Pertemuan - 10 - (Field Effect Transistor)

hendroagungs.blogspot.
com
Elektronika Dasar
Pertemuan Ke-10
FET (Field Effect Transistor)

Transistor Efek Medan
1
hendroagungs.blogspot.com
Ideal Voltage-Controlled Current Source

 Representasi :
 Karakteristik Volt Ampere :
V22
RL
2
Junction Field Effect Transistor

 Simbol :  Simbol :
 JFET Kanal n  JFET Kanal p
 Karakteristik Volt Ampere JFET
3
 4 Kondisi operasi dari JFET :

1. Kondisi Non saturasi (Ohmic Region)
2. Kondisi saturasi (pinch off region)
3. Kondisi Breakdown
4. Kondisi Cutoff
4

 JFET pada kondisi Non saturasi (ohmic region)
 Berlaku :
W 
I D  AqN D  n E x  2bWqN D  n  2bqN D  n  
L
 Dimana :
2b = sisa lebar kanal setelah ada
depletion region
W = lebar
L = Panjang kanal
 Pada kondisi ini JFET akan berperilaku seperti resistor yang nilainya
bergantung pada VGS
 ID bergantung pada W/L yang disebut sebagai faktor skala arus dari JFET
 Rasio perbandingan VDS  rDS (ON ) disebut sebagai ON drain resistance ,
ID
untuk VGS = 0 maka b=a dan berlaku :

1 L
rDS (ON )   
2aqN D  n  W 
5

 JFET pada kondisi Saturasi (Pinch off region)
 Jika |VGS |< |VP| dan diberikan tegangan pada drain – source (VDS) maka :
 VDS akan menimbulkan medan listrik Ex sepanjang x yang mengakibatkan lebar kanal
b(x) akan mengecil.
 Pada kondisi ini maka Densitas arus (J) pada JFET :
ID
J
2b( x)
 Dari persamaan diatas dapat dilihat bahwa selama |VGS| < |VP| maka total pinch-off
(b=0) tidak dapat terjadi karena akan mengakibatkan densitas arus yang tak
terhingga.
 Karakteristik volt ampere JFET pada daerah saturasi menunjukkan bahwa nilai
ID relatif konstan sehingga dapat disimpulkan bahwa JFET tidak berperilaku
sebagai resistor seperti pada daerah non saturasi.
 Saturasi pada JFET mengandung pengertian bahwa terdapat pembatasan
jumlah muatan yang yang dipindahkan sehingga ID nilainya relatif konstan.
 Karena nilai arus ID relatif konstan maka JFET dapat digambarkan seperti
sumber arus tak bebas yang dikendalikan oleh tegangan.
dimana : VGS = v1 ; i2 = ID dan VDS = v2 (lihat gambar ideal voltage –
controlled curren source)
6

 JFET pada kondisi breakdown
 Nilai tegangan maksimum yang dapat diberikan pada JFET adalah nilai
tegangan minimum yang akan mengakibatkan avalanche breakdown.
 Dari karakteristik volt ampere JFET dapat diketahui bahwa untuk nilai reverse
biased VGS yang semakin besar maka kondisi breakdown terjadi untuk nilai VDS
yang lebih rendah.
 JFET pada kondisi cutoff
 Pada kondisi ini maka JFET akan berperilaku seperti open switch
 Pada kondisi tegangan |VGS| > |VP|, maka ID ≈ 0 dan VDS dapat bernilai besar.
 Karakteristik Volt Ampere JFET Kanal N
7
Karakteristik Volt Ampere JFET Kanal n

 Karakteristik fungsi transfer VGS dan ID JFET Kanal N:
2
 V 
I D  I DSS 1  GS 
 Dimana :  VP 
 ID = Arus drain
 IDSS = arus drain pada JFET dalam kondisi saturasi dengan terminal Gate dan
Source di hubung singkat (short circuit)
ID
IDSS
VP
-VGS
Karakteristik VGS ID Pada JFET Kanal n

8
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

 Bagan Depletion MOSFET
 Depletion MOSFET kanal N
S G D(+)
body
Silikon
---------
n --------- n Dioksida
(SiO2)
Kanal n
substrat tipe p
 Fungsi dari oksida logam (misal : silikon dioksida) adalah berfungsi

sebagai isolator dan memungkinkan pengendalian karakteristik dari kanal
melalui medan listrik yang timbul karena adanya beda potensial antara
gate dengan semikonduktor.
9

 Simbol :
D
G substrat
S
Depletion Mosfet tipe N
(Depletion NMOS)
G substrat
S
Depletion Mosfet tipe P
(Depletion PMOS)
10

S G D(+) S G(-) D (+)
body body
Silikon
Dioksida
--------- (SiO2) ---------
n --------- n n --- n
Kanal n Kanal n
substrat tipe p substrat tipe p
 Depletion Mosfet kanal n (Depletion NMOS)

