Penggunaan MOSFET dalam

Perancangan Penguat
Penguat Tegangan
• Menggunakan RD untuk mengubah arus
menjadi tegangan

vO  vDS  VDD  iD RD
VTC
• Saat input vGS kurang dari Vt FET cut-off

• Saat input vGS melampaui Vt FET arus mulai

mengalir VD turun MOSFET masuk mode
saturasi
vO  vDS  VDD

• Saat input vGS naik dan vDS turun hingga vDS

sama vOV MOSFET masuk mode trioda

vO  VDD  iD RD
Tegangan Bias untuk Penguat Linier

• Pilih titik kerja DC pada keadaan arus tidak ditentukan tegangan drain-source (saturasi)

VDS  VDD  I D RD
1
VDS  VDD  k n VGS  Vt  RD
2

2
Penguatan Tegangan Sinyal Kecil

Sinyal input lengkap

vGS  VGSD  v gs
Penguatan Tegangan Sinyal Kecil

• Bila vgs kecil maka vds dapat mendekati

proposi dari vgs
• Penguatan di titik kerja
dvDS
Av 
dvGS vGS VGS

Av  k n VGS  Vt RD
Av   k nVOV RD
penguatan negatif sebanding resistansi dan
transkonduktansi
• Arus DC 1
ID  2
k nVOV
2
penguatan menjadi
I D RD VDD
Av  Av max 
VOV 2 VOV 2
Contoh 5.9
• Penguat MOSFET mempunyai Vt 0,4V, kn’
0,4mA/V2, W/L 10, dan l=0. Bila VDD 1,8V, RD
17,5kW, dan VGS 0,6V, tentukan VOV, ID, VDS,
dan Av dan berapa swing maksimum simetri
pada drain serta swing pada gatenya
Contoh 5.9
• Arus drain DC

1 'W
k n VGS  Vt 
2
ID 
2 L
1
I D   0,4  10  0,2 2  0,08mA
2
• Tegangan drain-source
VDS  VDD  I D RD

VDS  1,8  0,08 17,5  0,4V

• Penguatan
Av  k nVOV RD
Av  0,4 10  0,2 17,5  14V / V
Contoh 5.9
• Tegangan DC drain source VDS
0,4V dan VOV 0,2V maka agar
MOSFET masih saturasi VDS
minimum 0,2V atau magnituda
swing output 0,2V
• Perhitungan amplituda
tegangan swing input kasar

 vds 0,2
v gs    14,2mV
Av 14
• Perhitungan lebih baik bila vgs
diperhitungkan saat
menentukan batas saturasi
Contoh 5.9
• Perhitungan lebih teliti dari batas saturasi

vDS  vGS max  Vt

 
VDS  vds  VGS  v gs  Vt
 
VDS  Av v gs  VGS  v gs  Vt

 
0,4  14v gs  0,6  v gs  0,4


v gs  13,3mV
VTC dengan Analisis Grafis
• Persamaan arus tegangan

VDD 1
iD   vDS
RD RD
Menentukan Tegangan Maksimum dan
Minimum
• Batas tegangan output maksimum saat Cut- • Batas tegangan output maksimum saat Trioda
off
Menentukan Titik Kerja Q
• Untuk VGS sama
• Resistansi tinggi cenderung
mendekati trioda
• Resistansi rendah cenderung
mendekati cut-off
Operasi dan Pemodelan
Sinyal Kecil
Titik Kerja DC
• Untuk sinyal kecil vgs nol
1 'W
k n VGS  Vt 
2
ID 
2 L

1 'W 2
ID  k n VOV
2 L

VDS  VDD  I D RD

• Agar linier harus dijaga saturasi

VDS  VOV
Arus Sinyal pada Terminal Drain
• Tegangan gate-source • Arus Drain
dengan iD  I D  id
vGS  VGS  v gs
• Arus drain dengan menjaga saturasi 1
iD  k n VGS  Vt   k n VGS  Vt v gs
2

maka 2
id  k n VGS  Vt v gs id  g m v gs
k n VGS  v gs  Vt 
1 2
iD  • Parameter penghubung id dengan vgs disebut
2 transkonduktasi gm
1 1
k n VGS  Vt   k n VGS  Vt v gs  k n v gs
2 2
iD 
2 2
• Untuk sinyal kecil
g m  k n VGS  Vt   k nVOV
• Transkonduktasi adalah slope arus-tegangan
1
k n v gs  k n vGS  Vt v gs
2
atau 2
v gs  2vGS  Vt  iD
gm 
vGS
v gs  2VOV vGS VGS
Penguatan Tegangan
• Tegangan drain-source

