FET (FIELD EFFECT

TRANSISTOR)
Agung Rizaldy
Andre Dwi Januar
Demar Chairil Syamsi
Hildan
Mohamad Zulkifli
PENGERTIAN
FET adalah kepanjangan dari Field Effect Transistor atau Transistor Efek Medan, FET
adalah Salah satu jenis Transistor yang menggunakan medan listrik untuk
mengendalikan konduktifitas suatu kanal dari jenis pembawa muatan tunggal dalam
bahan semikonduktor. Berbeda dengan transistor, FET bekerja berdasarkan efek medan
listrik. FET mempunyai 3 kaki, yaitu: Gate (G) Drain (D) Source (S).
Jika dilihat dari fungsinya 3 kaki ini menyerupai kaki-kaki transistor dimana Gate (G) serupa
dengan Basis (B) , Drain(D) dengan Kolektor (C) dan Source (S) serupa dengan Emitor (E) .
Karena termasuk jenis transistor maka FET juga ada dua tipe yaitu FET kanal P dan FET
kanal N . Fungsi FET hampir sama dengan fungsi transistor. Namun, Tidak seperti transistor
biasa, yang akan menghantar bila diberi arus basis, transistor jenis ini akan menghantar bila
diberikan tegangan (jadi bukan arus).
SEJARAH
Transistor efekmedan diciptakan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun
1925 dan oleh Oskar Heil pada tahun 1934, tetapi peranti ini tidak dibuat
secara masal hingga tahun 1990-an.
KOMPOSISI
FET dapat dibuat dari beberapa semikonduktor, silikon menjadi yang paling
umum. FET pada umumnya dibuat dengan proses pembuatan
semikonduktor secara keseluruhan, menggunakan lapik semikonduktor
kristal tunggal sebagai daerah aktif, atau kanal. Di antara bahan badan yang
tidak lazim adalah amorphous silicon, polycrystalline silicon dan OFET yang
dibuat dari semikonduktor organik dan sering menggunakan isolator gerbang
dan elektrode organik.
JENIS-JENIS FET
Ada dua jenis transistor FET yaitu JFET (junction
FET) dan MOSFET (metal-oxide semiconductor
FET). Pada dasarnya kedua jenis transistor ini memiliki
prinsip kerja yang sama, namun tetap ada perbedaan yang
mendasar pada struktur dan karakteristiknya.
JFET (J UNCTION FET)
Gambar dibawah menunjukkan struktur transistor JFET kanal n dan kanal p.
Kanal n dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari
semikonduktor tipe p. Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah
dinamakan Source. Pada kedua sisi kiri dan kanan terdapat implant
semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal kedua sisi implant ini terhubung
satu dengan lainnya secara internal dan dinamakan Gate.
MOSFET (METAL OXIDE FET)
Mirip seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain,
source dan gate. Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan
oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metalseperti aluminium. Oleh
karena itulah transistor ini dinamakan metal-oxide. Karena gate yang
terisolasi, sering jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-
gate FET.
Ada dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-mode dan yang
kedua jenis enhancement-mode. Jenis MOSFET yang kedua adalah
komponen utama dari gerbang logika dalam bentuk IC (integrated circuit),
uC (micro controller) dan uP (micro processor) yang tidak lain adalah
komponen utama dari komputer modern saat ini.


MESFET (MetalSemiconductor FET, FET SemikonduktorLogam)
menggantikan sambungan p-n pada JFET dengan sawar Schottky, digunakan
pada GaAs dan bahan semikonduktor lainnya.
HEMT (High Electron Mobility Transistor, Transistor Pergerakan Elektron
Tinggi), juga disebut HFET (heterostructure FET, FET Struktur Campur).
Material celah-jalur-lebar yang dikurangi penuh membentuk isolasi antara
gerbang dan badan.
IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Transistor Dwikutub Gerbang-
Terisolasi) adalah peranti untuk pengendali daya tinggi. Ini mempunyai
struktur mirip sebuah MOSFET yang digandengkan dengan kanal konduksi
utama yang mirip transistor dwikutubFREDFET (Fast Reverse/Recovery
Epitaxial Diode FET, FET Dioda Epitaksial Cepat Balik/Pulih) adalah sebuah
FET yang didesain khusus untuk memberikan kecepatan pemulihan
(pematian) yang sangat cepat dari dioda badan.
ISFET (Ion-Sensitive FET, FET Sensitif-Ion) digunakan untuk mengukur
konsentrasi ion pada larutan, ketika konsentrasi ion (seperti pH) berubah, arus
yang mengalir melalui transistor juga berubah.
DNAFET adalah FET khusus yang berfungsi sebagai sebuah biosensor,
dengan menggunakan gerbang yang dibuat dari molekul salah satu helai DNA
untuk mendeteksi helaian DNA yang cocok.

PENGGUNAAN
FET yang paling sering digunakan adalah MOSFET. Teknologi proses CMOS
(complementary-symmetry metal oxide semiconductor) adalah dasar dari
sirkuit terpadu digital modern. Lapisan isolasi tipis antara gerbang dan kanal
membuat FET rawan terhadap kerusakan akibat pengosongan elektrostatik
selama penanganan. Biasanya ini bukanlah sebuah masalah setelah peranti
terpasang. Pada FET, elektron dapat mengalir pada kedua arah melalui
kanal ketika dioperasikan pada moda linier, dan konvensi penamaan antara
saluran sumber, karena peranti FET biasanya (tetapi tidak selalu) dibuat
simetris dari sumber ke cerat. Ini membuat FET cocok untuk mensakelarkan
isyarat analog di antara kedua arah (pemultipleks).