 Mode Pengosongan (Depletion)
 Dari bagan dapat dilihat bahwa bila tegangan VGS semakin negatif maka jumlah
muatan dalam kanal akan berkurang sebagai akibat terbentuknya lapisan
pengosongan pada kanal
 Nilai VGS negatif yang terbesar yang menyebabkan kanal dikosongkan secara
total disebut tegangan threshold (VT). Kondisi ini serupa dengan kondisi “pinch-
off” pada JFET
 Untuk suatu nilai negatif VGS dan (|VGS| < |VT|), maka peningkatan tegangan
VDS akan menyebabkan MOSFET berada dalam kondisi saturasi dan I D akan
relatif konstan dan ID < IDSS (Arus ID pada saat Gate dan Source dihubung
singkat)
11

 Depletion MOSFET kanal n (Depletion NMOS)
 Mode Peningkatan (Enhancement)
 Pada model ini maka VGS akan diberikan tegangan positif sehingga jumlah
muatan dalam kanal akan bertambah.
 Untuk suatu nilai VGS positif, peningkatan tegangan VDS akan menyebabkan
MOSFET berada dalam kondisi saturasi dan arus ID akan relatif konstan dan ID
> IDSS (Arus ID pada kondisi Gate dan source dihubung singkat)
S G D(+) S G(+) D (+)

body body
Silikon
Dioksida
--------- (SiO2) ---------
n --------- n n -- -- -- - - - - - - n
Kanal n Kanal n
12

 Karakteristik Volt Ampere MOSFET kanal N (Depletion NMOS)
W  2 • Kondisi Non Saturasi :
ID (μA)
ID  k VDS
L 
VGS=+2,0
W 

I D  k   2VGS  VT VDS  VDS
L
2

300
+1,5 • Kondisi Saturasi :
250
W 
ID  k VGS  VT   I DS
200 Enhancement 2
+1,0
150 L 
+0,5 Dimana :
100 k = process parameter
0
-0,5
L = Panjang kanal
50
VGS=-1,0 Depletion W = Lebar kanal dengan panjang
kanal L
1 2 3 4 5 6 VDS (V)
 MOSFET :
 Jenis : Depletion MOSFET kanal n (Depletion NMOS)
 k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = -2 V
 Asumsi : channel length modulasi diabaikan sehingga nilai I D
konstan pada kondisi saturasi 13

 Karakteristik Fungsi transfer VGS dan ID Depletion MOSFET kanal N
ID (μA)
Depletion Enhancement
• Kondisi VGS < VT :
300 • ID ≈ 0
250
• Kondisi VGS > VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≥ 0
W 
200
150 I
• D  k  (VGS  VT )
2
L
100 Dimana :
IDSS k = process parameter
50
VT L = Panjang kanal
VGS (V) W = Lebar kanal dengan panjang
-3 -2 -1 1 2 3
kanal L
 MOSFET:
 Depletion MOSFET kanal n (Depletion NMOS)
 k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = -2 V
14

 Enhancement MOSFET
 Bagan Enhancement MOSFET
S G D S G D
body body
Silikon
Dioksida
L L
Region tipe n Region tipe p

substrat tipe p substrat tipe n
 Simbol :
D D
B B
G substrat G substrat
S S
Enhancement Mosfet tipe N Enhancement Mosfet tipe P
(Enhancement NMOS) (Enhancement PMOS)
15

 Enhancement MOSFET kanal N (Enhancement PMOS)
B S G (+) D B S G (+) D (+)
(body) (body)
Silikon
Dioksida
--------- ---------
--------- ----
Region tipe n Region tipe n

 Enhancement MOSFET Kanal n (Enhancement NMOS)
 Tegangan positif pada Gate akan menginduksikan muatan negatif pada
permukaan semikonduktor dan membentuk “lapisan inversi” yang kemudian
membentuk kanal n, jika tegangan positif pada Gate lebih besar dari tegangan
threshold VT.
 Jika diberikan tegangan pada Drain (VDS > 0)maka arus ID akan mengalir
melalui kanal.
 Jika besar VDS bertambah maka beda potensial antara gate dan drain akan
berkurang sehingga akan mengurangi konduktivitas dekat daerah drain, pada
kondisi ini maka Enhancement MOSFET akan masuk pada daerah saturasi.
 Pada daerah saturasi nilai ID akan relatif konstan untuk penambahan nilai VDS.
16

 Karakteristik Fungsi Transfer VGS dan ID Enhancement MOSFET kanal n
(Enhancement NMOS)
ID (μA)
• Kondisi VGS < VT :
• ID ≈ 0
300
• Kondisi VGS > VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≥ 0 :
250
W 
• I D  k  (VGS  VT )
2
200
150 L
Dimana :
100 k = process parameter
L = Panjang kanal
50
VT W = Lebar kanal dengan panjang
VGS (V) kanal L
1 2 3 4 5 6
 Mosfet memiliki :
 Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
 k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = 2 V
konstan pada saturasi
17

