Dasar Elektronika

BAB IX
MOSFET

Setelah mempelajari bab ini, Anda diharapkan dapat:

Menjelaskan karakteristik dan operasi kedua mode MOSFET yaitu : deplection mode dan
enhancement-mode.
Menggambarkan sketsa karakteristik kurva-kurva suatu E-MOSFET.
Mendiskripsikan bagaimana E-MOSFET digunakan sebagai saklar digital.
Menggambar skema pensaklaran rangkaian digital CMOS sederhana dan menjelaskan
operasinya.
Menamakan dan mengilustrasikan beberapa aplikasi power FET.

Metal-Oxide Semiconductor FET atau MOSFET, memiliki sebuah sumber (Source), gerbang
(Gate) dan Saluran (Drain). Akan tetapi MOSFET berbeda dengan JFET, dalam hal ini Gate
diisolasi dari Drain. Oleh karena itu, arus Gate lebih kecil dari pada yang ada pada JFET.
MOSFET disebut juga dengan IGFET (Insulated-Gate FET).

Ada dua jenis MOSFET, yaitu tipe deplection-mode dan tipe enhancement-mode. Deplection-
mode tidak banyak digunakan kecuali untuk aplikasi-aplikasi khusus.

Enhancement-mode MOSFET digunakan dalam rangkaian diskret maupun terpadu. Dalam

rangkaian diskret, kegunaan utamanya adalah untuk pensaklaran daya, yang berarti mengubah
arus besar besar menjadi hidup dan mati. Dalam rangkaian terpadu, kegunaan utamanya adalah
dalam pensaklaran digital, proses dasar dibalik computer modern.

9.1. MOSFET DEPLECTION-MODE

Gambar (9.1) Menunjukkan MOSFET deplection-mode, sebuah bahan semikonduktor jenis n
dengan Gate terisolasi disisi kiri dan sebuah bahan semikonduktor jenis p disisi kanan. Daerah p
disebut substrate.

Gambar. 9.1. MOSFET deplection-mode

Mosfet 1
 Dasar Elektronika

Lapisan tipis silicon dioksida (SiO2) ditumpukkan pada sisi kiri saluran. Silikon dioksida sama
seperti kaca, sebagai sekat. Dalam MOSFET, Gate adalah logam. Karena Gate logam diisolasi
dari saluran, arus Gate yang diabaikan mengalir lurus ketika tegangan Gate positif.

Gambar (9.2a) menunjukkan MOSFET deplection-mode dengan tegangan gerbang negative. VDD
menyediakan tenaga elektron bebas untuk mengalir dari Source ke Drain. Elektron-elektron ini
mengalir melalui saluran sempit disisi kiri substrate p. Seperti JFET, tegangan Gate mengontrol
lebar saluran. Semakin negative tegangan Gate, semakin kecil arus saluran. Ketika tegangan
gerbang cukup negatif, arus saluran terputus. Oleh karena itu, operasi MOSFET deplection-mode
mirip dengan JFET ketika VGS negatif.

Gambar 9.2a. MOSFET deplection-mode dengan Gate negatif

Karena Gate diisolasi, kita dapat juga menggunakan input tegangan positif, seperti ditunjukan
pada gambar (9.2b).

Gambar 9.2b. MOSFET deplection-mode dengan Gate positif

Tegangan Gate positif menngkatkan jumlah elektron bebas yang mengalit melalui saluran.
Semakin positif Gate, semakin besar konduksi dari Source ke Drain.

9.2. MOSFET ENHANCEMENT-MODE

MOSFET Deplection-mode adalah bagian dari evolusi menuju MOSFET enhancement-mode,
disingkat E-MOSFET. Tanpa E-MOSFET, computer pribadi sekarang yang tersebar luas tidak
akan ada.
Mosfet 2
 Dasar Elektronika

Gambar (9.3a) menunjukkan sebuah E-MOSFET. Substrate p sekarang memperluas semua jalan
silikon dioksida.

Gambar 9.3. MOSFET enhancement-mode a) tak-terbias b) Terbias

Seperti terlihat pada gambar (9.3a) tidak ada saluran bahan semikonduktor n diantara Source dan
Drain. Cara E-MOSFET bekerja : gambar (9.3b) menunjukkan polaritas pembiasan normal.
Ketika tegangan Gate nol, arus diantara Source dan Drain adalah nol. E-MOSFET biasanya tidak
aktif ketika tegangan Gate nol.

