ELEKTRONIKA DASAR

Bab V
Transistor Efek Medan

Oleh : Kelompok 3

1
Bab V: Transistor Efek Medan

Transistor Efek Medan

 Transistor efek medan (Field Effect Transistor/FET) adalah suatu
transistor yang mirip kerjanya berdasarkan atas pegaturan arus
keluar (Simatupang, 2011). Keunggulan FET dari trasistor adalah
impedansi masukannya yang jauh lebih besar, sedang
kelemahannya FET mempunyai jangkauan frekwensi yang lebih
sempitndibandingkan dengan transistor BJT. Ada dua jenis FET
yaitu JFET (Junction Field Effect Transistor) dan MOSFET (Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

2
Bab V: Transistor Efek Medan

JFET

 Konstruksi JFET
JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu
terminal dapat mengontrol arus antara dua terminal
lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-N dan
kanal-P, sebagaimana transistor terdapat jenis NPN dan
PNP.

3
Konstruksi dasar komponen JFET kanal-N
adalah seperti pada gambar 1.1. Terlihat bahwa
sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan
tipe-N yang membentuk kanal. Bagian atas dari
kanal dihubungkan ke terminal yang disebut
Drain (D) dan bagian bawah dihubungkan ke
terminal yang disebut Source (S). Pada sisi kiri
dan kanan dari kanal-N dimasukkan bahan tipe
P yang dihubungkan bersama-sama ke
terminal yang disebut dengan Gate (G).

4
Bab V: Transistor Efek Medan

JFET

Kurva karakteristik  Pada kuva karakteristik JFET

kanal-N secara lengkap
JFET (gambar ) terlihat bahwa
apabila VGS dinaikkan terus
kearah negatip, maka pada
suatu tegangan VGS negatip
tertentu arus ID tetap nol
meskipun tegangan VDS
dinaikkan. Tegangan VGS ini
disebut dengan
 VGS(off) atau tegangan pinch-
off (Vp). Hal ini karena daerah
pengosongan pada kedua sisi
saling bersentuhan.

5
 Pada kurva gambar tersebut tegangan Vp = -4 Volt.
Pada kurva tersebut bisa
 dilihat pada tegangan VDS saat VGS = 0 dan ID = IDSS.
Juga bisa dilihat pada tegangan VGS saat ID = 0
meskipun VDS dinaikkan terus, yaitu VGS(off). Harga Vp
ini adalah negatip untuk JFET kanal-N dan positip
untuk JFET kanal-P. Pada beberapa buku data
istilah
 VGS(off) maupun Vp keduanya biasa dipakai untuk
menyatakan tegangan pinch-off.

6
 Simbol JFET

Simbol JFET untuk kanal-N dan kanal-P ditunjukkan pada

gambar 1.6 (a) dan (b). Dalam simbol tersebut, arah tanda
panah pada gate merupakan arah arus pada
persambungan seandainya diberi bias maju. Tetapi perlu
diingat bahwa daerah kerja JFET adalah bila
persambungan tersebut diberi bias mundur. Oleh karena
itulah, maka arus gate IG adalah nol (sangat kecil) dan
akibatnya resistansi input dari JFET adalah tinggi sekali
(dalam orde puluhan megaohm).

7
Bab 9: Transistor Efek Medan

Krakteristik Transfer JFET

 Pada transistor bipolar hubungan antara arus

output IC dan arus input yang mengendalikan
IB dianggap linier, yakni: IC = bIB. Namun
pada JFET hubungan antara arus output ID
dengan tegangan input yang mengendalikan
VGS tidaklah linier, yakni ditentukan dengan
persamaan Shockley:

8
Dengan persamaan Shockley tersebut dapat dibuat
karakteristik transfer JFET. Karakteristik transfer JFET
merupakan hubungan antara arus drain ID dengan
tegangan gate- source VGS setelah tercapai titik pinch-off.
Gambar menunjukkan kurva karakteristik transfer JFET.
Kurva ini diperoleh dengan menggunakan persamaan
Shockley dari kurva karakteristik output.

9
BIAS SENDIRI
Arus drain mengalir melalui RD dan RS
menghasilkan tegangan drain source:
VDS=VDD-ID(RD+RS)
karena IG adalah cukup kecil, VG mendekati
nol.
VG=0
Karena arus drain yang mengalir melalui R S,
tegangan sumber ke ground adalah V S=ID.RS
Dalam hal ini tegangan sumber positif terhadap
gate, gate negatif terhadap sumber. Artinya
gate dibias balik sebagai bias normail FET.
Feedback Negatif
Bias sendiri adalah suatu contoh feedback
negatif yang mengatur stabilisasi arus drain
menetang perubahan-perubahan suhu dan
tenaga pengganti FET.
Titik Q
Tegangan diantara gate dan source adalah:
VGS=VG-VS=0-ID.RS
VGS=-ID.RS
Persamaan diatas dapat dituliskan menjadi :
Grafik Bias Sendiri
Dari persamaan ID=IDSS dan VGS=-ID.RS dapat
diturunkan hubungan antara arus drain,
transkonduktansi dengan resistansi bias
sumber.
 Grafik diatas menunjukkan grafik kuantitas-kuantitas ini
dan membantu kita menganalisis rangkaian bias sendiri.
Bila gmo RS menurun, akan naik.
Bila gmo RS naik, akan turun.
Dan bila gmo RS=1 maka = 0,53.
Ini artinya arus drain mendekati , bila gmo RS=1 ,

maka
Dari sini dinyatakn bahwa RS adalah kebalikan dari gmo dan
ID didekati dengan nilai
BIAS SUMBER ARUS
Biar sumber arus adalah cara utama untuk
menstabilkan arus cerat terhadap variasi dalam
parameter FET(Field Effect Transistor).

Dua Sumber (Catu)

Untuk transistor bipolar arus emitter:
IK

Dioda Kolektor bertindak sebagai sumber

arus dan memaksa ID sama dengan IE .Kondisi
yang harus dipenuhi:
IC<IDSS
Sebagai contoh 2N5952 mempunyai I DSS
(min) = 4 mA dengan IDSS (max) = 8mA, Jika
ingin bekerja dengan 2N5952 bias arus
sumber harus diset agar arus kolektor lebih
kecil dari 4 mA.

Satu Catu
Jika tidak mempunyai tegangan bias negative,
maka masih bisa menggunakan bias arus.
Hampir semua tegangan melalui R 2 muncul
pada resistor RE .Ini akan menetapkan arus
emitter dengan nilai konstan,yang tidak
tergantung pada karakteristik FET.
Penguat FET

16
Penguat FET

17
Penguat FET

18
Penguat FET

19
Penguat FET

20
Penguat FET

21
Penguat FET

22
Penguat FET

23
Penguat FET

24
Penguat FET

25
Penguat FET

26
Penguat FET

27
Penguat FET

28