PPT ELEKTRONIKA DASAR 1

JFET & MOSFET

LASTRI YULIANTI
19033036

1
 Ideal Voltage-Controlled Current Source
 Representasi :

 Karakteristik Volt Ampere :

V22
RL

2
 Junction Field Effect Transistor
 Simbol :  Simbol :
 JFET Kanal n  JFET Kanal p

 Karakteristik Volt Ampere JFET

3
 Junction Field Effect Transistor

 4 Kondisi operasi dari JFET :

1. Kondisi Non saturasi (Ohmic Region)
2. Kondisi saturasi (pinch off region)
3. Kondisi Breakdown
4. Kondisi Cutoff

4
 Junction Field Effect Transistor
 JFET pada kondisi Non saturasi (ohmic region)
 Berlaku :

I D  AqN D n Ex  2bWqND n  2bqND n L 

W

 Dimana :
2b = sisa lebar kanal setelah ada
depletion region
W= lebar
L = Panjang kanal
 Pada kondisi ini JFET akan berperilaku seperti resistor yang nilainya
bergantung pada VGS
 ID bergantung pada W/L yang disebut sebagai faktor skala arus dari
 JFET perbandingan
Rasio VDSr
DS disebut sebagai ON drain
ID (ON )
resistance ,
untuk VGS = 0 maka b=a dan berlaku :
1
L 
rDS (ON )   
2aqN D n  W  5
 Junction Field Effect Transistor
 JFET pada kondisi Saturasi (Pinch off region)
 Jika |VGS |< |VP| dan diberikan tegangan pada drain – source (VDS) maka :
 VDS akan menimbulkan medan listrik Ex sepanjang x yang mengakibatkan lebar kanal
b(x) akan mengecil.
 Pada kondisi ini maka Densitas arus (J) pada JFET :
ID
J
2b(x)
 Dari persamaan diatas dapat dilihat bahwa selama |VGS| < |VP| maka total pinch-off
(b=0) tidak dapat terjadi karena akan mengakibatkan densitas arus yang tak
terhingga.
 Karakteristik volt ampere JFET pada daerah saturasi menunjukkan bahwa nilai
ID relatif konstan sehingga dapat disimpulkan bahwa JFET tidak berperilaku
sebagai resistor seperti pada daerah non saturasi.
 Saturasi pada JFET mengandung pengertian bahwa terdapat pembatasan
jumlah muatan yang yang dipindahkan sehingga ID nilainya relatif konstan.
 Karena nilai arus ID relatif konstan maka JFET dapat digambarkan seperti
sumber arus tak bebas yang dikendalikan oleh tegangan.
dimana : VGS = v1 ; i2 = ID dan VDS = v2 (lihat gambar ideal
voltage – controlled curren source)

6
 Junction Field Effect Transistor
 JFET pada kondisi breakdown
 Nilai tegangan maksimum yang dapat diberikan pada JFET adalah nilai
tegangan minimum yang akan mengakibatkan avalanche breakdown.
 Dari karakteristik volt ampere JFET dapat diketahui bahwa untuk nilai reverse
biased VGS yang semakin besar maka kondisi breakdown terjadi untuk
nilai VDS yang lebih rendah.
 JFET pada kondisi cutoff
 Pada kondisi ini maka JFET akan berperilaku seperti open switch
 Pada kondisi tegangan |VGS| > |VP|, maka ID ≈ 0 dan VDS dapat bernilai besar.
 Karakteristik Volt Ampere JFET Kanal N

7
Karakteristik Volt Ampere JFET Kanal n
 Junction Field Effect Transistor
 Karakteristik fungsi transfer VGS dan ID JFET Kanal N:

 V 2
I D  IDSS  1 GSVP
 Dimana :  
 ID = Arus drain
 IDSS = arus drain pada JFET dalam kondisi saturasi dengan terminal Gate dan
Source di hubung singkat (short circuit)

ID

IDSS

VP

-VGS

Karakteristik VGS ID Pada JFET Kanal n

8
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Bagan Depletion MOSFET
 Depletion MOSFET kanal N
S G D(+)
body

Silikon
---------
n --------- n Dioksida
(SiO2)

Kanal n
substrat tipe p

 Fungsi dari oksida logam (misal : silikon dioksida) adalah berfungsi

sebagai isolator dan memungkinkan pengendalian karakteristik dari kanal
melalui medan listrik yang timbul karena adanya beda potensial antara
gate dengan semikonduktor.

