Percobaan IV

Karakteristik Dan Penguat FET

Diyah Widiyasari (13116126)
Asisten:M Daniel Firdaus (13115003)
Tanggal Percobaan : 23/10/2018
EL3102 Praktikum Pengolahan Elektronika
Laboratorium Teknik Elektro
Institut Teknologi Sumatera
Abstrak—Pada percobaan modul 4 ini kita akan melakukan terlihat bahwa terdapat VGS minimum yang menyebabkan
beberapa percobaan yaitu diantaranya , percobaan karakteristik arus mulai mengalir. Tegangan tersebut dinamakan tegangan
FET, pada percobaan ini kita akan mengetahui kurva karakteristik
ID vs VGS dan ID vs VDS. Pada percobaan selanjutnya kita akan
threshold, Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
menentukan desain Q point dari kedua masing-masing kurva. negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt adalah positif.
Selanjutnya adalah percobaan FET konfigurasi Common Source,
Common gate dan Common Drain, dan percobaan yang terakhir
adalah percobaan resistansi input dan output untuk ketiga
konfigurasi.

Kata Kunci-Karakteristik FET, konfigurasi common source,

common gate, common drain.

I. PENDAHULUAN
Pada percobaan ini kita hanya melakukan percobaan
karakteristik trasnsistor MOSFET dan menentukan desain Q
point sedangkan unutk percobaan penguat common source ,
common drain dan common gate kami daptkan dengan
simulasi. Pada praktikum modul 4 ini memiliki tujuan sebagia
berikut :
 Mengetahui dan mempelajari karakteristiktransistor
FET.
 Memahami penggunaan FET sebagapenguat untuk
konfigurasi CommonSource, Common Gate, dan
CommonDrain.
 Memahami resistansi input dan outputuntuk ketiga
konfigurasi tersebut.
Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS minimum
yang menyebabkan arus mulai mengalir. Tegangan tersebut
dinamakan tegangan threshold, Vt. Pada MOSFET tipe
depletion, Vt adalah negative, sedangkan pada tipe
enhancement, Vt adalah positif.
Kurva karakteristik ID vs. VDS ditunjukkan oleh gambar di
bawah ini. Pada gambar tersebut terdapat beberapa kurva
untuk setiap VGS yang berbeda-beda. Gambar ini digunakan
untuk melakukan desain peletakan titik operasi/titik kerja
transistor. Pada gambar ini juga ditunjukkan daerah saturasi
dan Trioda.

II. LANDASAN TEORETIS

1.Transistor FET
Transistor FET adalah transistor yang bekerja berdasarkan
efek medan elektrik yang dihasilkan oleh tegangan yang
diberikan pada kedua ujung terminalnya. Mekanisme kerja
transistor ini berbeda dengan transistor BJT. Pada transistor
ini, arus yang
dihasilkan/dikontrol dari Drain (analogi dengan kolektor pada
BJT), dilakukan oleh tegangan antara Gate dan Source
(analogi dengan Base dan Emiter pada BJT). Bandingkan
dengan arus pada Base yang digunkan untuk menghasilkan 2. Penguat FET
arus kolektor pada transistor BJT. Karakteristik umum dari Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai penguat,
transistor MOSFET dapat digambarkan pada kurva yang maka transistor harus berada dalam daerah saturasinya. Hal ini
dibagi menjadi dua, yaitu kurva karakteristik ID vs VGS dan dapat dicapai dengan memberikan arus ID dan tegangan VDS
kurva karakteristik ID vs VDS. Kurva karakteristik ID vs VGS tertentu. Cara yang biasa digunakan dalam mendesain penguat
diperlihatkan pada gambar berikut. Pada gambar tersebut adalah dengan menggambarkan garis beban pada kurva ID vs
VDS. Setelah itu ditentukan Q point-nya yang akan
menentukan ID dan VGS yang harus dihasilkan pada Buatlah rangkaian seperti gambar di bawah
ini.
rangkaian.Setelah Q point dicapai, maka transistor telah dapat
digunakan sebagai penguat, dalam hal ini, sinyal yang
diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50 mVp-p dengan
frekuensi 1-10 kHz). Aturlah tegangan VGS, lalu catat ID
Terdapat 3 konfigurasi penguat pada transistor MOSFET, yaitu yang dihasilkan sesuai dengan tabel berikut
• Common Source ini.

