MAKALAH

MOSFET, BJT DAN IGBT

DOSEN PEMBIMBING

MARHATANG,S.ST.,M.T

DISUSUN OLEH

BELAYA SALSABILA HASYIM

1A D3 KONVERSI ENERGI

34218006

POLITEKNIK NEGERI UJUNG PANDANG

JURUSAN MESIN

2018-2019
 Mosfet
Pengertian

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah

perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat
sinyal pada perangkat elektronik. MOSFET adalah inti dari sebuah IC ( integrated
Circuit ) yang di desain dan di fabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang sangat
kecil. MOSFET memiliki empat gerbang terminal antara lain adalah Source (S), Gate (G),
Drain (D) dan Body(B).

MOSFET bekerja secara elektonik memvariasikan sepanjang jalur pembawa muatan

( electron atau hole ). Muatan listrik masuk melalui Saluran pada Source dan keluar
melalui Drain. Lebar Saluran di kendalikan oleh tegangan pada electrode yang di sebut
dengan Gate atau gerbang yang terletak antara Source dan Drain. ini terisolasi dari
saluran di dekat lapisan oksida logam yang sangat tipis. Kapasitas MOS pada komponen
ini adalah bagian Utama nya.

Mosfet memiliki dua mode, mode pertama adalah depletion mode dan Enhancement
Mode.

1)Depletion Mode:

Ketika tidak ada tegangan pada Gate maka kondusi channel berada pada kondisi maksimum.
Karena tegangan pada gerbang positif atau negative konduksi pada channel menurun.

2)Enhancement Mode

Ketika tidak ada tegangan pada Gate, MOSFET tidak akan bersifat konduksi. Tegangan yang
meningkat pada Gate, maka sifat konduksi pada Channel semakin lebih baik.
Komposisi

Fotomikrograf dua gerbang logam MOSFET dalam ujicoba.

Biasanya bahan semikonduktor pilihan adalah silikon, namun beberapa produsen IC,
terutama IBM, mulai menggunakan campuran silikon dan germanium (SiGe) sebagai kanal
MOSFET. Sayangnya, banyak semikonduktor dengan karakteristik listrik yang lebih baik
daripada silikon, seperti galiumarsenid (GaAs), tidak membentuk antarmuka semikonduktor-
ke-isolator yang baik sehingga tidak cocok untuk MOSFET. Hingga kini terus diadakan
penelitian untuk membuat isolator yang dapat diterima dengan baik untuk bahan
semikonduktor lainnya.

Untuk mengatasi peningkatan konsumsi daya akibat kebocoran arus gerbang,

dielektrik κ tinggi menggantikan silikon dioksida sebagai isolator gerbang, dan gerbang
logam kembali digunakan untuk menggantikan polisilikon[1].

Gerbang dipisahkan dari kanal oleh lapisan tipis isolator yang secara tradisional
adalah silicon dioksida, tetapi yang lebih maju menggunakan teknologi silicon oxynitride.
Beberapa perusahaan telah mulai memperkenalkan kombinasi dielektrik κ tinggi + gerbang
logam di teknologi 45 nan

Operasi MOSFET

Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida

Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida pada silikon tipe-P

Struktur semikonduktor–logam–oksida sederhana diperoleh dengan menumbuhkan selapis

oksida silikon di atas substrat silikon dan mengendapkan selapis logam atau silikon
polikristalin. Karena oksida silikon merupakan bahan dielektrik, struktur MOS serupa dengan
kondensator planar dengan salah satu elektrodenya digantikan dengan semikonduktor.
Ketika tegangan diterapkan membentangi struktur MOS, tegangan ini mengubah penyebaran
muatan dalam semikonduktor. Umpamakan sebuah semikonduktor tipe-p (dengan NA
merupakan kepadatan akseptor, p kepadatan lubang; p = NA pada badan netral),sebuah
tegangan positif dari gerbang ke badan membuat lapisan pemiskinan dengan memaksa lubang
bermuatan positif untuk menjauhi antarmuka gerbang isolator/semikonduktor, meninggalkan
daerah bebas pembawa. Jika cukup tinggi, kepadatan tinggi pembawa muatan negatif
membentuk lapisan inversi dibawah antarmuka antara semikonduktor dan isolator.
Umumnya, tegangan gerbang dimana kepadatan elektron pada lapisan inversi sama dengan
kepadatan lubang pada badan disebut tegangan ambang.

Struktur badan tipe-p ini adalah konsep dasar dari MOSFET tipe-n, yang mana membutuhkan
penambahan daerah sumber dan cerat tipe-n.

