FIELD EFFECT TRANSISTOR

Copyright © Wondershare Software

 Field Effect Transistor

• Utk operasi linier, transistor bipolar adlh

pilihan terbaik, ttp ada bbrp aplikasi
unipolar transistor adlh pilihan yg lbh
cocok.
• Operasi unipolar transistor tergantung pd
satu tipe muatan elektronik atau hole, shg
dikatakan unipolar.
• FET adlh satu satu contoh unipolar
transistor.

Copyright © Wondershare Software

JFET

• Tegangan VDD memaksa

elektron bebas utk mengalir dr
VDD source – drain.

Copyright © Wondershare Software

 Bipolar JFET
Emitter (E) Source (S)
Base (B) Gate (G)
Collector (C) Drain (D)
• JFET paling sering mempunyai 2
gate yg dihubungkn scr seri
internal utk mendptkn gate
internal tunggal

Copyright © Wondershare Software

 • Gate adlh p region,
sedangkan Source dan
drain adlh : n region, shg
JFET sama dgn 2 dioda.
• Gate dan Source
membentuk 1 dioda, Gate
dan Drain membentuk
Bipola JFET dioda yang lain.
r
IE IS
IB IG
IC ID
Copyright © Wondershare Software
 THE BIASED JFET

• Pd bipolar transistor forward bias

dilakukan pd dioda basis – emitor ttp
pd JFET selalu memberikan reverse
bias pd dioda gate – source. IG = 0
• JFET mempunyai resistansi input
ratusan megaohm (kelebihan
dibanding transistor bipolar).
• JFET bekerja spt voltage controlled
device dibanding spt current controlled
device. Pengontrolan kuantitas input
pd tegangan gate menuju source
(VGS).
• Semakin negatif tegangan gate,
VGG semakin sempit channel dan semakin
kecil arus drain shg ID = IS.
• Aturan utk perancangan : gunakan
bipolar transistor utk menghasilkn
penguatan tegangan besar dan
gunakan JFET untk menghasilkn
impedansi input yg tinggi.

Copyright © Wondershare Software

 IC JFET

Symbol Skematik
(a). N channel JFET
(b). P channel JFET

Copyright © Wondershare Software

Drain Curves

Copyright © Wondershare Software

 +
VDS +VDD
- -
VGG VGS + -
+
- JFET dengan Bias
Normal
JFET dengan tegangan bias
a. Gambar Normal normal. VGS = VGG, dan
bias untuk JFET
VDS = VDD, gambar a.
Maksimum arus drain yg
+ keluar terjadi saat VGS = 0,
VDS
- + gbr b.
VDD
-

.
b. Gambar Zero
gate voltage
Copyright © Wondershare Software
 ID

Gbr c. menunjukkan hubungan

Shorted Gate antara arus ID dan tegangan VDS, arus
IDDS meningkat scr cepat pd awal
kemudian berhenti dan mendekati
Active Region horisontal (konstan antara VP dan
VDS VDS(max).
Vp VDS(Max)
Jk tegangan drain terlalu besar mk
c. Gambar shorted gate drain current
JFET breakdown.
Tegangan minimum VP disebut pinch off voltage (VP) dan tegangan maksimum

VDS (max) disebut breakdown voltage.

JFET akan berlaku sbg sumber arus dgn nilai IDSS (arus drain maksimum) dan
beroperasi pada bagian horizontal.
IDSS dapat dilihat di data sheet.
Copyright © Wondershare Software
Gate cutoff and pinchoff
ID
VGS = 0
10 mA

