MOSFET

(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Anggota Kelompok :
1. Didit Ardiyansah (14050874004)
2. Satya Hadi Suroso (14050874019)

UNIVERSITAS NEGERI SURABAYA

FAKULTAS TEKNIK
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
PRODI S1 TEKNIK ELEKTRO
2014

KATA PENGANTAR

Puji syukur kami panjatkan kehadirat Tuhan Yang Maha Esa, karena dengan
pertolonganNya kami dapat menyelesaikan laporan yang berjudul MOSFET. Meskipun
banyak rintangan dan hambatan yang kami alami dalam proses pengerjaannya, tapi kami
berhasil menyelesaikannya dengan baik.
Seiring perkembangan zaman yang semakin maju, tuntuntan akan kebutuhan alat
elektronik yang semakin canggih terus bertambah. Disini kami menjelaskan salah satu
komponen elektronika yang kegunaanya penting bagi sebagian rangkaian elektronika yang
besar. MOSFET sendiri tidak berbeda jauh dengan transitor.
Tentunya ada hal-hal yang ingin kami berikan kepada pembaca gambaran mengenai
MOSFET. Karena itu kami berharap semoga laporan ini dapat menjadi sesuatu yang berguna
bagi kita bersama.

BAB I
PENDAHULUAN

A. LATAR BELAKANG
Memenuhi kebutuhan akan sumber daya listrik. Berbagai macam komponen
elektronik dibuat untuk menciptakan berbagai rangkaian elektronik sesuai dengan kebutuhan
yang semakin banyak. Salah satu Rangkaian Elektronika yang mendasar yang kami bahas
disini ialah MOSFET. MOSFET sendiri termasuk bagian dalam FET (Field Effect
Transistor). Dilihat dari namanya FET terdapat nama Transistor maka secara teknis tidak
beda jauh dengan transistor. Transistor efek medan (field-effect transistor = FET) mempunyai
fungsi yang hampir sama dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET dan
transistor bipolar terdapat beberapa perbedaan yang mendasar. Perbedaan utama antara kedua
jenis transistor tersebut adalah bahwa dalam transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan
oleh arus input (IB). Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan
input (VGS), karena arus input adalah nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam
orde puluhan megaohm. Secara garis besar MOSFET jenisnya terbagi menjadi 2 yaitu
MOSFET tipe pengosongan dan tipe peningkatan.

B. RUMUSAN MASALAH
Berdasar dari latar belakang yang telah dikemukakan, maka kami membatasi
penulisan supaya tidak terlalu luas. Kami merumuskan permasalahannya sebagai berikut :
1. Apa itu MOSFET?
2. Apa saja macam-macam MOSFET?
3. Bagaimana pemanfaatan MOSFET?
4. Bagaimana cara kerja MOSFET?
C. Tujuan
Berdasar dari latar belakang, kami bertujuan :
1. Untuk mengetahui dan memahami pengertian daripada MOSFET
2. Untuk memahami prinsip kerja MOSFET
3. Mengetahui cara kerja dan pemanfaatan MOSFET

D. DASAR TEORI
1. MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor
dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu.
Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor
MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan
sebagai landasan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate).
Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi
oleh oksida silicon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal,
sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT
(Bipolar Junction Transistor), yaitu menghasilkan disipasi daya yang rendah.
2. MOSFET PENINGKATAN PENGOSONGAN (D-MOSFET)
MOSFET tipe pengosongan atau D-MOSFET (Depletion-metal-oxide semiconductor
FET) terdiri atas kanal-N dan kanal-P. Gambar 2.1 menunjukkan konstruksi D-MOSFET
kanal-N.

