistorsi adalah 5 Vpp.
B. RESISTANSI INPUT
Pada penguatan transistor FET dengna konfigurasi
Common gate diperoleh nilai resistansi input
sebesar 400 Ω. Berdarsarkan rumus yang terdapat
pada karakteristik transistor FET (bernilai 323.6 Ω),
nilai resistansi input ini tidak jauh berbeda yaitu
masih dalam orde ratusan ohm dan nilainya cukup
berdekatan. Sehingga dapat disimpulkan bahwa
resistansi input yang dimiliki Amplifier dengan
konfigurasi Common Gate memiliki resistansi
input yang cukup kecil atau masih dalam orde
ratusan ohm).
C. RESISTANSI OUTPUT
Pada amplifier dengan konfigurasi Common Gate
diperoleh nilai resistansi output sebesar 300 Ω.
Nilai ini juga tidak jauh berbeda dengan nilai
resistansi output yang diperoleh dari hasil
perhitugan yaitu 286.51 Ω. Dari kedua nilai ini ,
dapat disimpulkan bahwa resistansi output untuk
penguat transistor dengan konfigurasi Common
Gate memiliki nilai resistansi output yang cukup
kecil (masih dalam orde ratusan ohm).
4.5 PENGUAT COMMON DRAIN
A. FAKTOR PENGUAT
Dibuat rangkaian penguatan MOSFET dengan
konfigurasi Common Drain. Pada konfigurasi ini,
input diambil dari Gate transistor sedangkan
output diamati/diambil dari source transistor.
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
Berikut adalah gambar sinyal input dan output
yang dihasilkan :
Gambar 14 Sinyal input-output Common Drain
Berdasarkan gambar diatas dapat diamati bahwa
besarnya penguatan tegangan yang dihasilkan
yaitu sebesar : 70 mV/0.1 V = 0.7 V/V. Nilai
penguatan ini adalah positif sesuai dengan
referensi yang berarti bahwa antara input dan
outputnya tidak terdapat perbedaan fasa. Untuk
besar penguatan apabila dibandingkan dengan
hasil perhitungan (0.99 V/V) yakni nilai hasil
pengukuran ini telah sesuai atau mendekati
dengan nilai hasil perhitungan dimana nilai hasil
perhitungan yaitu penguatan untuk konfigurasi
adalah mendekati 1 V/V. Sehingga konfigurasi
common drain ini ccocok dgunakan sebagai
penguat buffer atau dapat diguankan pada tahap
akhit rangkaian pernguat bertingkat. Besarnya
tegangan input saat outpunya mulai terdistorsi
adalah 1 Vpp.
B. RESISTANSI INPUT
Penguatan transistor dengan konfigurasi Common
Drain menghasilkan nilai resistansi input yaitu
sebesar 130 kΩ. Nilai yang diperoleh dari hasil
pengukursan (1 MΩ) sedikit berbeda dengan hasil
perhitungan, hal ini kemungkinan disebabkan
karena respon frekuensi pada kapasitor dan
kemungkinan pengaruh resistansi incremental
pada transistor yang tidak diperhitungkan. Namun
dapat diambil kesimpulan bahwa resistansi input
pada penguatan Common drain bernilai sangat
besar (dalam orde ratusan kilo ohm).
C. RESISTANSI OUTPUT
Berdasarkan percobaan amplifier transistor dengan
konfigurasi Common Drain diperoleh nilai
resistansi output sebesar 930 Ω. Sehingga dapat
disimpulkan bahwa resistansi output pada
penguatan dengan konfigurasi common drain
bernilai cukup besar (dalam orde ratusan ohm).
5. KESIMPULAN
Dari percobaan didapatkan kesimpulan :
9
  Kurva Id Vgs menunjukan bahwa [3]. http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_efek%
transistor MOSFET mulai berfungsi pada E2%80%93medan, 1 April 2015, 4.22 PM
saat nilai tegangan gate dan source pada
nilai tertentu. Nilai tegangan ini
dinamakan tegangan Threshold (VT) . Nilai
tegangan threshold yang didapatkan pada
praktikum ini yaitu sebesar 1.6 V. Nilai
tegangan threshold sendiri dapat bernilai
negatif (MOSFET tipe depletion) atau pun
positif (MOSFET tipe enhancement).
 Kurva Id – Vds menunjukan daerah kerja
transoistor yaitu pertama daerah saturasi
(daereah kerja transistor yang digunakan
sebagai pernguat) saat kurva bernilai tetap
(konsisten) terhadap perubahan Vds ,
daerah triode yaitu saat hubungan Id dan
Vds berbanding lurus (linear), dan
terakhir daerah cut off yaitu saat transistor
tidak aktif.
 Penguatan dengan konfigurasi Common
Source memiliki karakteristik sinyal input
outputnya bersifat inverting (berbeda fasa
1800), memiliki penguatan tegangan yang
kecil dan bernilai negatif, memiliki high
input impedance (Resistansi input besar)
dan moderate output impedance
(Resistansi output sedang).
 Penguatan dengan konfigurasi Common
Gate memiliki karakteristik sinyal input
output tidak besifat inverting (berbedafasa
00, memiliki penguatan tegangan yang
kecil, memiliki resistansi input yang kecil
(low voltage impedance) dan memiliki
resistansi output yang cukup besar (high
output impedance).
 Penguatan dengan konfigurasi Common
Drain memiliki karakteristik sinyal input
output tidak bersifat inverting (berbeda
fasa 00), memiliki penguatan tegangan
yang mendekati 1 (low voltage gain)
sehingga dapat digunakan sebagai
penguat buffer, memiliki resistansi input
yang besar (high input impedance) dan
memiliki resistansi output yang sedang
(moderate output impedance).

DAFTAR PUSTAKA
[1]. Mervin T Hutabarat, Praktikum Rangkaian
Elektrik, Laboratorium Dasar Teknik Elektro
ITB,Bandung, 2014.
[2]. Adel S. Sedra and Kennet C. Smith,
Microelectronic Circuits, Oxford University Press,
USA, 2004.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 1

0