FET

FIELD-EFFECT TRANSISTOR
PENDAHULUAN
FET adalah komponen unipolar, tidak seperti BJT yang
menggunakan elektron dan arus hole, FET beroperasi hanya
dengan satu tipe pembawa muatan.
Dua jenis utama dari FET adalah JFET (Junction Field-
Effect Transistor) dan MOSFET (Metal Oxide Semiconductor
Field-Effect Transistor).
Pada BJT: komponen kontrol arus, arus base mengontrol
arus kolektor.
Pada FET: komponen kontrol tegangan, tegangan antara
dua terminal (gate dan source) mengontrol arus yang
melalui komponen.
JFET
JFET adalah tipe dari FET yang bekerja dengan bias
mundur junction pn untuk mengontrol arus dalam sebuah
kanal.
Berdasarkan struktur dari JFET, terdapat dua kategori
yaitu: kanal n dan kanal p.
STRUKTUR JFET

Kanal n Kanal p
PRINSIP KERJA
Bias JFET kanal n

VDD: tegangan drain-

source dan
mensuplai arus dari
drain ke source.
VGG: tegangan bias
reverse antara gate
dan source.

JFET selalu beroperasi

dengan junction pn gate-
source bias reverse.
SIMBOL JFET
PENGARUH TEGANGAN VGS

Bias JFET, keadaan konduksi

PENGARUH TEGANGAN VGS

Semakin besar VGG, maka ID semakin

kecil
PENGARUH TEGANGAN VGS

Semakin kecil VGG, maka ID semakin

besar
KARAKTERISTIK JFET
Bila VGS = 0
KARAKTERISTIK
Bila VGS = -1
TEGANGAN CUT-OFF
JFET cut off
PERBANDINGAN TEGANGAN PINCH-OFF DAN CUT OFF

VGS(off) dan VP besarnya selalu sama tetapi berlawanan

tanda.
Contoh: bila VGS(off) = -5 V maka VP = + 5 V
BIAS JFET KANAL P
CONTOH
Dari gambar di bawah, VGS(off) = -4 V dan IDSS = 12 mA.
Tentukanlah nilai minimum VDD yang dibutuhkan untuk JFET
bekerja dengan arus konstan.
Nilai minimum VDS supaya JFET
dalam wilayah arus konstan
adalah:

Drop tegangan di RD
LATIHAN
Diketahui sebuah JFET, VGS = -8 V dan IDSS = 10 mA. Bila VGS =
0, berapa nilai ID untuk nilai VDS diatas pinch off ? VDD =15 V.
KARAKTERISTIK TRANSFER JFET
KARAKTERISTIK
CONTOH
Diketahui IDSS = 9 mA dan VGS(off) = -8 V. tentukan arus drain
untuk VGS = 0 V, -1 V dan -4 V.
BIAS JFET
Self bias
CONTOH
Hitunglah VDS dan VGS.

Jawab:
BIAS PEMBAGI TEGANGAN
CONTOH
Diketahui VD = 7 V, tentukan ID dan VGS.
 Transistor JFET
Collector Drain
Emitter Source
Base Gate
Dua jenis pembawa muatan Satu jenis pembawa muatan
(elektron dan hole) (elektron atau hole)
Transistor bipolar Transistor unipolar

VBE forward bias VGS reverse bias

Sumber arus IC yang Sumber arus ID yang
dikendalikan oleh arus IB dikendalikan oleh tegangan VGS
Hubungan linier IC = IB Hubungan kuadratis
IB kecil Zin(base) terbatas IG = 0 Zin(gate) =