vDS  VDD  iD RD
untuk sinyal kecil

vDS  VDD  I D  id RD

sehingga

dan vDS  VDS  id RD

vds  id RD   g m v gs RD
Penguatan tegangan

vds
Av    g m RD
v gs
Memisahkan Analisis DC dan AC
• Dengan diperolehnya persamaan sinyal kecil
analisis sinyal dapat dilakukan terpisah DC
terlebih dahulu kemudian ac dengan
persamaan sinyal kecil tersebut
• Hasilnya merupakan superposisi

vDS  VDS  vds

Model Rangkaian Ekivalen Sinyal Kecil
• Dari persamaan arus • Bila memperhitungkan perubahan panjang kanal
tambahkan resistansi output
dapat dinyatakan dalam rangkaian
id  g m v gs

dimana

VA 1
ro  I D  k nVOV
2

ID 2
Transkonduktansi gm
• Sebelumnya telah diperoleh

g m  2k n vGS  Vt   2k nVOV
atau W
g m  k n' vGS  Vt   k n' W VOV
L L
dengan 1 'W
k n VGS  Vt 
2
ID 
2 L
dapat diperoleh

W
g m  2k n' ID
L
dan 2I D 2I
gm   D
VGS  Vt VOV
Contoh 5.10
• Lakukan analisis untuk rangkaian berikut Av,
Rin, dan swing maksimum dengan
kn’(W/L)=0,25mA/V2
Vt=1,5V
VA=50V
Kapasitor kopling untuk memisahkan tegangan DC

kn’(W/L)=0,25mA/V2 Vt=1,5V VA=50V

1 Menentukan titik kerja

arus drain untuk MOSFET saturasi
1 'W 1
k n VGS  Vt   0,25VGS  1,5
2 2
ID 
2 L 2
tegangan drain
VD  VDD  RD I D  15  10 I D
hubungan tegangan drain dan gate

Langkah analisis VGS  VDS VG  VD

1. Tentukan titik kerja DC (quotient) sehingga
2. Hitung parameter model ekivalen
rangkaian sinyal kecil I D  0,12515  10 I D  1,5
2

3. Susun rangkaian ekivalen sinyal

kecil dan dapat diperoleh
4. Lakukan analisis rangkaian
I D  1,06mA VD  4,4V
 kn’(W/L)=0,25mA/V2 Vt=1,5V VA=50V

I D  1,06mA VD  4,4V

2 Menghitung parameter model rangkaian ekivalen

W
g m  k n' VGS  Vt 
L
Langkah analisis
1. Tentukan titik kerja DC (quotient) g m  0,254,4  1.5  0,725mA / V
2. Hitung parameter model ekivalen
rangkaian sinyal kecil VA
ro 
3. Susun rangkaian ekivalen sinyal ID
kecil
4. Lakukan analisis rangkaian 50
ro   47 kW
1,06m
 kn’(W/L)=0,25mA/V2 Vt=1,5V VA=50V

I D  1,06mA VD  4,4V

g m  0,725mA / V ro  47 kW

3 Menyusun rangkaian ekivalen sinyal kecil

Sumber tegangan DC menjadi hubung singkat
Kapasitor (tak hingga!) menjadi hubung singkat

Langkah analisis
1. Tentukan titik kerja DC (quotient)
2. Hitung parameter model ekivalen
rangkaian sinyal kecil
3. Susun rangkaian ekivalen sinyal
kecil
4. Lakukan analisis rangkaian
kn’(W/L)=0,25mA/V2 Vt=1,5V VA=50V

I D  1,06mA VD  4,4V
4 Melakukan analisis rangkaian
tegangan output dengan pengaruh RG
g m  0,725mA / V ro  47 kW
diabaikan
vo   g m v gs RD // RL // ro 
penguatan tegangan
vo  g m v gs RD // RL // ro 
Av  
vi v gs
 
 1 
Av  0,725m 
 1  1  1 
 
 10k 10k 47 k 
Av  3,3V / V
ii
v  v 
 i o 
vi  vo  vi
1    1  3,3  4,3 vi
RG RG  vi  RG RG
v vi R 10 M
Rin  i   G   2,33MW
ii 4,33 vi 4,33 4,33
RG
• Menghitung swing input minimum, transistor
pada batas saturasi

vDS  vGS  Vt
vDS min  vGS max  Vt

V  Av vˆi  VGS  vˆi  Vt

• Dari hasil sebelumnyaDS

maka VDS  VGS

Vt 1,5
vˆi    0,35V
1  Av 1  (3,3)
Model Rangkaian Ekivalen T
Model Rangkaian Ekivalen T dengan ro
Contoh 5.11
• Turunkan resistansi input Rin dan
penguatan tegangan sinyal Av
rangkaian berikut
Contoh 5.11
• Rangkaian ekivalen sinyal kecil
Contoh 5.11
• Resistansi input