• Common Gate
• Common Drain
Ketiganya memiliki karakteristik yang berbeda-beda dari Buatlah plot kurva karakteristik ID vs. VGS
dalam buku catatan laboratorium
faktor penguatan, resistansi input, dan resistansi output. Tabel
anda.
berikut ini merangkum karakteristik dari ketiga konfigurasi
tersebut.

Tentukan tegangan threshold, V

.

III. METEDOLOGI

3.1 Alat dan Komponen yang Digunakan

• Sumber tegangan DC (2buah)

• Generator Sinyal (1 buah)
• Osiloskop (1 buah) Gambar 1. Percobaan Kurva ID vs VGS
• Multimeter (3 buah)
• Kit Transistor sebagai switch B. Kurva ID vs VDS
• Breadbord (1 buah) Aturlah tegangan VDS
Aturlah tegangan VDS lalu
lalu catat
catat
• RG= Potensiometer 1 MΩ (1 buah) Buatlah
Buatlah rangkaian seperti pada
rangkaian seperti pada ID yang dihasilkan
ID yang untuk setiap
dihasilkan untuk setiap
gambar di bawah
gambar di bawah ini.
ini. Gunakan
Gunakan VGS
• RD= Potensiometer 10 kΩ (1 buah) dua sumber
dua sumber
VGS
sesuai
sesuai
• RS= Potensiometer 1 kΩ (2 buah) tegangan DC.
tegangan DC. dengan
dengan tabel berikut ini.
tabel berikut ini.
• Resistor 1 MΩ (1 buah)
• Kapasitor 100 uF (3 buah)
• Kabel-kabel

3.2 Prosedur Percobaan Buatlah

Buatlah plot
plot kurva
kurva karakteristik
karakteristik ID
ID
vs. VDS untuk
vs. VDS untuk setiap
setiap VGS
VGS
Tentukanlah daerah saturasi,
Tentukanlah daerah dan
saturasi, dan
1. Kurva Karakteristik Transistor MOSFET daerah triode.
daerah triode.
dalam
dalam satu
satu gambar
gambar
di buku
di buku catatan
catatan laboratorium
laboratorium
anda.
anda.
A. Kurva ID vs VGS

Gambar 2. Percobaan Kurva ID vs VDS

2. Percobaan Desain Q Point
 Ditentukan nilai Rd yang akan diguanakan pada
rangkaian penguat

Dengan menggunakan kurva Id vs Vds dan Vdd = 15

V, dibuat garis beban (load line) pada grafik Id vs Vds
dan ditempatkan titik Q.

Dicatat nilai DC vgs, vds, dan id pada titik Q

b. Resistansi Input

Dihubungkan rangkaian pada gamarb 4 dengan

sebuah resistor variabel pada inputnya seperti pada
gambar 5.
Dihitung gm dengan terlebih dahulu mencari nilai K
berdasarkan formula
id = K (vgs - Vt)2
gm = 2K (vgs - Vt)

Dihubungkan osiloskop pada Gate transistor

Ditentukan nilai gm dengan melihat kemiringan kurva

titik Q point pada kurva karakteristik Id vs Vgs.
Dibadingkan kedua nilai gm yang diperoleh