VGS = - 1
5,62 mA
VGS = - 2
2,5 mA VGS = - 3 VGS= - 4
0,625 mA VDS
4 15 30
Gambar Drain Curves
Gbr memperlihatkan pengaturan kurva drain untuk JFET dengan
IDSS dari 10 mA, kurva atas adalah untuk VGS = 0. Tegangan
pinchoff adalah 4 V, dan tegangan breakdown = 30 V.
Kurva berikutnya untuk VGS = -1 V, berikutnya untuk VGS = -2 V,
dan seterusnya. Dpt diamati bahwa tegangan VGS semakin
negatif mk semakin kecil arus drain.
VGS = -4V disebut gate source cutoff voltage, di data sheet
menggunakn simbol VGS(off).
VGS(off) = -4V dan Vp = 4V VGS(off)= - Vp.
Copyright © Wondershare Software
The Ohmic Region

Tegangan pinchoff adalah tegangan di mana perubahan kurva drain

tertinggi dari vertikal ke hampir horizontal.
Tegangan ini sangat penting karena memisahkan dua wilayah
operasi utama dari JFET.
Bagian hampir-vertikal dari kurva drain disebut Ohmic Region,
setara dengan daerah saturasi transistor bipolar.
Ketika beroperasi di Ohmic Region, JFET bertindak sebagai resistor
kecil dengan nilai :

RDS = VP / IDS

Copyright © Wondershare Software

Contoh Soal kurva drain:

Sebuah lembar data memberikan nilai JFET sbb: IDSS = 20 mA dan VP = 5 V.

Berapa arus drain maksimum? Berapa tegangan cutoff gate-source?

Solusi:
Untuk setiap tegangan gate, arus drain kira2x:

0 < IDSS < 20 mA

Ketika tegangan gate = 0, arus drain memiliki nilai maksimum :

ID = 20 mA

Tegangan gate-source memiliki besar yang sama dengan tegangan pinchoff

tetapi berlawanan tanda. Karena tegangan pinchoff adalah 5 V,

VGS (off) = - 5 V

Copyright © Wondershare Software

Contoh soal ohmic region :

Pada contoh 13-2, berapakah resistensi dc JFET di wilayah ohmic?

Solusi:
Resistansi dc sama dengan tegangan pinchoff dibagi dengan arus drain maksimum

RDS = 5 V/20 mA = 250 Ω

Copyright © Wondershare Software

 Kurva Transkonduktansi

• Kurva transkonduktansi JFET adlh grafik ID dgn tegangan VGS dgn

membaca nilai ID dan VGS kita dpt menggambar kurva
transkonduktansi.
• Yg penting adlh pd saat diberi nilai IDSS dan VGS (off), kita dpt
menghitung arus drain ID pd bbrp titik pd kurva transkonduktansi.
• Diberikan nilai VGS dan VGS(off), mk kita dpt menghitung faktor K,
selanjutnya mengalikan IDSS utk mendptkn ID.
2
 VGS 
ID  IDSS 1  
 VGS (off ) 
2
 VGS 
K  1  
 VGS (off ) 
ID  KxIDSS

Copyright © Wondershare Software

Copyright © Wondershare Software
• Tanpa breakdown region.
• Kurva drain akan superimpose pada
ohmic region.
• Kurva drain akan horisontal pada
daerah sumber arus.

Copyright © Wondershare Software

• 1. ohmic region (saturasi)
• 2. Current Source region (aktif)
• Keadaan yang paling banyak digunakan adalah
ohmic region. Biasanya digunakan dalam aplikasi
analog switching.
• Saat JFET digunakan sebagai resistor, JFET
beroperasi pada bagian vertikal dari kurva drain.
• Saat JFET digunakan sebagai sumber arus, JFET
bakerja pada bagian horisontal dari kurva drain.

