MOSFET SEBAGAI SAKLAR

ELEKTRONIKA 2

Dosen Pengampu :
Dr. Moch Sukardjo, M.Pd.

Disusun Oleh Kelompok 9:

Muhammad Rizky Fajar (1513621023)

Andhika Cahya Pramata (1513621030)
Muhamad Yasir (1513621054)

S1 PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRONIKA

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS NEGERI JAKARTA
2023
MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor
dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu.
Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor
MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan
sebagai landasan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate).
Prinsip kerja MOSFET didasarkan pada efek medan listrik pada saluran
semikonduktor. Ketika tegangan diterapkan pada gerbang MOSFET, lapisan oksida yang
memisahkan gerbang dari saluran menghasilkan medan listrik di dalam saluran. Medan listrik
ini mengendalikan konduktivitas saluran semikonduktor, yang pada gilirannya mengatur arus
listrik yang mengalir antara source dan drain. Dalam rangkaian elektronik, MOSFET dapat
digunakan dalam berbagai aplikasi, termasuk dalam Rangkaian penguat (Amplifier),
Rangkaian pengendali daya, dan dalam mikroprosesor dan Integrated Circuit (IC) lainnya.
Transistor MOSFET dapat dibagi menjadi dua, yaitu:
1) Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)
Pada transistor mode depletion, antara drain dan source terdapat saluran yang
menghubungkan dua terminal tersebut, dimana saluran tersebut mempunyai fungsi
sebagai saluran tempat mengalirnya elektron bebas. Lebar dari saluran itu sendiri
dapat dikendalikan oleh tegangan gerbang. Transistor MOSFET mode pengosongan
terdiri dari tipe-N dan tipe-P, simbol transistor ditunjukkan dalam Gambar 1.

2) Transistor Mode peningkatan (Transistor Mode Enhancement)

Transistor mode enhancement ini pada fisiknya tidak memiliki saluran

antara drain dan sourcenya karena lapisan bulk meluas dengan lapisan SiO2 pada
terminal gate. Transistor MOSFET mode peningkatan terdiri dari tipe-N dan tipe-P,
simbol transistor ditunjukkan dalam Gambar 2.
Wilayah Cut-Off (MOSFET OFF)
Pada daerah Cut-Off MOSFET tidak mendapatkan tegangan input (Vin = 0V) sehingga
tidak ada arus drain (ID) yang mengalir. Kondisi ini akan membuat tegangan VDS = VDD.
Dengan beberapa kondisi di atas maka pada daerah cut-off ini MOSFET dikatakan OFF (Full-
Off). Kondisi cut-off ini dapat diperoleh dengan menghubungkan jalur input (gate) ke ground,
sehingga tidak ada tegangan input yang masuk ke rangkaian saklar MOSFET. Untuk lebih
jelasnya dapat dilihat pada gambar berikut.

Gambar Rangkaian MOSFET Sebagai Saklar Pada Kondisi Cut Off

Karakeristik MOSFET pada daerah Cut-Off antara lain sebagai berikut.

• Input gate tidak mendapat tegangan bias karena terhubung ke ground (0V)
• Tegangan gate lebih rendah dari tegangan treshold (VGS < VTH)
• MOSFET OFF (Fully-Off) pada daerah cut-off ini.
• Tidak arus drain yang mengalir pada MOSFET Tegangan output VOUT = VDS = VDD
• Pada daerah cut-off MOSFET dalam kondisi open circuit.
Dengan beberapa karakteristik diatas maka dapat dikatakan bahawa MOSFET pada daerah
Cut-Off merupakan saklar terbuka dengan arus drain (ID) = 0 Ampere. Untuk mendapatkan
kondisi MOSFET dalam keadaan open maka tegnagan gate Vgs harus lebih rendah dari
tegangan treshold (VTH) dengan cara menghubungkan terminal input (gate) ke ground.

Wilayah Saturasi (MOSFET ON)

Pada daerah saturasi MOSFET mendapatkan bias input (VGS) secara maksimum
sehingga arus drain pada MOSFET juga akan maksimum dan membuat tegangan VDS = 0V.
Pada kondisi saturasi ini MOSFET dapat dikatakan dalam kondisi ON secara penuh (Fully-
ON).