Struktur MOSFET dan formasi kanal

Irisan NMOS tanpa kanal yang terbentuk (keadaan mati)

Irisan NMOS dengan kanal yang terbentuk (keadaan hidup)

Sebuah transistor efek-medan semikonduktor–logam–oksida (MOSFET) adalah berdasarkan

pada modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS di antara elektrode badan dan
elektrode gerbang yang terletak di atas badan dan diisolasikan dari semua daerah peranti
dengan sebuah lapisan dielektrik gerbang yang dalam MOSFET adalah sebuah oksida, seperti
silikon dioksida. Jika dielektriknya bukan merupakan oksida, peranti mungkin disebut
sebagai FET semikonduktor–logam–terisolasi (MISFET) atau FET gerbang–terisolasi
(IGFET). MOSFET menyertakan dua saluran tambahan yaitu sumber dan cerat yang
disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri yang dipisahkan dari daerah badan. Daerah
tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi keduanya harus dari tipe yang sama, dan
berlawanan tipe dengan daerah badan. Daerah sumber dan cerat yang dikotori berat biasanya
ditandai dengan '+' setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah yang dikotori ringan tidak
diberikan tanda.

Jika MOSFET adalah berupa salur-n atau NMOS FET, lalu sumber dan cerat adalah daerah
'n+' dan badan adalah daerah 'p'. Maka seperti yang dijelaskan di atas, dengan tegangan
gerbang yang cukup, di atas harga tegangan ambang, elektron dari sumber memasuki lapisan
inversi atau salur-n pada antarmuka antara daerah-p dengan oksida. Kanal yang menghantar
ini merentang di antara sumber dan cerat, dan arus dialirkan melalui kanal ini jika ada
tegangan yang dikenakan di antara sumber dan cerat.

Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang terpopulasi dan hanya sedikit
arus bocoran praambang yang dapat mengalir dari sumber ke cerat.

Moda operasi

Operasi dari MOSFET dapat dibedakan menjadi tiga moda yang berbeda, bergantung pada
tegangan yang dikenakan pada saluran. Untuk mempermudah, perhitungan dibawah
merupakan perhitungan yang telah disederhanakan[3][4].

Untuk sebuah MOSFET salur-n moda pengayaan, ketiga moda operasi adalah:

Moda Inversi Lemah

Disebut juga moda Titik-Potong atau Pra-Ambang, yaitu ketika VGS< Vth

dimata V_th adalah tegangan ambang peranti.

Berdasarkan model ambang dasar, transistor dimatikan dan tidak ada penghantar
antara sumber dan cerat. Namun pada kenyataannya, distribusi Boltzmann dari energi
elektron memungkinkan beberapa elektron berenergi tinggi pada sumber untuk
memasuki kanal dan mengalir ke cerat, menghasilan arus praambang yang merupakan
fungsi eksponensial terhadan tegangan gerbang–sumber. Walaupun arus antara cerat
dan sumber harusnya nol ketika transistor minatikan, sebenarnya ada arus inversi-
lemah yang sering disebut sebagai bocoran praambang.

Pada inversi-lemah, arus berubah eksponensial terhadap panjar gerbang-ke-sumber

VGS[5][6]

dimana ID0 = arus pada dan faktor landaian n didapat dari

, ,
 dengan = kapasitansi dari lapisan pemiskinan dan = kapasitansi dari
lapisan oksida.

Beberapa sirkuit daya-mikro didesain untuk mengambil keuntungan dari

bocoran praambang.[7][8][9] Dengan menggunakan daerah inversi-lemah, MOSFET
pada sirkuit tersebut memberikan perbandingan transkonduktansi terhadap arus yang

tertinggi( ), hampir seperti transistor dwikutub. Sayangnya lebar-jalur rendah

dikarenakan arus penggerak yang rendah.[10][11]

arus cerat MOSFET vs. Tegangan cerat-ke-sumber untuk beberapa harga ,

perbatasan antara moda linier (Ohmik) dan penjenuhan (aktif) diperlihatkan sebagai
lengkung parabola di atas

Irisan MOSFET dalam noda linier (ohmik), daerah inversi kuat terlihat bahkan didekat cerat

Irisan MOSFET dalam moda penjenuhan (aktif), terdapat takik didekat cerat
Moda trioda

Disebut juga sebagai daerah linear (atau daerah Ohmik[12][13]) yaitu ketika VGS> Vth dan VDS<
( VGS - Vth ).

Transistor dihidupkan dan sebuah kanal dibentuk yang memungkinkan arus untuk
mengalir di antara sumber dan cerat. MOSFET beroperasi seperti sebuah resistor,
dikendalikan oleh tegangan gerbang relatif terhadap baik tegangan sumber dan cerat.
Arus dari cerat ke sumber ditentukan oleh:

dimana adalah pergerakan efektif pembawa muatan, adalah lebar

gerbana, adalah panjang gerbang dan adalah kapasitansi oksida

gerbang tiap unit luas. Transisi dari daerah eksponensial praambang ke daerah trioda
tidak setajam seperti yang diperlihatkan perhitungan.