Diatur resistor variabel tersebut sampai amplitudo

3. Percobaan Penguat Common Source sinyal input menjadi 1/2 dari sinyal input tanpa
a. Factor Penguat resistor variabel.

Dihubungkan sinyal input

Dihubungkan sinyal tersebut ke
input tersebut ke rangkaian
rangkaian
dengan
dengan memberikan kapasitor kopling seperti yang
memberikan kapasitor kopling seperti yang Dicatat nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut
ditunjukan oleh
oleh gambar
gambar 4.4. terjadi. (Rin = Rvar)
ditunjukan

Dibandingkan nilai resistansi input yang diperoleh dari

percobaan ini dengan nilai dari hasil perhitungan
dengan menggunakan tabel karakteristik penguat FET.
Digunakan osiloskop
Digunakan osiloskop
Ditentukan
Ditentukan untuk
untuk melihat
melihat sinyal
sinyal
penguatannya
penguatannya (Av
(Av == pada Gate
Gate Gambar 4. Percobaan Resistansi Input
pada
Vo/Vi).
Vo/Vi). dan Drain
dan Drain transistor
transistor

Dibandingkan nilai penguatan

Dibandingkan nilai penguatan
Dinaikkan
Dinaikkan amplitudo generator
amplitudo generator yang
sinyal yang diperoleh dari
diperoleh dari
sinyal dan
dan percobaan ini dengna
dengna nilai
nilai
diperhatikan sinyal output percobaan ini
diperhatikan sinyal output ketika
ketika dari
dari hasil perhitungan
hasil perhitungan
sinyal
sinyal mulai
mulai dengna menggunakan
dengna menggunakan tabeltabel
tersdistorsi. Dicatat tegangan
tersdistorsi. Dicatat tegangan karakteristik
input karakteristik penguat
penguat
input ini.
ini. FET.
FET.

c. Percobaan Resistansi Output

Gambar 3. Percobaan Penguat common Source
 Lakukan percobaan Faktor Penguatan,
Dihubungkan
Dihubungkan rangkaian
rangkaian 4
4 dengan
dengan sebuah
sebuah resistor
variabel pada
resistor
Resistansi input, dan Resistansi Output
variabel pada outputnya
outputnya seperti
seperti pada
pada gambar
gambar 66
seperti pada Common Source, namun
dengan konfigurasi rangkaian di bawah
ini.

Gambar 7. Percobaan Penguat Common Drain

Dihubungkan
Dihubungkan osiloskop pada kapasitor
osiloskop pada kapasitor Drain
Drain
transistor.
transistor.

Diatur
Diatur resistor
resistor variabel
variabel tersebut
tersebut sampai
sampai amplitudo
amplitudo
sinyal output menjadi
sinyal output menjadi 1/2
1/2 dari
dari sinyal
sinyal outptu
outptu tanpa
tanpa
resistor variabel.
resistor variabel.

Dicatat
Dicatat nilai
nilai Rvar yang menyebabkan
Rvar yang menyebabkan hal tersebut
hal tersebut
terjadi
terjadi .. (Rout
(Rout =
= Rvar)
Rvar)

Dibandingkan
Dibandingkan nilai
nilai resistor
resistor output
output yang
yang diperoleh
diperoleh
dari percobaan
percobaan ini
ini dengan
dengan nilai
nilai hasil
hasil perhitungan
dari perhitungan IV. HASIL DAN ANALISIS
dengan menggunakan
dengan menggunakan table
table karakteristik
karakteristik penguat
penguat
FET
FET

Gambar 5. Percobaan resistansi output IV.1Percobaan Kurva Karakteristik Transistor

MOSFET

A. Kurva I D vs V GS
Pada ini kita akan menetukan nilai I D dengan mengatur
nilai V GS sesuai dengan modul .

Berikut adalah hasil percobaan untuk kurva Kurva

I D vs V GS

Tabel Percobaan Kurva I D vs V GS

4. Percobaan Penguat Common Gate
V GS (V) I D ( mA)
Dilakukan percobaan Faktor Penguat, Resistansi
0 0
Input, dan Resistansi Output seperti pada
Common
1.5 0.023
Source, namun dengan konfigurasi rangkaian
dibawah ini.
2 0.179
Gambar 6. Penguat common gate
2.5 0.502