Untuk mendapatkan arus adalah dengan tegangan Gate positif. Ketika Gate menjadi positif,
maka ia menarik elektron bebas ke daerah p. Elektron bebas bergabung kembali dengan hole-
hole ke silicon dioksida. Ketika tegangan Gate cukup positif, seluruh hole yang sedang
menyentuh silicon dioksida terisi dan elektron bebas mulai mengalir dari dari Source ke Drain.
Akibatnya adalah sama seperti membuat membuat sebuah lapisan tipis bahan tipe n ke silikon
dioksida. Lapisan konduksi tipis ini disebut lapisan pembalik tipe n. Ketika lapisan ini ada,
elektron bebas dapat mengalir dengan mudah dari Source ke Drain.

VGS minimum yang membuat lapisan pembalik tipe n disebut tegangan ambang batas,
disimbolkan VGS(th). Ketika VGS lebih kecil dari VGS(th), arus saluran nol. Ketika VGS lebih besar
dari VGS(th), arus saluran dapat mengalir. Nilai VGS(th) biasanya untuk peralatan sinyal kecil
adalah dari 1 sampai 3 volt.

JFET mengacu sebagai sebuah alat deplection-mode karena konduktivitasnya tergantung dari
aksi lapisan deplection. E-MOSFET diklasifikasikan sebagai alat enhancement-mode karena
tegangan Gate lebih besar dari pada tegangan ambang batas meningkatkan konduktivitasnya.
Dengan tegangan Gate nol, JFET aktif, sedangkan E-MOSFET tidak aktif.

Mosfet 3
 Dasar Elektronika

9.2.1. KURVA DRAIN

Sinyal kecil E-MOSFET memiliki tingakat daya 1 watt atau lebih kecil. Gambar (9.4a).
menunjukkan kurva Drain untuk senyal kecil

Gambar 9.4a. Grafik E-MOSFET a) Kurva Drain b) Kurva transkonduktansi

Kurva terendah adalah kurva VGS(th). Ketika VGS lebih kecil dari VGS(th), arus Drain diperkirakan
nol. Ketika VGS lebih besar, E-MOSFET menyala dan arus Drain dikontrol oleh tegangan Gate.

Hampir semua bagian vertikal dari grafik di daerah ohmic, dan hampir semua bagian horizontal
di daerah aktif. Ketika bias di daerah ohmic, E-MOSFET sama dengan resistor. Ketika bias di
daerah aktif E-MOSFET sama denga arus Source. Meskipun E-MOSFET dapat beroperasi pada
daerah aktif, kegunaan utamanya adalah didaerah ohmic.

Gambar (9.4b) menunjukkan kurva transkonduktan sederhana. Tidak ada arus Source sampai
VGS = VGS(th). Arus Drain kemudian bertambah secara cepat sampai mencapai arus jenuh ID(sat).
Di luar titik ini, E-MOSFET dibiaskan didaerah ohmic. Oleh karena itu, ID tidak dapat
bertambah, meskipun VGS bertambah. Untuk memastikan kejenuhan, digunakan tegangan Gate
VGS(on) yang berada diatas VGS(th), seperti ditunjukkan pada gambar (9.4b).

9.2.2. SIMBOL SKEMATIK

Ketika VGS=0, E-MOSFET tidak aktif karena tidak ada saluran konduksi diantara Source dan
Drain. Simbol skematis gambar (9.5a). memiliki garis saluran (kanal) terputus untuk
mengindikasikan kondisi tidak aktif normal.

Gambar 9.5. Simbol Skematis E-MOSFET a) Kanal n b) Kanal p

Mosfet 4
 Dasar Elektronika

Seperti diketahui, tegangan Gate lebih besar daripada tegangan ambang membuat lapisan
pembalik tipe n yang menghubungkan Source ke Drain. Panah yang menunjukkan ke lapisan
pembalik ini, yang berperan seperti kanal/saluran n ketika E-MOSFET sedang dalam keadaan
konduksi.

Ada juga E-MOSFET kanal/saluran p. Simbol skematisnya mirip, kecuali panah menunjuk ke
luar, seperti ditunjukkan pada gambar (9.5b).

9.2.3. TEGANGAN GATE-SOURCE MAKSIMUM

MOSFET memiliki lapisan tipis silicon dioksida, sebuah bahan penyekat yang mencegah arus
Gate untuk positif sebagaimana halnya tegangan Gate negatife. Lapisan penyekat ini dijaga
setipis mungkin untuk memperlihatkan Gate lebih terkontrol melalui arus Drain. Karena lapisan
penyekat ini sangat tipis, lapisan ini mudah hancur oleh tegangan Gate-Source yang berlebihan.