Moda penjenuhan

Juga disebut dengan Moda Aktif[14][15]

Ketika VGS> Vth dan VDS> ( VGS - Vth )

Transistor dihidupkan dan kanal dibentuk, memungkinkan arus untuk mengalir di

antara sumber dan cerat. Karena tegangan cerat lebih tinggi dari tegangan gerbang,
elektron menyebar dan penghantaran tidak melalui kanal sempit tetapi melalui kanal
yang jauh lebih lebar. Awal dari daerah kanal disebut penyempitan untuk
menunjukkan kurangnya daerah kanal didekat cerat. Arus cerat sekarang hanya
sedikit bergantung pada tegangan cerat dan dikendalikan terutama oleh tegangan
gerbang–sumber.

Faktor tambahan menyertakan λ, yaitu parameter modulasi panjang kanal, membuat

tegangan cerat mandiri terhadap arus, dikarenakan oleh adanya efek Early.

dimana kombinasi Vov = VGS - Vth dinamakan tegangan overdrive.[16] Parameter penting

desain MOSFET adalah resistansi keluaran :

.
Tipe MOSFET lainnya

MOSFET gerbang ganda

MOSFET gerbang ganda mempunyai konfigurasi tetroda, dimana semua gerbang

mengendalikan arus dalam peranti. Ini biasanya digunakan untuk peranti isyarat kecil pada
penggunaan frekuensi radio dimana gerbang kedua gerang keduanya digunakan sebagai
pengendali penguatan atau pencampuran dan pengubahan frekuensi.

FinFET

Peranti FinFET gerbang ganda.

adalah sebuah peranti gerbang ganda yang diperkenalkan untuk memprakirakan flek kanal
pendek dan mengurangi perendahan sawar diinduksikan-cerat.

MOSFET moda pemiskinan

Peranti MOSFET moda pemiskinan adalah MOSFET yang dikotori sedemikian rupa
sehingga sebuah kanal terbentuk walaupun tidak ada tegangan dari gerbang ke sumber. Untuk
mengendalikan kanal, tegangan negatif dikenakan pada gerbang untuk peranti salur-n
sehingga "memiskinkan" kanal, yang mana mengurangi arus yang mengalir melalui kanal.
Pada dasarnya, peranti ini ekivalen dengan sakelar normal-hidup, sedangkan MOSFET moda
pengayaan ekivalen dengan sakelar normal-mati.[17]

Karena peranti ini kurang berdesah pada daerah RF dan penguatan yang lebih baik, peranti
ini sering digunakan pada peralatan elektronik RF.

Logika NMOS

MOSFET salur-n lebih kecil daripada MOSFET salur-p untuk performa yang sama, dan
membuat hanya satu tipe MOSFET pada kepingan silikon lebih murah dan lebih sederhana
secara teknis. Ini adalah prinsip dasar dalam desain logika NMOS yang hanya menggunakan
MOSFET salur-n. Walaupun begitu, tidak seperti logika CMOS, logika NMOS menggunakan
daya bahkan ketika tidak ada pensakelaran. Dengan peningkatan teknologi, logika CMOS
menggantikan logika NMOS pada tahun 1980-an.
MOSFET daya

Irisan sebuah MOSFET daya dengan sel persegi. Sebuah transistor biasanya terdiri dari
beberapa ribu sel.

Mosfet ini memiliki struktur yang berbeda dengan MOSFET biasa. Seperti peranti
semikonduktor daya lainnya, strukturnya adalah vertikal, bukannya planar. Menggunakan
struktur vertikal memungkinkan transistor untuk bertahan dari tegangan tahan dan arus yang
tinggi. Rating tegangan dari transistor adalah fungsi dari pengotoran dan ketebalan dari
lapisan epitaksial-n, sedangkan rating arus adalah fungsi dari lebar kanal. Pada struktur
planar, rating arus dan tegangan tembus ditentukan oleh fungsi dari dimensi kanal,
menghasilkan penggunaan yang tidak efisien untuk daya tinggi. Dengan struktur vertikal,
besarnya komponen hampir sebanding dengan rating arus dan ketebalan komponen sebanding
dengan rating tegangan.

MOSFET daya dengan struktur lateral banyak digunakan pada penguat audio hi-fi.
Kelebihannya adalah karakteristik yang lebih baik pada daerah penjenuhan daripada
MOSFET vertikal. MOSFET vertikal didesain untuk penggunaan pensakelaran.

DMOS

DMOS atau semikonduktor–logam–oksida terdifusi–ganda adalah teknologi penyempurnaan

dari MOSFET vertikal. Hampir semua MOSFET daya dikonstruksi dengan teknologi ini.

Cara Kerja MOSFET

Tujuan dari MOSFET adalah mengontrol Tegangan dan Arus melalui antara Source dan
Drain. Komponen ini hampir seluruh nya sebagai switch. Kerja MOSFET bergantung pada
kapasitas MOS. Kapasitas MOS adalah bagian utama dari MOSFET. Permukaan
semikonduktor pada lapisan oksida di bawah yang terletak di antara terminal sumber dan
saluran pembuangan. Hal ini dapat dibalik dari tipe-p ke n-type dengan menerapkan tegangan
gerbang positif atau negatif masing-masing. Ketika kita menerapkan tegangan gerbang
positif, lubang yang ada di bawah lapisan oksida dengan gaya dan beban yang menjijikkan
didorong ke bawah dengan substrat.