Gambar 2.1 Konstruksi D-MOSFET kanal-N

D-MOSFET kanal-N dibuat di atas bahan dasar silikon tipe P yang biasanya disebut
dengan substrat. Pada kebanyakan komponen diskret, substrat ini dihubungkan ke terminal
yang disebut SS (substrat) sebagai terminal keempat. Terminal drain (D) dihubungkan ke
bahan tipe N melalui kontak metal demikian juga dengan terminal source (S). Antara bahanN drain dan bahan-N source dihubungkan kanal yang terbuat juga dari bahan-N. Terminal
gate dihubungkan ke sisi kanal-N melalui kontak metal. Tetapi yang paling penting disini
adalah bahwa antara kontak metal gate dengan kanal-N ada lapisan oksida silicon (SiO2)
yang berfungsi sebagai isolasi (dielektrikum).
Secara kelistrikan antara terminal gate dengan kanal-N tidak ada hubungan. Hal ini
membuat impedansi dari D-MOSFET sangat tinggi, lebih tinggi dari impedansi input JFET.
Dengan demikian dalam pembiasan dc, arus gate IG dianggap sama dengan nol (IG = 0).
5

Istilah MOSFET (metal-oxide semiconductor FET) ini timbul karena dalam konstruksinya
terdapat metal dan oksida silikon. Dalam literatur lama MOSFET ini disebut dengan IGFET
(insulated-gate FET) karena memang terminal gatenya terisolasi dengan kanal-N.
Penjelasan cara kerja dan karakteristik D-MOSFET kanal-N dimulai dengan
memberikan VGS = 0 dan VDS positif. Pemberian VGS = 0 dilakukan dengan cara
menghubungkan terminal G dengan S. Biasanya terminal SS dihubungkan ke terminal S.
Tegangan positip VDS akan menarik elektron bebas pada kanal-N dari source menuju drain,
sehingga mengalir arus ID. Hal ini sama seperti pada JFET. Bila VDS diperbesar hingga
mencapai Vp, maka arus ID akan jenuh (tidak naik lagi) yang disebut dengan IDSS.
Apabila VGS dibuat negatif, maka muatan negatif pada terminal gate akan menolak
electron bebas pada kanal-N menjauhi daerah kanal-N dan menuju daerah substrat-P. Hal ini
akan mengosongkan kanal-N dari elektron bebas, sehingga arus ID semakin kecil. Apabila
tegangan negatip VGS dinaikkan terus hingga kanal-N kosong dari semua elektron bebas,
maka arus ID sudah tidak bisa dinaikkan lagi meskipun dengan memperbesar VDS.
a) Mode Pengosongan
D-MOSFET dengan tegangan VGS nol hingga VGS negatip ini disebut dengan mode
pengosongan. Hal ini karena dengan tegangan VGS ini kanal-N dikosongkan dari eletktron
bebas, atau dengan kata lain pada kanal-N timbul daerah pengosongan. Seperti halnya pada
JFET, saat VGS negatif tertentu, arus ID tidak bisa mengalir lagi (mati) meskipun VDS
diperbesar. VGS yang menyebabkan ID nol ini disebut dengan VGS(off). Rangkaiannya
seperti gambar 2.2.

Gambar 2.2 rangkaian D-mosfet depletion mode

b) Mode Peningkatan
6

Selain dengan tegangan VGS negatip, D-MOSFET bisa juga bekerja dengan tegangan
VGS positip. Berbeda dengan JFET yang hanya bisa bekerja dengan VGS negatip saja. Bila
VGS pada D-MOSFET dibuat positip, maka muatan positip pada terminal gate ini akan
menarik elektron bebas dari substrat ke daerah kanal-N, sehingga elektron bebasnya lebih
banyak. Dengan demikian arus ID mengalir lebih besar dibanding saat VGS = 0.
Semakin diperbesar harga VGS ke arah positif, semakin banyak jumlah pembawa
muatan elektron bebas pada kanal N, sehingga semakin besar arus ID. D-MOSFET yang
bekerja dengan VGS positif ini disebut dengan mode peningkatan, karena jumlah pembawa
muatan elektron bebas pada daerah kanal-N ditingkatkan dibanding saat VGS = 0. Pada saat
memperbesar VGS positip ini perlu diperhatikan kemampuan arus ID maksimum agar tidak
terlampaui. Besarnya arus maksimum dari setiap D-MOSFET dapat dilihat pada buku data.