Copyright © Wondershare Software

Karena terdpt 2 daerah operasi, kita membutuhkn 2 model
rangkaian equivalent utk menggambarkn operasi dc

Copyright © Wondershare Software

• Current Source model
• Nilai RGS bisa dapat
diabaikan karna bernilai
infinite.
• Saat bekerja pada daerah
aktif, JFET bekerja sbg
current source, hal ini
terjadi saat VDS lebih
besar dari Vp
• Nilai K dapat ditentukan
dari IDSS dan VGS

Copyright © Wondershare Software

 • Ini terjadi saat
JFET bekerja
pada bagian
vertical dari drain
curve
• Nilai dari RDS
dapat ditentukan
dari rasio VP dan
IDS

Copyright © Wondershare Software

Proportional Pinchoff adalah pembatas dari
ohmic region dan Current Source region,
disimbolkan dengan V’P.
V’P=IDxRDS
Rumus mencari R DS
V' p VP

ID IDSS
equivalent dengan
V'P
 RDS
ID

Copyright © Wondershare Software

• Bagi VP dengan IDS Untuk mendapatkan
Rds
• Kalikan ID dengan RDS untuk
mendapatkan V’P
• Kalau VDS > V’P maka JFET bekerja
sebagai sumber arus.
• Kalau VDS < V’P maka JFET bekerja
sebegai resistor.

Copyright © Wondershare Software

Analyzing JFET circuits
VP  VGS ( off )
VP
R DS 
I DSS
2
 VGS 

K  1 
 V 
 GS ( off ) 
I D  KI DSS
V ' P  I D R DS

Copyright © Wondershare Software

Saat melakukan analisa rangkaian dan tidak tahu
JFET bekerja pada region yang mana , maka langkah
yang hrs dlakukan adlh:
•Mengasumsikan JFET bekerja pada Current Source
Region.
•Melakukan perhitungan
•Apabila hasil absurd meningkat maka asumsi yang
kita gunakan salah.
•Mengganti dengan Ohmic model.

Copyright © Wondershare Software

Perhitungan dari VDS sama dengan VCE pada
Bipolar transistor yang berbeda hanya
simbol yg digunakan :
VDS=VDD-(ID*RD)
Penganalogian JFET sama dengan Bipolar
Transistor. Sehingga proses perhitungan
pada JFET sama dengan Bipolar Transistor.

Copyright © Wondershare Software

Dalam gambar RD =
3,6Kohm. Jk VGS = 0,
berapa drain source
voltage ?

Copyright © Wondershare Software

Asumsikan JFET bekerja pd sumber arus krn
tegangan gate=0, mk drain current berada pd
nilai maksimum yaitu 10mA
VDS=10V - (10mA x 3,6KΩ)= - 26V
Nilai VDS tdk mungkin negatif (-), berarti JFET
bekerja di daerah Ohmic Region, shg langkah
selanjutnya kita harus mencari RDS
RDS = (4V/10mA) = 400Ω

Copyright © Wondershare Software

Dari gambar di atas VDS
dapat dicari dengan :
400
V DS  x10V  1V
3,6 K  400

Copyright © Wondershare Software

THE DEPLETION-MODE MOSFE
T

Copyright © Wondershare Software

 TRANSISTOR MOSFET

 Mirip seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki

drain, source dan gate.
 Perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate
terbuat dari bahan metal seperti aluminium shg dinamakan metal-
oxide. Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut
juga IGFET yaitu insulated-gate FET.

Copyright © Wondershare Software

 JENIS MOSFET
1. Depletion-mode (saat VGS antara VGS (off) - 0)
2. Enhancement-mode (VGS>0). 

Copyright © Wondershare Software

 Depletion-mode

 Gambar berikut
menunjukkan struktur
dari transistor jenis ini.
Pada sebuah kanal
semikonduktor tipe n
terdapat
semikonduktor tipe p
dengan menyisakan
sedikit celah. Dengan
demikian diharapkan
elektron akan
mengalir dari source
menuju drain melalui
celah sempit ini.

Copyright © Wondershare Software

 Depletion-Mode

• Dengan menghubung singkat subtrat p dengan  

source diharapkan ketebalan lapisan deplesi
yang terbentuk antara subtrat dengan kanal
adalah maksimum. Sehingga ketebalan lapisan
deplesi selanjutnya hanya akan ditentukan oleh
tegangan gate terhadap source. Pada gambar,
lapisan deplesi yang dimaksud  ditunjukkan
pada daerah yang berwarna kuning. 