Daerah penipisan dihuni oleh muatan negatif terikat yang terkait dengan atom akseptor.
Elektron mencapai saluran terbentuk. Tegangan positif juga menarik elektron dari sumber n
dan mengalirkan daerah ke saluran. Sekarang, jika voltase diterapkan antara saluran
pembuangan dan sumber, arus mengalir bebas antara sumber dan saluran pembuangan dan
tegangan gerbang mengendalikan elektron di saluran. Alih-alih tegangan positif jika kita
menerapkan tegangan negatif, saluran lubang akan terbentuk di bawah lapisan oksida.

N-Channel MOSFET

Struktur N-Channel Mosfet atau disebut dengan NMOS terdiri dari subtract tipe P dengan
daerah Source dan Drain deberi Difusi N+. Diantara daerah Source dan Drain terdapat sebuah
celah sempit dari subtract P yang di sebut dengan channel yang di tutupi oleh isolator yang
terbuat dari Si02

P-Channel MOSFET

P-Channel MOSFET memiliki wilayah P-Channel diantara Source dan Drain. Dia memiliki
empat terminal seperti Gate, Drain, Source dan Body. Struktur Transistor PMOS terdiri atas
tipe-n dengan daerah Source dan Drain diberi difusi P+.
SIMBOL

Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar umumnya garis untuk
saluran dengan kaki sumber dan cerat meninggalkannya di setiap ujung dan membelok
kembali sejajar dengan kanal. Garis lain diambil sejajar dari kanal untuk gerbang. Kadang-
kadang tiga segmen garis digunakan untuk kanal peranti moda pengayaan dan garis lurus
untuk moda pemiskinan.

Sambungan badan jika ditampilkan digambar tersambung ke bagian tengan kanal

dengan panah yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panah selalu menunjuk dari P ke N,
sehingga NMOS (kanal-N dalam sumur-P atau substrat-P) memiliki panah yang menunjuk
kedalam (dari badan ke kanal). Jika badan terhubung ke sumber (seperti yang umumnya
dilakukan) kadang-kadang saluran badan dibelokkan untuk bertemu dengan sumber dan
meninggalkan transistor. Jika badan tidak ditampilkan (seperti yang sering terjadi pada desain
IC desain karena umumnya badan bersama) simbol inversi kadang-kadang digunakan untuk
menunjukkan PMOS, sebuah panah pada sumber dapat digunakan dengan cara yang sama
seperti transistor dwikutub (keluar untuk NMOS, masuk untuk PMOS).

Kanal
-P

Kanal
-N

MOSFET
JFET MOSFET pengayaan
pemiskinan

Untuk simbol yang memperlihatkan saluran badan, di sini dihubungkan internal ke

sumber. Ini adalah konfigurasi umum, namun tidak berarti hanya satu-satunya konfigurasi.
Pada dasarnya, MOSFET adalah peranti empat saluran, dan di sirkuit terpadu banyak
MOSFET yang berbagi sambungan badan, tidak harus terhubung dengan saluran sumber
semua transistor.
 JFET
PENGERTIAN
Transistor efek medan sambungan (TEMS, JFET atau JUGFET) adalah tipe paling sederhana dari
transistor efek medan. Ini dapat digunakan sebagai sebuah sakelar terkendali elektronik atau
resistansi terkendali tegangan. Muatan listrik mengalir melalui kanal semikonduktor di antara
saluran sumber dan cerat. Dengan memberikan tegangan panjar ke saluran gerbang, kanal dijepit,
jadi arus listrik dihalangi atau dimatikan sepenuhnya

Transistor efek medan sambungan

Simbol

Tipe Komponen aktif

Kategori TransistorFET
John Bardeen, Walter Houser Brattain
Penemu
dan William Shockley (1947)
Komponen
MOSFET
sejenis
Kemasan 3 kaki (gerbang, cerat, sumber)

SEJARAH
JFET telah diramalkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 dan pertengahan tahun
1930-an, teori operasinya telah cukup untuk mendapatkan paten. Tetapi, pada waktu itu tidak
mungkin untuk membuat kristal terkotori dengan ketelitian yang cukup untuk menunjukkan
efek JFET. Pada tahun 1947, peneliti John Bardeen, Walter Houser Brattain, dan William
Shockley mencoba untuk membuat JFET ketika mereka menemukan transistor titik kontak.
JFET praktis pertama dibuat beberapa tahun kemudian.