Gambar 2.3 rangkaian D-mosfet Enchancement mode

c) Kurva MOSFET
Kurva karakteristik output dan kurva transfer D-MOSFET kanal-N dapat dilihat pada
gambar 2.4 Terlihat bahwa D-MOSFET ini dapat bekerja baik pada mode pengosongan (saat
VGS negatif) maupun pada mode peningkatan (VGS positif). Oleh karena itu D-MOSFET ini
sering juga disebut dengan DE-MOSFET (depletion-enhancement MOSFET). Persamaan
Shockley juga masih berlaku pada D-MOSFET ini baik pada mode pengosongan maupun
pada mode peningkatan.

I D =I DSS 1

V GS
V GS(off )

Gambar 2.4 Kurva karakteristik transfer dan output D-MOSFET kanal-N

Konstruksi dan prinsip kerja D-MOSFET kanal-P adalah kebalikan dari D-MOSFET
kanal-N yang sudah dijelaskan di depan. Demikian juga polaritas tegangan VGS, VDS, dan
arus ID juga berlawanan dengan yang ada pada D-MOSFET kanal-N. Simbol D-MOSFET
kanal-N dan kanal-P adalah seperti ditunjukkan berturut-turut pada gambar 2.5a dan 2.5b.
Bila terminal SS tidak terhubung di dalam, maka D-MOSFET menjadi komponen empat
terminal. Berbeda dengan simbol JFET yang tanda panahnya pada gate, untuk gate DMOSFET tidak ada panahnya karena gate dengan kanal bukanlah P-N junction.

Gambar 2.5 simbol D-MOSFET (a) kanal-N (b) kanal-P

8

d) Pemberian Prategangan
Oleh karena MOSFET jenis pengosongan dapat beroperasi dalam ragam pengosongan
maupun ragam pengisian, kita dapat menempatkan titik Q pada VGS = 0, seperti diperlihatkan
dalam gambar 2.6a. Selanjutnya, suatu sinyal masukan ac dapat menghasilkan perubahan di
atas dan dibawah titi Q.kemungkinan menggunakan menggunakan VGS = 0 ini merupakan
suatu keuntungan dalam masalah pemberian prategangan. Hal ini memungkinkan suatu
rangkaian prategangan yang khas dalam Gambar 2.6b. Rangkaian yang sesederhana ini tidak
memerlukan tegangan-gerbang atau sumber. Oleh karena itu Vgs = 0 dan ID = IDSS. Tegangan
dc dari penguras adalah :
VDS = VDD - IDSS RD
Prategangan nol dari gambar 2.6a adalah khas untuk MOSFET jenis pengosongan. Ini
juga dapat digunakan dalam transistor bipolar atau JFET.

Gambar 2.6 prategangan nol

3. E-MOSFET
MOSFET tipe peningkatan atau E-MOSFET (Enhancement-metal-oxide
semiconductor FET) terdiri atas kanal-N dan kanal-P. Pembahasan akan dilakukan hanya
untuk E-MOSFET kanal-N saja, karena pada dasarnya kanal-N dan kanal-P hanya berbeda
polaritas. Gambar 3.1 menunjukkan konstruksi E-MOSFET kanal-N. Seperti halnya pada DMOSFET, E-MOSFET ini juga dibuat di atas bahan dasar silkon tipe-P yang disebut dengan
substrat. Pada umumnya substrat P ini dihubungkan ke terminal SS melalui kontak metal.
Terminal SS pada beberapa MOSFET terhubung langsung di dalam komponen, sehingga
yang keluar tinggal tiga terminal saja, yakni Source (S), Drain (D) dan Gate (D).