9
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Simbol :
D

G substrat

S
Depletion Mosfet tipe N
(Depletion NMOS)

G substrat

S
Depletion Mosfet tipe P
(Depletion PMOS)

10
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
S G D(+) S G(-) D (+)
body
body

Silikon
Dioksida
--------- (SiO2) ---------
n --------- n n --- n

Kanal n Kanal n
substrat tipe p substrat tipe p

 Depletion Mosfet kanal n (Depletion NMOS)

 Mode Pengosongan (Depletion)
 Dari bagan dapat dilihat bahwa bila tegangan VGS semakin negatif maka jumlah
muatan dalam kanal akan berkurang sebagai akibat terbentuknya lapisan
pengosongan pada kanal
 Nilai VGS negatif yang terbesar yang menyebabkan kanal dikosongkan secara
total disebut tegangan threshold (VT). Kondisi ini serupa dengan kondisi “pinch-
off” pada JFET
 Untuk suatu nilai negatif VGS dan (|VGS| < |VT|), maka peningkatan tegangan
VDS akan menyebabkan MOSFET berada dalam kondisi saturasi dan ID akan
relatif konstan dan ID < IDSS (Arus ID pada saat Gate dan Source dihubung
singkat)
11
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Depletion MOSFET kanal n (Depletion NMOS)
 Mode Peningkatan (Enhancement)
 Pada model ini maka VGS akan diberikan tegangan positif sehingga jumlah
muatan dalam kanal akan bertambah.
 Untuk suatu nilai VGS positif, peningkatan tegangan VDS akan menyebabkan
MOSFET berada dalam kondisi saturasi dan arus ID akan relatif konstan dan ID
> IDSS (Arus ID pada kondisi Gate dan source dihubung singkat)

S G D(+) S G(+) D (+)

body body

Silikon
Dioksida
(SiO2) ---------
n --------- n n n

Kanal n Kanal n
substrat tipe p substrat tipe p

12
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Karakteristik Volt Ampere MOSFET kanal N (Depletion NMOS)
• Kondisi Non Saturasi :
ID (μA)
I D  k  W  VDS 2
2  L 
I D  k  W  2 V   
300
VGS=+2,0

 L  GS VT VDS VDS

+1,5 • Kondisi Saturasi :
250

 k  VGS VT
200 Enhancement W 2
 I DS
+1,0 ID
L 
150
+0,5 
Dimana :
100 k = process parameter
0
-0,5
L = Panjang kanal
50
VGS=- Depletion W = Lebar kanal dengan panjang
1,0 kanal L
VDS (V)
1 2 3 4 5 6
 MOSFET :
 Jenis : Depletion MOSFET kanal n (Depletion NMOS)
 k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = -2 V
 Asumsi : channel length modulasi diabaikan sehingga nilai ID
konstan pada kondisi saturasi 13
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Karakteristik Fungsi transfer VGS dan ID Depletion MOSFET kanal N
ID (μA)

Depletion Enhancement
• Kondisi VGS < VT :
300 • ID ≈ 0
250
• Kondisi VGS > VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≥ 0
200

150 • I D  k  W (VGS VT ) 2

L
100 Dimana :
IDSS
k = process parameter
50
VT L = Panjang kanal
VGS (V) W = Lebar kanal dengan panjang
1 2 3
-3 -2 -1 kanal L

 MOSFET:
 Depletion MOSFET kanal n (Depletion NMOS)
 k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = -2 V
14
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Enhancement MOSFET
 Bagan Enhancement MOSFET
S G D
S
body body

G
Silikon
Dioksida
D
L L

Region tipe n Region tipe p

substrat tipe p substrat tipe n

 Simbol :
D D

B B

G substrat G substrat

S S
Enhancement Mosfet tipe N Enhancement Mosfet tipe P
(Enhancement NMOS) (Enhancement PMOS)

15
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Enhancement MOSFET kanal N (Enhancement PMOS)
B S G D B S G (+) D (+)
(+) (body)
(body)

Silikon
Dioksida
--------- ---------
--------- ----

Region tipe n

Region tipe n
substrat tipe p substrat tipe p
 Enhancement MOSFET Kanal n (Enhancement NMOS)
 Tegangan positif pada Gate akan menginduksikan muatan negatif pada
permukaan semikonduktor dan membentuk “lapisan inversi” yang
kemudian membentuk kanal n, jika tegangan positif pada Gate lebih besar
dari tegangan threshold VT.
 Jika diberikan tegangan pada Drain (VDS > 0)maka arus ID akan mengalir
melalui kanal.
 Jika besar VDS bertambah maka beda potensial antara gate dan drain akan
berkurang sehingga akan mengurangi konduktivitas dekat daerah drain, pada
kondisi ini maka Enhancement MOSFET akan masuk pada daerah saturasi.
 Pada daerah saturasi nilai ID akan relatif konstan untuk penambahan nilai VDS.
16
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Karakteristik Fungsi Transfer VGS dan ID Enhancement MOSFET
kanal n (Enhancement NMOS)
ID (μA)
• Kondisi VGS < VT :
• ID ≈ 0
300