1
 i 
vi g m 1
Rin   
ii (i ) gm
• Tegangan output

tegangan input vo   Rd i

1
Penguatan tegangan vi   i 
gm

vo  RD i
Av    g m RD
vi 1
 i 
gm
Latihan 5.19
• Tunjukkan bahwa resistansi sinyal kecil
rangkaian berikut

1
r || ro
gm
Latihan 5.19
• Rangkaian ekivalen sinyal kecil
Konfigurasi Dasar Penguat
MOSFET
Tiga Konfigurasi Dasar
Karakterisasi Penguat
Penguat Common Source

Rin  
Avo   g m RD || ro 

Av   g m RD || ro || RL  Gv   g m RD || ro || RL 
Penguat Common Source
• Analisis sinyal kecil langsung
Common Source dengan Resistansi Source
vo  iRD
Ro  RD
vi g m vi
i 
1 g m  RS 1  g m RS
vo RD g R
Avo    m D
vi 1 g m  RS 1  g m RS

RD || RL g R || RL 
Av    m D
1 g m  RS 1  g m RS

1 gm vi
v gs  vi 
1 g m  Rs 1  g m Rs
Penguat Common Gate
vi Rin 1 gm vo
  Avo   g m RD vo  iRD
vsig Rin  Rsig 1 g m  Rsig vi

1 gm RD || RL
Gv  g m RD || RL  
1 g m  Rsig 1 g m  Rsig
Penguat Common Drain
• Voltage Buffer
Penguat Common Drain

Rin   RL
Av 
RL  1 g m Avo  1

RL
Gv  Av 
RL  1 g m
Pemberian Bias MOSFET
Dengan VGS Tetap
• Arus DC

1 W
ID  m nCox VGS  Vtn 2
2 L
Masalah mn dan Vt adalah fungsi suhu
VG Tetap dan Resistor Source
• Arus drain relatif tetap karena umpan balik tegangan pada resistor RS

VG  VGS  I D RD
VG Tetap dan Resistor Source
• Variasi rangkaian bias VG tetap dengan resitansi RS
Contoh 5.12
• Rancang rangkaian sehingga ID=0,5mA
VD=10V, dan VS=5V untuk Vt=1V,
kn’W/L=1mA/V2, l=0, dan VDD=15V.
• Berapakah perubahan ID bila tegangan
threshold berubah menjadi Vt=1,5V.
Contoh 5.12
• Dari tegangan terminal drain dan source

VDD  VD 15  10
RD    10kW
ID 0,5

VS 5
RS    10kW
I
• Mencari tegangan VGS. D 0,5

1 'W 2
ID  k n VOV
2 L
1 2
0,5   1 VOV
2

VOV  1V VGS  VOV  Vt  1  1  2V VG  VGS  VS  2  5  7V

Contoh 5.12
• Dari tegangan terminal gate

V  7V
Rangkaian pembagi teganganG

RGA  8MW
• Saar tegangan threshold berubah menjadi 1,5
RGB  7 MW

1 'W
k n VGS  Vt 
2
ID 
dan juga 2 L
1 1
I D   1 7  VS  1,5   5,5  VS 
2 2

2 2
V V
ID  S  S
RS 10
Contoh 5.12
• Menyelesaikan persamaan kuadratik
diperoleh

I D  0,455mA
Perubahan arus

atau I D  0,455  0,5  0,045mA

I D  0,045
  100%  9%
ID 0,5
Dengan Resistor Drain ke Gate
• Tegangan gate-source
VGS  VDS  VDD  I D RD
Perubahan tegangan threshold naik atau
mobilitas menurun, akan memperkecil arus ID
dan memperbesar tegangan VDS=VGS sehingga
arus relatif tetap.
Bias dengan Sumber Arus
• Tegangan gate nol, sedangkan tegangan • Implementasi sumber arus dengan cermin
source mengikuti besaran arus drain arus

1 ' W 
k n   VGS  Vt 
2
I D1 
2  L 1
VDD  VSS  VGS
I D1  I REF 
R
1 ' W 
k n   VGS  Vt 
2
I  ID2 
2  L 2

I  I REF
W / L 2
W / L 2
Terima kasih