Misalnya, 2N7000 memiliki tingkat VGS(max) ± 20 V. Jika tegangan Gate-Source menjadi lebih
positif dari + 20 V atau lebih negative dari – 20 V, lapisan penyekat akan dihancurkan.

Disamping penerapan secara langsung dengan sebuah VGS berlebihan, kita dapat juga
menghancurkan lapisan tipis penyekat dengan cara yang halus. Jika kita menghilangkan atau
menyisipkan MOSFET ke rangkaian ketika daya aktif (hidup), tegangan sementara yang
disebabkan oleh reaksi induksi yang mungkin melebihi tingkat VGS(max). Bahkan MOSFET
mungkin menyimpan cukup beban statis untuk melebihi tingkat VGS(max). Inilah sebabnya
mengapa MOSFET sering kirimkan dengan cincin kawat timah, atau dibungkus dalam kertas
timah, atau disisipkan dalam busa konduksi.

Beberapa MOSFET dilindungi dengan dioda Zener yang dipasang tetap secara parallel dengan
Gate dan Source. Tegangan Zener lebih kecil dari tingkat VGS(max). Oleh karena itu, dioda Zener
break down sebelum kerusakan lapisan tipis penyekat terjadi. Kekurangan dari dioda zener
internal adalah mengurangi hambatan input tingi MOSFET. Keterbatasana ini tidak baik dalam
beberapa aplikasi karena MOSFET yang mahal mudah hancur tanpa perlindungan doida Zener.
Jadi MOSFET rapuh dan mudah dihancurkan.

9.3. DAERAH OHMIC

Walaupun E-MOSFET dapat dibiaskan kedaerah aktif, hal ini jarang dilakukan karena intinya
merupakan alat pensaklaran. Tegangan input khusus salah satu rendah atau tinggi. Tegangan
rendah adalah 0 V, dan tegangan tinggi adalah VGS(on), sebuah nilai yang dispesifikasikan dari
lembar data.

Mosfet 5
 Dasar Elektronika

9.3.1. DRAIN-SOURCE DALAM HAMBATAN

Ketika E-MOSFET dibiaskan didaerah ohmic, E-MOSFET sama dengan hambatan RDS(on).
Hampir semua lembar data akan menampilkan nilai dari hambatan ini pada arus Drain dan
tegangan Gate-Source spesifik.

Gambar 9.6. menunjukan ide ini. Ada titik Qtest pada daerah ohmic kurva VGS=VGS(on). Pabrik
mengukur ID(on) dan VDS(on) pada titik Qtest. Dari sini, pabrik menghitung nilai RDS(on)
menggunkan rumus :

VDS ( on )
RD ( on ) = (9.1)
I D ( on )

Gambar 9.6. Pengukuran RD(on)

TABEL 9.1.
Jenis VGS(th), V VGS(on), V ID(on) RDS(on), Ω ID(max) PD(max)
VN2406L 1,5 2,5 100 mA 10 200 mA 350 mW
BS107 1,75 2,6 20 mA 28 250 mA 350 mW
2N7000 2 4,5 75 mA 6 200 mA 350 mW
VN10LM 2,5 5 200 mA 7,5 300 mA 1W
MPF930 2,5 10 1A 0,9 2A 1W
IRFD120 3 10 600 mA 0,3 1,3 A 1W

Tabel 9.1. adalah contoh E-MOSFET sinyal kecil. VGS(th) biasa bernilai 1,5 V samapai 3 V. Nilai
RD(on) adalah 0,3 Ω samapai 10 Ω, yang berarti bahwa E-MOSFET memiliki hambatan rendah
ketika dibiaskan di daerah ohmic. Ketika dibiaskan pada cutoff, E-MOSFET memiliki hambatan
sangat tinggi, kira-kira seperti rangkaian terbuka. Oleh karena itu, E-MOSFET memiliki rasio
on-off sangat baik.

Mosfet 6
 Dasar Elektronika

9.3.2. PEMBIASAN DAERAH OHMIC

Dalam gambar(9.7a), arus jenuh Drain pada rangkaian adalah:

VDD
I D ( sat ) = (9.2)
RD

(a) Rangkaian pembiasan daerah ohmic (b) Garis beban dc

Gambar 9.7. ID(sat) < ID(on) dengan VGS = VGS(on) mematikan kejenuhan

Dan tegangan cutoff Drain adalah VDD. Gambar 9.7b menunjukkan garis beban dc diantara arus
jenuh ID(sat) dan tegangan cutoff VDD.

