TUGAS ELEKTRONIKA DASAR

UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA

NAMA : Rinaldy Dwi Agustian

NIM : 2203201
KELAS : PTM 1 A
FAKULTAS : FPTK
PRODI : Pendidikan Teknik Mesin
MATA KULIAH : Elektronika dasar
DOSEN PENGAMPU : Dr. Inu hardi kushumah, S.T., M.Pd.

MOSFET

 Mosfet Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)

Pada transistor mode depletion, antara drain

dan source
terdapat  saluran yang menghubungkan dua
terminal tersebut, dimana saluran tersebut
mempunyai fungsi sebgai saluran tempat
mengalirnya elektron bebas. Lebar dari
saluran itu sendiri dapat dikendalikan oleh tegangan  gerbang. Transistor MOSFET
mode pengosongan terdiri dari tipe–N dan tipe–P.

 PRA TEGANGAN MOSFET PENGOSONGAN

Oleh karena MOSFET jenis pengosongan dapat beroperasi dalam ragam pengosongan
maupun ragam pengisian, kita dapat menempatkan titik Q pada VGS = 0, seperti
diperlihatkan dalam gambar a. Selanjutnya, suatu sinyal masukan ac dapat
menghasilkan perubahan di atas dan dibawah titi Q.kemungkinan menggunakan
menggunakan VGS = 0 ini merupakan suatu keuntungan dalam masalah pemberian
prategangan. Hal ini memungkinkan suatu rangkaian prategangan yang khas dalam
Gambar b. Rangkaian yang sesederhana ini tidak memerlukan tegangan-gerbang atau
sumber. Oleh karena itu Vgs = 0 dan ID = IDSS. Tegangan dc dari penguras adalah :
VDS = VDD - IDSS RD
Prategangan nol dari gambar a adalah khas untuk MOSFET jenis pengosongan. Ini juga
dapat digunakan dalam transistor bipolar atau JFET.

 PEMAKAIAN MOSFET TIPE PENGOSONGAN

MOSFET tipe pengosongan dapat digunakan sebagai penguat penyangga (buffer
amplifier) yang hamper ideal karena gerbangnya terisolasi sehingga sehingga resistansi
masuk mendekati tak terhingga. Selanjutnya, MOSFET mempunyai sifat-sifat derau
rendah yang amat baik. Beberapa MOSFET merupakan alat gerbang-dual (dual-gate).
Hal ini berarti bahwa alat ini mempunyai dua gerbang terpisah. Salah satu penggunaan
alat seperti ini adalah untuk membangun penguat kaskode. Biasanya penguat kaskode
digunakan dalam rangkaian-rangkaian RF.

 MOSFET TIPE PENINGKATAN

Transistor Mode peningkatan (Transistor
Mode Enhancement) Transistor mode
enhancement ini pada fisiknya tidak
memiliki saluran antara drain dan
sourcenya karena lapisan bulk meluas
dengan lapisan SiO2 pada terminal gate.
Transistor MOSFET mode peningkatan
terdiri dari tipe-N dan tipe-P, simbol transistor ditunjukkan dalam Gambar

 PRA TEGANGAN PADA MOSFET TIPE PENINGKATAN

Dalam Mosfet tipe peningkatan, untuk memperoleh arus, Vgs harus lebih besar dari VT.
Ini meniadakan prategangan diri, prategangan arus sumber, dan prategangan nol oleh
karena semuanya ini memerlukan operasi ragam pengosongan. Yang mungkin tinggal
prategangan gerbang, prategangan pembagi tegangan, dan prategangan sumber. Cara-
cara ini dapat dilaksanakan dalam MOSFET jenis pengisian, oleh karena E-MOSFET
dapat bekerja dalam tipe peningkatan. Di samping ketiga jenis cara pemberian
prategangan ada satu cara lagi untuk MOSFET tipe peningkatan.
Gambar a memperlihatkan prategangan umpan balik penguras. Apabila MOSFET
menghantar, arus pengurasnya sebesar ID(on) dan tegangan pengurasnya sebesar VDS(on).
Oleh karena arus gerbang kira-kira nol, tidak ada tegangan timbul pada tahanan RD.
Oleh karenanya, VGS =VDS(on) seperti prategangan umpan balik kolektor, rangkaian dalam
gambar a mempunyai kecenderungan untuk mengkompensasi perubahan-perubahan dari
parameter-parameter (karakteristik-karakteristik) FET. Apabila ID(on) oleh sesuatu hal
naik, maka VDS(on) turun. Ini mengurangi VGS, yang sebagian mengimbangi kenaikan
ID(on).

Gambar b memperlihatkan titik Q pada lengkungan trans-konduktans,

yang koordinat-koordinatnya ID(on) dan VDS(on). Lenbaran data untuk MOSFET
jenis pengisian biasanya memberikan nilai ID(on) dan VDS(on). Ini membantu
penempatan titik Q. dalam desain, yang harus kita lakukan hanyalah memilih RD
yang akan menghasilkan VDS yang ditentukan. Dalam lambang

V DD−V DS (on)
R D=
I D (on)
Misalnya lembaran data dari MOSFET jenis pengisian memberikan VDS(on)=10 V dan
ID(on) = 3 mA. Apabila tegangan catu daya 25 V, tahanan penguras yang diperlukan
adalah

25 V −10 V
R D= =5 k Ω
3 mA

 PEMAKAIAN MOSFET TIPE PENINGKATAN

MOSFET tipe peningkatan telah membuat pengaruh yang paling besar pada rangkaian-
rangkaian digital. Salah satu alasannya ialah karena kebutuhan daya yang rendah.
Alasan lainnya ialah karena luas ruangan dibutuhkan pada sebuah serpihan (chip) kecil.
Dengan kata lain pabrik dapat meletakkan lebih banyak transistor MOS pada sebuah
serpihan daripada transistor bipolar. Inilah alasannya mengapa MOSFET digunakan
pada perpadua skala-bear untuk mikroprosesor, memori, dan alat-alat lain yang
membutuhkan ribuan transistor pada sebuah sebuah serpihan.