 Karakteristik Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
• Kondisi Non Saturasi :
ID (μA)
Ohmic Region Saturation
300
VGS=6,0 W  2
I D  k  VDS
W 
L

2

L
250
5,5
• Kondisi Saturasi :
W 
VGS  VT   I DS
200
ID  k
50
5,0 2
150
4,5
L 
Dimana :
100
4
VGS=2 V k = process parameter
50 3,5 L = Panjang kanal
W = Lebar kanal dengan panjang
VGS= 3,0
1 2 3 4 5 6 kanal L
VDS (V)
 Mosfet memiliki :
 Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
 k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = 2 V
konstan pada saturasi 18

 Kanal N (Enhancement NMOS)
 Dari bagan dan karakteristik volt ampere dapat diketahui bahwa :
 Lapisan inversi (kanal) pada VDS = 0 hanya akan muncul jika VGS > VT. Pada VGS <
VT lapisan inversi tersebut tidak akan tersedia dan ID = 0, sehingga VT adalah serupa
dengan tegangan pinch off pada JFET. Kondisi I D =0 karena VGS < VT adalah kondisi
cut off dari MOSFET.
 Pada kondisi non saturasi (ohmic) maka :
 (VGS – VT > VDS) atau (VGD = VGS – VDS > VT)

W 

L
2

Dimana :

  n Co 
k = process parameter =  
 2 
L = Panjang kanal
W = Lebar kanal dengan panjang kanal L
μn = mobilitas elektron
Co = gate capacitance (kapasitansi gerbang) per unit area
19

 Kanal n (Enhancement NMOS)
 Pada daerah saturasi :
 0 < VGS – VT < VDS
 ID cenderung konstan dan tidak bergantung pada nilai V DS, dan hanya
bergantung pada tegangan pengendali (VGS – VT) atau :
W 
I D  k  VGS  VT   I DS
2

L
 Garis pembatas daerah ohmic dan saturasi
terjadi pada VDS = VGS – VT dan besar
ID pada tegangan VDS ini adalah :
W  2
W  2 I D  k  VDS
 ID  k VDS L
L 
20

 Karakteristik Enhancement MOSFET kanal P (Enhancement PMOS)
ID (mA)
-50 • Kondisi VGS > VT :

• ID ≈ 0
-40
-30
• Kondisi VGS < VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≤ 0 :
W 
• I D   k  (VGS  VT )
2
-20
20
L
-10 Dimana :
VT k = process parameter
-4 -8 -12 -16 -20
VGS (V) L = Panjang kanal
kanal L
 Dari kurva karakteristik dapat dilihat bahwa PMOS serupa dengan NMOS
dengan polaritas VDS dan IDS yang terbalik, dan pembawa muatan dalam
PMOS adalah hole.
21

 Karakteristik Enhancement MOSFET kanal P (Enhancement PMOS)
ID (mA) • Kondisi Non Saturasi :
Ohmic Region Saturation
VGS=-20
W 

I D  k   2VGS  VT VDS  VDS
L
2

-40
-18 • Kondisi Saturasi :
-30
W 
VGS  VT   I DS
-16
I D  k 
2
-20 -14
L 
-12 Dimana :
-10 -10
VGS=-4 V
k = process parameter
-8 L = Panjang kanal
VGS= -6
VDS (V)
-10 -20 -30 -40 kanal L
 Dari kurva karakteristik dapat dilihat bahwa PMOS serupa dengan NMOS
dengan polaritas VDS dan IDS yang terbalik, dan pembawa muatan dalam
PMOS adalah hole.
22

Pertemuan - 10 - (Field Effect Transistor)

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Deskripsi Asli:

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Pertemuan - 10 - (Field Effect Transistor)

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

hendroagungs.blogspot.

FET (Field Effect Transistor)

Ideal Voltage-Controlled Current Source

 Karakteristik Volt Ampere :

Junction Field Effect Transistor

 Karakteristik Volt Ampere JFET

Junction Field Effect Transistor

 4 Kondisi operasi dari JFET :

Junction Field Effect Transistor

untuk VGS = 0 maka b=a dan berlaku :

Junction Field Effect Transistor

Junction Field Effect Transistor

Junction Field Effect Transistor

Karakteristik VGS ID Pada JFET Kanal n

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

 Fungsi dari oksida logam (misal : silikon dioksida) adalah berfungsi

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

 Depletion Mosfet kanal n (Depletion NMOS)

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

S G D(+) S G(+) D (+)

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Region tipe n Region tipe p

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Region tipe n Region tipe n

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

-50 • Kondisi VGS > VT :

Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Anda mungkin juga menyukai