Copyright © Wondershare Software

 Depletion-mode

 Semakin negatif tegangan gate  terhadap source, akan

semakin kecil arus drain yang bisa lewat atau bahkan
menjadi 0 pada tegangan negatif tertentu. Karena lapisan
deplesi telah menutup kanal.
 Jika tegangan gate dinaikkan sama dengan tegangan
source, arus akan mengalir. Karena lapisan deplesi mulai
membuka.

Simbol Skematik D-
Mosfet

Copyright © Wondershare Software

 Dari kurva ini terlihat jelas bahwa transistor
MOSFET depletion-mode dapat bekerja (ON)
mulai dari tegangan VGS negatif sampai positif

Copyright © Wondershare Software

 Terdapat dua daerah kerja

 daerah saturasi
dimana resistansi drain-source adalah fungsi dari : 
RDS(on) =  VDS/IDS   
 daerah ohmic
Jika tegangan VGS tetap dan VDS terus dinaikkan,
transistor selanjutnya akan berada pada daerah
saturasi. Jika keadaan ini tercapai, arus IDS
adalah konstan. 
 Daerah aplikasi sama dengan JFET yaitu current source dan
resistansi.
 Analisa depletion mode MOSFET identik dgn JFET

Copyright © Wondershare Software

ENHANCEMENT-MODE MOSFET

Copyright © Wondershare Software

Gambar menunjukan peningkatan N-
channel dan polaritas bias normal.
Zat meluas menuju silikon dioxide, tdk
ada perpanjangan kanal N antara Source
dan drain.
Saat tegangan gate = 0, VDD memaksa
elektron bebas dr Source menuju Drain.
E-MOSFET scr normal off saat tegangan
Gate = 0 (berbeda dgn JFET dan D-
MOSFET).
Saat Gate cukup positif memberikn
elektron bebas menuju daerah p.
elektron bebas berkombinasi dgn hole
menuju silikon dioxida mengalir dr
Source menuju Drain.

Copyright © Wondershare Software

• Tegangan VGS yg menghasilkn lapisan inversi tipe n disebut :
threshold voltage (VGS(th)).
• Saat VGS < VGS(th), arus ID=0.
• Saat VGS > VGS(th), lapisan inversi tipe n menghubungkn Source
menuju Drain dan arus ID besar.
• JFET dan D-MOSFET dikelompokkn sbg komponen depletion krn
konduktivitasnya tergantung pd aksi lapisan deplesi. Scr normal
"on" tegangan Gate = 0.
• E-MOSFET dikelompokkn pd komponen enhancement
konduktivitasnya trgantung pd aksi lapisan inversi tipe n. Scr
normal "on" saat tegangan Gate = 0.

Copyright © Wondershare Software

 Gambar a mununjukan kurva drain
untuk E- MOSFET dan kurva
transkonduktansi (operasi titik jenuh).
Kurva trbawah adlh kurva VGS(th).
Saat VGS > VGS(th) komponen “on” dan
arus ID dikontrol tegangan Gate.
Bagian yg hampir vertikal berhubungn
menuju daerah ohmic.
Bagian horisontal berhubungn menuju
daerah sumber arus.
E- MOSFET dpt beroperasi pd 2 daerah
tsb.