Ketika VGS =0, titik Q berada pada batas bawah dari garis beban dc. Ketika VGS = VGS(on), titik Q
pada batas atas dari garis beban. Ketika titik Q berada di bawah titik Qtest, seperti ditunjukkan
gambar (9.7b). E-MOSFET dibiaskan didaerah ohmic. Dengan cara lain, E-MOSFET dibiaskan
didaerah ohmic ketika memenuhi persyaratan :
ID(sat) < ID(on) ketika VGS = VGS(on) (9.3)

Persamaan (9.3) memberitahu apakah E-MOSFET sedang beroperasi didaerah aktif atau daerah
ohmic. Melihat rangkaian E-MOSFET, kita dapat menghitung ID(sat). Jika ID(sat) lebih kecil dari
ID(on) ketika VGS=VGS(on), kita akan mengetahui bahwa E-MOSFET dibiaskan di daerah ohmic
dan ini sama dengan hambatan kecil

Mosfet 7
 Dasar Elektronika

Contoh:
Berapa tegangan output pada gambar 9.8a berikut?

(a) (b)
Gambar 9.8. Pensaklaran Antara Cutoff dan Kejenuhan

Contoh :
Berapa Arus LED pada gambar (9.9) berikut?

Gambar 9.9. Mengubah LED hidup dan mati

Contoh :
Apa yang rangkaian pada gambar (9.10) kerjakan jika arus gulungan 30 mA atau lebih dekat ke
penghubung relay?

Gambar 9.10a. Sinyal Input Rendah Mengontrol Arus Output

Mosfet 8
 Dasar Elektronika

9.4. PENSAKLARAN DIGITAL

E-MOSFET telah merevolusi industri komputer, karena adanya tegangan ambang E-MOSFET,
dimana tegangan ini ideal untuk digunakan sebagai alat pensaklaran. Ketika tegangan gate dalam
kondisi stabil berada diatas tegangan ambang, alat diubah dari cut-off ke jenuh. Aksi on-off ini
kunci untuk membangun komputer. Ketika mempelajari komputer akan terlihat bagaimana
komputer menggunakan jutaan E-MOSSFET sebagai perubah on-off untuk memproses data.
(data berarti angka, teks, gambar dan semua informasi yang dapat dikodekan sebagai angka).

9.4.1. Analog, Digital Dan Rangkaian Saklar

Kata analog berarti kontinyu, seperti gelombang sinus. Ketika kita berbicara sinyal analog, kita
sedang membicarakan tentang sinyal yang secara kontinyu berubah dalam hal tegangan seperti
pada gambar (9-11a). Sinyal tidak harus sinusoidal. Selama tidak ada lompatan tiba-tiba diantara
dua level tegangan yang jelas, sinyal mengacu pada sinyal analog.

Gambar 9.11. a) Sinyal Analog b) Sinyal Digital

Kata digital mengacu pada sinyal tak kontinyu. Ini berarti sinyal melompat diantara dua level
tegangan jelas seperti bentuk gelombang pada gambar (9-11b). Sinyal digital seperti ini adalah
jenis sinyal di dalam komputer. Sinyal-sinyal ini adalah kode komputer yang merepresentasikan
angka, huruf dan symbol-simbol lainnya.

Kata saklar adalah lebih luas dari digital. Rangkaian saklar berisi rangkaian digital sebagai
bagiannya. Dengan kata lain, rangkaian saklar dapat mengacu ke rangkaian yang mengubah
motor, lampu, pemanas dan alat arus berat lainnya.

9.4.2. Saklar Beban Pasif

Gambar (9.12) menunjukkan E-MOSFET dengan beban pasif. Kata pasif mengacu pada tahanan
biasa seperti RD.