Gambar Rangkaian MOSFET Sebagai Saklar Pada Kondisi Saturasi

Karakteristik MOSFET pada kondisi saturasi antar lain adalah :

• Tegangan input gate (VGS) tinggi
• Tegangan input gate (VGS) lebih tinggi dari tegangan treshold (VGS>VTH)
• MOSFET ON (Fully-ON) pada daerah Saturasi Tegangan drain dan source ideal (VDS)
pada daerah saturasi adalah 0V (VDS = 0V)
• Resistansi drain dan source sangat rendah (RDS < 0,1 Ohm)
• Tegangan output Vout = VDS = 0,2V (RDS.ID)
• MOSFET dianalogikan sebagai saklar kondisi tertutup
Kondisi saturasi MOSFET dapat diperoleh dengan memberikan tegangan input gate yang lebih
tinggi dari tegangan tresholdnya dengan cara menghubungkan terminal input ke VDD.
Sehingga MOSFET menjadi saturasi dan dapat dianalogikan sebagai saklar pada kondisi
tertutup.
Alat dan Bahan
• MOSFET IRFZ44N (N-Channel)
• MOSFET IRF4590 (P-Channel)
• Breadboard
• Power supply
• Kabel jumper
• LED
• Resistor 220 ohm

Hasil Praktikum:

Gambar 1. MOSFET N CHANNEL

Pembahasan:
Jika Vin = 0, maka:
1. VDD diberikan tegangan sebesar 10V
2. Tegangan masuk melalui drain (D)
3. Karena Vin = 0 maka tegangan langsung masuk ke source (S)
4. LED akan menyala
Jika Vin = 1, maka:
1. VDD diberikan tegangan sebesar 10V
2. Tegangan masuk melalui drain (D)
3. Karena Vin = 1 maka depletion layer pada gate (G) meyempit
4. LED akan mati
 Gambar 2. MOSFET P CHANNEL

Pembahasan:
Jika Vin = 0, maka:
1. VDD diberikan tegangan sebesar -12V
2. Tegangan masuk melalui drain (D)
3. Karena Vin = 0 maka tegangan langsung masuk ke source (S)
4. LED akan menyala

Jika Vin = 1, maka:

1. VDD diberikan tegangan sebesar -12V
2. Tegangan masuk melalui drain (D)
3. Karena Vin = 1 maka depletion layer pada gate (G) menyempit
4. LED akan mati
 Gambar 3. MOSFET N CHANNEL dan P CHANNEL

Pembahasan:
N Channel
Jika Vin = 0, maka:
1. VDD diberikan tegangan sebesar 10V
2. Tegangan masuk melalui drain (D)
3. Karena Vin = 0 maka tegangan langsung masuk ke source (S)
4. LED akan menyala
Jika Vin = 1, maka:
1. VDD diberikan tegangan sebesar 10V
2. Tegangan masuk melalui drain (D)
3. Karena Vin = 1 maka depletion layer pada gate (G) meyempit
4. LED akan mati

P Channel
Jika Vin = 0, maka:
1. VDD diberikan tegangan sebesar -12V
2. Tegangan masuk melalui drain (D)
3. Karena Vin = 0 maka tegangan langsung masuk ke source (S)
4. LED akan menyala

Jika Vin = 1, maka:

1. VDD diberikan tegangan sebesar -12V
2. Tegangan masuk melalui drain (D)
3. Karena Vin = 1 maka depletion layer pada gate (G) menyempit
4. LED akan mati

Kesimpulan:
Pada saat Vin = 0 maka LED akan menyala, pada saat Vin = 1 atau lebih maka LED
akan mati. Pada saat menggunakan mosfet N channel tegangan yang diberikan pada
Vdd dan Vin adalah + dan saat menggunakan mosfet P channel tegangan yang
diberikan pada Vdd dan Vin adalah -.
 DAFTAR PUSTAKA
Maulana. 2014. TEORI DASAR MOSFET. Diakses dari
http://maulana.lecture.ub.ac.id/files/2014/03/Teori-Dasar-MOSFET-Metal-Oxide-
Semiconductor-Field-Effect-Transistor.pdf

ELEKTRONIKA DASAR. 2022. MOSFET Sebagai Saklar. Diakses dari

https://elektronika-dasar.web.id/mosfet-sebagai-saklar/