STRUKTUR
JFET adalah sebuah bahan semikonduktor yang cukup panjang, dikotori untuk mendapatkan
muatan listrik positif (tipe-p) atau negatif (tipe-n) yang melimpah. Koneksi pada setiap ujung
semikonduktor membentuk sumber dan cerat. Saluran gerbang mempunyai pengotoran yang
berlawanan dengan kanal yang mengelilinginya, jadi terbentuk pertemuan p-n pada
antarmuka. Saluran yang menghubungkan keluar biasanya dibuat ohmik.

TEGANGAN JEPIT

Untuk menjepit kanal dibutuhkan panjar terbalik tertentu pada pertemuan (VGS). Tegangan
jepit ini bervariasi takmenentu, bahkan di antara peranti satu tipe yang diproduksi oleh pabrik
yang sama. Sebagai contohnya, VGS(off) untuk peranti J201 dari Temic bervariasi dari -0.8V
hingga -4V.[1] Harga lazim bervariasi antara 0.3V hingga 10V. Untuk mematikan peranti
salur-n, dibutuhkan tegangan negatif pada gerbang-sumber (-VGS). Sebaliknya, untuk
mematikan peranti kanal-p dibubuhkan tegangan positif pada gerbang-sumber (+VGS).

PERBANDINGAN DENGAN TRANSISTOR LAIN

Arus gerbang JFET (kebocoran mundur pada pertemuan p-n gerbang-ke-kanal) lebih besar
daripada MOSFET (yang mempunyai isolator oksida di antara gerbang dan kanal), tetapi jauh
lebih rendah dari arus basis pada transistor BJT. JFET mempunyai transkonduktansi yang
lebih tinggi dari MOSFET, karenanya JFET digunakan pada beberapa penguat operasidesah
rendah dan impedansi masukan tinggi.

SIMBOL SKEMATIS

Gerbang pada JFET kadang-kadang digambarkan di tengah-tengah kanal (tidak pada

elektrode sumber maupun cerat seperti diatas). Kesimetrisan ini menunjukkan bahwa cerat
dan sumber dapat dipertukarkan, jadi simbol tersebut sebaiknya hanya digunakan pada JFET
yang benar-benar dapat dipertukarkan (dimana ini tidak selalu benar untuk semua JFET).
Resminya, simbol seharusnya digambarkan di dalam lingkaran (menunjukkan kemasan
peranti). Simbol tanpa lingkaran digunakan ketika menggambar skema sirkuit terpadu,
bahkan saat ini, juga digunakan pada skema komponen tersendiri. Panah menunjukkan
polaritas dari pertemuan p-n yang terbentuk di antara kanal dan gerbang. Sama seperti diode
biasa, panah menunjuk dari p ke n (arah dari arus konvensional ketika dipanjar maju).

MODEL MATEMATIS

Arus pada N-JFET yang dikarenakan oleh tegangan kecil VDS adalah:

Dimana:

 2a = ketebalan kanal
 W = lebar kanal
 L = panjang kanal
 q = muatan listrik = 1.6 x 10-19 C
  μn = pergerakan elektron
 Nd = konsentrasi pengotor

Di daerah penjenuhan:

Di daerah linier:

atau

CARA KERJA

Cara Kerja JFET pada prinsipnya seperti kran air yang mengatur aliran air pada pipa.
Elektron atau Hole akan mengalir dari Terminal Source (S) ke Terminal Drain (D). Arus pada
Outputnya yaitu Arus Drain (ID)  akan sama dengan Arus Inputnya yaitu Arus Source (IS).
Prinsip kerja tersebut sama dengan prinsip kerja sebuah pipa air di rumah kita dengan asumsi
tidak ada kebocoran pada pipa air kita.

Besarnya arus listrik tergantung pada tinggi rendahnya Tegangan yang diberikan pada
Terminal Gerbangnya (GATE (G)). Fluktuasi Tegangan pada Terminal Gate (VG) akan
menyebabkan perubahan pada arus listrik yang melalui saluran IS atau ID. Fluktuasi yang
kecil dapat menyebabkan variasi yang cukup besar pada arus aliran pembawa muatan yang
melalui JFET tersebut. Dengan demikian terjadi penguatan Tegangan pada sebuah rangkaian
Elektronika.

Junction FET atau sering disingkat dengan JFET memiliki 2 tipe berdasarkan tipe bahan
semikonduktor yang digunakan pada saluran atau kanalnya. JFET tipe N-Channel (Kanal N)
terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N dan P-Channel (Kanal P) yang terbuat dari
Semikonduktor tipe P.
1.1. JFET Kanal-N

Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-N.

Saluran atau Kanal pada jenis ini terbentuk dari bahan semikonduktor tipe N dengan satu
ujungnya adalah Source (S) dan satunya lagi adalah Drain (D). Mayoritas pembawa muatan
atau Carriers pada JFET jenis Kanal-N ini adalah Elektron.

