Nilai gm maksimum
saat VGS =0V:
2I DSS VGS
g m0 gm gm0 1
VP VP
VGS ID VGS ID
1 gm gm0(1 ) gm0
VP IDSS VP IDSS
Impedansi JFET
Impedansi Input Zi Ω
Impedansi Output Zo rd
1
yos : parameter datasheet JFET yos
ΔVDS
rd
ΔID VGS kons tan
Rangkaian Ekivalen JFET Sinyal ac Kecil
(model П)
g mVgs
Vgs rd
Rangkaian Ekivalen JFET Sinyal ac Kecil
(model T)
IG 0 g mVgs D
G D
g mVgs
Vgs rd
G IG 0 rd
S S
IG 0 g mVgs 1
G D Vgs gm
S
1 rd
Vgs gm
S S
Analisis Sinyal ac Kecil
• Sumber DC diganti tahanan dalamnya
• Kapasitor digantikan rangkaian hubung singkat
(short circuit)
Penguat JFET dengan DC Bias Tetap
VDD
RD
C2
Vo
C1
Vi
RG
VGG
Penguat JFET dengan Bias Sendiri
VDD
RD C2
Vo
C1
Vi
RG
RS
C3
Penguat JFET dengan Pembagi Tegangan
VDD
RD C2
R1
Vo
C1
Vi
R2 RS
C3
Penguat JFET dengan Resistansi Source
(abaikan rd)
VDD
RD C2
Vo
C1
Vi
RG
RS
Penguat JFET dengan Resistansi Source
(rd ada)
VDD
RD C2
Vo
C1
Vi
RG
RS
Penguat JFET Common Drain (Source
Follower)
VDD
C1 G
Vi
C2
S Vo
RG
RS
Penguat JFET Common Gate
(abaikan rd)
VDD
RD C2
C1 Vo
Vi
RS
Penguat JFET Common Gate (rd ada)
VDD
RD C2
C1 Vo
Vi
RS
depletion - MOSFET
Transkonduktansi (gm)
ID
• Hubungan antara output ID an input VGS : gm
I D (mA)
VGS
VGS 1
I DSS VGS 0
VGS 1
VGS 2
VGS 3
6 3 2 1
VGS (Volt ) VDS (Volt )
ID
gm
ΔVGS
2IDSS VGS
gm 1
VP VP
d-MOSFET sinyal ac kecil
IG 0
g mVgs
Vgs rd
D
g mVgs
model П
G IG 0 rd
1
Vgs gm
S
S
model T
enhancement - MOSFET
ID
I D k VGS VT
2
gm
ΔVGS
1 w
k n Cox
2 L
gm 2k VGS VT
e-MOSFET sinyal ac kecil
IG 0
g mVgs
Vgs rd
D
g mVgs
model П
G IG 0 rd
1
Vgs gm
S
S
model T
Analisis Sinyal ac Kecil
• Sumber DC diganti tahanan dalamnya
• Kapasitor digantikan rangkaian hubung singkat
(short circuit)