Mosfet 9
 Dasar Elektronika

Gambar 9-12. Beban Pasif

Pada rangkaian ini, Vin salah satu rendah atau tinggi. Ketika Vin rendah, E-MOSFET cut-off dan
Vout sama dengan tegangan tegangan supply VDD. Ketika Vin tinggi, E-MOSFET jenuh dan Vout
turun ke nilai rendah. Agar rangkaian bekerja dengan baik, arus jenuh drain (ID(sat)) harus lebih
kecil dari pada ID(on) ketika tegangan input sama dengan atau lebih besar dari VGS(on). Hal ini
ekivalen untuk mengatakan bahwa tahanan pada daerah ohmic harus lebih kecil dari pada
tahanan drain pasif. Apabila disimbilkan :
RD(on) << RD
Sebuah rangkaian seperti gambar (9-12) adalah rangkaian komputer paling sederhana yang dapat
dibuat. Rangkaian ini disebut pembalik (inverter) karena tegangan output berlawanan dengan
tegangan input. Ketika tegangan input rendah, tegangan output tinggi. Ketika tegangan input
tinggi, tegangan output rendah. Tingkat keakuratan yang tinggi tidak terlalu diperlukan ketika
kita menganalisa suatu rangkaian saklar. Sebagai pedoman untuk semua masalah adalah bahwa
tegangan input dan output dapat dengan mudah dinyatakan sebagai rendah (low) atau tinggi
(high).

9.4.3. Saklar Beban Aktif

Rangkain terpadu (integrated circuit/IC) terdiri dari ribuan transistor kecil mikrokopis, baik
bipolar maupun MOS. Rangkaian terpadu paling awal menggunakan tahanan beban pasif seperti
pada gambar (9-12). Tetapi tahanan pasif membawa masalah besar. Tahanan beban pasif secara
fisik lebih besar dari pada MOSFET. Karena itu, rangkaian terpadu (IC) dengan tahanan beban
pasif terlalu besar sampai ditemukan tahanan beban aktif. Hal ini sangat mengurangi ukuran
rangkaian terpadu (IC) dan menuju komputer yang digunakan sekarang.

Kunci utamannay adalah untuk mendapatkan kisaran tahanan bebana pasif. Gambar (9-13a)
menunjukkan penemuan rangkaian beban aktif.

Mosfet 10
 Dasar Elektronika

Gambar 9.13. a) Beban Aktif b) Rangkaian ekuivalen

MOSFET terbawah bertindak sebagai saklar, tetapi MOSFET teratas bertindak seperti tahanan
besar. Perhatikan bahwa MOSFEt teratas memiliki gate yang terhubung ke drain-nya. Karena hal
ini, menjadi alat dua terminal dengan tahanan aktif :
VDS ( aktif )
RD = (9-4)
I D ( aktif )

Dalam hal ini VDS(aktif) dan ID(aktif) adalah tegangan dan arus pada daerah aktif. Agar rangkaian
bekerja dengan baik, RD MOSFET teratas harus lebih besar dibandingkan ke RD(on) MOSFET
bawah. Misalnya, jika MOSFET atas bertindak seperti RD = 5 KΩ dan MOSFET bawah seperti
RDS(on) = 667 Ω, seperti ditunjukkan pada gambar (9-13b), kemudian tegangan output akan
rendah.
Gambar (9-13c) menunjukan bagaimana cara menghitung RD MOSFET atas. Karena VGS = VDS,
masing-masing titik operasi MOSFET harus jatuh mendekati kurva dua terminal yang
ditunjukkan gambar (9-13c). Jika masing-masing titik yang diplot pada kurva dua terminal ini,
akan terlihat bahwa VGS = VDS.

Gambar 9.13c. VGS = VDS Menghasilkan Kurva Dua Terminal

Kurva dua terminal pada gambar (9-13c) berarti bahwa MOSFET atas bertindak seperti tahanan
RD. Nilai RD akan berubah sedikit untuk titik-titik yang berbeda. Misalnya, pada titik tertinggi
yang ditunjukkan gambar (9-13c), kurva dua terminal memiliki ID = 3 mA dan VDS = 15 V.
Dengan persamaan (9-4), dapat dihitung :
VD ( aktif ) 15V
RD = = = 5 KΩ
I D ( aktif ) 3 mA
Mosfet 11
 Dasar Elektronika

Titik turun berikutnya memiliki perkiraan nilai ID = 1,6 mA dan VDS = 10 V. Oleh karena itu :
VD ( aktif ) 10 V
RD = = = 6,25 KΩ
I D ( aktif ) 1,6 mA

Dalam perhitungan yang sama, titik terendah ketika VDS = 5 V dan ID = 0,7 mA memiliki :
VD ( aktif ) 5V
RD = = = 7, 2 K Ω
I D ( aktif ) 0,7 mA

Jika MOSFET bawah memiliki kumpulan kurva drain yang sama dengan yang atas, MOSFET
bawah memiliki :
V D ( aktif ) 2V
RD ( on ) = = = 667 Ω
I D ( aktif ) 3 mA

Inilah nilai yang ditunjukkan pada gambar (9-13b).