3 0.974

4 2.33

5 4.093

7.5 9.835

5. Percobaan Penguat Common Drain

 Berikut adalah plot kurva I D vs V GS :
Kita bias mencari nilai gm setelah mendaptkan K
kurva �� �� ��� ❑
gm=2 K (V GS−Vt )
−3
gm=1.481×10 V
Analisis :

Pada percobaan karakteristik I D vs V GS didaptkan hasil

bahwa ketika kita menaikan nilai VGS maka arus drain akan
ikut naik atau berbanding lurus. Pada perocbaan ini kita
mendaptkan tegangan threshold sebesar 1.5 V, tegangan
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 threshold ini kita daptkan ketika niali Vgs mulai naik VGS>0.
Seri es 1
B. Kurva I D vs V D S
Pada percobaan ini kami memperoleh data niali Id ketika Vds
Atau jika kita gambarkan sebagai beikut :
dan VGS kita ubah nialinya .

Berikut adalah hasil ID yang kami tuliskan dalam table :

Table 2. Percobaan kurva I D vs V DS

ID(mA)
VDS VGS = VGS = VGS VGS VGS VGS VGS =
2 2.5 =3 =4 =5 =7 8
0 0.05 0.07 0.09 0.01 0.01 0.02 0.078
3 7 3
0.25 0.146 0.2993 0.43 0.67 0.87 1.18 1.44
7 3 4
0.50 0.172 0.441 0.72 1.20 1.61 2.25 2.787
0 2 9 5 4
1 0.176 0.4914 0.93 1.92 2.79 4.13 5.250
5 7 2 5
2 0.178 0.5051 0.97 2.29 3.98 6.68 9.263
5 4 5 0 0
3 0.179 0.5062 0.98 2.33 4.10 8.18 11.98
4 6 3 6 7
4 0.180 0.509 0.99 2.35 4.15 8.55 13.42
8 2 6 0 1 5
Setelah kita memplotkan grafik didaptkan hasil sebagai 5 0.181 0.5123 0.99 2.37 4.17 8.64 13.93
berikut : 7 7 0 6 9 6
 Vt = 1.5 V 6 0.182 0.514 1.00 2.38 4.19 8.69 13.99
V thereshold Ini adalah nilai tegangan ketika Vgs 6 2 2 5 3 6
mulai naik >0 yaitu ketika Vgs= 1.5 V 7 0.183 0.517 1.00 2.39 4.20 8.77 14.04
 Titik Q saat Vgs =4.2 V 5 7 6 9 2 5
8 0.184 0.5198 1.01 2.40 4.22 8.74 14.06
I D =K (V GS−Vt )
2 3 1 2 1 3 1
9 0.185 0.522 1.01 2.41 4.23 8.76 14.16
ID 2 6 2 1 3 1
K= 2
(V GS × Vt )
−4
K=2.7434 × 10
Berikut adalah hasil Plot dari data diatas :
kurva ID vs VDS
kurva ID vs VDS 15000
15000
10000 Q
10000
5000
5000
0
0 VDS 0 0.250.500 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VDS 0 0.250.500 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ID
ID

Gambar kurva ID vs VDS

Berikut adalah titik saturasi dan titi triode pada grafik diatas :