Gate atau Gerbang pada JFET jenis Kanal-N ini terdiri dari bahan semikonduktor tipe P.
Bagian lain yang terbuat dari Semikonduktor tipe P pada JFET Kanal-N ini adalah bagian
yang disebut dengan Subtrate yaitu bagian yang membentuk batas di sisi saluran berlawanan
Gerbang (G).

Tegangan pada Terminal Gerbang (G) menghasilkan medan listrik yang mempengaruhi aliran
pada pembawa muatan yang melalui saluran tersebut. Semakin Negatifnya VG,  semakin
sempit pula salurannya yang akhirnya mengakibatkan semakin kecil arus pada outputnya (ID).
1.2. JFET Kanal-P

Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-P.

Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe P. Mayoritas pembawa
muatannya adalah Hole. Bagian Gate atau Gerbang (G) dan Subtrate-nya terbuat dari bahan
Semikonduktor tipe N.

Di JFET Kanal-P, semakin Positifnya VG, semakin sempit pula salurannya yang akhirnya
mengakibatkan semakin kecilnya arus pada Output JFET (ID).

Dari Simbolnya, kita dapat mengetahui mana yang JFET Kanal-N dan JFET Kanal-P. Anak
Panah pada simbol JFET Kanal-N adalah menghadap ke dalam sedangkan anak panah pada
simbol JFET Kanal-P menghadap keluar.
 IGBT
PENGERTIAN

Insulated Gate Bipolar Transistor atau  IGBT , adalah sesuatu dari persilangan
antara konvensional Bipolar Junction Transistor , (BJT) dan Field Effect Transistor ,
(MOSFET) sehingga ideal sebagai perangkat semikonduktor switching.

IGBT transistor mengambil bagian terbaik dari kedua jenis transistor, tinggi impedansi input
dan switching yang kecepatan tinggi dari MOSFET dengan tegangan saturasi rendah dari
transistor bipolar, dan menggabungkan mereka bersama-sama untuk menghasilkan jenis lain
dari perangkat switching transistor yang mampu menangani arus pengumpul kolektor besar
dengan arus gerbang hampir nol .

Insulated Gate Bipolar Transistor , (IGBT) menggabungkan kombinasi gerbang terisolasi

"Insulated Gate", teknologi dari MOSFET dengan karakteristik kinerja output transistor
bipolar konvensional, (Bipolar Transistor).

Hasil dari kombinasi hibrida ini adalah bahwa "IGBT Transistor" memiliki karakteristik
switching dan konduksi output dari transistor bipolar namun dikontrol dengan
tegangan seperti MOSFET.

IGBT terutama digunakan dalam aplikasi Power daya elektronika, seperti inverter, konverter
dan power supply, merupakan tuntutan perangkat peralihan solid state yang belum
sepenuhnya dipenuhi oleh power bipolar dan power MOSFET. Bipolar arus tinggi dan
tegangan tinggi tersedia, namun kecepatan perpindahannya lambat, sementara
PowerMOSFET mungkin memiliki kecepatan peralihan yang lebih tinggi, namun perangkat
dengan arus tinggi dan tegangan tinggi mahal dan sulit dicapai.

Keuntungan yang diperoleh oleh perangkat IGBT melalui BJT atau MOSFET adalah bahwa
ia menawarkan daya yang lebih besar daripada transistor tipe bipolar BJT standar yang
dikombinasikan dengan operasi tegangan yang lebih tinggi dan kerugian input yang lebih
rendah dari MOSFET. Akibatnya, FET terintegrasi dengan transistor bipolar dalam bentuk
konfigurasi tipe Darlington seperti yang ditunjukkan.
SIMBOL

Simbol

Tipe Komponen aktif

Kategori Transistor
Kemasan 3 kaki (gerbang, kolektor, emitor)

SIFAT-SIFAT IGBT

Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini adalah saklar peranti padat
yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor dwikutub (BJT),
transistor efek medan (FET), maupun Thyristor. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan
elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:

1. pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang besar
sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor struktur
saklar sangat kecil
2. Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai tahanan
menghantar () yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage
drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya
borosan daya yang terjadi, dan kecepatan pensaklaran yang tinggi.

 Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan
semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan semikonduktor komersial
pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil.
 Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena tegangan jatuh pada
terminal kolektor-emitor, VCE pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil
mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh.
 Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan pensakelaran, MOSFET
lebih unggul dari BJT, karena sebagai peranti yang bekerja berdasarkan aliran
pembawa muatan mayoritas, pada MOSFET tidak dijumpai arus penyimpanan
pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran, yang cenderung
memperlamnat proses pensaklaran tersebut.

RANGKAIAN TRANSISTOR IGBT

Kita telah melihat bahwa IGBT adalah mempunyai tiga terminal, perangkat
transkonduktansi yang menggabungkan gerbang terisolasi N-channel MOSFET input
dengan output transistor bipolar PNP yang terhubung dalam tipe konfigurasi
Darlington.