Nilai pasti tidak berarti pada ramgkaian saklar digital selama tegangan dapat dengan mudah
dibedakan sebagai rendah (low) atau tinggi (high). Oleh karena itu, nilai pasti RD tidak berarti.
Ini dapat 5 KΩ, 6,25 KΩ atau 7,2 KΩ. Sebagian nilai ini cukup besar untuk menghasilkan output
rendah pada gambar (9-13b).

Tahanan beban aktif perlu pada IC digital karena ukuran fisik yang kecil penting pada IC digital.

Contoh:
Berapa tegangan output pada gambar (9-14) ketika input rendah dan kapan tegangan output
tinggi?

Gambar 9.14. Contoh Saklar Beban Aktif

9.5. CMOS
Dengan saklar beban aktif, arus drain dengan output rendah kira-kira sama dengan ID(sat). Hal ini
dapat menciptakan masalah dengan peralatan baterai yang dioperasikan. Salah satu cara untuk
mengurangi arus drain rangkaian digital adalah dengan complementary MOS (CMOS). Pada
pendekatan ini perancang IC mengkombinasikan MOSFET kanal n dank anal p.
Mosfet 12
 Dasar Elektronika

Gambar (9-16a) menunjukkan kombinasi MOSFET kanal n dan kanal p, Q1 adalah MOSFET
kanal p dan Q2 adalah MOSFET kanal n. Kedua alat ini saling melengkapi; yaitu memiliki nilai
VGS(th), VGS(on), ID(on) dan sebagainya sama dan berlawanan. Rangkaian ini hampir sama dengan
amplifier kelas B karena satu MOSFET berkonduksi selama yang lain mati.

Gambar 9.16. Pembalik CMOS a) Rangkaian b) Grafik Input-output

Katika rangkaian CMOS seperti gambar (9-16a) digunakan pada aplikasi saklar, tegangan input
salah satu tinggi (+VDD) atau rendah (0 V). Ketika tegangan input tinggi, Q1 mati (off) dan Q2
hidup (on). Pada kasus ini, Q2 short mendorong tegangan output turun ke ground. Pada sisi lain,
ketika tegangan input rendah, Q1 hidup (on) dan Q2 mati (off). Sekarang Q1 short mendorong
tegangan output sampai +VDD. Karena tegangan output dibalik, rangkaian ini disebut pembalik
(inverter) CMOS.

Gambar (9-16b) menunjukkan bagaimana tegangan output bervariasi dengan tegangan input.
Ketika tegangan input tinggi, tegangan output rendah. Diantara dua hal yang sangat berbeda, ada
V DD
titik penyeberangan ketika tegangan input sama dengan . Pada titik ini, kedua MOSFET
2
V DD
memiliki tahanan sama dan tegangan output sama dengan .
2

Contoh:
MOSFET pada gambar (9-17a) memiliki RD(on) = 100Ω dan RD(off) = 1 MΩ. Terlihat seperti
apakah bentuk gelombang output?

Mosfet 13
 Dasar Elektronika

Gambar 9.17a. Contoh Rangkaian CMOS

9.5.1. Konsumsi Daya

Keuntungan utama CMOS adalah konsumsi daya yang luar biasa rendah. Karena kedua
MOSFET dalam rangkaian pada gambar (9-16a), tidak bergeraknya arus drain ditentukan dengan
alat tak terkonduksi. Karena tahanannya dalam mega ohm, tidak bergeraknya konsumsi daya
mendekati nol.

Konsumsi daya bertambah ketika sinyal input berganti dari rendah ke tinggi dan sebaliknya.
Alasannya adalah; pada titik pertengahan dalam perubahan rendah ke tinggi atau sebaliknya,
kedua MOSFET hidup (on). Ini berarti bahwa arus drain bertambah untuk sementara waktu.
Karena perubahan sangat cepat, hanya pulsa singkat arus terjadi. Hasil dari tegangan supply
drain (VDD) dan pulsa singkat arus berarti bahwa rata-rata konsumsi daya dinamis lebih besar
dari konsumsi daya diam. Dengan kata lain, alat CMOS menghamburkan daya rata-rata lebih
ketika memiliki perubahan dari pada ketika diam.

Ketika pulsa arus sangat pendek, bagaimanapun, rata-rata penghamburan daya sangat rendah
bahkan ketika alat CMOS berganti keadaan. Kenyataanya, konsumsi daya rata-rata sangat kecil
karena rangkaian CMOS sering digunakan untuk aplikasi bertenaga baterai seperti kalkulator,
jam digital, dan alat Bantu pendengaran.

Mosfet 14