Gambar 8. Hasil Q point

Pada percobaan in kita dapatkan titik Q point saat VGs =7 dan
Gambar 7. Penetuan titik saturasi dan triode
nilai IDS sekitar 8.743mA.
Analisis :
Dari hasil percobaan diatas kita dapat melihat bahwa nilai arus
3. Percobaan Common Source
drain akan semakin besar ketika kita memberikan nilai
A. Faktor Penguat
tegangn VGS dan VDS semakin besar maka arus drain yang
Pada percobaan kali ini kami menggunakan simulasi untuk
timbul akan semakin besar pula. Dari hasil perocbaan diatas
mendapatkn data karena pada saat praktikum kelompok kami
dapat kita lihat bahwa hasil kurva sama dengan kurva referensi
tidak mendaptkan hasil percobaan karena beberapa factor
ID vs VDS. Pada percbaan ini terdapatk 3 daerah kerja
kesalahan .
MOSFET yaitu daerah triode dimana daerah ini adalah daerah
Namun dikarenakan pada saat simulasi transistor yang ingin
linier atau daerah ohmik yaitu ketika VGS >Vt dan
digunakan tidak ada dalam pilihan maka kami menggunakan
Vds<( VGS -Vt). Daerah selanjutny adalah daerah saturasi
transitor lain yang sejenis .
dimana daerah ini merupakan daerah mosfet bekerja. Lalu
terdapat juga darah cut-off atau daerah mosfet tidak bekerja.
Berikut adalah data hasil simulasi :
2. Percobaan Desain Q Point

Pada percobaan ini kita menggunakan kurva karakteristik Ids

dan Vds, lalu kita tentukan dimana niali Q.
Berikut adalah hasil percobaan untuk desain Q point :

Gambar 9. Percobaan Penguat Common Source
Beikut hasil sinyalnya :
Gambar 10.Hasil sinyal percobaan Faktor Penguat
Analsis :
Pada percobaan penguat common source ini dai data simulasi
pada chanel A(input) tegangan yang dilhat 36,562uF
sedangkan hasil outputnya -1.180 nV, dari hasil tersebut dapat
kita lihat bahwa terdapat perbedaan fasa antara input dan
output , dan niali tegaangan outputnya negtif sehinggan
penguatan yang didapat adalah negative. Hal tersebut sesuai
dengan referensi yang menyatakan bahwa penguatan pada
common source adalah bernilai negatve.
B. Resistansi Input
gambar 11. rangakian Percobaan Rin
pada percobaan ini kita mengatur resistansi variable sebagai
Rin sampai amplitude sinyal inputnya menjadi 0.5 lebih kecil
dan di dapatkan hasil Rvar nya kita putar sampai 40 % dari
resistansi awal yaitu 1 kΩ menjadi 40% nya sudah berubah
amplitude pada sinyal input , maka kita dapat mengetahui
hasil dari Rvar = 400 Ω.
C. Resistansi Output
gambar 12. Percobaan Resistansi Output
pada percobaan ini ketika kita mengatur Rvar kea rah lebih
besar maka hasil sinyal yang didaptkan akan semakin lambat
atu pergerakn sinyal pad simualsi akan semakin lambat. hasil
Rvar muali berpengaruh ketika kita atur 60% dari awa.
note :
pada percobaan common gate dan common drain kelompok
kami belum mendpatkan data simulasi .
V. SIMPULAN
Pada praktikum modul 4 ini dapat kita simpulkan bahwa:
 Karakteristik transitor FET ada dua yaitu karakeristik
Kurva Id dan Vgs dan karakteristik Id vs Vds
 Pada percobaan ini dapat disimpulkan bahwa kurva
Id Vgs memiliki fugsi pada nilai tegangan gate dan
 source memiliki niali tertentu yang biasa disebut
tegnagan threshold Vt.
 Pada Percobaan ini kita akan mengetahui penggunaan
FET sebagai penguat untuk konfigurasi Common
Source, Gate dan Drain.

Referensi
[1] Mervin T. Hutabarat, Modul Praktikum
Elektronika, Hal. 15-26, Penerbit ITB, Bandung,
2012

[2] Proakis, John G. dan Dimitris G.

Manolakis. 2007.
Digital Signal Processing Principles,
Algorithms, and
Applications Fourth Edition. New
Jersey, PrenticeHall

[3] https://www.scribd.com/document/293577459/
EL2205-4-13213060, diakses pada tanggal
25/10/2018, pkl 18.45