Hasilnya, terminal diberi label sebagai: Kolektor , Emitor dan Gerbang . Dua dari
terminalnya ( C-E ) dikaitkan dengan jalur konduktansi yang melewati arus,
sementara terminal ketiganya ( G ) mengendalikan perangkat.

Besarnya penguatan yang dicapai oleh IGBT adalah rasio antara sinyal output dan
sinyal inputnya. Untuk transistor junction bipolar konvensional, (BJT) jumlah gain
kira-kira sama dengan rasio arus output terhadap arus input, yang disebut Beta.

Untuk transistor efek medan semikonduktor oksida logam atau MOSFET, tidak ada
arus input saat gerbang diisolasi dari arus utama yang membawa saluran/kanal. Oleh
karena itu, gain FET sama dengan rasio arus output yang berubah menjadi perubahan
tegangan input, menjadikannya perangkat transkonduktansi dan ini juga berlaku untuk
IGBT. Kemudian kita bisa memperlakukan IGBT sebagai power BJT yang arus
dasarnya disediakan oleh MOSFET.

IGBT dapat digunakan dalam rangkaian penguat sinyal kecil dalam banyak cara yang
sama seperti BJT atau jenis MOSFET transistor. Tapi karena IGBT kombinasi
kehilangan konduksi rendah dari BJT dengan kecepatan perpindahan tinggi power
MOSFET , sebuah saklar solid solid state ada yang mana sangat ideal untuk
digunakan dalam aplikasi elektronika power/daya.

Selain itu, IGBT memiliki ketahanan "on-state" yang jauh lebih rendah, RON daripada
MOSFET setara. Ini berarti bahwa I2R turun struktur output bipolar untuk arus
peralihan yang diberikan jauh lebih rendah.. Operasi pemblokiran ke depan dari
transistor IGBT identik dengan power MOSFET.

Bila digunakan sebagai saklar kontrol statis, IGBT memiliki nilai tegangan dan arus
yang sama dengan transistor bipolar. Namun, kehadiran gerbang yang terisolasi di
IGBT membuatnya lebih mudah dikendalikan daripada daya penggerak BJT yang
jauh lebih sedikit.

Sebuah IGBT hanya memutar "ON" atau "OFF" dengan mengaktifkan dan
menonaktifkan terminal Gerbangnya. Menerapkan sinyal tegangan input positif di
 Gerbang dan Emitor akan menjaga perangkat dalam keadaan "ON" -nya, sementara
membuat sinyal gerbang input nol atau sedikit negatif akan menyebabkannya
mengubah "OFF" dengan cara yang sama seperti transistor bipolar. atau eMOSFET.
Keuntungan lain dari IGBT adalah bahwa ia memiliki resistansi saluran/kanal di atas
yang jauh lebih rendah daripada MOSFET standar.

KARAKTERISTIK IGBT

Karena IGBT adalah perangkat yang dikontrol tegangan , hanya dibutuhkan

tegangan kecil di Gerbang untuk menjaga konduksi melalui perangkat tidak seperti
BJT yang mengharuskan arus basis terus dipasok dalam jumlah yang cukup memadai
untuk menjaga kejenuhan.

Juga IGBT adalah perangkat searah, yang berarti hanya dapat mengalihkan arus pada
"arah ke depan", yaitu dari Kolektor ke Emitor tidak seperti MOSFET yang memiliki
kemampuan pengalihan arus bi-directional (dikendalikan ke arah depan dan tidak
terkendali dalam arah sebaliknya) .

Prinsip operasi dan rangkaian penggerak Gerbang untuk IGBT sangat mirip dengan
power MOSFET kanal-N. Perbedaan mendasarnya adalah bahwa hambatan yang
ditawarkan oleh kanal/saluran utama saat arus mengalir melalui perangkat dalam
keadaan "ON" jauh lebih kecil di IGBT. Karena ini, peringkat arus jauh lebih tinggi
bila dibandingkan dengan MOSFET daya setara.

Keuntungan utama menggunakan IGBT dari jenis perangkat transistor lainnya adalah
kemampuan tegangannya yang tinggi, low ON-resistance, kemudahan berjalan,
kecepatan peralihan yang relatif cepat dan dikombinasikan dengan drive arus gerbang
nol menjadikannya pilihan yang baik untuk kecepatan yang sedang, aplikasi tegangan
tinggi seperti modulasi lebar-pulsa (PWM), kontrol kecepatan variabel, switch mode
power supply atau inverter DC-AC bertenaga surya dan aplikasi pengubah frekuensi
yang beroperasi di kisaran kilohertz.