Gambar 3.1 konstruksi E-MOSFET kanal-N

Source (S) dan drain (D) masing-masing dibuat dengan menumbuhkan doping bahanN dari substrat-P, sehingga dapat dihubungkan keluar menjadi terminal S untuk Source dan D
untuk drain melalui kontak metal. Sedangkan terminal G (gate) dibuat melalui kontak metal
yang diletakkan ditengah-tengah antara Source dan Drain. Antara gate dan substrat P terdapat
silikon dioksida (SiO2) yang berfungsi sebagai isolasi (dielektrikum). Hal demikian ini sama
seperti pada D-MOSFET. Impedansi input E-MOSFET juga sangat tinggi.
Perbedaan utama antara keduanya adalah bahwa pada D-MOSFET terdapat kanal
yang menghubungkan S dan D, sedangkan pada E-MOSFET tidak terdapat kanal tersebut.
Dengan demikian aliran elektron dari source yang akan menuju drain harus melalui substratP.
Pembahasan prinsip kerja E-MOSFET kanal-N dimulai dengan memberikan tegangan
VGS = 0 Volt dan VDS positip. Pemberian tegangan VGS = 0 adalah dengan cara
menghubung-singkatkan terminal Gate (G) dan Source (S). Perhatikan gambar 3.2.

10

Gambar 3.2 E-MOSFET kanal-N dengan VGS = 0 dan VDS positif

Oleh karena antara S dan D tidak ada kanal-N (yang mempunyai banyak elektron
bebas), maka meskipun VDS diberi tegangan positip yang cukup besar, arus ID tetap tidak
mengalir atau ID = 0. Antara source dan drain adalah bahan tipe-P dimana elektron adalah
sebagai pembawa minoritas, sehingga saat VGS = 0 dan VDS positif yang mengalir adalah
arus bocor saja. Disinilah perbedaannya dengan DMOSFET yang mengalirkan arus ID pada
saat VGS = 0 dan VDS positif.
Apabila VGS dinaikan kearah positif, maka muatan positip pada gate ini akan
menolak hole dari substrat-P menjauhi perbatasannya dengan SiO2. Dengan demikian daerah
substrat-P yang berdekatan dengan gate akan kekurangan pembawa mayoritas hole.
Sebaliknya Fank ana dari substrat-P akan tertarik oleh muatan positif gate dan mendekati
perbatasan substrat dengan SiO2. Perlu diingat bahwa elektron tidak bisa masuk ke gate
karena substrat dan gate ada pembatas SiO2, sehingga IG tetap sama dengan nol.
Bila tegangan VGS dinaikan terus hingga jumlah Fank ana yang berada di dekat
perbatasan dengan SiO2 cukup banyak untuk menghasilkan arus ID saat VDS positip, maka
VGS ini disebut dengan tegangan threshold (VT). Pada beberapa buku data VT ini disebut
juga VGS(th). Setelah mencapai tegangan VT ini, maka dengan memperbesar harga VGS,
arus ID semakin besar. Hal ini karena semakin besar VGS berarti jumlah electron yang
tersedia antara source dan drain semakin banyak. Kurva transfer dan karakteristik EMOSFET kanal-N dapat dilihat pada gambar 3.3.
Istilah peningkatan (enhancement) dalam E-MOSFET ini menunjuk pada fenomena
bahwa saat VGS masih nol, arus ID tidak ada karena tidak terdapat elektron antara source dan
drain. Kemudian apabila VGS dibuat positip hingga melebihi VT, maka terjadi peningkatan
jumlah Fank ana antara source dan drain yang berakibat meningkatnya arus ID bila tegangan
VDS positip diperbesar.

11

Pada saat VGS > VT, apabila VDS masih kecil arus ID naik dengan cepat, namun bila
VDS dinaikkan terus hingga mencapai VDSsat, maka arus ID akan konstan. Hal ini karena
dengan memperbesar VDS sementara VGS tetap, maka tegangan relatif antara G dan D
makin kecil sehingga mengurangi daya tarik elektron pada sisi D-G. Akibatnya arus ID akan
jenuh dan kenaikan VDS lebih jauh tidak akan memperbesar arus ID. Harga VDS ini disebut
dengan VDSsat (atau VDS saturasi).
a) Kurva Untuk Mosfet Tipe Peningkatan
Dengan melihat kurva karakteristik E-MOSFET ternyata terdapat hubungan antara
VDSsat dengan VGS. Hubungan tersebut adalah dengan semakin tingginya harga VGS,
VDSsat makin tinggi juga. Pada saat VGS = VT yang mana arus ID mulai mengalir dengan
cukup berarti, maka VDSsat = 0. Hal ini karena arus ID sudah mengalami kejenuhan sejak
VDS dinaikkan.

