MOSFET

Metal oxida Semiconductor Field effect Transistor atau MOSFET memiliki sebuah
sumber, gerbang dan saluran. Akan tetapi gerbang diisolasi oleh saluran. Oleh karena itu arus
gerbang lebih kecil dari pada JFET. MOSFET kadang-kadang disebut IGFET, yang
merupakan kepanjangan dari insulated gate FET.
Ada dua jenis MOSFET yaitu :
a. Depletion enhanchement MOSFET (DE-MOSFET)
b. Enhanchement MOSFET (E-MOSFET)

Di luar pengaplikasiannya DE-MOSFET jarang digunakan, yang sering digunakan adalah EMOSFET. Dalam rangkaian diskret, kegunaan utamanya adalah pensaklaran daya, yang
mengubah arus besar menjadi hidup dan mati. Dalam rangkaian terpadu, kegunaannya adalah
dalam pensaklaran digital proses dasar di belakang komputer moderen. DE-MOSFET adalah
semacam MOSFET yang dapat beroperasi dengan depletion action (aksi pengosongan) dan
enhanchement action (aksi peningkatan). E-MOSFET adalah semacam MOSFET yang
beroperasi dengan enhanchement action (aksi peningkatan) saja. Sesuai dengan kanalnya
DE-MOSFET dapat dibedakan menjadi DE-MOSFET kanal P dan kanal N, begitu juga
dengan E-MOSFET kanal P dan kanal N.

a. Cara Kerja DE-MOSFET dan E-MOSFET

Menjelaskan cara kerja DE-MOSFET dan E-MOSFET sebagai berikut :

Gambar 1. Rangkaian kerja DE-MOSFET

Gambar 1 diatas merupakan rangkaian kerja DE-MOSFET kanal N, dengan
tegangan positif maupun negatif yang diberikan pada gate tidak akan menyebabkan metal
oxida antara gate dan saluran. Bila gate diberi tegangan negatif, maka muatan negatif
pada gate ini akan menolak elektron-elektron yang ada pada saluran, sehingga arus Drain
ID akan berkurang. Pada tegangan gate tertentu, semua elektron bebas pada saluran akan
terusir, sehingga menyebabkan tidak mengalirnya arus Drain ID. Karena itu operasi
tegangan gate negatif disebut depletion action (aksi pengosongan).
Bila gate diberi tegangan positif, maka muatan positif ini akan menarik eklekronelektron bebas pada saluran antara gate dan substrat. Hal ini akan meningkatkan arus
Drain ID, karena itu operasi ini dinamakan enhanchement action (aksi peningkatan).
Karena itu MOSFET ini dapat beroperasi dengan depletion action dan enhanchement
action, maka MOSFET ini dikatakan DE-MOSFET (Depletion Enhanchement
MOSFET).

Gambar 2. Rangkaian kerja E-MOSFET

Cara kerja rangkaian E-MOSFET adalah Substrat (St) menutup seluruh jalan
(saluran) antara Source (S) dan Drain (D). E-MOSFET ini adalah sejenis MOSFET yang
hanya berkerja dengan aksi peningkatan saja. Pada saat VGS = nol, tidak ada Drain ID
yang mengalir walaupun VDD ada tegangannya, karena bahan P tidak mempunyai
pembawah muatan. Apabilah gate diberi tegangan positif yang cukup besar, maka akan
mengalirlah arus Drain ID. Bila gate mendapat tegangan positif maka akan terinduksi
yang ada pada bahan P tersebut. Selanjutnya bila tegangan positif pada gate dinaikkan
hingga mencapai suatu harga tertentu, maka elektron-elektron bebas akan membentuk
lapisan tipis yang berfungsi sebagai pembawa muatan yang mengakibatkan arus Drain ID
naik.
b. Drain-Source Dalam Hambatan
Ketika E-MOSFET dibiaskan di daerah ohmic, E-MOSFET sama dengan
hambatan RDS(on). Hampir semua lembar data akan menampilkan nilai dari hambatan ini
pada arus saluran dan tegangan gate-Source spesifik. Gambar menunjukkan ide ini. Ada
titik Qtest pada daerah ohmic kurva VGS= VGS(on). Pabrik mengukur ID(on) dan VDS(on)
pada titik Qtes. Dari sini, pabrik menghitung nilai RDS(on) menggunakan definisi berikut:

R DS

VDS (ON )
I D (ON )

Keterangan :
RDS : Tahanan Drain-Source
VDS : Tegangan Drain-Source
ID

: Arus Drain

Gambar 10. Pengukuran RDS(on)

Peranti

VGS(th)

VGS(on)

ID(on)

RDS(ON)

ID(max)

PD(max)

VN2406L

1,5 V

2,5 V

100mA

10

200mA

350mW

BS107

1,75 V

2,6 V

20mA

28

250mA

350mW

2V

4,5 V

75mA

200mA

350mW

2,5

200mA

7,5

300mA

1W

2N7000
VN10LM

MPF930

2,5

10

1A

0,9

2A

1W

IRFD120

10

600mA

0,3

1,3A

1W

Tabel 1. E-MOSFET sinyal kecil

c. Pembiasan di Daerah Ohmic

Dalam Gambar 17a, arus jenuh saluran pada rangkaian adalah:

I D ( sat )

VDD
RD

Keterangan :
RD

: Tahanan Drain

VDD

: Tegangan Drain

ID(sat)

: Arus Drain pada saat saturasi

Dan tegangan cut off saluran adalah VDD. Gambar 15b menunjukan garis beban

DC di antara arus jenuh ID(sat) dan tegangan cut off VDD. Ketika VGS = 0, titik Q berada
pada batas bahwa dari garis beban DC. Ketika VGS = VGS(on), titik Q pada batas atas dari
garis baban. , alat dibiaskan di daerah ohmic. Dengan cara lain, E-MOSFET dibiaskan di
daerah ohmic ketika memenuhi persyaratan :
I D ( sat ) I D (ON ) ketika VGS VGS (ON )

Keterangan :
RDS

: Tahanan Drain-Source

VGS

: Tegangan gate-Source

ID(sat)

: Arus Drain saat saturasi

Gambar 11. ID(sat) lebih kecil ID(on) dengan VGS = VGS(on) memastikan kejenuhan.
(Bermawi, Malvino)

Persamaan ini memberikan kita tahu apakah E-MOSFET sedang beroperasi di

daerah aktif atau daerah ohmic. Melihat rangkaian E-MOSFET, ketika dapat menghitung
ID(sat). jika ID(sat) lebih kecil dari ID(on) ketika VGS = VGS(on), kita akan mengetahui bahwa
alat dibiaskan di daerah ohmic dan ini sama dengan hambatan kecil.