RUMUS-RUMUS IGBT
Total Daya Disipasi (Daya maksimal yang dapat device tahan)

Arus Pada Colector

Keterangan
P       = Daya Disipasi             Ic       = Arus Colector
Tj      = Temperatur Junction Vce    = Beda potensial Colector - Emiter

PERBANDINGAN UMUM ANTARA KINERJA BJT, MOSFET DAN IGBT

Tabel 1. Perbandingan tiga piranti penyakelar daya untuk kemampuan (rating) yang
setara
Karakteristik MOSFET IGBT Bipolar

Kemampuan arus (A) 20 20 20

Kemampuan tegangan (V) 500 600 500

Ron (ohm) 0,2 0,24 0,18

º
Pada 25  C

Ron (ohm) 0,6 0,23 0,24

º
Pada 150  C

Waktu turun (nanodetik) 40 200 200

Dua fakta yang bersumber pada Tabel 1 tersebut adalah bahwa; pertama, transistor bipolar
sangat lebih lambat daripada MOSFET.Secara prinsip, hal ini disebabkan oleh waktu gulir
mati (turn-off) piranti bipolar yang lebih panjang.Kedua adalah resistansi saat kondisi
menyambung (on-state) piranti bipolar yang relatif tak bergantung (bersifat invarian)
terhadap temperatur, dibandingkan dengan adanya nilai koefisien temperatur yang tinggi
pada MOSFET.Informasi koefisien temperatur ini merupakan pertimbangan penting dalam
perencanaan batas aman thermal pada sistem-sistem yang berdaya tinggi.Tabel 2 menyatakan
perbandingan yang lebih umum mengenai karakteristik penyakelarannya. Disebabkan oleh
struktur masukan gate-nya, MOSFET dan IGBT merupakan piranti elektronik yang
dikemudikan oleh tegangan, dengan kebutuhan akan daya pengemudi yang relatif kecil saja.
Sementara itu, pada transistor bipolar yang sifatnya dikemudikan oleh arus (arus keluaran
dibagi oleh hFE), ia memerlukan pengemudi dengan daya yang relatif lebih besar. Dalam hal
kapasitansi masukan, untuk MOSFET dan IGBT, bergantung pada ratingnya (kemampuan
arusnya).Kapasitansi ini dapat menjadi demikian besar, sehingga rangkaian pengemudinya
dituntut memiliki kemampuan untuk mengisi dan membuang dengan cepat muatan
kapasitansi yang besar ini.

Perbandingan karakteristik piranti penyakelar daya

 Karakteristik MOSFET IGBT Bipolar

Tipe pengemudi Tegangan Tegangan Arus

Daya pengemudi minimum Minimum Besar

Tingkat kerumitan Sederhana Sederhana Cukupan atau sedang
pengemudi

Kemampuan arus pada Tinggi pada teg. Sangat tinggi Cukupan (sangat
nilai tegangan drop di rendah; rendah (terpengaruh oleh terpengaruh oleh
ujung-ujung terminal pada teg. tinggi kecepatan kecepatan
piranti penyakelaran) penyakelaran

Rugi penyakelaran Sangat rendah Rendah sampai Sedang sampai tinggi

sedang (dipengaruhi (dipengaruhi oleh
oleh rugi konduksi) rugi konduksi)

IGBT tampaknya memang menawarkan rating kemampuan arus yang lebih baik.Namun
demikian, kekurangan dan kelebihan masing-masing piranti yang tercantum pada Tabel 2
tersebut dapat digunakan sebagai acuan untuk memilih salah satu di antara ketiganya.Untuk
mempertahankan nilai resistansi yang tetap rendah, pembuat IGBT membuat kemampuan
arus yang lebih rendah untuk tipe yang lebih cepat.Sebagai contoh, Perusahaan International
Rectifier (IR) di pasaran menawarkan tiga tipe IGBT; yakni tipe standar, cepat dan ultra
cepat. IR mendeskripsikan kemampuan arus dengan perbandingan terbalik terhadap
kecepatan penyakelarannya. Sementara itu VCE saturasinya naik berturut-turut untuk masing-
masing tipe tersebut menjadi; 1,3 1,5, dan 1,9 volt. Parameter terakhir dalam Tabel 2 tersebut
adalah rugi penyakelaran (switching losses) , yang mencerminkan kecepatan penyakelaran
dari ketiga piranti elektronik tersebut. Untuk MOSFET, baik transisi saat menyambung (turn-
on) dan memutus (turn-off) sangat cepat. Sedang untuk IGBT, kita dihadapkan pada
kenyataan bahwa ada perimbangan dalam hal kecepatan penyakelaran versus kemampuan
arus; jenis yang lebih cepat akan mengalami rugi konduksi yang lebih tinggi. Waktu
penyakelaran pada IGBT sebagian besar didominasi oleh waktu saat menyambung, sehingga
secara garis besar membatasi penggunaannya dalam sistem yang beroperasi pada laju
penyakelaran yang lebih rendah daripada 100 kHz.

Daftar pustaka
https://mikroavr.com/pengertian-mosfet-dan-manfaat-nya/
https://id.wikipedia.org/wiki/MOSFET
https://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_efek_medan_sambungan
https://djukarna.wordpress.com/tag/transistor-bjt/

https://gombaltmukiyo.blogspot.com/2017/08/igbt-insulated-gate-bipolar-
transistor.html