Rumus dr kurva transkonduk tan si :

I D  k (VGS  VGS (th ) ) 2
k  kons tan ta tergantung bahan MOSFET
data sheet E  MOSFET menyertakan ID(on),VGS (on),VGS (th)

Copyright © Wondershare Software

 Utk JFET dan D - MOSFET
parameter yg penting adlh
IDSS dan VGS(off).
Utk E – MOSFET parameter
yg penting adlh ID(ON),
VGS(th) dan VGS(ON)

Gambar a : n - channel
Gambar b : p - channel

Copyright © Wondershare Software

• Dari rumus di atas kita melakukan substitusi shg rumus mjd :

dimana

Copyright © Wondershare Software

Gambar kurva diatas menunjukan
pengosongan ideal
,untuk perangkat tambahan mode mosfet

Copyright © Wondershare Software

Kurva Ideal E- MOSFET

• Kurva ideal menunjukkn :

– Tdk ada daaerah breakdown
– Kurva drain menuju ke atas utk menghasilkn garis
tunggal mendekati vertikal
– Kurva drain mendekati horisontal trdapat pd daerah
current source.

Copyright © Wondershare Software

• Kurva drain ideal = kurva depletion mode
kecuali utk kurva knee voltage (V‘k)
• V’K= proportional knee voltage
• V’K=IDxRDS
• Cara menentukan titik pengoperasian E-
MOSFET
1. Hitung V’k
2. Jk VDS > V’k gunakan rangkaian pengganti current
source.
3. Jk VDS < V’k gunakan rangkaian pengganti ohmic.

Copyright © Wondershare Software

Gambar rangkaian equivalent ideal untuk daerah sumber arus

Gambar rangkaian equivalent ideal untuk daerah ohmic

Copyright © Wondershare Software

Passive loads Switching E-MOSFET

+VDD RD=passive load

VGS(th) = 2V
RD ID(on)=3mA
vout VGS(on)=1V
RDS=1KΩ
vin VG<threshold, mk MOSFET
mati, Vout =VDD
VG>threshold, MOSFET on,
Passive load MOSFET bekerja di daerah
ohmic.
Vout
=(RDS/RDS+RD)xVDD

Copyright © Wondershare Software

Active loads Switching E-MOSFET
Saat tegangan gate <
tegangan threshold, lower
+VDD MOSFET mati.
Selama upper MOSFET
Q1=active load mempunyai tegangan
vout gate tinggi akan
mengaktifkan dan output
Q2 = tegangan supply.
vin
Active load Vout=(VDD/
(RDS+rDS(on))xrDS(on)
(for Q1, VGS = VDS)
RDS=VD(on)/ID(on)
VG Q1> tegangan threshold mk Q1”on”
VG Q2<tegangan threshold mk Q2 “off,” Vout rDS=0,1xRDS atau dr
= VDD data sheet rDS(on) <
VGQ2>tegangan threshold mk Q2 “on”, 0,1xRDS
Vout=0

Copyright © Wondershare Software

VGS = VDS produces a two-terminal curve
+15 V

+10 V
ID
VGS

+5 V

5V 10 V 15 V
VDS
Copyright © Wondershare Software
Active loading in a digital inverter
+VDD
VDS(active)
RDQ1 =
ID(active) Q1
+VDD
vout
0V
+VDD Q2
vin
0V

It’s desirable that RDSQ2(on) << RDQ1.

(The ideal output swings from 0 volts to +VDD.)

Copyright © Wondershare Software
Complementary MOS (CMOS) inverter

+VDD

Q1 (p-channel)
+VDD +VDD
vin vout
0V 0V
Q2 (n-channel)

PD(static)  0

Copyright © Wondershare Software

CMOS inverter input-output graph

vout

VDD

VDD Crossover point

2 PD(dynamic)  0

vin
VDD VDD
2
Copyright © Wondershare Software
 High-power EMOS

• Use different channel geometries to extend

ratings
• Brand names such as VMOS, TMOS and
hexFET
• No thermal runaway
• Can operate in parallel without current
hogging
• Faster switching due to no minority carriers

Copyright © Wondershare Software

 dc-to-ac converter

vac

+VGS(on)
Power
FET
0V

Copyright © Wondershare Software

 dc-to-dc converter

vdc

+VGS(on)
Power
FET
0V

Copyright © Wondershare Software