Gambar 3.3 Kurva karakteristik transfer dan output E-MOSFET kanal-N

Hubungan antara arus ID dengan VGS tidak lagi mengikuti persamaan Shockley
sebagai-mana pada JFET dan D-MOSFET, akan tetapi mengikuti Persamaan ini berlaku
untuk VGS > VT.
2

ID=K ( V GS VT )

Di mana K adalah tetapan yang tergantung pada jenis MOSFET.

12

b) Simbol Skematis
Konstruksi dan prinsip kerja E-MOSFET kanal-P adalah kebalikan dari E-MOSFET
kanal-N yang sudah dijelaskan di depan. Demikian juga polaritas tegangan VGS, VDS, dan
arus ID juga berlawanan dengan yang ada pada E-MOSFET kanal-N.
Simbol E-MOSFET kanal-N dan kanal-P adalah seperti ditunjukkan berturut-turut pada
gambar 3.4a dan 3.4b. Bila terminal SS tidak terhubung di dalam, maka E-MOSFET menjadi
komponen empat terminal. Berbeda dengan simbol JFET yang tanda panahnya pada gate,
untuk gate E-MOSFET tidak ada panahnya karena gate dengan kanal bukanlah P-N junction.

Gambar 3.4 Simbol D-MOSFET (a) kanal-N dan (b) kanal-P

Adanya lapisan SiO2 antara gate dan kanal dalam MOSFET menyebabkan
impendansi input sangat tinggi. Akan tetapi karena lapisan SiO2 ini sangat tipis, maka perlu
kehati-hatian dalam menangani MOSFET ini. Muatan statis yang ada pada tangan manusia
dikhawatirkan bisa menyebabkan lapisan Si02 tembus, sehingga MOSFET akan rusak. Oleh
karena itu biasanya pabrik sudah memberikan cincin penghubung singkat ujung-ujung kaki
MOSFET. Dengan demikian akan dapat menghindari terjadinya beda potensial atau muatan
yang tidak disengaja pada terminal MOSFET.
c) Pemberian Prategangan Mosfet Tipe Peningkatan
Dalam Mosfet tipe peningkatan, untuk memperoleh arus, Vgs harus lebih besar dari
VT. Ini meniadakan prategangan diri, prategangan arus sumber, dan prategangan nol oleh
karena semuanya ini memerlukan operasi ragam pengosongan. Yang mungkin tinggal
prategangan gerbang, prategangan pembagi tegangan, dan prategangan sumber. Cara-cara ini
dapat dilaksanakan dalam MOSFET jenis pengisian, oleh karena E-MOSFET dapat bekerja
dalam tipe peningkatan. Di samping ketiga jenis cara pemberian prategangan ada satu cara
lagi untuk MOSFET tipe peningkatan.
13

Gambar 3.5a memperlihatkan prategangan umpan balik penguras. Apabila MOSFET

menghantar, arus pengurasnya sebesar ID(on) dan tegangan pengurasnya sebesar VDS(on). Oleh
karena arus gerbang kira-kira nol, tidak ada tegangan timbul pada tahanan RD. Oleh
karenanya, VGS =VDS(on) seperti prategangan umpan balik kolektor, rangkaian dalam gambar
3.5a mempunyai kecenderungan untuk mengkompensasi perubahan-perubahan dari
parameter-parameter (karakteristik-karakteristik) FET. Apabila ID(on) oleh sesuatu hal naik,
maka VDS(on) turun. Ini mengurangi VGS, yang sebagian mengimbangi kenaikan ID(on).

