PARAMETER HYBRIDA DAN MOSFET

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA 2

Dosen Pengampu:
Vina Oktaviani, S. Pd., M.T.

Disusun Oleh:
Andhika Cahya Pramata (1513621030) – C

S1 Pendidikan Teknik Elektronika

Fakultas Teknik
Universitas Negeri Jakarta
2023
Parameter Hybrida

Parameter h (hibrida) adalah sebuah pendekatan matematis lanjut dalam analisis rangkaian
transistor linear. Parameter ini merupakan alat yang paling maju untuk mencari tegangan,
impedansi masuk dan impedansi keluar yang tepat dari sebuah penguat transistor. Pada
model parameter H seperti pada gambar ,sisi masukan berisi impedansi h11 yang terpasang
seri dengan sumber tegangan h12 v2. Pada sisi keluaran berisi sumber arus h21 i1 yang
dipararel dengan admintansi h22. Persamaan Kirchoff untuk model hibrida inin adalah

v1  h11i  h12v2
1
i2   h22v2
h21i
1

Koefisien persamaan ini disebut parameter hibrida atau parameter H. Parameter h paling
cocok digunakan untuk menganalisa penguat transistor yang beroperasi pada frekuensi
rendah.

Ada 4 Parameter H:
1. Hie : impedansi input (rc = 0)
2. Hfe : penguatan arus (rc = 0)
Note: equivalen dengan output hubungan singkat
3. Hre : penguatan tegangan (rs = ∞)
4. Hoe : admintansi input (rs = ∞)
Note: equivalen dengan input open

Hie : vb/ib
Hfe : ic/ib
Hoe : ic/vc

Alat dan Bahan

 Transistor BD139
 Osilator (sinyal generator)
 Osiloskop
 Multimeter
 Breadboard
 Kabel jumper
Langkah kerja
Untuk menghitung hie dan hfe
1. Buatlah rangkaian 1

2. Hubungkan (+) output osilator ke (+) input osiloskop dan (-) output osilator ke (-)
input osiloskop
3. Amati sinyal yg dihasilkan osilator dan atur hingga mempunyai frekuensi 1kHz dan
amplitudo 1V
4. Setelah sesuai masukkan sinyal generator ke dalam rangkaian dan hitung VB, IB,
dan IC rangkaian
VB= hubungkan probe merah multimeter ke kaki basis dan probe hitam multimeter ke
ground
IC= putus hubungan antara collector dan ground, lalu probe merah multimeter
sambungkan ke ground dan probe hitam multimeter ke kaki collector.

Mengukur VB Mengukur IC
Untung menghitung hre dan hoe
1. Buatlah rangkaian 2

2. Atur osilator seperti sebelumnya

3. Masukkan sinyal generator ke dalam rangkaian dan hitung VB dan IC
VB= hubungkan probe merah multimeter ke kaki basis dan probe hitam multimeter
ke ground
IC= putus hubungan + osilator dari kaki collector, lalu hubungkan probe
merah multimeter ke + osilattor dan probe hitam multimeter ke kaki collector

Mengukur VB Mengukur IC

Praktikum belum selesai dikarenakan tidak adanya alat untuk mengukur arus sebesar
mikroamper
Alat dan Bahan
 MOSFET IRFZ44N
VD
 MOSFET TR4905P
 Breadboard
 Multimeter R
1
 Power supply
 Kabel jumper
 LED R
Q2 2
 Resistor 220 ohm
 Resistor 1K ohm
D
1
G

A
L
ED

K
VOUT

Q3
D
2
Hasil Praktikum:
Keadaan Rendah (0V) Keadaan Tinggi (>1V) Keterangan

Nilai Vin saat

kondisi
mosfet 0
menggunakan
multimeter
sebesar 1,7V,
serta kondisi
LED
berwarna
Kuning
Menyala.

Nilai Vin saat

kondisi
mosfet
bernilai 1
atau lebih
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar 4,9V,
serta kondisi
LED
berwarna
Biru
Menyala.
Nilai Vout saat
kondisi
mosfet
bernilai 0
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar
2,33V,
serta kondisi
LED
berwarna
Kuning
Menyala.