250
• Kondisi VGS > VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≥ 0 :
200 • I D   W (VGS VT ) 2

150 k L
Dimana :
100 k = process parameter
L = Panjang kanal
50
VT W = Lebar kanal dengan panjang
VGS (V) kanal L
1 2 3 4 5 6

 Mosfet memiliki :
 Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
 k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = 2 V
 Asumsi : channel length modulasi diabaikan sehingga nilai ID
konstan pada saturasi
17
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Karakteristik Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
• Kondisi Non Saturasi :
ID (μA)
Ohmic Region Saturation 2

VGS=6,0
I D  k  W 
2 ID  k
W 
2V VT VDS VDS
  GS
300
5,5 L
VDS L
• Kondisi Saturasi :

250

200
I D  k VGS VT 
W 2
 IDS
5,0

150
Dimana :  
4,5 L
100
4
VGS=2 V k = process parameter
50 3,5 L = Panjang kanal
VGS=
3,0 W = Lebar kanal dengan panjang
kanal L
VDS (V)
1 2 3 4 5 6

 Mosfet memiliki :
 Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
 k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = 2 V
 Asumsi : channel length modulasi diabaikan sehingga nilai ID
konstan pada saturasi 18
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Enhancement MOSFET
 Kanal N (Enhancement NMOS)
 Dari bagan dan karakteristik volt ampere dapat diketahui bahwa :
 Lapisan inversi (kanal) pada VDS = 0 hanya akan muncul jika VGS > VT. Pada VGS < VT
lapisan inversi tersebut tidak akan tersedia dan ID = 0, sehingga VT adalah serupa
dengan tegangan pinch off pada JFET. Kondisi ID =0 karena VGS < VT adalah kondisi
cut off dari MOSFET.
 Pada kondisi non saturasi (ohmic) maka :
 (VGS – VT > VDS) atau (VGD = VGS – VDS > VT) 2

 ID 
W 
  GS

2V VT VDS VDS
k L 
 Dimana :
n C o 
 
k = process parameter =
 2 
L = Panjang kanal
W = Lebar kanal dengan panjang kanal L
μn = mobilitas elektron
Co = gate capacitance (kapasitansi
gerbang) per unit area
19
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Enhancement MOSFET
 Kanal n (Enhancement NMOS)
 Pada daerah saturasi :
 0 < VGS – VT < VDS
 ID cenderung konstan dan tidak bergantung pada nilai VDS, dan hanya
bergantung pada tegangan pengendali (VGS – VT) atau :

W
I D  k  VGS VT 
2

 IDS
L 
 Garis pembatas daerah ohmic dan saturasi
terjadi pada VDS = VGS – VT dan besar
ID pada tegangan VDS ini adalah :
I D  k W  VDS 2
 I D   W VDS 2  L 
k  L 

20
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Karakteristik Enhancement MOSFET kanal P (Enhancement PMOS)
ID (mA)

-50 • Kondisi VGS > VT :

• ID ≈ 0
-40

-30 • Kondisi VGS < VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≤ 0 :

-20 • I D  k  W (VGS VT ) 2

L
-10 Dimana :
VT k = process parameter
-4 -8 -12 -16 -20
VGS (V) L = Panjang kanal
W = Lebar kanal dengan panjang
kanal L

 Dari kurva karakteristik dapat dilihat bahwa PMOS serupa dengan NMOS
dengan polaritas VDS dan IDS yang terbalik, dan pembawa muatan dalam
PMOS adalah hole.

21
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
 Karakteristik Enhancement MOSFET kanal P (Enhancement PMOS)
ID (mA) • Kondisi Non Saturasi :
Ohmic Region Saturation
2

VGS=-20 I D  k
W 
2V VT VDS VDS
  GS
-40
-18
L
• Kondisi Saturasi :

-30
-16

I D  k VGS VT

W 2
 I DS
-20 -14

-12  : L
Dimana
-10 -
VGS =-4 V
k = process parameter
10
L = Panjang kanal
-
8
VDS (V)
W = Lebar kanal dengan panjang
-10 -20 -30 -40
VGS= -6
kanal L

 Dari kurva karakteristik dapat dilihat bahwa PMOS serupa dengan NMOS
dengan polaritas VDS dan IDS yang terbalik, dan pembawa muatan dalam
PMOS adalah hole.

22