Gambar 3.5 prategangan umpan-balik penguras

Gambar 3.5b memperlihatkan titik Q pada lengkungan trans-konduktans, yang
koordinat-koordinatnya ID(on) dan VDS(on). Lenbaran data untuk MOSFET jenis pengisian
biasanya memberikan nilai ID(on) dan VDS(on). Ini membantu penempatan titik Q. dalam desain,
yang harus kita lakukan hanyalah memilih RD yang akan menghasilkan VDS yang ditentukan.
Dalam lambang
R D=

V DD V DS(on)
I D(on)

Misalnya lembaran data dari MOSFET jenis pengisian memberikan V DS(on)=10 V dan
ID(on) = 3 mA. Apabila tegangan catu daya 25 V, tahanan penguras yang diperlukan adalah
R D=

25 V 10 V
=5 k
3 mA

d) Penguat DC
Sebuah penguat dc adalah penguat yang dapat beroperasi sampai frekuensi nol tanpa
kehilangan bati-tegangan. Suatu cara untuk membuat penguat dc atau dc amp (singkatan dc
amplifier) adalah menghilangkan semua kapasitor-kapasitor gandengan dan kapasitorkapasitor pintas.

14

E. PEMANFAATAN MOSFET
MOSFET tipe pengosongan dapat digunakan sebagai penguat penyangga (buffer
amplifier) yang hamper ideal karena gerbangnya terisolasi sehingga sehingga resistansi
masuk mendekati tak terhingga. Selanjutnya, MOSFET mempunyai sifat-sifat derau rendah
yang amat baik. Beberapa MOSFET merupakan alat gerbang-dual (dual-gate). Hal ini berarti
bahwa alat ini mempunyai dua gerbang terpisah. Salah satu penggunaan alat seperti ini adalah
untuk membangun penguat kaskode. Biasanya penguat kaskode digunakan dalam rangkaianrangkaian RF.
MOSFET tipe peningkatan telah membuat pengaruh yang paling besar pada
rangkaian-rangkaian digital. Salah satu alasannya ialah karena kebutuhan daya yang rendah.
Alasan lainnya ialah karena luas ruangan dibutuhkan pada sebuah serpihan (chip) kecil.
Dengan kata lain pabrik dapat meletakkan lebih banyak transistor MOS pada sebuah serpihan
daripada transistor bipolar. Inilah alasannya mengapa MOSFET digunakan pada perpadua
skala-bear untuk mikroprosesor, memori, dan alat-alat lain yang membutuhkan ribuan
transistor pada sebuah sebuah serpihan.
Kegunaan umum MOSFET pada rangkaian Elektronik :
Sebagai Penguat, Contoh : Amplifier Audio
Sebagai Pembangkit, Contoh : Pada Pemancar Radio.
Sebagai Saklar, Contoh : Pada Rangkain Inverter DC-AC
Sebagai Pencampur , Contoh : Pada rangkain Mixer Radio.
F.

15

BAB II
PEMBAHASAN
A. CONTOH RANGKAIAN
Disini kami memakai E-Mosfet pada rangkaian pendeteksi suhu rangkaian. E-mosfet
berguna sebagai saklar.

Komponen yang dibutuhkan :

Baterai 9 volt
Resistor 330
2 Resistor 10K
Termistor tipe NTC (negative thermal coefisien)
LED
E-Mosfet channel N

16

DAFTAR PUSTAKA
Surjono, Herman Dwi. 2008. Elektronika Analog. Jember: Penerbit Cerdas Ulet Kreatif.
Politeknik Bosowa. 2013. Elektronika Analog. ( diambil tanggal 24 September 2014)
Malvino, Albert Paul. 2000. Prinsip-Prinsip Elektronika jilid 1. Terjemahan Muhammad
Barmawi. Jakarta: Erlangga.
Malvino,Alber Paul. 1997. Aproksimasi Rangkaian Semikonduktor. Terjemahan M. Barmawi
dan M. O. Tjia. Jakarta: Erlangga.
Anonim. 2012. LED (Light emitting Dioda). http://elektronika-dasar.web.id/komponen/ledlight-emitting-dioda/ (diakses pada tanggal 5 Oktober 2014)
Anonim. 2012. Sensor Suhu Termistor. http://elektronika-dasar.web.id/komponen/sensortranducer/sensor-suhu-termistor/ (diakses pada tanggal 5 Oktober 2014)

17