Nilai Vout saat

kondisi
mosfet
bernilai 1
atau lebih
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar 4,4V,
serta kondisi
LED
berwarna
Biru
Menyala.
Nilai VDP saat
kondisi
mosfet
bernilai 0
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar
12,5V,
serta kondisi
LED
berwarna
Kuning
Menyala.

Nilai VDP saat

kondisi
mosfet
bernilai 1
atau lebih
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar
4,98V,
serta kondisi
LED
berwarna
Biru
Menyala.
Nilai VDN saat
kondisi
mosfet
bernilai 0
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar 2,3V,
serta kondisi
LED berwana
Kuning
Menyala.

Nilai VDN
saat kondisi
mosfet
bernilai 1
atau lebih
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar 4,9V,
serta kondisi
LED
berwarna
Biru
Menyala.
Nilai IDP saat
kondisi
mosfet
bernilai 0
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar
0,31mA,
serta kondisi
LED
berwarna
Kuning
Menyala.

Nilai IDP saat

kondisi
mosfet
bernilai 1
atau lebih
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar
0,46mA,
serta kondisi
LED
berwarna
Biru
Menyala.
Nilai IDN saat
kondisi
mosfet
bernilai 0
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar
0,25mA,
Serta kondisi
LED
berwarna
Kuning
Menyala.

Nilai IDN saat

kondisi
mosfet
bernilai 1
atau lebih
diukur
menggunakan
multimeter
sebesar
0,05mA,
serta kondisi
LED
berwarna
Biru
Menyala.
Kesimpulan:
Parameter h (hibrida) adalah sebuah pendekatan matematis lanjut dalam analisis rangkaian
transistor linear. Parameter ini merupakan alat yang paling maju untuk mencari tegangan,
impedansi masuk dan impedansi keluar yang tepat dari sebuah penguat transistor. Ada 4
Parameter H:
- Hie : impedansi input (rc = 0)
- Hfe : penguatan arus (rc = 0)
Note: equivalen dengan output hubungan singkat
- Hre : penguatan tegangan (rs = ∞)
- Hoe : admintansi input (rs = ∞)
Note: equivalen dengan input open
Hie : vb/ib
Hfe : ic/ib
Hoe :ic/vc
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat
semikonduktor (silikon) yang digunakan sebagai switch dan penguat sinyal pada perangkat
elektronik serta dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari
ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET
tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS).

N-Channel MOSFET
Struktur N-Channel Mosfet terdiri dari subtract tipe P dengan daerah source dan drain
diberi difusi N+. Diantara daerah source dan drain terdapat sebuah celah sempit dari
subtract P yang disebut dengan channel yang ditutupi oleh isolator yang terbuat dari Si02.

P-Channel MOSFET
P-Channel Mosfet memiliki wilayah P-Channel diantara source dan drain. Tipe ini memiliki
empat terminal seperti gate, drain, source, dan body. Struktur PMOS terdiri atas tipe-n
dengan daerah source dan drain diberi difusi P+.

MOSFET memiliki dua mode yaitu depletion mode dan enhancement mode. Adapun hasil
praktikum kelompok kami yaitu pada saat menggunakan mosfet N channel tegangan yang
diberikan pada Vdd dan Vin adalah + dan saat menggunakan mosfet P channel tegangan
yang diberikan pada Vdd dan Vin adalah -.
 DAFTAR PUSTAKA
Maulana. 2014. TEORI DASAR MOSFET. Diakses dari
http://maulana.lecture.ub.ac.id/files/2014/03/Teori-Dasar-MOSFET-Metal-Oxide-
Semiconductor-Field-Effect-Transistor.pdf

ELEKTRONIKA DASAR. 2022. MOSFET Sebagai Saklar. Diakses dari

https://elektronika-dasar.web.id/mosfet-sebagai-saklar/