MOSFET BEKERJA SEBAGAI SAKLAR/SWITCH

Transistor FET bekerja bergantung dari satu pembawa muatan, electron atau hole. Karena
hanya bergantung pada satu pembawa muatan saja, transistor ini disebut komponen unipolar.
Transistor FET memiliki impedansi input (input impedance) yang sangat besar. Terutama jika
digunakan sebagai switch karena resistansi dan disipasi dayanya yang kecil.

Transistor Mosfet

Mirip seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain, source dan
gate. Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Ada dua jenis MOSFET yaitu
depletion-mode dan enhancement-mode. Enchanment-mode adalah komponen utama dari
gerbang logika dalam bentuk IC (integrated circuit), uC (micro controller) dan uP (micro
processor).

A. Mosfet Depletion-Mode

Pada sebuah kanal semikonduktor tipe n terdapat semikonduktor tipe p (subtrat p dan
biasanya dihubung singkat dengan source) dengan menyisakan sedikit celah. Dengan demikian
diharapkan elektron akan mengalir dari source menuju drain melalui celah sempit ini.

Dengan menghubung singkat subtrat p dengan source maka ketebalan lapisan deplesi
antara substrat dengan kanal adalah maksimum. Lapisan deplesi ditunjukkan pada daerah yang
berwarna kuning.

Semakin negatif tegangan gate terhadap source, semakin kecil arus drain yang bisa lewat
atau bahkan 0 pada tegangan negatif tertentu. Sedangkan jika tegangan gate dinaikkan sama
dengan tegangan source, arus akan mengalir. Karena lapisan deplesi mulai membuka.

B. Mosfet Enhancement-Mode

Jika tegangan gate VGS dibuat negative atau VGS=0, arus elektron tidak dapat mengalir.
Maka dengan memberi tegangan VGS positif arus dapat mengalir. Tegangan positif
menyebabkan elektron tertarik ke arah subtrat p dan bergabung dengan hole yang ada pada
subtrat p.

Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan elektron menyebabkan terbentuknya
lapisan n yang negatif sehingga arus drain dan source dapat mengalir. Lapisan ini disebut
inversion layer. Karena subtratnya tipe p, maka lapisan inversion yang terbentuk adalah
bermuatan negatif atau tipe n.

Perbedaan utama prinsip kerja transitor MOSFET enhancement-mode dibandingkan

dengan JFET :

Jika pada tegangan VGS = 0 , transistor JFET sudah bekerja atau ON

transistor MOSFET enhancement-mode masih OFF

Karena transistor MOSFET umumnya digunakan sebagai saklar (switch), parameter

yang penting pada transistor E-MOSFET adalah resistansi drain-source. Biasanya pada datasheet
adalah resistansi saat transistor ON (RDS-on). Untuk aplikasi power switching, semakin kecil
resistansi RDS(on) maka semakin baik transistor tersebut. Karena akan memperkecil rugi-rugi
disipasi daya dalam bentuk panas.

Jika MOSFET dipakai sebagai saklar maka :

MOSFET bekerja pada titik-titik ekstrim dari kurva transfer.

MOSFET off bila vI < Vt bekerja pada titik antara X dan A dengan vO = VDD.
Saklar on dengan vI mendekati VDD bekerja mendekati titik C dengan vO sangat
kecil.

Jadi CS MOS dapat digunakan sebagai inverter logik dengan level tegangan low
mendekati o danhigh mendekati VDD.

Sifat switch dari MOSFET juga lebih unggul karena membutuhkan arus yang
sangat kecil untuk operasinya. Ada dua tipe MOSFET menurut tegangan kerjanya yaitu
nChannel MOSFET (nMOS) dan pChannel MOSFET (pMOS). Dimana nMOS bekerja
dengan memberikan tegangan positif pada gate, dan sebaliknya, pMOS bekerja dengan
memberikan tegangan negatif di gate.
nMOS berlaku sebagai switch dengan membuatnya bekerja di sekitar daerah
saturasinya. Daerah kerja dari nMOS dapat dilihat pada gambar berikut ini.
Penjelasan Saklar Analog

Garis beban FET digunakan sebagai saklar

FET beroperasi pada kedua tegangan (cutoff dan jenuh), dimana tegangan sumbat
(cutoff) sama dengan Vin dan arus jenuh sama dengan Vin/Rd
 Jika tidak ada kedua tegangan tersebut yang dibeikan maka Vgs = 0 dan FET jenuh, maka
bekerja sebagai resistansi kecil Rds(on)

Jika tegangan negatif yang besar diberikan sama dengan atau lebih besar dari Vgs(off)
maka FET bekerja pada titik cutoff sehingga resistansi menjadi besar

Untuk pendekatan pertama saklar cabang bekerja, jika saklar dibuka maka Vout=Vin.
Jika saklar ditutup maka Vout=0.

Untuk pendekatan kedua saklar cabang bekerja, jika saklar dibuka maka Vout=Vin. Jika
saklar ditutup maka Vout=Vin. [Rds(on)/(RD+Rds(on)]

D Mosfet

Dari kurva diatas terlihat jelas bahwa transistor D MOSFET dapat bekerja (ON) mulai
dari tegangan VGS negatif sampai positif

Terdapat dua daerah kerja, dimana resistansi drain-source adalah fungsi dari : RDS(on) =
VDS/IDS

Jika tegangan VGS tetap dan VDS terus dinaikkan, transistor selanjutnya berada pada
daerah saturasi. Jika keadaan ini tercapai, arus IDS adalah konstan. Maka akan ada
tegangan VGS(max) yang diperbolehkan. Namun jika lebih dari tegangan ini akan dapat
merusak isolasi gate yang tipis / merusak transistor itu sendiri.
E MOSFET

Dari kurva diatas terlihat jelas bahwa semua VGS bernilai positif. Garis kurva paling
bawah adalah garis kurva dimana transistor mulai ON. Tegangan pada garis kurva ini
disebut tegangan threshold VGS(th).

Parameter yang penting pada transistor E-MOSFET adalah resistansi drain-source, pada
datasheet adalah resistansi saat transistor ON atau RDS(on). Besar resistansi mulai dari
0.3 Ohm sampai puluhan Ohm

Untuk aplikasi power switching, semakin kecil resistansi RDS(on) maka semakin baik
transistor tersebut. Karena akan memperkecil rugi-rugi disipasi daya dalam bentuk panas.
Juga penting diketahui parameter arus drain maksimum ID(max) dan disipasi daya
maksimum PD(max).